JPH07312358A

JPH07312358A - 洗浄装置

Info

Publication number: JPH07312358A
Application number: JP3458295A
Authority: JP
Inventors: Sakuo Koyata; 作夫小谷田; Makoto Matsuba; 誠松葉; Hiroshi Watabe; 博渡部
Original assignee: KYORITSU SEISAKUSHO; KYORITSU SEISAKUSHO KK; Sony Corp
Current assignee: KYORITSU SEISAKUSHO; KYORITSU SEISAKUSHO KK; Sony Corp
Priority date: 1995-01-31
Filing date: 1995-01-31
Publication date: 1995-11-28

Abstract

(57)【要約】【目的】静電気により被洗浄物に付着している微細な
ダストなどを効果的に除去することができ、また、アル
コールを含む洗浄液を用いた場合に引火による爆発を防
止することができる洗浄装置を提供する。【構成】被洗浄物８を支持する手段３、５、被洗浄物
８に洗浄液を供給する手段６、洗浄液の比抵抗を測定す
る手段３１、被洗浄物８を支持する手段３、５を回転さ
せるためのエアーモーター４などにより洗浄装置を構成
する。洗浄液の比抵抗を測定する手段３１により比抵抗
を管理し、例えば２５ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する
洗浄液を用いて被洗浄物８を洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関し、特
に、静電気を帯びやすい物質から成る被洗浄物の洗浄に
適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の製造工程においては、
半導体ウエーハを収納するためにウエーハキャリアが用
いられる。このうち、エッチング等のウエットプロセス
では、主としてテフロン製ウエーハキャリアが用いられ
ている。

【０００３】従来、このテフロン製ウエーハキャリアの
洗浄方法として、ブラシ洗浄、高圧ジェット洗浄、酸・
アルカリ浸漬洗浄、低圧スプレー洗浄等が用いられてい
る。このうち、高圧ジェット洗浄ではｎ−メチル−２−
ピロリディン（ＮＭＰ）と純水とを順次用いて洗浄を行
い、低圧スプレー洗浄では例えばパラノニルフェニルポ
リエチレングリコールのような界面活性剤と純水との混
合液を用いて洗浄を行い、ブラシ洗浄及び酸・アルカリ
浸漬洗浄では硫酸及び過酸化水素の水溶液と純水とを順
次用いて洗浄を行う。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の検討によれば、上述の従来の洗浄方法は、比較的大
きなダストや汚れを除去することはできるが、キャリア
に存在する静電気によりこのキャリアの表面に吸着して
いるダストや金属イオンの除去効果はほとんどなく、む
しろ逆にキャリアに静電気が発生してダスト等が付着し
てしまう。このため、このテフロン製ウエーハキャリア
を用いて半導体ウエーハにウエットプロセス処理等を施
した場合には、半導体ウエーハにダスト等が付着してし
まい、この半導体ウエーハを用いて製造される半導体集
積回路等の歩留まり低下を招いていた。

【０００５】従って、本発明の第１の目的は、静電気に
より被洗浄物に付着している微細なダストや金属イオン
を効果的に除去することができる洗浄装置を提供するこ
とにある。

【０００６】本発明の第２の目的は、アルコールを含む
洗浄液を用いた場合に、この洗浄液に引火して爆発が生
じるのを防止することができる洗浄装置を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述のような問題を解決すべく鋭意検討を行った
結果、次のような結論に達した。

【０００８】全ての物質はその物質固有の静電気を有し
ている。特に、半導体集積回路等の製造工程で用いられ
るテフロン製ウエーハキャリアは、大きな負電荷を有し
ている。これに対し、表面に酸化膜（ＳｉＯ₂膜）が形
成されているシリコンウエーハは、小さな正電荷を有し
ている。このことから、半導体集積回路等の製造で問題
になる微細ダストは正電荷を有すると考えられ、大きな
負電荷を有するテフロン製ウエーハキャリアにこの正電
荷を有する微細なダストが吸着される。また、このテフ
ロン製ウエーハキャリアには、微細ダストばかりでなく
正電荷を有する金属イオンも吸着される。この正電荷を
有する微細ダスト等は、静電気による吸着力により、自
然の状態ではキャリアから遊離拡散することはない。し
かし、例えばエッチングに用いられるフッ酸等の電解水
溶液中ではこのキャリアの静電気が減少するため、この
キャリアに吸着された正電荷を有する微細ダスト等は遊
離しやすい状態になっている。

【０００９】また、表面に酸化膜が形成されているシリ
コンウエーハをテフロン製ウエーハキャリアにセットし
てフッ酸等の電解水溶液によりこの酸化膜をエッチング
除去した後、このシリコンウエーハを電解水溶液からキ
ャリアごと引き上げ、その後このシリコンウエーハ表面
の電解水溶液を純水で置換すると、電解水溶液によって
中和されていた静電気は固有の大きさに戻る。酸化膜が
除去されたシリコンウエーハは、テフロン製ウエーハキ
ャリアの負電荷よりも大きな負電荷を有すると考えられ
る。このため、フッ酸等の電解水溶液を純水で置換中
に、それまでキャリアに付着していて遊離しやすい状態
になっていた正電荷を有する微細ダスト等がこのキャリ
アよりも大きな負電荷を有するシリコンウエーハに移動
し、結果的にこのシリコンウエーハが微細ダスト等によ
り汚染されることになる。このことから、テフロン製ウ
エーハキャリアのような静電気を帯びやすいものの洗浄
は、この静電気を減少させながら行うのが最も効果的で
あることがわかる。

【００１０】本発明者の検討によれば、この静電気を減
少させるためには、アルコールと純水と炭酸ガスとを含
む洗浄液を用い、アルコールの親水性と純水の親和性と
炭酸ガスの導電性とを利用して洗浄を行うのが最も好ま
しい。ここで、この洗浄液中の炭酸ガスは、吹き込み等
により強制的に溶解させたものでも、空気中の炭酸ガス
が自然に溶解したものでもよい。この洗浄液は、単にア
ルコールと純水と炭酸ガスとを含むだけではなく、比抵
抗が２５ＭΩ・ｃｍ以下である必要がある。これは次の
ような理由による。図２は、アルコールと純水と炭酸ガ
スとから成る洗浄液の比抵抗と、この洗浄液を用いて洗
浄を行ったテフロン製ウエーハキャリアを用いた場合の
半導体ウエーハ表面に付着したダスト数との関係を示
す。この実験は、ウエーハキャリアに５インチのシリコ
ンウエーハをセットし、半導体製造ラインにおいてこの
ウエーハキャリアのエッチング液へのディッピング、純
水による流水洗浄及びスピンドライヤーによる乾燥を行
った後、シリコンウエーハ表面に付着している０．３μ
ｍ径以上のダスト数を測定することにより行った。図２
からわかるように、洗浄液の比抵抗が２５ＭΩ・ｃｍ以
下である場合には、シリコンウエーハ表面に付着した微
細ダスト数は２０個程度以下と少ない。このことから、
洗浄液の比抵抗が２５ＭΩ・ｃｍ以下であると顕著な洗
浄効果が得られることがわかる。

【００１１】上述のように、良好な洗浄効果を得る上で
洗浄液の比抵抗は重要であり、適切な値に管理する必要
がある。一方、上述の洗浄液のようなアルコールを含む
洗浄液を用いる場合には、引火による爆発を未然に防止
するための対策を洗浄装置に講ずることが必要とされ
る。

【００１２】本発明は、以上の検討結果に基づいて案出
されたものである。すなわち、本発明は、所定の比抵抗
を有する洗浄液を用いて被洗浄物の洗浄を行うようにし
た洗浄装置において、被洗浄物を支持する手段と、被洗
浄物に洗浄液を供給する手段と、洗浄液の比抵抗を測定
する手段と、被洗浄物を支持する手段を回転させるため
のエアーモーターとを有することを特徴とするものであ
る。

【００１３】本発明においては、典型的には、洗浄液と
して、少なくともアルコールと純水とにより作製された
ものが用いられる。より具体的には、この洗浄液は、ア
ルコールと純水と炭酸ガスとを含む。ここで、このアル
コールは、典型的にはイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）であるが、エタノール、メタノール、ブタノール等
であってもよい。

【００１４】この場合、洗浄液の比抵抗は、良好な洗浄
効果を得る見地から、２５ＭΩ・ｃｍ以下に選ばれる。

【００１５】ここで、図２からわかるように、この洗浄
液の比抵抗は低いほどダスト数の減少効果が高くなる。
この場合、洗浄液の比抵抗が２０ＭΩ・ｃｍ以下になる
とダスト数は１０個程度以下に減少し、洗浄効果が極め
て顕著となる。従って、この洗浄液の比抵抗は２０ＭΩ
・ｃｍ以下であるのがより好ましい。

【００１６】図３は、ＩＰＡと純水（Ｈ₂Ｏ）と炭酸ガ
ス（ＣＯ₂）とから成る洗浄液中の水分量とこの洗浄液
の比抵抗との関係を示す（△で示されるデータ）。この
洗浄液は、比抵抗が６ＭΩ・ｃｍの純水に炭酸ガスを３
ppm 溶解させることにより作製した比抵抗が０．２ＭΩ
・ｃｍの炭酸ガス入り純水を９９．５％ＩＰＡと混合す
ることにより作製したものである。また、図３には、９
９．５％ＩＰＡと比抵抗が６ＭΩ・ｃｍの純水との混合
液及び９９．９％ＩＰＡと比抵抗が６ＭΩ・ｃｍの純水
との混合液のそれぞれの水分量とこの混合液の比抵抗と
の関係も比較のために併せて示してある。

【００１７】図３からわかるように、ＩＰＡと純水と炭
酸ガスとから成る洗浄液の比抵抗は液中の水分量が高く
なるに従って単調に減少する。また、この洗浄液の比抵
抗はＩＰＡと純水との混合液の比抵抗よりもかなり低い
こともわかる。既に述べたように、良好な洗浄効果を得
るために洗浄液の比抵抗は２５ＭΩ・ｃｍ以下である必
要があるが、図３より、このためには水分量は約２０vo
l ％以上でなければならないことがわかる。しかし、こ
の２０vol ％という値は比抵抗が６ＭΩ・ｃｍの純水を
用いた場合の値である。図３には図示していないが、比
抵抗がより低い純水を用いた場合に測定された同様なデ
ータを考慮すると、洗浄液の比抵抗を２５ＭΩ・ｃｍ以
下にするためには水分量を１０vol ％以上にすればよ
い。一方、洗浄液中のＩＰＡの量が少なすぎるとレジス
ト等のダストの溶解能力が小さくなってしまう。本発明
者の検討によれば、レジスト等のダストの溶解能力を得
るためにはＩＰＡは５vol ％以上であるのが好ましく、
従って水分量で言えば９５vol ％以下であるのが好まし
い。以上をまとめると、洗浄液中の純水の量は１０〜９
５vol ％であるのが好ましい。さらに、より高い洗浄力
及び溶解能力を得るためには、洗浄液中の純水の量は６
０〜８０vol ％であるのがより好ましい。

【００１８】次に、洗浄液中の炭酸ガスは微量でよい
が、液中の炭酸ガス量が増えるほど洗浄液の比抵抗が減
少する。図４は、ＩＰＡに比抵抗が１８．３ＭΩ・ｃｍ
の純水を３０vol ％混合した混合液に吹き込まれた炭酸
ガスの量と洗浄液の比抵抗との関係を示す。ここで、炭
酸ガスの吹き込み量は、ＩＰＡと純水との混合液１リッ
トルに吹き込まれる炭酸ガスの容積をリットルで表した
ものである。

【００１９】図４からわかるように、炭酸ガスの吹き込
み量が増えるに従って洗浄液の比抵抗は急激に減少し、
吹き込み量が５リットル・ＣＯ₂／リットル・ＩＰＡの
場合には、比抵抗は約２ＭΩ・ｃｍまで減少する。洗浄
液中の炭酸ガス量の上限は、ＩＰＡと純水との混合液に
対する炭酸ガスの飽和溶解度で決まる。一方、あらかじ
め炭酸ガスを溶解させた純水とＩＰＡとを混合すること
により洗浄液を作製する場合には、洗浄液中の炭酸ガス
量の上限は純水に対する炭酸ガスの飽和溶解度で決ま
る。この純水に対する炭酸ガスの飽和溶解度は１５℃で
１９２５ppm である。

【００２０】なお、洗浄液は、必要に応じてアルコー
ル、純水及び炭酸ガス以外の成分、例えば界面活性剤の
ようなものを含んでもよい。

【００２１】

【作用】上述のように構成された本発明による洗浄装置
によれば、洗浄液の比抵抗を測定する手段を有している
ことにより、この比抵抗の測定結果に基づいて洗浄液、
例えばアルコールと純水と炭酸ガスとを含む洗浄液の比
抵抗を所定値に管理することができ、したがってこの所
定の比抵抗を有する洗浄液を用いて洗浄を行うことによ
り、静電気により被洗浄物に付着している微細なダスト
や金属イオンを効果的に除去することができる。また、
被洗浄物を支持する手段を回転させるためのモーターと
してエアーモーターを用いているので、アルコールを含
む洗浄液を用いた場合に、モーターの運転によりこの洗
浄液に引火して爆発が生じるのを防止することができ
る。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。まず、本実施例による洗浄装置の構
成を図１に基づいて説明する。

【００２３】図１に示すように、本実施例による洗浄装
置においては、筒状のチャンバー１、蓋２、回転板３、
エアーモーター４、キャリア収納治具５、シャワーノズ
ル６及び排気ダクト７により本体が構成されている。

【００２４】上記キャリア収納治具５内には、洗浄が行
われる例えばテフロン製ウエーハキャリア８が収納され
るようになっている。上記回転板３は、上記エアーモー
ター４により、その回転軸３ａの回りに回転可能になっ
ている。上記蓋２は、エアーシリンダ９によって開閉可
能になっている。また、上記排気ダクト７と上記チャン
バー１との間には、エアーシリンダ１０によって開閉可
能に排気ダンパ１１が設けられている。

【００２５】符号１２はドライエアー供給用の配管を示
す。この配管１２は、上記エアーシリンダ９、１０及び
エアーモーター４に接続されている。また、この配管１
２は、チャンバー１への導入配管１３を介してシャワー
ノズル６に接続されている。なお、この導入配管１３に
至る上記配管１２の途中にはフィルター１４が設けら
れ、このフィルター１４によりダスト等が濾過された清
浄なドライエアーが上記シャワーノズル６に供給される
ようになっている。また、エアーモーター４に至る配管
１２の途中にはエアーコントローラー１５が設けられ、
このエアーコントローラー１５により、エアーモーター
４へのエアーの供給が制御されるようになっている。

【００２６】符号１６は、例えばＩＰＡのようなアルコ
ールと純水と炭酸ガスとから成る洗浄液１７を収納した
洗浄液ボトルを示す。この洗浄液ボトル１６には、窒素
（Ｎ₂）ガス供給用の配管１８により、この配管１８の
途中に設けられたフィルター１９により濾過された清浄
なＮ₂ガスが供給されるようになっている。そして、こ
のＮ₂ガスの圧力により、洗浄液ボトル１６内の洗浄液
１７を配管２０を通じて洗浄液回収タンク２１内に回収
することができるようになっている。なお、上記洗浄液
ボトル１６の空表示はセンサー２２により行われる。

【００２７】上記洗浄液回収タンク２１内に回収された
洗浄液１７は、管２３を通じてエアーポンプ２４により
配管２５に供給される。この配管２５に供給された洗浄
液１７は、この配管２５に設けられたフィルター２６に
より濾過された後、導入配管１３を介してシャワーノズ
ル６に供給されるようになっている。なお、上記エアー
ポンプ２４にはドライエアー供給用の配管１２が接続さ
れ、この配管１２から供給されるエアーにより作動する
ようになっている。また、上記洗浄液回収タンク２１に
は、洗浄液１７の液面を感知し、この液面の位置をあら
かじめ設定された上限及び下限内に保つためのセンサー
２７、２８が設けられている。なお、上記洗浄液回収タ
ンク２１内は、図示省略したポンプにより排気されるよ
うになっている。さらに、この洗浄液回収タンク２１内
の洗浄液１７はドレンに流すことができるようになって
いる。

【００２８】一方、上記チャンバー１の底部は、配管２
９により上記洗浄液回収タンク２１の上部に接続され、
このチャンバー１の底部に溜まった洗浄液１８を上記洗
浄液回収タンク２１内に回収することができるようにな
っている。この配管２９は、配管３０により上記配管２
５に接続されている。

【００２９】符号３１は洗浄液１７の比抵抗を測定する
ための比抵抗計を示す。この場合、この比抵抗計３１
は、配管２５からフィルター２６を通って導入配管１３
に到る経路の途中に設けられている。従って、この比抵
抗計３１により、シャワーノズル６に供給される直前の
洗浄液１７の比抵抗を測定することができる。また、符
号Ｖ₁〜Ｖ₇は電磁弁、符号Ｖ₈〜Ｖ₁₁はエアー弁、符
号Ｖ₁₂〜Ｖ₁₅はレギュレーター弁、符号Ｖ₁₆はエアーで
作動する三方弁を示す。

【００３０】次に、上述のように構成された本実施例に
よる洗浄装置によりウエーハキャリアを洗浄する方法に
ついて説明する。

【００３１】通常、ウエーハキャリアを洗浄する前にチ
ャンバー１、回転板３、キャリア収納治具５等の洗浄
（自己洗浄）をまず行うので、最初にこれについて説明
する。

【００３２】図１において、まずキャリア収納治具５に
ウエーハキャリア８を収納しない状態でチャンバー１の
蓋２を閉め、エアーモーター４を回転させる。このエア
ーモーター４の回転により、回転板３とともにキャリア
収納治具５が回転する。次に、排気ダンパ１１を閉め、
回転板３の回転数が設定回転数に達したら、シャワーノ
ズル６より洗浄液１７をチャンバー１内に散布（または
噴霧）する。設定時間終了後、排気ダンパ１１を開け、
フィルター１４により濾過されたドライエアーの噴霧で
乾燥を行う。その後、回転板３の回転が停止して自己洗
浄が終了する。なお、洗浄液１７及びドライエアーの切
り換えはエアー弁Ｖ₈、Ｖ₉の切り換えにより行う。ま
た、洗浄液噴霧時は、三方弁Ｖ₁₆の切り換えにより、チ
ャンバー１の底部に溜まった洗浄液１７を洗浄液回収タ
ンク２１内に回収する。

【００３３】次に、ウエーハキャリアの洗浄方法につい
て説明する。まず、チャンバー１の蓋２を開け、キャリ
ア収納治具５内にウエーハキャリア８を収納した後、蓋
２を閉める。次に、排気ダンパ１１を閉め、エアーモー
ター４により回転板３を回転させ、この回転板３の回転
数が設定回転数に達したら、シャワーノズル６より洗浄
液１７を噴霧し、回転による噴霧粒との衝突及び遠心力
の作用でウエーハキャリア８の洗浄を行う。設定時間終
了後、排気ダンパ１１を開け、シャワーノズル６よりド
ライエアーを吹き出し、遠心力及びドライエアーの作用
により速やかに乾燥を行う。これによって、ウエーハキ
ャリア８の洗浄が終了する。

【００３４】なお、洗浄液回収タンク２１内の洗浄液１
７の液面がセンサー２８の位置、すなわち下限の位置に
なったら、液面が上限の位置にくるまで洗浄液ボトル１
６より洗浄液回収タンク２１内に洗浄液１７を移送して
その減少量を補う。

【００３５】図５は、本実施例による洗浄方法の効果を
説明するために既に述べたと同様な方法により５インチ
のシリコンウエーハの表面に付着したダスト数の測定結
果を示す。このダスト数は複数個のデータの平均値であ
る。図５において、Ａは洗浄無しのウエーハキャリアと
比抵抗が２５ＭΩ・ｃｍの洗浄液を用いて洗浄を行った
ウエーハキャリアとをそれぞれ用いた場合のダスト数を
示し、Ｂはブラシ洗浄を行ったウエーハキャリアと比抵
抗が２５ＭΩ・ｃｍの洗浄液を用いて洗浄を行ったウエ
ーハキャリアとをそれぞれ用いた場合のダスト数を示
し、Ｃは洗浄無しのウエーハキャリアと比抵抗が０．５
ＭΩ・ｃｍの洗浄液を用いて洗浄を行ったウエーハキャ
リアとをそれぞれ用いた場合のダスト数を示す。Ｄは比
較のために測定したデータであり、洗浄無しのウエーハ
キャリアと純水に炭酸ガスを溶解させた液を用いて洗浄
を行ったウエーハキャリアとをそれぞれ用いた場合のダ
スト数を示す。

【００３６】データＡからわかるように、洗浄無しのウ
エーハキャリアを用いた場合のダスト数は平均８２個で
あるのに対し、比抵抗が２５ＭΩ・ｃｍの洗浄液で洗浄
を行ったウエーハキャリアを用いた場合のダスト数は平
均１０個と極めて少ない。また、データＢからわかるよ
うに、ブラシ洗浄を行ったウエーハキャリアを用いた場
合のダスト数は平均４５個であるのに対し、比抵抗が２
５ＭΩ・ｃｍの洗浄液で洗浄を行ったウエーハキャリア
を用いた場合のダスト数は平均１３個と極めて少ない。
さらに、データＣからわかるように、洗浄無しのウエー
ハキャリアを用いた場合のダスト数は平均１０５１個で
あるのに対し、比抵抗が０．５ＭΩ・ｃｍの洗浄液で洗
浄を行ったウエーハキャリアを用いた場合のダスト数は
平均１１個と極めて少ない。これらの結果から、アルコ
ールと純水と炭酸ガスとから成る洗浄液を用いてウエー
ハキャリアを洗浄することにより、ウエーハに付着する
ダスト数を著しく少なくすることができることがわか
る。一方、データＤからわかるように、洗浄無しのウエ
ーハキャリアを用いた場合のダスト数は平均８２個であ
るのに対し、純水に炭酸ガスを溶解させた液を用いて洗
浄を行ったウエーハキャリアを用いた場合のダスト数は
平均４０個と多い。このことは、純水と炭酸ガスとから
成る液では洗浄の効果が少なく、純水及び炭酸ガス以外
に親水性を有するアルコールを成分として含むことが必
要であることを裏付けている。

【００３７】さらに、アルコールと純水と炭酸ガスとか
ら成る洗浄液中の金属イオンの濃度及びこの洗浄液を用
いてウエーハキャリアの洗浄を行った後に回収された洗
浄液中の金属イオンの濃度を測定したところ、表１に示
すような結果が得られた。測定は原子吸光分析法により
行った。なお、この表１には洗浄効果が特に高かった金
属イオンのみが載せられているが、これらの金属イオン
以外に重金属イオンを含む各種の金属イオンが洗浄され
ることが確認されている。

【００３８】表１ ────────────────────── イオン濃度（ｐｐｂ）洗浄前洗浄後 ────────────────────── Ｍｇ⁺ ０．１２２１．３Ｃａ⁺ ０．２５６．０Ｎａ⁺ ＜１１６２Ｋ⁺ ＜１２８ ──────────────────────

【００３９】表１からわかるように、アルコールと純水
と炭酸ガスとから成る洗浄液により、Ｍｇ⁺、Ｃａ⁺、
Ｎａ⁺、Ｋ⁺の各金属イオンを特に良く洗浄することが
できることがわかる。

【００４０】以上のように、本実施例によれば、アルコ
ールと純水と炭酸ガスとから成り、かつ比抵抗計３１に
より比抵抗が２５ＭΩ・ｃｍ以下、より好適には２０Ｍ
Ω・ｃｍ以下に管理された洗浄液１７を用いてウエーハ
キャリア８の洗浄を行っているので、静電気によりこの
ウエーハキャリア８に付着した微細なダストや金属イオ
ンを効果的に除去することができ、ウエーハキャリア８
を清浄化することができる。これによって、エッチング
等のウエットプロセスにおいてこのウエーハキャリア８
に収納される半導体ウエーハ（図示せず）に付着するダ
スト数を低減することができ、従ってこの半導体ウエー
ハを用いて製造される半導体集積回路やＣＣＤ（電荷結
合素子）の歩留まりの向上を図ることができる。

【００４１】また、本実施例による洗浄装置によれば、
キャリア収納治具５及び回転板３を回転させるためのモ
ーターとして電気を用いないエアーモーター４を用い、
さらに装置本体周辺部の弁にはエアー弁Ｖ₈〜Ｖ₁₀及び
エアー三方弁Ｖ₁₆を用いている。これによって、上述の
ようにアルコールを含む洗浄液を用いた場合に、モータ
ーや弁の作動によりアルコールに引火して爆発が生じる
のを防止することができる。

【００４２】以上、本発明を実施例につき具体的に説明
したが、本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能であ
る。

【００４３】例えば、上述の実施例においては、アルコ
ールと純水と炭酸ガスとから成る洗浄液を洗浄液ボトル
１６内に入れているが、例えばあらかじめ炭酸ガスが溶
解された純水を配管によりアルコールボトル内に導入
し、このアルコールボトル内でアルコールと混合するこ
とにより洗浄液を作製することも可能である。また、上
述の実施例においては、本発明をウエーハキャリア８の
洗浄に適用した場合について説明したが、本発明は各種
のテフロン製品はもとよりテフロン以外の材料を用いた
各種の被洗浄物に適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明による洗浄装
置によれば、静電気により被洗浄物に付着している微細
なダストや金属イオンを効果的に除去することができる
とともに、アルコールを含む洗浄液を用いた場合に、こ
の洗浄液に引火して爆発が生じるのを防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による洗浄装置を示すブロッ
ク図である。

【図２】アルコールと純水と炭酸ガスとから成る洗浄液
の比抵抗とダスト数との関係を示すグラフである。

【図３】アルコールと純水と炭酸ガスとから成る洗浄液
中の水分量とこの洗浄液の比抵抗との関係を示すグラフ
である。

【図４】ＩＰＡと純水との混合液への炭酸ガス吹き込み
量とこの液の比抵抗との関係の一例を示すグラフであ
る。

【図５】本発明の一実施例において用いる洗浄液により
ウエーハキャリアを洗浄した場合の洗浄効果を説明する
ためのグラフである。

【符号の説明】

１チャンバー３回転板４エアーモーター５キャリア収納治具６シャワーノズル８ウエーハキャリア１６洗浄液ボトル１７洗浄液２１洗浄液回収タンク３１比抵抗計

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡部博東京都千代田区猿楽町２丁目５番８号株式会社協立製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の比抵抗を有する洗浄液を用いて被
洗浄物の洗浄を行うようにした洗浄装置において、上記被洗浄物を支持する手段と、上記被洗浄物に上記洗浄液を供給する手段と、上記洗浄液の比抵抗を測定する手段と、上記被洗浄物を支持する手段を回転させるためのエアー
モーターとを有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】上記洗浄液が少なくともアルコールと純
水とにより作製されたものであることを特徴とする請求
項１記載の洗浄装置。
【請求項３】上記洗浄液がアルコールと純水と炭酸ガ
スとを含むことを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項４】上記アルコールがイソプロピルアルコー
ルであることを特徴とする請求項２記載の洗浄装置。
【請求項５】上記比抵抗が２５ＭΩ・ｃｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項６】上記比抵抗が２０ＭΩ・ｃｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。