JPS62226629A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPS62226629A JPS62226629A JP7026186A JP7026186A JPS62226629A JP S62226629 A JPS62226629 A JP S62226629A JP 7026186 A JP7026186 A JP 7026186A JP 7026186 A JP7026186 A JP 7026186A JP S62226629 A JPS62226629 A JP S62226629A
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Landscapes
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体ウェハの洗浄方法に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
第２図を参照して、従来の半導体ウェハの洗浄方法が概
略的に図解されている。半導体ウェハ２１の表面に超純
水がジェットノズル２２によって吹き付けらる。これと
同時に、矢印Ｒの方向に回転しているブラシ２３を矢印
Ｔの方向でウェハ表面にスライドさせることによって、
ウェハ表面の汚染粒子などを洗浄除去している。
略的に図解されている。半導体ウェハ２１の表面に超純
水がジェットノズル２２によって吹き付けらる。これと
同時に、矢印Ｒの方向に回転しているブラシ２３を矢印
Ｔの方向でウェハ表面にスライドさせることによって、
ウェハ表面の汚染粒子などを洗浄除去している。
［発明が解決しようとする問題点〕
第２図に示されたような従来のウェハ洗浄方法において
は、（１）約１０μｍ以下の超微細な汚染粒子などの洗
浄除去が困難であり、く２）洗浄ブラシの摩耗によって
ウェハに汚染が生じることがあり、（３）ブラシの１９
！擦による静電気が発生して洗浄効果を低下させるなど
の不都合があった。
は、（１）約１０μｍ以下の超微細な汚染粒子などの洗
浄除去が困難であり、く２）洗浄ブラシの摩耗によって
ウェハに汚染が生じることがあり、（３）ブラシの１９
！擦による静電気が発生して洗浄効果を低下させるなど
の不都合があった。
したがって、本発明は、超微細な汚染粒子などの洗浄除
去を効果的にｊ工成し得るとともに、ブラシの摩耗によ
る汚染やブラシの摩擦による静電気の発生などを排除し
得るウェハ洗浄方法を提供することを目的としている。
去を効果的にｊ工成し得るとともに、ブラシの摩耗によ
る汚染やブラシの摩擦による静電気の発生などを排除し
得るウェハ洗浄方法を提供することを目的としている。
［間珀点を解決するための手段］
本発明のウェハ洗浄方法は、半導体ウェハ表面に氷の粒
子を噴射することによって、そのウェハを洗浄する。
子を噴射することによって、そのウェハを洗浄する。
［作用］
本発明のウェハ洗浄方法において、噴射された氷の粒子
はウェハ表面上の微細粒子を効果的に吹き飛ばすととも
にウェハ表面を摩擦して付着している汚れを除去し、さ
らに氷の溶けた水は汚染物の溶媒として作用する。
はウェハ表面上の微細粒子を効果的に吹き飛ばすととも
にウェハ表面を摩擦して付着している汚れを除去し、さ
らに氷の溶けた水は汚染物の溶媒として作用する。
［発明の実施例］
第１図を参照して、本発明のウェハ洗浄方法の好ましい
一実施例が概略的に図解されている。たとえば、断面が
４００Ｘ４００ｍｍ’で高さが１２００ｍｎ＋の容器１
は、液体窒素源２から供給された液体窒素３によって高
さ５００ｍｍまで満たされている。この液体窒素３にお
いて、散気管４から窒素ガスを３０Ｃ１，／ｌ１１２・
ｍｉｎの割合で吹き出すことによって、液体窒素３の表
面に数ｍｍの波を生じさせる。この窒素ガスは液体窒素
ｒＡ２から熱交換器３を介して与えられる。一方、容器
１の上部に設けられたノズル６には、純水源７から２．
０ｋｇ、−’ｃ＋ｎ２Ｇの圧力と０．１ Ｑ、、／ｍｉ
ｎの流量で純水が供給されるとともに、２．０ｋｇ、／
ｃ１Ｇの圧力と８ Ｎｌ ／ｍｉｎの流量で窒素ガスが
供給される。
一実施例が概略的に図解されている。たとえば、断面が
４００Ｘ４００ｍｍ’で高さが１２００ｍｎ＋の容器１
は、液体窒素源２から供給された液体窒素３によって高
さ５００ｍｍまで満たされている。この液体窒素３にお
いて、散気管４から窒素ガスを３０Ｃ１，／ｌ１１２・
ｍｉｎの割合で吹き出すことによって、液体窒素３の表
面に数ｍｍの波を生じさせる。この窒素ガスは液体窒素
ｒＡ２から熱交換器３を介して与えられる。一方、容器
１の上部に設けられたノズル６には、純水源７から２．
０ｋｇ、−’ｃ＋ｎ２Ｇの圧力と０．１ Ｑ、、／ｍｉ
ｎの流量で純水が供給されるとともに、２．０ｋｇ、／
ｃ１Ｇの圧力と８ Ｎｌ ／ｍｉｎの流量で窒素ガスが
供給される。
そして、純水がノズル６から霧状に噴射される。
こうして、液体窒素３内に噴射された純水の霧は瞬時に
微細な氷の粒子８となる。上記の噴射条件では約２０μ
ｍレベルの氷粒子が形成されるが、これらの微細な氷の
粒子は純水の噴射条件や液体窒素中の滞在時間などを調
節することによって種々に制御することができる。
微細な氷の粒子８となる。上記の噴射条件では約２０μ
ｍレベルの氷粒子が形成されるが、これらの微細な氷の
粒子は純水の噴射条件や液体窒素中の滞在時間などを調
節することによって種々に制御することができる。
こうして製造された氷の粒子８は、たとえばスクリュフ
ィーダ９によってホッパ１０内に輸送される。ホッパ１
０内の氷粒子は次にブラスト装置１１に供給される。こ
のブラスト装置１１は、たとえば高圧気体エジェクタ方
式のものであって、５ｋｇ、／Ｃｌｌ１２Ｇの高圧で１
ＮＱ、／ｎ＋ｉｎの流量の窒素ガスによって、氷粒子を
０．３１１．／ｍｉｎの割合で噴射させる。この噴射さ
れた氷粒子を半導体ウェハの表面に吹き付けることによ
って、汚染粒子や汚れを洗浄除去する。
ィーダ９によってホッパ１０内に輸送される。ホッパ１
０内の氷粒子は次にブラスト装置１１に供給される。こ
のブラスト装置１１は、たとえば高圧気体エジェクタ方
式のものであって、５ｋｇ、／Ｃｌｌ１２Ｇの高圧で１
ＮＱ、／ｎ＋ｉｎの流量の窒素ガスによって、氷粒子を
０．３１１．／ｍｉｎの割合で噴射させる。この噴射さ
れた氷粒子を半導体ウェハの表面に吹き付けることによ
って、汚染粒子や汚れを洗浄除去する。
この場合、微細な汚染粒子や汚れを微細な氷粒子の衝撃
によって効果的に吹き飛ばしながら、溶解した水は汚染
物質の溶媒として作用する。このように、従来の汚染ブ
ラシを全く使用しないので。
によって効果的に吹き飛ばしながら、溶解した水は汚染
物質の溶媒として作用する。このように、従来の汚染ブ
ラシを全く使用しないので。
ブラシのＩｌ！粍による汚染や帯電性のブラシの摩擦に
よる静電気の発生から解放される。
よる静電気の発生から解放される。
本発明のもう１つの実施例によれば、超純水に炭酸ガス
を含ませることによって１ＭΩ・ｃ＋ｎ以下の比抵抗に
下げられた水から製氷された氷粒子を噴射する。この場
合、この低抵抗の水が静電気を解放するように作用する
ので、洗浄時における帯電の問題を一層心配のないもの
にする。ざらに。
を含ませることによって１ＭΩ・ｃ＋ｎ以下の比抵抗に
下げられた水から製氷された氷粒子を噴射する。この場
合、この低抵抗の水が静電気を解放するように作用する
ので、洗浄時における帯電の問題を一層心配のないもの
にする。ざらに。
炭酸ガスを含む水は、生菌の排除により効果的である。
［発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、微細な氷粒子の衝撃に
よってウェハ表面上の微細な汚染粒子や汚れを摩擦除去
して吹き飛ばしながら、溶解した水は汚染物質の溶媒と
して作用するので、１脣れた洗浄効果が１ｑられる。ま
た、従来の洗浄ブラシを全く使用しないので、ブラシの
摩耗による汚染ヤ帯盾性のブラシの摩擦から生じる静電
気の発生による洗浄効果の低下から解放される。
よってウェハ表面上の微細な汚染粒子や汚れを摩擦除去
して吹き飛ばしながら、溶解した水は汚染物質の溶媒と
して作用するので、１脣れた洗浄効果が１ｑられる。ま
た、従来の洗浄ブラシを全く使用しないので、ブラシの
摩耗による汚染ヤ帯盾性のブラシの摩擦から生じる静電
気の発生による洗浄効果の低下から解放される。
第１図は本発明の一実施例を概略的に図解している。
第２図は従来のウェハ洗浄方法を概略的に図解している
。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体
窒素、４は散気管、５は熱交換器、６はノズル、７は純
水源、８は氷粒子、９はスクリュフィーダ、１ｏはホッ
パ、１１はブラスト装置、１２は半導体ウェハ、１３は
汚染粒子を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１
図
。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体
窒素、４は散気管、５は熱交換器、６はノズル、７は純
水源、８は氷粒子、９はスクリュフィーダ、１ｏはホッ
パ、１１はブラスト装置、１２は半導体ウェハ、１３は
汚染粒子を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１
図
Claims (6)
- （１）半導体ウェハ表面に氷の粒子を噴射することによ
り前記ウェハを洗浄することを特徴とする半導体ウェハ
の洗浄方法。 - （２）前記氷の粒子はガスの噴流によって噴射されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェ
ハの洗浄方法。 - （３）前記氷の粒子は１μｍ〜５ｍｍの粒径であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
半導体ウェハの洗浄方法。 - （４）前記氷は超純水の氷であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかの項に記載さ
れた半導体ウェハの洗浄方法。 - （５）前記氷は超純水に炭酸ガスが混入された水の氷で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかの項に記載された半導体ウェハの洗浄方法
。 - （６）前記超純水に炭酸ガスが混入された水は１ＭΩ・
ｃｍ以下の比抵抗を有することを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の半導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026186A JPS62226629A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026186A JPS62226629A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226629A true JPS62226629A (ja) | 1987-10-05 |
Family
ID=13426417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026186A Pending JPS62226629A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62226629A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01114043A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Teru Kyushu Kk | 洗浄方法 |
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| DE4022401A1 (de) * | 1989-07-17 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur oberflaechenbehandlung eines substrats |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55106538A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Shimadzu Corp | Removing method of surface from substance |
| JPS5924961A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 軟質金属又は軽金属表面の研掃方法 |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7026186A patent/JPS62226629A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55106538A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Shimadzu Corp | Removing method of surface from substance |
| JPS5924961A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 軟質金属又は軽金属表面の研掃方法 |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01114043A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Teru Kyushu Kk | 洗浄方法 |
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| DE4022401A1 (de) * | 1989-07-17 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur oberflaechenbehandlung eines substrats |
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