JP5311938B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
半導体基板等の被処理基板のエッジ部、ベベル部または裏面に形成された薄膜その他の不要物を除去する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
純水または洗浄液の何れか一方の液体と研磨材とを混合した混合ミスト液を収容している混合ミスト液供給部と、
前記混合ミスト液供給部に接続されて一端が前記混合ミスト液内に浸漬されたミスト液供給管の他端を中央に配し、該他端の周囲を取り囲む狭通路から高圧気体(ガス)を噴出する噴出ノズルと、該噴出ノズルの先端から前記混合液を直線的に噴出するよう案内する筒状の噴射ガイドとを有し、前記狭通路から前記高圧気体を噴出することにより前記混合ミスト液供給管の前方部分を負圧にして前記混合ミスト液を混合ミストとして前記噴出ノズル前方に直線的に噴射する噴射部と、
前記噴射部と前記基板とを相対的に移動させる位置制御部と、前記噴射部の噴出を制御する噴出制御部とを有する制御部と、
を備えることを特徴とする。
研磨材は、除去対象薄膜等に応じて適切なものを選択することが可能である。ミストとは液体を霧状にしたものをいい、ミストにする液体は純水であっても、除去する薄膜に応じて適切な薬液を選択して使用することも可能である。本発明では、微粒子状の研磨材とミストが混合された混合ミストを噴射するので、研磨材が濡れており、混在するミストが微細な研磨材の飛散の障壁になるために、研磨材のみを単独で噴射する場合に比べて、研磨材が基板にぶつかった後の反射による飛散を抑制する効果がある。
尚、「混合ミスト」とは、ミスト液が霧状になり微粒子状の研磨材が混ざったものをいい、「混合ミストが噴射される」とは、ミスト液が霧状になり微粒子状の研磨材と混ざった状態で高圧気体により噴出される状態をいう。
図3に示すミト生成部14−2は、噴射部15及び混合ミスト液供給部12に加えて、純水供給部40を備えており、さらに切換電磁バルブ43を備えている。純水供給部40には純水41が貯蔵されており、切換電磁バルブ43を純水供給部40に切り換えることにより、純水供給部40から純水供給管42を介して純水41をミスト液供給管19に供給して、純水のミストを噴射することが可能である。
11 高圧気体供給部
12 混合ミスト液供給部
13 電磁弁
14、14−2 ミスト生成部
15 噴射部
16 結合空隙
17 狭通路
18 開放空間部
19 ミスト液供給管
20 噴射ノズル
21 噴射ガイド
23 位置制御部
24 制御部
25 移動レール
26 キャリア
28 混合ミスト液
30 支持部
31 モータ
40 純水供給部
41 純水
42 純水供給管
43 切換電磁バルブ
50 基板
Claims (9)
- 半導体基板等の被処理基板のエッジ部、ベベル部または裏面に形成された薄膜その他の不要物を除去する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
純水または洗浄液の何れか一方の液体と研磨材とを混合した混合ミスト液を収容している混合ミスト液供給部と、
前記混合ミスト液供給部に接続されて一端が前記混合ミスト液内に浸漬されたミスト液供給管の他端を中央に配し、該他端の周囲を取り囲む狭通路から高圧気体(ガス)を噴出する噴出ノズルと、該噴出ノズルの先端から前記混合液を直線的に噴出するよう案内する筒状の噴射ガイドとを有し、前記狭通路から前記高圧気体を噴出することにより前記混合ミスト液供給管の前方部分を負圧にして前記混合ミスト液を混合ミストとして前記噴出ノズル前方に直線的に噴射する噴射部と、
前記噴射部と前記基板とを相対的に移動させる位置制御部と、前記噴射部の噴出を制御する噴出制御部とを有する制御部と、
を備える基板処理装置。 - 前記基板保持部は、前記基板を回転可能に保持し、
前記位置制御部は、前記基板を回転させる回転駆動部と、前記噴射部を前記基板の処理対象部分に移動させる駆動部を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記研磨材は、粒径が0.5μm〜3.0μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記噴射部を複数備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- さらに純水を収容する純水供給部を備え、
前記噴射部は、前記混合ミストまたは純水ミストを選択的に噴出可能であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - さらに、混合ミストの侵入領域を規制する侵入防止手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- さらに、前記噴射部及び前記位置制御部を所定の手順で制御することにより、前記基板上の前記薄膜その他の不要物を前記混合ミストにより除去するシーケンス制御部を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 半導体基板等の被処理基板のエッジ部、ベベル部または裏面に形成された薄膜その他の不要物を除去する基板処理方法であって、
前記基板を回転させながら、前記基板上の前記薄膜その他の不要物に対して、純水または洗浄剤の何れか一方の液体と研磨材とを混合した混合ミスト液を高圧気体の噴射による負圧により吸引して所定の圧力で直線的に噴射して、前記薄膜その他の不要物を剥離して除去する剥離除去工程と、
前記基板を洗浄することにより、前記剥離除去した不要物を洗い流す洗浄工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 前記洗浄工程は、純水のミストを加圧して噴射することにより、前記基板を洗浄することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
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