JPH04213826A - 半導体製造用ウェーハ洗浄装置 - Google Patents
半導体製造用ウェーハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPH04213826A JPH04213826A JP40123390A JP40123390A JPH04213826A JP H04213826 A JPH04213826 A JP H04213826A JP 40123390 A JP40123390 A JP 40123390A JP 40123390 A JP40123390 A JP 40123390A JP H04213826 A JPH04213826 A JP H04213826A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ultrasonic
- pure water
- cleaning
- washing unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 29
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用ウェーハ洗
浄装置に関し、特に枚葉式ウェーハ洗浄装置に関する。
浄装置に関し、特に枚葉式ウェーハ洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式ウェーハ洗浄装置は、図４
の平面図に示すように、２本のレーンＡ及びＢを有し、
それぞれウェーハキャリア２３に収納したウェーハ６を
ウェーハキャリアステーション２１ａ又は２１ｂを経て
洗浄処理部２４に送り、ここで洗浄を行ない、その後ウ
ェーハキャリアアンロードステーション２２ａ又は２２
ｂへと搬送するフロー手段を有している。図５及び図６
は、洗浄処理部の縦断面図及び平面図である。図５に示
すように、洗浄処理部は純水５を放出する純水ノズル１
８と、圧力をかけて高圧に純水を放出する高圧純水ノズ
ル２５と、回転ブラシ１７と、ブラシ駆動部２６とを有
している。
の平面図に示すように、２本のレーンＡ及びＢを有し、
それぞれウェーハキャリア２３に収納したウェーハ６を
ウェーハキャリアステーション２１ａ又は２１ｂを経て
洗浄処理部２４に送り、ここで洗浄を行ない、その後ウ
ェーハキャリアアンロードステーション２２ａ又は２２
ｂへと搬送するフロー手段を有している。図５及び図６
は、洗浄処理部の縦断面図及び平面図である。図５に示
すように、洗浄処理部は純水５を放出する純水ノズル１
８と、圧力をかけて高圧に純水を放出する高圧純水ノズ
ル２５と、回転ブラシ１７と、ブラシ駆動部２６とを有
している。
【０００３】次に、洗浄動作を説明する。まず、搬送さ
れてきたウェーハ６は、センタリングされた後ウェーハ
チャック７に真空吸着され、チャック回転モータ８で回
転すると、純水ノズル１８から純水５が放出される。次
に、回転ブラシ１７がブラシ駆動部２６によりブラシ上
下移動方向２０に沿って下降し、ウェーハ６と接触し、
ブラシ回転方向１９に回転するブラシスクラブによりウ
ェーハ表面の異物を除去する。回転ブラシが待避した後
、再度、純水ノズル１８でリンスを行ない、リンス完了
後、ウェーハを高速回転し、水分除去を行ない、レシー
バに搬送する。従来技術では、この洗浄方式をブラシス
クラブ方式と呼んでいる。
れてきたウェーハ６は、センタリングされた後ウェーハ
チャック７に真空吸着され、チャック回転モータ８で回
転すると、純水ノズル１８から純水５が放出される。次
に、回転ブラシ１７がブラシ駆動部２６によりブラシ上
下移動方向２０に沿って下降し、ウェーハ６と接触し、
ブラシ回転方向１９に回転するブラシスクラブによりウ
ェーハ表面の異物を除去する。回転ブラシが待避した後
、再度、純水ノズル１８でリンスを行ない、リンス完了
後、ウェーハを高速回転し、水分除去を行ない、レシー
バに搬送する。従来技術では、この洗浄方式をブラシス
クラブ方式と呼んでいる。
【０００４】もう１つの洗浄方式として、ブラシを使わ
ないジェット洗浄方式がある。これは、ブラシスクラブ
で異物を除去するかわりに、高圧純水ノズル２５で高圧
純水をウェーハに放出し、異物を除去する方式である。
ないジェット洗浄方式がある。これは、ブラシスクラブ
で異物を除去するかわりに、高圧純水ノズル２５で高圧
純水をウェーハに放出し、異物を除去する方式である。
【０００５】上記した洗浄動作は処理カップ４内で行わ
れ、排液は気水分離部１０において気水分離され、排気
部１１とドレイン９から排出される。
れ、排液は気水分離部１０において気水分離され、排気
部１１とドレイン９から排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の枚葉式ウェ
ーハ洗浄装置では、ナイロンやレーヨン等の樹脂を材料
とした回転ブラシを用いているため、ブラシの押し付け
圧力や押し付け量の調整および管理が困難なうえ、ウェ
ーハ表面の微細な凹凸部の異物除去が不可能であり、か
つ、ブラシのかすがウェーハに付着するという問題点が
あった。また、高圧ノズルによる純水放出では、純水と
ウェーハの接触が高速となる為静電気が発生し、ウェー
ハの素子パターンが静電破壊されたり、静電気により微
小異物が再付着するという問題点があった。
ーハ洗浄装置では、ナイロンやレーヨン等の樹脂を材料
とした回転ブラシを用いているため、ブラシの押し付け
圧力や押し付け量の調整および管理が困難なうえ、ウェ
ーハ表面の微細な凹凸部の異物除去が不可能であり、か
つ、ブラシのかすがウェーハに付着するという問題点が
あった。また、高圧ノズルによる純水放出では、純水と
ウェーハの接触が高速となる為静電気が発生し、ウェー
ハの素子パターンが静電破壊されたり、静電気により微
小異物が再付着するという問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ洗浄装
置は、枚葉で洗浄を行なうウェーハの上方に上下方向に
移動可能な超音波洗浄ユニットを設け、この超音波洗浄
ユニットの前記ウェーハと対向する面に超音波発振部及
び純水供給部を有している。この純水供給部からウェー
ハ上に供給された純水を介して超音波振動をウェーハに
伝え、ウェーハ表面の付着物をはく離させて洗浄を行な
うようになっている。
置は、枚葉で洗浄を行なうウェーハの上方に上下方向に
移動可能な超音波洗浄ユニットを設け、この超音波洗浄
ユニットの前記ウェーハと対向する面に超音波発振部及
び純水供給部を有している。この純水供給部からウェー
ハ上に供給された純水を介して超音波振動をウェーハに
伝え、ウェーハ表面の付着物をはく離させて洗浄を行な
うようになっている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例における洗浄処理部の断面図
、図２はそのＡ−Ａ矢視図である。本実施例をその動作
に基づいて説明する。
。図１は本発明の一実施例における洗浄処理部の断面図
、図２はそのＡ−Ａ矢視図である。本実施例をその動作
に基づいて説明する。
【０００９】ウェーハ６がウェーハチャック７に吸着さ
れ回転を始めると、処理カップ４の上部に配置されてい
る超音波発振部２ａ，２ｂと純水供給部３とから構成さ
れる超音波洗浄ユニット１が、超音波洗浄ユニット移動
アーム１２により下降し、ウェーハ６との間に微小すき
間を持った状態で停止する。次に、純水供給部３より、
ウェーハ６と超音波洗浄ユニット１との間を完全に満た
すだけの純水を供給する。次に、超音波発振部２ａ，２
ｂにより超音波を発振し、純水中を伝わる超音波により
ウェーハ表面の異物をはく離させ、常時供給される純水
により異物を除去する。この時、ウェーハ６は回転して
いる為、ウェーハ全面に均一に超音波を当てることが可
能となり、ウェーハ全面を均一に洗浄することができる
。
れ回転を始めると、処理カップ４の上部に配置されてい
る超音波発振部２ａ，２ｂと純水供給部３とから構成さ
れる超音波洗浄ユニット１が、超音波洗浄ユニット移動
アーム１２により下降し、ウェーハ６との間に微小すき
間を持った状態で停止する。次に、純水供給部３より、
ウェーハ６と超音波洗浄ユニット１との間を完全に満た
すだけの純水を供給する。次に、超音波発振部２ａ，２
ｂにより超音波を発振し、純水中を伝わる超音波により
ウェーハ表面の異物をはく離させ、常時供給される純水
により異物を除去する。この時、ウェーハ６は回転して
いる為、ウェーハ全面に均一に超音波を当てることが可
能となり、ウェーハ全面を均一に洗浄することができる
。
【００１０】また、超音波発振部２ａ，２ｂの発振周波
数を異なる２波長とすることにより、ウェーハ表面部と
素子パターンとの段差や微小すき間があった場合でも、
洗浄効果が大幅に向上する。
数を異なる２波長とすることにより、ウェーハ表面部と
素子パターンとの段差や微小すき間があった場合でも、
洗浄効果が大幅に向上する。
【００１１】図３は本発明の実施例２における洗浄処理
部の断面図である。超音波洗浄ユニット１に取り付けら
れた超音波洗浄ユニット移動アーム１２を駆動するアー
ム駆動部１３に、微小量揺動１６を行なう為の駆動制御
部１４と、超音波洗浄ユニット１が揺動した際に発生す
るユニットとウェーハ間のすき間変動による純水体積の
変化を一定に保つための純水供給量制御部１５とを有し
ている。
部の断面図である。超音波洗浄ユニット１に取り付けら
れた超音波洗浄ユニット移動アーム１２を駆動するアー
ム駆動部１３に、微小量揺動１６を行なう為の駆動制御
部１４と、超音波洗浄ユニット１が揺動した際に発生す
るユニットとウェーハ間のすき間変動による純水体積の
変化を一定に保つための純水供給量制御部１５とを有し
ている。
【００１２】これは、超音波発振面とウェーハの間隔が
、発振波長λのλ／４の整数倍となったときに定在波現
象が発生し、超音波が減衰することによって洗浄能力が
低下することを防ぎ、常に安定した洗浄能力を得るため
に発振波長λのλ／２だけ揺動を行なう機構である。 これにより、ウェーハ面全体を均一に洗浄することが可
能となる。
、発振波長λのλ／４の整数倍となったときに定在波現
象が発生し、超音波が減衰することによって洗浄能力が
低下することを防ぎ、常に安定した洗浄能力を得るため
に発振波長λのλ／２だけ揺動を行なう機構である。 これにより、ウェーハ面全体を均一に洗浄することが可
能となる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、洗浄処理
部に超音波洗浄ユニットを設け、ウェーハ全面を均一に
超音波洗浄できるので、ウェーハと非接触で、かつ静電
気発生もない状態で、ウェーハ表面の異物を除去できる
という効果を有する。また、超音波洗浄である為、ウェ
ーハ上の素子パターンにより表面段差がある場合でも、
異物除去が可能となるという効果も有する。
部に超音波洗浄ユニットを設け、ウェーハ全面を均一に
超音波洗浄できるので、ウェーハと非接触で、かつ静電
気発生もない状態で、ウェーハ表面の異物を除去できる
という効果を有する。また、超音波洗浄である為、ウェ
ーハ上の素子パターンにより表面段差がある場合でも、
異物除去が可能となるという効果も有する。
【図１】本発明の実施例１における洗浄処理部の縦断面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】本発明の実施例２における洗浄処理部の縦断面
図である。
図である。
【図４】従来の洗浄装置の全体構成を示す平面図である
。
。
【図５】従来の洗浄装置における洗浄処理部の縦断面図
である。
である。
【図６】図５の平面図である。
１ 超音波洗浄ユニット
２ａ，２ｂ 超音波発振部
３ 純水供給部
４ 処理カップ
５ 純水
６ ウェーハ
７ ウェーハチャック
８ チャック回転モータ
９ ドレイン
１０ 気水分離部
１１ 排気部
１２ 超音波洗浄ユニット移動アーム１３
アーム駆動部 １４ 駆動制御部 １５ 純水供給量制御部 １６ 微小量揺動 １７ 回転ブラシ １８ 純水ノズル １９ ブラシ回転方向 ２０ ブラシ上下移動方向 ２１ａ，２１ｂ ウェーハキャリアステーション
２２ａ，２２ｂ ウェーハキャリアアンロードス
テーション ２３ ウェーハキャリア ２４ 洗浄処理部 ２５ 高圧純水ノズル ２６ ブラシ駆動部
アーム駆動部 １４ 駆動制御部 １５ 純水供給量制御部 １６ 微小量揺動 １７ 回転ブラシ １８ 純水ノズル １９ ブラシ回転方向 ２０ ブラシ上下移動方向 ２１ａ，２１ｂ ウェーハキャリアステーション
２２ａ，２２ｂ ウェーハキャリアアンロードス
テーション ２３ ウェーハキャリア ２４ 洗浄処理部 ２５ 高圧純水ノズル ２６ ブラシ駆動部
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェーハ上に純水を供給し枚葉で洗浄
を行なう半導体製造用ウェーハ洗浄装置において、前記
ウェーハの上方に上下方向に移動可能な超音波洗浄ユニ
ットを設け、この超音波洗浄ユニットの前記ウェーハと
対向する面に超音波発振部及び純水供給部を有すること
を特徴とする半導体製造用ウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40123390A JPH04213826A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 半導体製造用ウェーハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40123390A JPH04213826A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 半導体製造用ウェーハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04213826A true JPH04213826A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=18511078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40123390A Pending JPH04213826A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 半導体製造用ウェーハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04213826A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187294A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2003502840A (ja) * | 1999-06-10 | 2003-01-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム |
| US7334588B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US7451774B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| JP2012511813A (ja) * | 2008-12-12 | 2012-05-24 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | 半導体ウェーハの洗浄方法、および装置 |
| JP2012522387A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
| CN104701219A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 株式会社迪思科 | 晶片加工装置 |
-
1990
- 1990-12-11 JP JP40123390A patent/JPH04213826A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187294A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2003502840A (ja) * | 1999-06-10 | 2003-01-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム |
| US7334588B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US7451774B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US7819985B2 (en) | 2000-06-26 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US7836901B2 (en) | 2000-06-26 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| JP2012511813A (ja) * | 2008-12-12 | 2012-05-24 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | 半導体ウェーハの洗浄方法、および装置 |
| JP2012522387A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
| CN104701219A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 株式会社迪思科 | 晶片加工装置 |
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