JPH0536662A - 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハ洗浄方法及び装置Info
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- JPH0536662A JPH0536662A JP3192890A JP19289091A JPH0536662A JP H0536662 A JPH0536662 A JP H0536662A JP 3192890 A JP3192890 A JP 3192890A JP 19289091 A JP19289091 A JP 19289091A JP H0536662 A JPH0536662 A JP H0536662A
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- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハを移動機構により移動させても、最小
限の流量の純水でウエハの表面及び裏面の全面を常に均
一な水膜で覆うことが出来、ウエハへのダストの再付着
を防止することができる半導体ウエハ洗浄装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 純水噴射ノズル１０をウエハ保持アーム６上
に設け、ウエハ保持アーム６がウエハ７を保持したと
き、ウエハ７と純水噴射ノズル１０が、常に一定の位置
関係となるように構成されている。 【効果】 ウエハに対して常に一定の位置から純水をウ
エハに向けて噴射することにより、ウエハを移動機構に
より移動させても、最小限の流量の純水で、ウエハ全面
を常に均一な水膜で覆うことが出来、ウエハへのダスト
の再付着を防止できる。
限の流量の純水でウエハの表面及び裏面の全面を常に均
一な水膜で覆うことが出来、ウエハへのダストの再付着
を防止することができる半導体ウエハ洗浄装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 純水噴射ノズル１０をウエハ保持アーム６上
に設け、ウエハ保持アーム６がウエハ７を保持したと
き、ウエハ７と純水噴射ノズル１０が、常に一定の位置
関係となるように構成されている。 【効果】 ウエハに対して常に一定の位置から純水をウ
エハに向けて噴射することにより、ウエハを移動機構に
より移動させても、最小限の流量の純水で、ウエハ全面
を常に均一な水膜で覆うことが出来、ウエハへのダスト
の再付着を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス基板、ディス
ク基板などの個体材料片、特に半導体ウエハの洗浄装置
に関するものである。
ク基板などの個体材料片、特に半導体ウエハの洗浄装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体ウエハ洗浄装置を
示す上面図で、図５は従来の半導体ウエハ洗浄装置を示
す断面図である。図４及び５に於いて、１は微細凍結粒
子を生成する製氷部、２は冷却用液体窒素供給管、３は
純水を微噴霧する噴霧ノズル、６はウエハ保持アーム、
７は半導体ウエハ、８は半導体ウエハを移動させるため
の移動機構、９は洗浄漕、１０は純水を噴射する噴射ノ
ズル、１１は純水供給管である。
示す上面図で、図５は従来の半導体ウエハ洗浄装置を示
す断面図である。図４及び５に於いて、１は微細凍結粒
子を生成する製氷部、２は冷却用液体窒素供給管、３は
純水を微噴霧する噴霧ノズル、６はウエハ保持アーム、
７は半導体ウエハ、８は半導体ウエハを移動させるため
の移動機構、９は洗浄漕、１０は純水を噴射する噴射ノ
ズル、１１は純水供給管である。
【０００３】従来の半導体ウエハ洗浄装置の動作は次の
通りである。断熱材で囲まれた製氷部１内に液体窒素を
液体窒素供給管２から供給し、その内部で蒸発させるこ
とにより製氷部１内を冷却する。製氷部１内が十分に冷
却された後、噴射ノズル３から純水を微噴霧し、微細凍
結粒子４を得る。こうして得られた微細凍結粒子４を、
気体の噴流によるエジェクター方式によって噴射ノズル
５から洗浄漕９内に高圧で噴射する。こうして微細凍結
粒子４を、保持アーム６に保持されたウエハ７に向けて
噴射することにより、ウエハ７の表面を洗浄する。この
際、洗浄層９に固定された噴射ノズル５からの微細凍結
粒子により半導体ウエハ７の全面を洗浄するために、半
導体ウエハ７を噴射ノズル５に対して移動機構８により
移動させる。また、純水供給管１１を介して供給された
純水を噴射ノズル１０からウエハ７に向けて噴射し、ウ
エハ７の表面及び裏面の全面を水膜で覆うことによっ
て、ウエハへのダストの再付着を防止する。
通りである。断熱材で囲まれた製氷部１内に液体窒素を
液体窒素供給管２から供給し、その内部で蒸発させるこ
とにより製氷部１内を冷却する。製氷部１内が十分に冷
却された後、噴射ノズル３から純水を微噴霧し、微細凍
結粒子４を得る。こうして得られた微細凍結粒子４を、
気体の噴流によるエジェクター方式によって噴射ノズル
５から洗浄漕９内に高圧で噴射する。こうして微細凍結
粒子４を、保持アーム６に保持されたウエハ７に向けて
噴射することにより、ウエハ７の表面を洗浄する。この
際、洗浄層９に固定された噴射ノズル５からの微細凍結
粒子により半導体ウエハ７の全面を洗浄するために、半
導体ウエハ７を噴射ノズル５に対して移動機構８により
移動させる。また、純水供給管１１を介して供給された
純水を噴射ノズル１０からウエハ７に向けて噴射し、ウ
エハ７の表面及び裏面の全面を水膜で覆うことによっ
て、ウエハへのダストの再付着を防止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハの
洗浄装置は以上のように構成されていて、純水噴射ノズ
ル１０が洗浄層９に固定されているので、半導体ウエハ
を移動機構により移動させると、ウエハの表面及び裏面
に水膜で覆うことが出来ない部分が生じたり、ウエハ表
面上での純水の流れが乱れるため、ダストがウエハに再
付着するという問題点があった。一方、ウエハを移動機
構により移動させながら、常にウエハの表面及び裏面を
水膜で覆うためには、純水の噴射ノズルをウエハの移動
面に沿って洗浄層９上に複数配置しなければならず、ウ
エハの表面及び裏面の全面を確実に水膜で覆うためには
多数の純水噴射ノズルと多量の純水を使用しなければな
らない等の問題点があった。
洗浄装置は以上のように構成されていて、純水噴射ノズ
ル１０が洗浄層９に固定されているので、半導体ウエハ
を移動機構により移動させると、ウエハの表面及び裏面
に水膜で覆うことが出来ない部分が生じたり、ウエハ表
面上での純水の流れが乱れるため、ダストがウエハに再
付着するという問題点があった。一方、ウエハを移動機
構により移動させながら、常にウエハの表面及び裏面を
水膜で覆うためには、純水の噴射ノズルをウエハの移動
面に沿って洗浄層９上に複数配置しなければならず、ウ
エハの表面及び裏面の全面を確実に水膜で覆うためには
多数の純水噴射ノズルと多量の純水を使用しなければな
らない等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ウエハを移動機構により移動さ
せても、最小限の量の純水でウエハの表面及び裏面の全
面を常に均一な水膜で覆うことが出来、また、ウエハへ
のダストの再付着を防止することができる半導体ウエハ
洗浄方法及び装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ウエハを移動機構により移動さ
せても、最小限の量の純水でウエハの表面及び裏面の全
面を常に均一な水膜で覆うことが出来、また、ウエハへ
のダストの再付着を防止することができる半導体ウエハ
洗浄方法及び装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
の、この発明にかかわる半導体ウエハ洗浄方法及び装置
は、純水をウエハに向けて噴射する噴射ノズルを、ウエ
ハ保持アーム上に設けることを特徴とする。
の、この発明にかかわる半導体ウエハ洗浄方法及び装置
は、純水をウエハに向けて噴射する噴射ノズルを、ウエ
ハ保持アーム上に設けることを特徴とする。
【０００７】
【作用】この発明における純水の噴射ノズルは、ウエハ
に対して一定の位置から純水をウエハに向けて噴射する
ことで、ウエハを移動機構で移動させても、ウエハの表
面及び裏面の全面を常に均一な水膜で覆うことにより、
ウエハへのダストの再付着を防止する。
に対して一定の位置から純水をウエハに向けて噴射する
ことで、ウエハを移動機構で移動させても、ウエハの表
面及び裏面の全面を常に均一な水膜で覆うことにより、
ウエハへのダストの再付着を防止する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を、図１乃至図３
を参照しながら説明する。図に於いて符号１乃至１１に
より表される部分は図４及び図５に示されるものと同一
のあるいは相当する部分であり、その作用も同様であ
る。
を参照しながら説明する。図に於いて符号１乃至１１に
より表される部分は図４及び図５に示されるものと同一
のあるいは相当する部分であり、その作用も同様であ
る。
【０００９】この発明の半導体ウエハ洗浄装置は、公知
の製氷部１内で液体窒素供給管２からの液体窒素により
純水噴霧ノズル３からの純水を冷却して形成した微細凍
結粒子４を洗浄槽９内に噴射する噴射ノズル５を備えて
いる。噴射ノズル５は洗浄槽９に固着されていて、微細
凍結粒子４のジェット４ａは移動しない。噴射ノズル５
から噴射された微細凍結粒子４のジェット４ａに当たる
位置には、半導体ウエハ７がウエハ保持アーム６により
支持されている。
の製氷部１内で液体窒素供給管２からの液体窒素により
純水噴霧ノズル３からの純水を冷却して形成した微細凍
結粒子４を洗浄槽９内に噴射する噴射ノズル５を備えて
いる。噴射ノズル５は洗浄槽９に固着されていて、微細
凍結粒子４のジェット４ａは移動しない。噴射ノズル５
から噴射された微細凍結粒子４のジェット４ａに当たる
位置には、半導体ウエハ７がウエハ保持アーム６により
支持されている。
【００１０】ウエハ保持アーム６は図５に示す如く、先
端にウエハ保持部６ａを持ち、他端で移動装置８に可動
に支持されて開閉できる一対の略々Ｌ字形の部材であ
る。ウエハ保持アーム６のウエハ保持部６ａは洗浄槽９
内に入り込んでいて、ウエハ７が噴射ノズル５から噴射
されたジェット４ａに曝されて洗浄されるようになって
いる。移動装置８は、洗浄槽９外の図示してない適当な
構造部材に設けられた公知の適当な装置であって、比較
的広い面積の半導体ウエハ７の全面が噴射ノズル５から
噴射されて比較的細い微細凍結粒子４のジェット４ａに
より「走査」されて洗浄されるように、ウエハ保持アー
ム６により半導体ウエハ７を噴射ノズル５に対して移動
させる装置である。
端にウエハ保持部６ａを持ち、他端で移動装置８に可動
に支持されて開閉できる一対の略々Ｌ字形の部材であ
る。ウエハ保持アーム６のウエハ保持部６ａは洗浄槽９
内に入り込んでいて、ウエハ７が噴射ノズル５から噴射
されたジェット４ａに曝されて洗浄されるようになって
いる。移動装置８は、洗浄槽９外の図示してない適当な
構造部材に設けられた公知の適当な装置であって、比較
的広い面積の半導体ウエハ７の全面が噴射ノズル５から
噴射されて比較的細い微細凍結粒子４のジェット４ａに
より「走査」されて洗浄されるように、ウエハ保持アー
ム６により半導体ウエハ７を噴射ノズル５に対して移動
させる装置である。
【００１１】この発明によれば、半導体ウエハ洗浄装置
は、ウエハ保持アーム６上に設けられて半導体ウエハ７
と共に移動し、半導体ウエハ７の洗浄面７ａにダスト再
付着防止用水膜を形成する純水噴射ノズル１４を備えて
いる。純水噴射ノズル１４は図示の例では一対あって、
それぞれ剛性のパイプ１５により別個のウエハ保持アー
ム６に支持されていて、パイプ１５には純水供給のため
の可撓性のホース１６が接続されている。ホース１６は
可撓性であるので、移動装置８により行われる半導体ウ
エハ７の噴射ノズル５に対する移動のため、あるいは半
導体ウエハ７の取り外しのためのウエハ保持アーム６の
動きを妨げない。
は、ウエハ保持アーム６上に設けられて半導体ウエハ７
と共に移動し、半導体ウエハ７の洗浄面７ａにダスト再
付着防止用水膜を形成する純水噴射ノズル１４を備えて
いる。純水噴射ノズル１４は図示の例では一対あって、
それぞれ剛性のパイプ１５により別個のウエハ保持アー
ム６に支持されていて、パイプ１５には純水供給のため
の可撓性のホース１６が接続されている。ホース１６は
可撓性であるので、移動装置８により行われる半導体ウ
エハ７の噴射ノズル５に対する移動のため、あるいは半
導体ウエハ７の取り外しのためのウエハ保持アーム６の
動きを妨げない。
【００１２】この発明の半導体ウエハ洗浄装置に於いて
は、半導体ウエハ７をウエハ保持アーム６により洗浄槽
９内に保持し、半導体ウエハ７の洗浄面７ａに純水噴射
ノズル１４から純水を噴射すると、半導体ウエハ７にダ
スト再付着防止用水膜が形成される。噴射ノズル５によ
りこの上から微細凍結粒子４のジェット４ａを半導体ウ
エハ７の洗浄面７ａに噴射すると半導体ウエハ７が洗浄
できる。このとき、半導体ウエハ７は移動装置８により
噴射ノズル５に対する相対位置を変えられてその全面が
洗浄されるが、純水噴射ノズル１４の半導体ウエハ７に
対する相対位置は常に一定であるので、安定したダスト
再付着防止用水膜を洗浄面７ａ上に維持し続けることが
でき、ダストの半導体ウエハ７への再付着を防止するこ
とができる。
は、半導体ウエハ７をウエハ保持アーム６により洗浄槽
９内に保持し、半導体ウエハ７の洗浄面７ａに純水噴射
ノズル１４から純水を噴射すると、半導体ウエハ７にダ
スト再付着防止用水膜が形成される。噴射ノズル５によ
りこの上から微細凍結粒子４のジェット４ａを半導体ウ
エハ７の洗浄面７ａに噴射すると半導体ウエハ７が洗浄
できる。このとき、半導体ウエハ７は移動装置８により
噴射ノズル５に対する相対位置を変えられてその全面が
洗浄されるが、純水噴射ノズル１４の半導体ウエハ７に
対する相対位置は常に一定であるので、安定したダスト
再付着防止用水膜を洗浄面７ａ上に維持し続けることが
でき、ダストの半導体ウエハ７への再付着を防止するこ
とができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明における純水の
噴射ノズルは、ウエハを移動させてもウエハに対して一
定の位置から純水をウエハに向けて噴射することができ
るため、ウエハ表面の全面を常に均一な水膜で覆うこと
が出来、ウエハへのダストの再付着を防止することがで
きる。また、使用する純水の量は必要最小限で済み、装
置に関するコストの低減ができる。
噴射ノズルは、ウエハを移動させてもウエハに対して一
定の位置から純水をウエハに向けて噴射することができ
るため、ウエハ表面の全面を常に均一な水膜で覆うこと
が出来、ウエハへのダストの再付着を防止することがで
きる。また、使用する純水の量は必要最小限で済み、装
置に関するコストの低減ができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体ウエハ洗浄装
置の概略平面図である。
置の概略平面図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体ウエハ洗浄装
置の概略側面断面図である。
置の概略側面断面図である。
【図３】この発明の半導体ウエハ洗浄装置のウエハ保持
アームを示す斜視図である。
アームを示す斜視図である。
【図４】従来の半導体洗浄装置を示す概略平面図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体洗浄装置を示す概略側面断面図で
ある。
ある。
１ 製氷部
２ 液体窒素供給管
３ 噴霧ノズル
４ 微細凍結粒子
５ 噴霧ノズル
６ ウエハ保持アーム
７ 半導体ウエハ
８ 移動機構
９ 洗浄漕
１０ 噴射ノズル
１１ 純水供給管
Claims (2)
- 【請求項１】 微細凍結粒子を噴射する噴射ノズルと、 上記噴射ノズルから噴射された微細凍結粒子に当たる位
置に半導体ウエハを保持するウエハ保持アームと、 上記半導体ウエハの略々全面が上記噴射ノズルから噴射
された微細凍結粒子により洗浄されるように上記ウエハ
保持アームを上記噴射ノズルに対して移動させる移動装
置と、 上記ウエハ保持アーム上に設けられて上記半導体ウエハ
と共に移動し、上記半導体ウエハの洗浄面にダスト再付
着防止用水膜を形成する純水噴射ノズルとを備えた半導
体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項２】 半導体ウエハを保持し、 上記半導体ウエハの洗浄面に純水噴射ノズルから純水を
噴射してダスト再付着防止用水膜を形成し、 上記純水噴射ノズルの上記半導体ウエハに対する相対位
置を一定にして上記ダスト再付着防止用水膜を維持しつ
つ、かつ上記ウエハ保持アームを上記噴射ノズルに対し
て移動させつつ微細凍結粒子を上記半導体ウエハの洗浄
面に噴射して、上記ウエハ保持アームに支持された上記
半導体ウエハの全面を上記噴射ノズルから噴射された微
細凍結粒子により洗浄する半導体ウエハ洗浄方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192890A JPH0536662A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 |
| DE19924222272 DE4222272C2 (de) | 1991-08-01 | 1992-07-07 | Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung und -Waschverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192890A JPH0536662A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536662A true JPH0536662A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16298682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192890A Pending JPH0536662A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536662A (ja) |
| DE (1) | DE4222272C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5791358A (en) * | 1996-11-20 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Rinse trough with improved flow |
| US5806544A (en) * | 1997-02-11 | 1998-09-15 | Eco-Snow Systems, Inc. | Carbon dioxide jet spray disk cleaning system |
| CN112974362A (zh) * | 2019-12-13 | 2021-06-18 | 深圳市海思半导体有限公司 | 一种晶圆清洗装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624060B2 (en) * | 2002-01-12 | 2003-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249581A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | ホ−ヤ株式会社 | 洗浄装置 |
| JPH02114528A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエツト処理装置 |
| JPH038326A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 固体表面洗浄装置 |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP3192890A patent/JPH0536662A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-07 DE DE19924222272 patent/DE4222272C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249581A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | ホ−ヤ株式会社 | 洗浄装置 |
| JPH02114528A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエツト処理装置 |
| JPH038326A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 固体表面洗浄装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5791358A (en) * | 1996-11-20 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Rinse trough with improved flow |
| US5806544A (en) * | 1997-02-11 | 1998-09-15 | Eco-Snow Systems, Inc. | Carbon dioxide jet spray disk cleaning system |
| CN112974362A (zh) * | 2019-12-13 | 2021-06-18 | 深圳市海思半导体有限公司 | 一种晶圆清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4222272C2 (de) | 1996-11-07 |
| DE4222272A1 (de) | 1993-02-04 |
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