KR102316901B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102316901B1
KR102316901B1 KR1020207000344A KR20207000344A KR102316901B1 KR 102316901 B1 KR102316901 B1 KR 102316901B1 KR 1020207000344 A KR1020207000344 A KR 1020207000344A KR 20207000344 A KR20207000344 A KR 20207000344A KR 102316901 B1 KR102316901 B1 KR 102316901B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
brush
droplets
nozzle
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020207000344A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200004471A (ko
Inventor
쇼타로 츠다
준이치 이시이
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20200004471A publication Critical patent/KR20200004471A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102316901B1 publication Critical patent/KR102316901B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/20—Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/12—Brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

브러시를 기판의 하면 경사부에 접촉시키는 하측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 복수의 액적을 기판의 상면에 충돌시키면서, 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 기판의 중앙과 기판의 중간 사이에서 이동시키는 중앙측 스프레이 세정 공정이 실시된다. 그 후, 브러시를 기판의 상면 경사부에 접촉시키는 상측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 복수의 액적을 기판의 상면에 충돌시키면서, 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 기판의 중간과 기판의 외주 사이에서 이동시키는 외주측 스프레이 세정 공정이 실시된다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치 용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.
특허문헌 1 에는, 기판의 외주부를 브러시로 세정하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하면서 기판의 중앙부를 통과하는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 외주부에 장구형의 브러시를 가압하는 브러시 이동 기구를 구비하고 있다. 브러시는, 회전하고 있는 기판의 하면 외주부에 가압된 후, 회전하고 있는 기판의 상면 외주부에 가압된다.
일본 공개특허공보 2007-273612호
특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 브러시가 기판의 외주부 (이른바 베벨부) 에 가압되므로, 기판의 외주부에 부착되어 있는 이물질을 물리적으로 제거할 수 있다. 그러나, 특허문헌 1 의 구성에서는, 기판의 상면을 물리적으로 세정 하지 못한다.
본 발명자들은, 회전하고 있는 기판의 외주부에 브러시를 접촉시키면서, 복수의 액적을 기판의 상면에 충돌시킴으로써, 기판의 외주부뿐만 아니라, 기판의 상면도 물리적으로 세정하는 것을 검토하고 있다. 이 경우, 기판의 외주부와 기판의 상면이 동시에 세정되므로, 기판의 청정도를 높이면서, 기판의 세정 시간을 단축시킬 수 있다. 그러나, 본 발명자들은, 기판의 외주부 및 상면을 단지 동시에 세정하는 것만으로는, 충분히 청정도를 높이지 못할 우려가 있음을 알아냈다.
그래서, 본 발명의 목적의 하나는, 기판의 세정 시간의 증가를 억제하면서, 기판의 청정도를 높이는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하면서 상기 기판을 통과하는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 기판 회전 공정과 병행하여, 브러시를 상기 기판의 하면 경사부에 접촉시키는 하측 스크러브 세정 공정과, 상기 하측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중앙과 상기 기판의 중간 사이에서 이동시키는 중앙측 스프레이 세정 공정과, 상기 하측 스크러브 세정 공정 후, 상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상기 브러시를 상기 기판의 상면 경사부에 접촉시키는 상측 스크러브 세정 공정과, 상기 상측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 외주측 스프레이 세정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 회전하고 있는 기판의 하면 경사부에 브러시가 접촉된다. 이로써, 기판의 하면의 전체 둘레에 브러시가 문질러진다. 파티클 등의 이물질은, 브러시로부터의 물리적인 힘에 의해 기판으로부터 박리된다. 복수의 액적은, 기판의 하면 경사부의 세정과 병행하여, 기판의 중앙으로부터 기판의 중간까지의 사이의 기판의 상면 내의 영역에 충돌한다. 파티클 등의 이물질은, 액적의 충돌에 의한 물리적인 힘에 의해 기판으로부터 박리된다.
기판의 하면 경사부가 세정된 후에는, 회전하고 있는 기판의 상면 경사부에 브러시가 접촉된다. 이로써, 기판의 상면의 전체 둘레에 브러시가 문질러진다. 복수의 액적은, 기판의 상면 경사부의 세정과 병행하여, 기판의 중간으로부터 기판의 외주까지의 사이의 기판의 상면 내의 영역에 충돌한다. 이와 같이, 기판의 외주부의 물리적인 세정과 병행하여, 기판의 상면을 물리적으로 세정하므로, 세정 시간의 증가를 억제하면서, 기판의 청정도를 높일 수 있다.
브러시가 회전하고 있는 기판의 하면 경사부에 접촉되어 있을 때, 파티클이나 액적 등 비산물이, 기판의 하방에서 브러시로부터 기판의 회전 축선 쪽으로 하방으로 비산된다 (도 6 참조). 이들 비산물은, 기판으로부터 멀어지는 방향으로 비산되므로, 기판에 잘 부착되지 않는다. 한편, 브러시가 회전하고 있는 기판의 상면 경사부에 접촉되어 있을 때, 브러시로부터 비산된 비산물은, 기판의 상면으로 낙하되기 쉽다 (도 7 참조). 그 때문에, 비산물이, 기판의 상면, 특히, 기판의 상면 외주부에 부착되기 쉽다.
비산물이 낙하되기 쉬운 영역, 요컨대, 기판의 중간으로부터 기판의 외주까지의 사이의 기판의 상면 내의 영역은, 브러시가 기판의 상면 경사부에 접촉되어 있을 때에, 복수의 액적에 의해 세정된다. 그 때문에, 기판의 상면에 부착된 비산물을 즉시 제거할 수 있다. 이와 같이, 기판의 상면 외주부에 부착되어 있는 이물질뿐만 아니라, 브러시로부터 기판의 상면 외주부로 비산된 비산물도, 복수의 액적에 의해 제거할 수 있으므로, 기판의 청정도를 더욱 높일 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 이하의 적어도 하나의 특징이, 상기 기판 처리 방법에 추가되어도 된다.
상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정은, 모두, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 외주측으로만 이동시키는 공정이다. 상기 중앙측 스프레이 세정 공정은, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를 상기 기판의 중앙으로부터 상기 기판의 중간으로 이동시키는 공정을 1 회 이상 실시하는 공정이다. 마찬가지로, 상기 외주측 스프레이 세정 공정은, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를 상기 기판의 중간으로부터 상기 기판의 외주로 이동시키는 공정을 1 회 이상 실시하는 공정이다.
이 방법에 의하면, 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가, 기판의 외주측으로만 이동하므로, 기판 상의 이물질을 바깥쪽으로 이동시키는 힘이 발생한다. 그 때문에, 기판 상의 이물질은, 기판의 상면을 따라 바깥쪽으로 이동하도록 재촉된다. 이로써, 이물질을 효율적으로 기판으로부터 제거할 수 있어, 기판의 청정도를 더욱 높일 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정과 병행하여, 상기 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출하는 상 (上) 린스액 공급 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 회전하고 있는 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액이 토출된다. 기판의 상면에 착액된 린스액은, 기판의 상면을 따라 바깥쪽으로 흐른다. 액적의 충돌에 의해 기판의 상면으로부터 박리된 이물질은, 바깥쪽으로 흐르는 린스액에 의해, 바깥쪽으로 이동하도록 재촉된다. 그 때문에, 이물질을 효율적으로 기판으로부터 제거할 수 있어, 기판의 청정도를 더욱 높일 수 있다.
상기 외주측 스프레이 세정 공정은, 상기 기판의 상면과 상기 브러시가 접촉되는 영역의 내측에서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 공정이다.
이 방법에 의하면, 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가, 기판의 상면과 브러시가 접촉되는 영역의 내측에서 이동한다. 요컨대, 스크러브 세정 (브러시에 의한 세정) 과 스프레이 세정 (액적의 충돌에 의한 세정) 이, 기판의 각각의 영역에 실시된다. 이와 같이, 스크러브 세정 및 스프레이 세정을 기판의 동일한 영역에 실행하지 않기 때문에, 기판의 세정 시간을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하면서 상기 기판을 통과하는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키는 기판 유지 유닛과, 상기 기판에 가압되는 브러시와, 상기 브러시가 상기 기판의 하면 경사부에 접촉되는 하 (下) 접촉 위치와, 상기 브러시가 상기 기판의 상면 경사부에 접촉되는 상 (上) 접촉 위치를 포함하는 복수의 위치로 상기 브러시를 이동시키는 브러시 이동 기구와, 상기 기판의 상면에 충돌하는 복수의 액적을 형성하는 스프레이 노즐과, 상기 스프레이 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중앙과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 노즐 이동 기구와, 상기 기판 유지 유닛, 브러시 이동 기구, 및 노즐 이동 기구를 제어하는 제어 장치를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제어 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 상기 기판을 수평으로 유지시키고, 상기 회전 축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상기 브러시 이동 기구에 상기 브러시를 상기 기판의 하면 경사부에 접촉시키는 하측 스크러브 세정 공정과, 상기 하측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 상기 노즐 이동 기구에, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중앙과 상기 기판의 중간 사이에서 이동시키는 중앙측 스프레이 세정 공정과, 상기 하측 스크러브 세정 공정 후, 상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상기 브러시 이동 기구에 상기 브러시를 상기 기판의 상면 경사부에 접촉시키는 상측 스크러브 세정 공정과, 상기 상측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 상기 노즐 이동 기구에, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 외주측 스프레이 세정 공정을 실행한다. 이 구성에 의하면, 전술한 효과를 발휘할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 이하의 적어도 하나의 특징이, 상기 기판 처리 장치에 추가되어도 된다.
상기 제어 장치는, 상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정의 각각에 있어서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 외주측으로만 이동시킨다. 이 구성에 의하면, 전술한 효과를 발휘할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출하는 상면 노즐을 추가로 포함하고, 상기 제어 장치는, 상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정과 병행하여, 상기 상면 노즐에 상기 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출시키는 상린스액 공급 공정을 추가로 실행한다. 이 구성에 의하면, 전술한 효과를 발휘할 수 있다.
상기 제어 장치는, 상기 외주측 스프레이 세정 공정에 있어서, 상기 노즐 이동 기구에, 상기 기판의 상면과 상기 브러시가 접촉되는 영역의 내측에서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시킨다. 이 구성에 의하면, 전술한 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명에 있어서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 내부를 수평으로 본 모식도이다.
도 2 는, 처리 유닛의 모식적인 평면도이다.
도 3 은, 기판의 외주부에 가압되어 있는 브러시를 수평으로 본 모식도이다.
도 4 는, 기판의 외주부에 대해 설명하기 위한 확대도이다.
도 5 는, 처리 유닛에 의해 실시되는 기판의 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 6 은, 기판의 처리 중에 있어서의 브러시 및 스프레이 노즐의 위치에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 7 은, 기판의 처리 중에 있어서의 브러시 및 스프레이 노즐의 위치에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 처리 유닛 (2) 의 내부를 수평으로 본 모식도이다. 도 2 는, 처리 유닛 (2) 의 모식적인 평면도이다. 도 3 은, 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있는 브러시 (31) 를 수평으로 본 모식도이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 기판 (W) 의 상면 및 외주부를 스프레이 세정 및 스크러브 세정하는 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 처리 유닛 (2) 과, 처리 유닛 (2) 에 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (도시 생략) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다. 제어 장치 (3) 는, 연산부와 기억부를 포함하는 컴퓨터이다.
처리 유닛 (2) 은, 내부 공간을 갖는 상자형의 챔버 (4) 와, 1 장의 기판 (W) 을 챔버 (4) 내에서 수평으로 유지하면서 기판 (W) 의 중앙부를 통과하는 연직인 회전 축선 (A1) 둘레로 회전시키는 스핀 척 (5) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 으로부터 배출된 처리액을 받아내는 통 형상의 컵 (도시 생략) 을 포함한다. 스핀 척 (5) 은, 기판 유지 유닛의 일례이다.
스핀 척 (5) 은, 기판 (W) 보다 외경이 작은 원판상의 스핀 베이스 (6) 와, 스핀 베이스 (6) 의 상면에서 개구되는 흡인구에 기판 (W) 의 하면 (이면) 을 흡착시킴으로써 스핀 베이스 (6) 에 기판 (W) 을 수평으로 유지시키는 흡인 장치 (8) 를 포함한다. 스핀 척 (5) 은, 추가로, 회전 축선 (A1) 둘레의 방향인 회전 방향 (Dr) 으로 기판 (W) 및 스핀 베이스 (6) 를 회전시키는 스핀 모터 (7) 를 포함한다.
처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향하여 처리액을 토출하는 상면 노즐 (11) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 하면 내의 스핀 베이스 (6) 의 둘레 위치를 향하여 처리액을 토출하는 하면 노즐 (14) 을 포함한다. 상면 노즐 (11) 은, 상면 밸브 (13) 가 개재 장착된 상면 배관 (12) 에 접속되어 있다. 하면 노즐 (14) 은, 하면 밸브 (16) 가 개재 장착된 하면 배관 (15) 에 접속되어 있다.
상면 밸브 (13) 가 열리면, 처리액이, 상면 노즐 (11) 로부터 토출되어, 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 마찬가지로, 하면 밸브 (16) 가 열리면, 처리액이, 하면 노즐 (14) 로부터 토출되어, 기판 (W) 의 하면에 공급된다. 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 에 공급되는 처리액은, 린스액의 일례인 순수 (탈이온수) 이다. 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 탄산수, 이온수, 오존수, 환원수 (수소수) 또는 기능수 (자기수 등) 여도 된다. 처리액은, 린스액에 한정되지 않고, 암모니아수 또는 암모니아수와 과산화수소수의 혼합액 등의 약액이어도 된다. 서로 상이한 종류의 처리액이, 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 에 공급되어도 된다.
처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면에 복수의 액적을 충돌시키는 스프레이 노즐 (17) 과, 복수의 액적이 충돌하는 기판 (W) 의 상면 내의 충돌 위치 (P1) (도 2 참조) 를 덮는 액막을 형성하는 커버 린스액 노즐 (22) 과, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 을 이동시키는 노즐 이동 기구 (25) 를 포함한다.
스프레이 노즐 (17) 은, 그 내부 또는 외부에서 액체와 기체를 충돌시킴으로써, 기판 (W) 의 상면을 향해 하방으로 비산되는 복수의 액적을 생성하는 이류체 노즐이다. 이류체 노즐은, 기판 (W) 의 상면을 향하여 액체를 토출하는 액체 토출구와, 액체 토출구로부터 토출된 액체에 충돌하는 기체를 토출하는 기체 토출구를 포함한다. 스프레이 노즐 (17) 은, 액체를 복수의 구멍으로부터 동시에 분사함으로써 복수의 액적을 생성해도 된다. 스프레이 노즐 (17) 에 의해 생성된 복수의 액적은, 기판 (W) 의 상면 내의 충돌 위치 (P1) 에 충돌한다. 충돌 위치 (P1) 는, 예를 들어, 평면에서 보아 스프레이 노즐 (17) 에 덮이는 기판 (W) 의 상면 내의 영역이다.
스프레이 노즐 (17) 이 이류체 노즐인 경우, 스프레이 노즐 (17) 은, 액체 밸브 (19) 가 개재 장착된 액체 배관 (18) 과, 기체 밸브 (21) 가 개재 장착된 기체 배관 (20) 에 접속된다. 액체 밸브 (19) 및 기체 밸브 (21) 가 열리면, 액체 및 기체가, 스프레이 노즐 (17) 에 공급되고, 기판 (W) 의 상면을 향해 하방으로 비산되는 복수의 액적이 생성된다. 스프레이 노즐 (17) 에 공급되는 액체는 순수이고, 스프레이 노즐 (17) 에 공급되는 기체는 질소 가스이다. 스프레이 노즐 (17) 에 공급되는 액체는, 순수 이외의 처리액이어도 된다. 스프레이 노즐 (17) 에 공급되는 기체는, 질소 가스 이외의 불활성 가스여도 된다.
커버 린스액 노즐 (22) 은, 커버 린스액 밸브 (24) 가 개재 장착된 커버 린스액 배관 (23) 에 접속되어 있다. 커버 린스액 밸브 (24) 가 열리면, 커버 린스액이, 커버 린스액 노즐 (22) 로부터 토출되어, 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 커버 린스액은 순수이다. 커버 린스액은, 순수 이외의 처리액이어도 된다. 커버 린스액 노즐 (22) 은, 기판 (W) 의 상면 내의 착액 위치 (P2) (도 2 참조) 를 향하여 커버 린스액을 토출한다. 착액 위치 (P2) 에 착액된 커버 린스액은, 착액 위치 (P2) 를 덮는 기판 (W) 보다 작은 액막을 형성한다. 회전하고 있는 기판 (W) 상에 형성된 액막은, 기판 (W) 의 회전 방향 (Dr) 으로 이동한다. 기판 (W) 의 회전 방향 (Dr) 에 관하여, 착액 위치 (P2) 는, 충돌 위치 (P1) 의 상류의 위치이다.
노즐 이동 기구 (25) 는, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 이 선단부에 장착된 노즐 아암 (26) 과, 노즐 아암 (26) 의 선단부가 평면에서 보아 기판 (W) 의 중앙부를 통과하는 경로를 따라 노즐 아암 (26) 을 수평으로 이동시키는 노즐 수평 구동 기구 (27) 를 포함한다. 노즐 수평 구동 기구 (27) 는, 스핀 척 (5) 및 컵의 주위에 위치하는 연직인 노즐 회동 (回動) 축선 (A2) 둘레로 노즐 아암 (26) 을 수평으로 회동시킨다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 노즐 수평 구동 기구 (27) 는, 노즐 아암 (26) 을 수평으로 회동시킴으로써, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 을 수평으로 이동시킨다. 노즐 수평 구동 기구 (27) 는, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 이 기판 (W) 의 상방에 위치하는 처리 위치와, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 이 평면에서 보아 스핀 척 (5) 및 컵의 주위에 위치하는 대기 위치 사이에서, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 을 수평으로 이동시킨다.
스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 이 동일한 노즐 아암 (26) 에 유지되어 있으므로, 착액 위치 (P2) 및 충돌 위치 (P1) 는, 기판 (W) 의 회전 방향 (Dr) 에 근접하고 있다. 기판 (W) 의 회전 방향 (Dr) 에 관하여, 착액 위치 (P2) 는, 충돌 위치 (P1) 의 상류의 위치이다. 커버 린스액 노즐 (22) 이 커버 린스액을 토출하고 있을 때에, 스프레이 노즐 (17) 이 복수의 액적을 생성하면, 복수의 액적은, 커버 린스액의 액막으로 덮인 충돌 위치 (P1) 에 충돌한다. 이로써, 액적의 충돌로 인해 기판 (W) 에 가해지는 충격이 완화되므로, 패턴 붕괴의 발생이 억제 또는 방지된다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 의 외주부에 가압되는 브러시 (31) 와, 브러시 (31) 를 유지하는 브러시 아암 (37) 과, 브러시 아암 (37) 을 이동시킴으로써 브러시 (31) 를 이동시키는 브러시 이동 기구 (38) 를 포함한다. 처리 유닛 (2) 은, 브러시 아암 (37) 에 대해 브러시 (31) 의 연직인 중심선 둘레로 브러시 (31) 를 회전시키는 브러시 자전 기구 (41) 를 브러시 아암 (37) 내에 구비하고 있어도 된다.
브러시 (31) 는, 브러시 (31) 의 상방에 배치된 브러시 홀더 (34) 에 유지되어 있다. 브러시 홀더 (34) 는, 브러시 홀더 (34) 의 상방에 배치된 홀더 장착부 (35) 에 장착되어 있다. 홀더 장착부 (35) 는, 홀더 장착부 (35) 로부터 상방으로 연장되는 지지축 (36) 에 지지되어 있다. 지지축 (36) 은, 브러시 아암 (37) 으로부터 하방으로 돌출되어 있다. 브러시 자전 기구 (41) 가 브러시 아암 (37) 에 구비되는 경우, 브러시 자전 기구 (41) 는, 지지축 (36) 을 그 중심선 둘레로 회전시킴으로써, 브러시 (31) 를 자전시킨다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 브러시 (31) 는, PVA (폴리비닐알코올) 등의 합성 수지로 제작된 탄성 변형 가능한 스펀지 브러시이다. 장구형의 브러시 (31) 는, 그 하단에 가까워짐에 따라 가늘어지는 원추대상의 상 (上) 세정면 (32) 과, 그 상단에 가까워짐에 따라 가늘어지는 원추대상의 하 (下) 세정면 (33) 을 포함한다. 상세정면 (32) 및 하세정면 (33) 은, 상세정면 (32) 의 하단 및 하세정면 (33) 의 상단에서 결합되어 있고, 양자의 결합부를 통과하는 수평면에 관하여 서로 대칭인 형상을 가지고 있다. 테이퍼상의 상세정면 (32) 및 하세정면 (33) 은, 브러시 (31) 의 연직인 중심선 쪽으로 패인 단면 V 자상의 환상의 홈을 형성하고 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 브러시 이동 기구 (38) 는, 브러시 아암 (37) 을 수평으로 이동시키는 브러시 수평 구동 기구 (39) 와, 브러시 아암 (37) 을 연직으로 이동시키는 브러시 연직 구동 기구 (40) 를 포함한다. 도 2 는, 브러시 수평 구동 기구 (39) 가, 스핀 척 (5) 및 컵의 주위에 위치하는 연직인 브러시 회동 축선 (A3) 둘레로 브러시 아암 (37) 을 회동시키는 브러시 선회 기구인 예를 나타내고 있다. 브러시 수평 구동 기구 (39) 는, 브러시 아암 (37) 을 수평으로 평행 이동시키는 브러시 슬라이드 기구여도 된다.
브러시 이동 기구 (38) 는, 브러시 아암 (37) 을 이동시킴으로써, 브러시를 복수의 위치로 이동시킨다. 복수의 위치는, 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되는 상 (上) 세정 위치와, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되는 하 (下) 세정 위치와, 브러시 (31) 가 평면에서 보아 스핀 척 (5) 및 컵의 주위에 위치하는 대기 위치를 포함한다. 복수의 위치는, 추가로, 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 기판 (W) 의 외주부에 수평하게 대향하는 상 (上) 근접 위치와, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 수평하게 대향하는 하 (下) 근접 위치를 포함한다.
처리 유닛 (2) 은, 대기 위치에 위치하는 브러시 (31) 를 수용하는 통 형상의 포트 (42) 와, 세정액의 일례인 순수를 포트 (42) 내에서 토출하는 세정액 노즐 (43) 을 포함한다. 브러시 이동 기구 (38) 가 브러시 (31) 를 대기 위치로 이동시키면, 브러시 (31) 는, 포트 (42) 내에 수용된다. 브러시 (31) 에 부착되어 있는 파티클 등의 이물질은, 세정액 노즐 (43) 로부터 토출된 순수에 의해 제거된다. 또, 대기 위치에 위치하는 브러시 (31) 는, 세정액 노즐 (43) 로부터 토출된 순수에 의해 습윤 상태로 유지된다.
도 4 는, 기판 (W) 의 외주부에 대해 설명하기 위한 확대도이다. 기판 (W) 의 상면은, 수평하고 평탄한 원형의 상면 평탄부와, 상면 평탄부의 외단으로부터 대각선 아래로 바깥쪽으로 연장되는 환상의 상면 경사부를 포함한다. 마찬가지로, 기판 (W) 의 하면은, 수평하고 평탄한 원형의 하면 평탄부와, 하면 평탄부의 외단으로부터 대각선 위로 바깥쪽으로 연장되는 환상의 하면 경사부를 포함한다. 상면 경사부 및 하면 경사부는, 상면 평탄부 및 하면 평탄부에 대해 경사져 있다. 기판 (W) 의 환상의 선단은, 상면 경사부의 외단으로부터 하면 경사부의 외단까지 연장되어 있다.
기판 (W) 의 외주부 (이른바, 베벨부) 는, 상면 경사부, 선단, 및 하면 경사부를 포함하는 부분이다. 도 4 는, 기판 (W) 의 외주부가 단면 포물선상인 예를 나타내고 있다. 기판 (W) 의 외주부는, 단면 포물선상에 한정되지 않고, 단면 사다리꼴상이어도 된다. 요컨대, 상면 경사부, 선단, 및 하면 경사부의 각각은, 단면 원호상에 한정되지 않고, 단면 직선상이어도 된다. 기판 (W) 의 상면이 디바이스 형성면에 상당하는 표면인 경우, 상면 평탄부의 일부가, 디바이스 형성 영역에 상당한다. 비 (非) 디바이스 형성 영역은, 기판 (W) 의 상면 내의 디바이스 형성 영역의 둘레의 환상의 영역이다.
브러시 (31) 가 상세정 위치 (도 7 에 나타내는 위치) 에 배치되면, 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되고, 기판 (W) 의 외주부가 브러시 (31) 에 파고든다. 이로써, 기판 (W) 의 선단 및 상면 경사부가, 브러시 (31) 에 접촉된다. 마찬가지로, 브러시 (31) 가 하세정 위치 (도 6 에 나타내는 위치) 에 배치되면, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되고, 기판 (W) 의 외주부가 브러시 (31) 에 파고든다. 이로써, 기판 (W) 의 선단 및 하면 경사부가, 브러시 (31) 에 접촉된다.
회전하고 있는 기판 (W) 의 외주부에 브러시 (31) 가 가압되면, 브러시 (31) 가 기판 (W) 의 전체 둘레에 문질러진다. 세정 폭 (W1) (도 3 참조) 은, 기판 (W) 의 선단으로부터 브러시 (31) 와 기판 (W) 이 접촉되는 환상의 영역의 내주 가장자리까지의 수평 방향의 거리를 의미한다. 세정 폭 (W1) 은, 예를 들어, 0 을 초과하는 5 mm 이하의 값이다. 세정 폭 (W1) 은, 기판 (W) 에 대한 브러시 (31) 의 가압력 (또는 가압량) 에 따라 변화된다. 기판 (W) 에 대한 브러시 (31) 의 가압력에 따라서는, 기판 (W) 의 상면 평탄부 및 하면 평탄부의 외주부도, 브러시 (31) 에 접촉된다. 기판 (W) 의 상면 평탄부의 외주부는, 비디바이스 형성 영역이다.
제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 처리 조건 및 처리 순서를 나타내는 레시피에 기초하여 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써, 레시피에 의해 지정되어 있는 처리 조건에서 기판 처리 장치 (1) 에 기판 (W) 을 처리시킨다. 세정 폭 (W1) 은, 레시피에 지정되어 있다. 이하에 설명하는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 레시피에 기초하여 브러시 수평 구동 기구 (39) 및 브러시 연직 구동 기구 (40) 의 적어도 일방을 제어함으로써, 기판 (W) 에 대한 브러시 (31) 의 가압력 또는 가압량을 조정한다. 이로써, 레시피에 지정되어 있는 세정 폭 (W1) 으로 기판 (W) 의 외주부가 스크러브 세정된다.
도 5 는, 처리 유닛 (2) 에 의해 실시되는 기판 (W) 의 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 5 에서는, 린스액의 토출이 기판 (W) 의 회전과 동시에 개시되도록 그려져 있지만, 린스액의 토출은, 기판 (W) 의 회전이 개시되기 전 또는 후에 개시되어도 된다. 다른 동작에 대해서도 동일하다. 이하의 각 동작은, 제어 장치 (3) 가 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써 실행된다. 처리되는 기판 (W) 은, 패턴이 표면에서 노출된 기판 (W) 이어도 되고, 패턴이 노출되어 있지 않은 기판 (W) 이어도 된다.
처리 유닛 (2) 에 의해 기판 (W) 이 처리될 때, 반송 로봇 (도시 생략) 이, 핸드 상의 기판 (W) 을 챔버 (4) 내에 반입하고, 표면이 위로 향해진 기판 (W) 을 스핀 베이스 (6) 상에 둔다. 그 후, 스핀 척 (5) 의 흡인 장치 (8) 가, 스핀 베이스 (6) 상의 기판 (W) 을 스핀 베이스 (6) 에 흡착시킨다. 계속해서, 스핀 모터 (7) 가, 기판 (W) 및 스핀 베이스 (6) 의 회전을 개시시킨다 (시각 T1). 이로써, 기판 (W) 이 세정 속도 (예를 들어, 100 ∼ 300 rpm) 로 회전한다. 그 후, 상면 밸브 (13) 및 하면 밸브 (16) 가 열려, 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 이 순수를 토출한다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 및 하면에 대한 순수의 공급이 개시된다 (시각 T1).
다음으로, 브러시 이동 기구 (38) 가, 브러시 (31) 를 대기 위치로부터 하근접 위치로 이동시킨다. 이로써, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이, 기판 (W) 의 외주부에 수평하게 대향한다. 그 후, 브러시 이동 기구 (38) 는, 브러시 (31) 를 기판 (W) 의 외주부 쪽으로 수평으로 이동시킴으로써, 브러시 (31) 를 하근접 위치로부터 하접촉 위치로 이동시킨다. 이로써, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압된다 (시각 T2). 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있는 동안, 브러시 (31) 는, 정전 (正轉) 방향 또는 역전 (逆轉) 방향으로 회전 구동되어도 되고, 브러시 (31) 의 회전 방향으로 고정되어 있어도 된다.
브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되면, 기판 (W) 의 외주부가 하세정면 (33) 에 파고들어, 기판 (W) 의 선단 및 하면 경사부가 브러시 (31) 에 접촉된다. 이 때, 기판 (W) 의 하면 평탄부의 외주부도 브러시 (31) 에 접촉된다. 브러시 (31) 는, 기판 (W) 의 회전에 의해, 기판 (W) 의 전체 둘레에 문질러진다. 그 때문에, 기판 (W) 의 하면 경사부 등에 부착되어 있는 파티클은, 브러시 (31) 로부터의 물리적인 힘에 의해 박리된다. 박리된 파티클은, 하면 노즐 (14) 로부터 기판 (W) 의 하면에 공급된 순수에 의해 씻겨내진다. 이로써, 기판 (W) 의 하면 경사부 등이 세정된다.
한편, 노즐 이동 기구 (25) 는, 대기 위치에 위치하는 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 을, 스프레이 노즐 (17) 이 기판 (W) 의 상면 중앙부에 대향하는 중앙 위치로 이동시킨다. 그 후, 커버 린스액 밸브 (24) 가 열려, 커버 린스액 노즐 (22) 이 순수를 토출한다 (시각 T2). 또한, 기체 밸브 (21) 및 액체 밸브 (19) 가 열려, 스프레이 노즐 (17) 이 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향하여 복수의 액적을 분사한다 (시각 T2).
스프레이 노즐 (17) 로부터 분사된 복수의 액적은, 커버 린스액 노즐 (22) 로부터 토출된 순수의 액막으로 덮여 있는 기판 (W) 의 상면에 충돌한다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면에 부착되어 있는 파티클은, 액적의 충돌로 인한 물리적인 힘에 의해 박리된다. 박리된 파티클은, 커버 린스액 노즐 (22) 로부터 기판 (W) 의 상면에 공급된 순수에 의해 씻겨내진다.
노즐 이동 기구 (25) 는, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있을 때, 스프레이 노즐 (17) 을 수평으로 이동시킴으로써, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를 기판 (W) 의 중앙으로부터 기판 (W) 의 중간 쪽으로 이동시킨다 (시각 T2 － 시각 T3). 기판 (W) 의 중간은, 예를 들어, 기판 (W) 의 중앙으로부터 기판 (W) 의 중간까지의 반경 방향의 거리가 기판 (W) 의 반경의 2/3 가 되는 위치이다. 기판 (W) 의 중간은, 기판 (W) 의 반경을 이등분하는 위치여도 되고, 기판 (W) 의 중앙 또는 외주에 치우친 위치여도 된다. 혹은, 기판 (W) 의 중앙으로부터 기판 (W) 의 중간까지의 원형의 영역의 면적이, 기판 (W) 의 중간으로부터 기판 (W) 의 외주까지의 환상의 영역의 면적에 일치 또는 대체로 일치하도록, 기판 (W) 의 중간이 설정되어도 된다.
기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가 기판 (W) 의 중간에 도달하면 (시각 T3), 노즐 이동 기구 (25) 는, 스프레이 노즐 (17) 의 이동을 일시적으로 정지시킨다. 이 상태에서, 브러시 이동 기구 (38) 는, 브러시 (31) 를 하접촉 위치로부터 상접촉 위치로 연직으로 하강시킨다. 이로써, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 기판 (W) 의 외주부로부터 멀어지고, 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압된다 (시각 T3). 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있는 동안, 브러시 (31) 는, 정전 방향 또는 역전 방향으로 회전 구동되어도 되고, 브러시 (31) 의 회전 방향으로 고정되어 있어도 된다.
브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 기판 (W) 의 외주부에 가압되면, 기판 (W) 의 외주부가 상세정면 (32) 에 파고들어, 기판 (W) 의 선단 및 상면 경사부가 브러시 (31) 에 접촉된다. 이 때, 기판 (W) 의 상면 평탄부의 외주부도 브러시 (31) 에 접촉된다. 브러시 (31) 는, 기판 (W) 의 회전에 의해, 기판 (W) 의 전체 둘레에 문질러진다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면 경사부 등에 부착되어 있는 파티클은, 브러시 (31) 로부터의 물리적인 힘에 의해 박리된다. 박리된 파티클은, 상면 노즐 (11) 로부터 기판 (W) 의 상면에 공급된 순수에 의해 씻겨내진다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 경사부 등이 세정된다.
브러시 (31) 가 상접촉 위치로 이동하면, 노즐 이동 기구 (25) 는, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 을 수평으로 이동시킴으로써, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를 기판 (W) 의 중간으로부터 기판 (W) 의 외주 쪽으로 이동시킨다 (시각 T3 － 시각 T4). 스프레이 노즐 (17) 이 기판 (W) 의 상면 외주부에 대향하는 외주 위치에 도달하면 (시각 T4), 기체 밸브 (21) 및 액체 밸브 (19) 가 닫혀, 스프레이 노즐 (17) 로부터의 액적의 분사가 정지된다. 또한, 커버 린스액 밸브 (24) 가 닫혀, 커버 린스액 노즐 (22) 로부터의 순수의 토출이 정지된다 (시각 T4). 외주 위치는, 예를 들어, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가, 기판 (W) 의 상면과 브러시 (31) 가 접촉되는 환상의 영역의 앞 (예를 들어, 1 ∼ 5 mm 앞) 에 위치하는 위치이다. 노즐 이동 기구 (25) 는, 액적의 분사가 정지된 후, 스프레이 노즐 (17) 및 커버 린스액 노즐 (22) 을 외주 위치로부터 대기 위치로 이동시킨다.
스프레이 노즐 (17) 이 외주 위치에 도달하면, 브러시 이동 기구 (38) 는, 브러시 (31) 를 상접촉 위치로부터 상근접 위치로 수평으로 이동시킨다. 이로써, 브러시 (31) 가 기판 (W) 으로부터 멀어진다 (시각 T4). 브러시 이동 기구 (38) 는, 스프레이 노즐 (17) 로부터의 액적의 분사가 정지됨과 동시에, 브러시 (31) 를 상근접 위치로 이동시켜도 되고, 액적의 분사가 정지되기 전 또는 후에, 브러시 (31) 를 상근접 위치로 이동시켜도 된다. 브러시 (31) 가 상근접 위치로 이동한 후, 브러시 이동 기구 (38) 는, 브러시 (31) 를 상근접 위치로부터 대기 위치로 이동시킨다.
상면 밸브 (13) 및 하면 밸브 (16) 는, 액적의 분사가 정지되고, 브러시 (31) 가 기판 (W) 으로부터 멀어진 후에 닫힌다. 이로써, 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 로부터의 순수의 토출이 정지된다 (시각 T5). 그 후, 스핀 모터 (7) 가, 기판 (W) 을 회전 방향 (Dr) 으로 가속시켜, 세정 속도보다 고속의 건조 속도 (예를 들어, 수천 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시킨다 (시각 T5 － 시각 T6). 이로써, 기판 (W) 에 부착되어 있는 순수가 기판 (W) 의 주위로 털어내져, 기판 (W) 이 건조된다.
기판 (W) 의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 스핀 모터 (7) 가 기판 (W) 의 회전을 정지시킨다 (시각 T6). 그 후, 스핀 척 (5) 의 흡인 장치 (8) 가, 스핀 베이스 (6) 에 대한 기판 (W) 의 흡착을 해제한다. 계속해서, 반송 로봇 (도시 생략) 이, 핸드로 스핀 베이스 (6) 상의 기판 (W) 을 들어 올려, 핸드와 함께 기판 (W) 을 챔버 (4) 로부터 반출한다. 이로써, 처리 완료된 기판 (W) 이 챔버 (4) 로부터 반출된다.
도 6 및 도 7 은, 기판 (W) 의 처리 중에 있어서의 브러시 (31) 및 스프레이 노즐 (17) 의 위치에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 브러시 (31) 의 하세정면 (33) 이 회전하고 있는 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있을 때, 파티클이나 액적 등의 비산물이, 기판 (W) 의 하방에서 브러시 (31) 로부터 회전 축선 (A1) 쪽으로 하방으로 비산된다. 이들 비산물은, 기판 (W) 으로부터 멀어지는 방향으로 비산되므로, 기판 (W) 에 잘 부착되지 않는다. 한편, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 회전하고 있는 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있을 때, 비산물이, 기판 (W) 의 상방에서 브러시 (31) 로부터 회전 축선 (A1) 쪽으로 상방으로 비산된다. 상방으로 비산된 비산물은, 기판 (W) 상으로 낙하된다. 그 때문에, 비산물이, 기판 (W) 의 상면, 특히, 기판 (W) 의 상면 외주부에 부착되기 쉽다.
전술한 바와 같이, 브러시 (31) 의 상세정면 (32) 이 회전하고 있는 기판 (W) 의 외주부에 가압되어 있을 때, 스프레이 노즐 (17) 은, 기판 (W) 의 상면 외주부, 요컨대, 브러시 (31) 로부터의 비산물이 낙하되기 쉬운 영역을 향하여 복수의 액적을 분사하고 있다. 그 때문에, 브러시 (31) 로부터의 비산물이 기판 (W) 의 상면에 부착되었다고 해도, 이 비산물은, 액적의 충돌에 의해 즉시 박리된다. 기판 (W) 에 대한 비산물의 부착 시간이 길어지면, 비산물이 기판 (W) 에 고착되어 잘 제거되지 않게 되는 경향이 있다. 따라서, 기판 (W) 의 상면에 부착된 비산물에 즉시 액적을 충돌시킴으로써, 당해 비산물을 확실하게 제거할 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태에서는, 회전하고 있는 기판 (W) 의 하면 경사부에 브러시 (31) 를 접촉시킨다. 이로써, 기판 (W) 의 하면의 전체 둘레에 브러시 (31) 가 문질러진다. 파티클 등의 이물질은, 브러시 (31) 로부터의 물리적인 힘에 의해 기판 (W) 으로부터 박리된다. 복수의 액적은, 기판 (W) 의 하면 경사부의 세정과 병행하여, 기판 (W) 의 중앙으로부터 기판 (W) 의 중간까지의 사이의 기판 (W) 의 상면 내의 영역에 충돌한다. 파티클 등의 이물질은, 액적의 충돌로 인한 물리적인 힘에 의해 기판 (W) 으로부터 박리된다.
기판 (W) 의 하면 경사부가 세정된 후에는, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면 경사부에 브러시 (31) 가 접촉된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면의 전체 둘레에 브러시 (31) 가 문질러진다. 복수의 액적은, 기판 (W) 의 상면 경사부의 세정과 병행하여, 기판 (W) 의 중간으로부터 기판 (W) 의 외주까지의 사이의 기판 (W) 의 상면 내의 영역에 충돌한다. 이와 같이, 기판 (W) 의 외주부의 물리적인 세정과 병행하여, 기판 (W) 의 상면을 물리적으로 세정하므로, 세정 시간의 증가를 억제하면서, 기판 (W) 의 청정도를 높일 수 있다.
또한, 비산물이 낙하되기 쉬운 영역, 요컨대, 기판 (W) 의 중간으로부터 기판 (W) 의 외주까지의 사이의 기판 (W) 의 상면 내의 영역은, 브러시 (31) 가 기판 (W) 의 상면 경사부에 접촉되어 있을 때에, 복수의 액적에 의해 세정된다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면에 부착된 비산물을 즉시 제거할 수 있다. 이와 같이, 기판 (W) 의 상면 외주부에 부착되어 있는 이물질뿐만 아니라, 브러시 (31) 로부터 기판 (W) 의 상면 외주부로 비산된 비산물도, 복수의 액적에 의해 제거할 수 있으므로, 기판 (W) 의 청정도를 더욱 높일 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가, 기판 (W) 의 중앙으로부터 기판 (W) 의 중간으로 이동하고, 기판 (W) 의 중간으로부터 기판 (W) 의 외주로 이동한다. 이와 같이, 충돌 위치가 기판 (W) 의 외주측으로만 이동하므로, 기판 (W) 상의 이물질을 바깥쪽으로 이동시키는 힘이 발생한다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 이물질은, 기판 (W) 의 상면을 따라 바깥쪽으로 이동하도록 재촉된다. 이로써, 이물질을 효율적으로 기판 (W) 으로부터 제거할 수 있어, 기판 (W) 의 청정도를 더욱 높일 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 스프레이 노즐 (17) 이 기판 (W) 의 상면을 향하여 복수의 액적을 분사하고 있을 때에, 상면 노즐 (11) 이 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출한다. 기판 (W) 의 상면에 착액된 린스액은, 기판 (W) 의 상면을 따라 바깥쪽으로 흐른다. 액적의 충돌에 의해 기판 (W) 의 상면으로부터 박리된 이물질은, 바깥쪽으로 흐르는 린스액에 의해, 바깥쪽으로 이동하도록 재촉된다. 그 때문에, 이물질을 효율적으로 기판 (W) 으로부터 제거할 수 있어, 기판 (W) 의 청정도를 더욱 높일 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가, 기판 (W) 의 상면과 브러시 (31) 가 접촉되는 영역의 내측에서 이동한다. 요컨대, 스크러브 세정 (브러시 (31) 에 의한 세정) 과 스프레이 세정 (액적의 충돌에 의한 세정) 이, 기판 (W) 의 각각의 영역에 실시된다. 이와 같이, 스크러브 세정 및 스프레이 세정을 기판 (W) 의 동일한 영역에 실행하지 않기 때문에, 기판 (W) 의 세정 시간을 단축시킬 수 있다.
다른 실시형태
본 발명은, 전술한 실시형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 다양한 변경이 가능하다.
예를 들어, 브러시 (31) 는, 스펀지 브러시에 한정되지 않고, 합성 수지제의 복수의 섬유를 구비하는 브러시여도 된다.
기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 기판 (W) 의 외주측으로만 이동시키는 경우에 대해 설명하였지만, 기판 (W) 의 중앙측 및 외주측의 양방으로 충돌 위치를 이동시켜도 된다.
스프레이 노즐 (17) 이 복수의 액적을 분사하고 있는 전체 기간에 걸쳐, 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 이 순수를 토출하는 경우에 대해 설명하였지만, 스프레이 노즐 (17) 이 복수의 액적을 분사하고 있는 기간의 일부에 있어서, 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 의 적어도 일방이 순수의 토출을 정지해도 된다. 예를 들어, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가 기판 (W) 의 중간과 기판 (W) 의 외주 사이에 위치하고 있는 동안, 상면 노즐 (11) 및 하면 노즐 (14) 의 적어도 일방이 순수의 토출을 정지해도 된다.
스프레이 노즐 (17) 이 복수의 액적을 분사하고 있는 전체 기간에 걸쳐, 커버 린스액 노즐 (22) 이 순수를 토출하는 경우에 대해 설명하였지만, 스프레이 노즐 (17) 이 복수의 액적을 분사하고 있는 기간의 일부에 있어서, 커버 린스액 노즐 (22) 이 순수의 토출을 정지해도 된다. 예를 들어, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가 기판 (W) 의 중간과 기판 (W) 의 외주 사이에 위치하고 있는 동안, 커버 린스액 노즐 (22) 이 순수의 토출을 정지해도 된다. 또, 커버 린스액 노즐 (22) 을 생략해도 된다.
스크러브 세정이 실시되는 스크러브 세정 영역과 스프레이 세정이 실시되는 스프레이 세정 영역이 겹치지 않는 경우에 대해 설명하였지만, 스크러브 세정 영역 및 스프레이 세정 영역이 부분적으로 겹쳐져도 된다. 예를 들어, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가, 기판 (W) 의 선단에 도달할 때까지, 스프레이 노즐 (17) 을 이동시켜도 된다.
브러시 (31) 를 하접촉 위치로부터 상접촉 위치로 이동시킬 때, 스프레이 노즐 (17) 의 이동을 일시적으로 정지시키는 경우에 대해 설명하였지만, 스프레이 노즐 (17) 을 이동시키면서, 브러시 (31) 를 하접촉 위치로부터 상접촉 위치로 이동시켜도 된다.
도 5 에서는, 기판 (W) 의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치의 이동 속도가 일정하도록 나타내고 있지만, 충돌 위치의 이동 속도는 일정하지 않아도 된다.
전술한 모든 구성의 2 개 이상이 조합되어도 된다. 전술한 모든 공정의 2 개 이상이 조합되어도 된다.
이 출원은, 2015년 9월 28일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특허출원 2015-189833호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다. 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이것들은 본 발명의 기술적 내용을 분명하게 하기 위해서 사용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
1：기판 처리 장치
2：처리 유닛
3：제어 장치
4：챔버
5：스핀 척 (기판 유지 유닛)
6：스핀 베이스
7：스핀 모터
8：흡인 장치
11：상면 노즐
12：상면 배관
13：상면 밸브
14：하면 노즐
15：하면 배관
16：하면 밸브
17：스프레이 노즐
18：액체 배관
19：액체 밸브
20：기체 배관
21：기체 밸브
22：커버 린스액 노즐
23：커버 린스액 배관
24：커버 린스액 밸브
25：노즐 이동 기구
26：노즐 아암
27：노즐 수평 구동 기구
31：브러시
32：상세정면
33：하세정면
34：브러시 홀더
35：홀더 장착부
36：지지축
37：브러시 아암
38：브러시 이동 기구
39：브러시 수평 구동 기구
40：브러시 연직 구동 기구
41：브러시 자전 기구
42：포트
43：세정액 노즐
A1：회전 축선
A2：노즐 회동 축선
A3：브러시 회동 축선
Dr：회전 방향
P1：충돌 위치
P2：착액 위치
W：기판
W1：세정 폭

Claims (10)

  1. 상면 평탄부 및 상면 경사부를 포함하는 상면과, 하면 평탄부 및 하면 경사부를 포함하는 하면과, 상기 상면 경사부의 외단으로부터 상기 하면 경사부의 외단까지 연장되어 있는 선단을 포함하는 기판을, 수평으로 유지하면서 상기 기판을 통과하는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과,
    상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상세정면(上洗淨面)과, 상기 상세정면의 하방에 배치된 하세정면(下洗淨面)을 포함하는 브러시의 상기 하세정면을 상기 기판의 하면 경사부에 접촉시키는 하측 스크러브 세정 공정과,
    상기 하측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중앙과 상기 기판의 중간 사이에서 이동시키는 중앙측 스프레이 세정 공정과,
    상기 하측 스크러브 세정 공정 후, 상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상기 브러시의 상기 상세정면을 상기 기판의 상면 경사부에 접촉시키는 상측 스크러브 세정 공정과,
    상기 상측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 외주측 스프레이 세정 공정을 포함하고,
    상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 브러시를 상하로 이동시키는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상세정면은, 상기 상세정면의 하단에 가까워짐에 따라 가늘어지는 원추대상(圓錐臺狀)이고,
    상기 하세정면은, 상기 하세정면의 상단에 가까워짐에 따라 가늘어지는 원추대상인, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정은, 모두, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 외주측으로만 이동시키는 공정인, 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정과 병행하여, 상기 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출하는 상린스액 공급 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외주측 스프레이 세정 공정은, 상기 기판의 상면과 상기 브러시가 접촉되는 영역의 내측에서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 공정인, 기판 처리 방법.
  6. 상면 평탄부 및 상면 경사부를 포함하는 상면과, 하면 평탄부 및 하면 경사부를 포함하는 하면과, 상기 상면 경사부의 외단으로부터 상기 하면 경사부의 외단까지 연장되어 있는 선단을 포함하는 기판을, 수평으로 유지하면서 상기 기판을 통과하는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키는 기판 유지 유닛과,
    상세정면과, 상기 상세정면의 하방에 배치된 하세정면을 포함하는 브러시와,
    상기 브러시의 상기 하세정면이 상기 기판의 하면 경사부에 접촉되는 하접촉 위치와, 상기 브러시의 상기 상세정면이 상기 기판의 상면 경사부에 접촉되는 상접촉 위치를 포함하는 복수의 위치로 상기 브러시를 이동시키는 브러시 이동 기구와,
    상기 기판의 상면에 충돌하는 복수의 액적을 형성하는 스프레이 노즐과,
    상기 스프레이 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중앙과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 노즐 이동 기구와,
    상기 기판 유지 유닛, 브러시 이동 기구, 및 노즐 이동 기구를 제어하는 제어 장치를 포함하고,
    상기 제어 장치는,
    상기 기판 유지 유닛에 상기 기판을 수평으로 유지시키고, 상기 회전 축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과,
    상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상기 브러시 이동 기구에 상기 브러시를 상기 기판의 하면 경사부에 접촉시키는 하측 스크러브 세정 공정과,
    상기 하측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 상기 노즐 이동 기구에, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중앙과 상기 기판의 중간 사이에서 이동시키는 중앙측 스프레이 세정 공정과,
    상기 하측 스크러브 세정 공정 후로서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치가 상기 기판의 외주에 도달하기 전에, 상기 브러시를 상하로 이동시키고, 상기 기판 회전 공정과 병행하여, 상기 브러시 이동 기구에 상기 브러시를 상기 기판의 상면 경사부에 접촉시키는 상측 스크러브 세정 공정과,
    상기 상측 스크러브 세정 공정과 병행하여, 상기 노즐 이동 기구에, 복수의 액적을 상기 기판의 상면에 충돌시키면서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는 외주측 스프레이 세정 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 상세정면은, 상기 상세정면의 하단에 가까워짐에 따라 가늘어지는 원추대상이고,
    상기 하세정면은, 상기 하세정면의 상단에 가까워짐에 따라 가늘어지는 원추대상인, 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정의 각각에 있어서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 외주측으로만 이동시키는, 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출하는 상면 노즐을 추가로 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 중앙측 스프레이 세정 공정 및 외주측 스프레이 세정 공정과 병행하여, 상기 상면 노즐에 상기 기판의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출시키는 상린스액 공급 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 외주측 스프레이 세정 공정에 있어서, 상기 노즐 이동 기구에, 상기 기판의 상면과 상기 브러시가 접촉되는 영역의 내측에서, 상기 기판의 상면에 대한 복수의 액적의 충돌 위치를, 상기 기판의 중간과 상기 기판의 외주 사이에서 이동시키는, 기판 처리 장치.
KR1020207000344A 2015-09-28 2016-04-22 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 KR102316901B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-189833 2015-09-28
JP2015189833A JP6508721B2 (ja) 2015-09-28 2015-09-28 基板処理方法および基板処理装置
KR1020187006498A KR20180035902A (ko) 2015-09-28 2016-04-22 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
PCT/JP2016/062744 WO2017056540A1 (ja) 2015-09-28 2016-04-22 基板処理方法および基板処理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187006498A Division KR20180035902A (ko) 2015-09-28 2016-04-22 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200004471A KR20200004471A (ko) 2020-01-13
KR102316901B1 true KR102316901B1 (ko) 2021-10-22

Family

ID=58423378

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207000344A KR102316901B1 (ko) 2015-09-28 2016-04-22 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR1020187006498A KR20180035902A (ko) 2015-09-28 2016-04-22 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187006498A KR20180035902A (ko) 2015-09-28 2016-04-22 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10546763B2 (ko)
JP (1) JP6508721B2 (ko)
KR (2) KR102316901B1 (ko)
CN (1) CN108028191B (ko)
TW (1) TWI595545B (ko)
WO (1) WO2017056540A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI566955B (zh) * 2015-11-03 2017-01-21 研能科技股份有限公司 多色列印墨匣
JP6966917B2 (ja) 2017-10-12 2021-11-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11139182B2 (en) 2017-12-13 2021-10-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN110767536A (zh) * 2019-10-30 2020-02-07 上海华力微电子有限公司 晶圆清洗方法
BR112022013849A2 (pt) 2020-01-13 2022-09-13 Aptabio Therapeutics Inc Novo derivado de pirazol

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0864568A (ja) * 1994-08-23 1996-03-08 Toshiba Corp ウェーハ洗浄装置
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
JP4719051B2 (ja) * 2006-03-30 2011-07-06 ソニー株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4719052B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 ソニー株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4755519B2 (ja) * 2006-03-30 2011-08-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100892809B1 (ko) 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100940136B1 (ko) 2006-08-29 2010-02-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
JP4976949B2 (ja) 2007-07-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2009206360A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009238938A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010114123A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板洗浄方法
JP2012094602A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Tokyo Electron Ltd ブラシ、基板処理装置および基板処理方法。

Also Published As

Publication number Publication date
CN108028191A (zh) 2018-05-11
JP6508721B2 (ja) 2019-05-08
JP2017069262A (ja) 2017-04-06
CN108028191B (zh) 2022-02-22
TW201712742A (zh) 2017-04-01
WO2017056540A1 (ja) 2017-04-06
US10546763B2 (en) 2020-01-28
KR20200004471A (ko) 2020-01-13
KR20180035902A (ko) 2018-04-06
US20190157117A1 (en) 2019-05-23
TWI595545B (zh) 2017-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102316901B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP4976949B2 (ja) 基板処理装置
KR101883013B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체
KR101280768B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6718714B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201330148A (zh) 基板洗淨方法及基板洗淨裝置
KR101660075B1 (ko) 파티클 오염 제거 방법
JP2020115513A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2017188665A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20140373877A1 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR20100050397A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
JP2004235216A (ja) 基板処理装置及び方法
JPH10199852A (ja) 回転式基板処理装置
JP7050875B2 (ja) 基板洗浄装置
JP6966917B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2018181889A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI741473B (zh) 基板洗淨裝置及基板處理方法
JP2003007668A (ja) 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法
JP2003243333A (ja) スプレーチップ及び洗浄装置
JP2002367948A (ja) スクラブ洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant