JPS58200540A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄方法

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JPS58200540A
JPS58200540A JP8300482A JP8300482A JPS58200540A JP S58200540 A JPS58200540 A JP S58200540A JP 8300482 A JP8300482 A JP 8300482A JP 8300482 A JP8300482 A JP 8300482A JP S58200540 A JPS58200540 A JP S58200540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
wafer
water
isopropyl alcohol
washing
Prior art date
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Pending
Application number
JP8300482A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Suzuki
道夫 鈴木
Naotaka Hashimoto
直孝 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS58200540A publication Critical patent/JPS58200540A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は３ｉウエハの洗浄に関するものであり、特に水
洗後の然気乾燥で清浄な結果を得ることのできるＳＩウ
ェハの洗浄方法に関する。
従来の蒸気乾燥法は乾燥処理液として一般にフロン系の
溶剤を使用するものが多い。これらフロン系溶剤への水
の溶解＆は０．０１　ｆａ　（２５′ｃ）程度と非常に
小さいため、水洗後のＳｔウェハをフロン系溶剤の蒸気
に曝してもウェハ上の水は除去し難い。
氷の溶解度の尚い浴剤としてアルコール系の溶媒がある
が、アルコール蒸気の使用は安全面で難点がある。
他の方法として水洗後乾燥処理液に浸漬してから蒸気−
乾燥を行なう方法も提案されている。しかしウェハを浸
漬した液中に異物が多数存在していると、液からＳｉウ
ェハを取出した時にウェハに異物が付着してしまう。こ
の対策として０．２〜０．４μｍのポアサイズを有する
フィルタを通した浸漬液を使用しても十分清浄な洗浄面
が得られない。
特に超ＬＳＩと呼ばれるパターン加工線幅が１μｍ前後
の半導体装置では素子の特性不良に関係する異物の大き
さは小さなもので０．１μｍ程度である。この大きさを
対象とした濾過は一般のデプスフィルタやメンブレンフ
ィルタＫｌ’つても満足な結果は得られないことが判か
った。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、水洗後のＳｉ
ウェハを清浄な状態で乾燥させる方法を提供することに
ある。
１記目的を達成するため、本発明は蒸気乾燥処理液とし
て使い易く、安全であるフロン系溶剤を使い、水洗水が
ウェハ上に残らず、短時間に清浄な乾燥ができるように
水洗後、水の溶解度の高い液から成る浸漬液にウェハを
浸して蒸気乾燥を行なうとともに、浸漬液を常時限外濾
過するものである。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。
Ｓｉ９面ウェハ１を弗酸：水＝１＝９の組成エッチ液２
で３０秒間エツチングし友後、直ちに脱イオン純水に（
ｉｌｉｔ喚し、１０ｅ／分で５分間流水水洗する。こ＼
で険相する脱イオン純水は当然限外濾過したもので０．
０５μｍ以との異物が１００１１ａ／ｍｌ以下のレベル
である。次に第２図に示すように、水洗後直ちにイソプ
ロピルアルコール４ｔ−人′れ几浸漬槽５に上記ウェハ
ｌを３０秒浸漬したのち蒸気乾燥装置６へ移す。イソプ
ロピルアルコールＵ０．４μｍ孔径のカートリッジフィ
ルタ７を通して一時溜め８に流入しポンプ９で３ｋｏ／
ｃｍ”に加圧し、ポリイミド膜を利用した限外濾過＠１
０ＩＩ。
を通過し浸漬槽５に戻丞。一方イソブロビルアルコール
中の異物や高分子量物質は限外濾過＠１０に阻止され、
これらは／１ｋｌｌｉＩ液排出口１１を通して外部へ捨
てられる。蒸気乾燥装置６の下部にはダイフロンツルベ
ンか（商品名、Ｃ２Ｃ１ａＦｓ）　１２を乾燥処理液と
して貯え、沸点（４７，６℃）迄加熱し、ウェハ１を上
記処理液１２の蒸気に５分間曝す。
本実施例により乾燥処理したウェハ上の０．１μｍ以上
の付着異物数はレーザ光散乱方式倹食機で測定したとこ
ろＯ〜１１固／３インチウェハであった。
また、一度限外濾過したイソプロピルアルコールを循環
濾過することなく何回もその液中にウェハを浸漬すると
次第に液が汚れて限外沖過の効果がなくなる。例えば３
インチウェハ上に付着する異物Ｖｉ１回目θ〜１個、２
回目３１１ＡＩ、３回目９１固となった。
一方通常の０．２μｍメンブレンフィルタで濾過したイ
ソプロピルアルコールに浸漬した場合の付着異物数は約
３０′Ｉｌｉ！ｉＩ／３インチウェハであり、限外濾過
の効果が大きいことは明白である。
本発明によれば、宜エバの洗浄工程、特に乾燥時に０．
１μｍ程度の微小異物を付着させることのない超清浄洗
浄プロセスを再現性良く実現でき、その結果絶縁嘆の磁
気特性不良が減少し製品歩留は向丘する。
水の溶解度は低いが安全性の高いダイフロンの如き溶剤
を使用した蒸気乾燥が可能になり置産も可能である。
ウェハが大口径化されても清浄度は低下することがない
。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の一実施例を説明するため
の模式図である。 １・・・ＳＩウェハ、２・・・エッチ液、３・・・脱イ
オン純水、４・・・イソプロピルアルコール、５・・・
浸漬槽、６・・・蒸気乾燥装置、７・・・カートリッジ
フィルタ、８・・・一時溜め、９・・・ポンプ、１０・
・・限外濾過膜、１１・・・接縮液排出口、１２・・・
ダイ７０ンブルペントＯ 代理人　弁理士　薄田利幸 第　ｊ　　図 ｆＪ、　Ｚ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、水洗された半導体ウェハを有機溶媒に浸漬した後蒸
    気乾燥を行なう方法において、少なくとも上記昼機有媒
    は限外濾過されたものであることを特徴とする半導体ウ
    ェハの洗浄方法。
JP8300482A 1982-05-19 1982-05-19 半導体ウエハの洗浄方法 Pending JPS58200540A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61239628A (ja) * 1985-04-17 1986-10-24 Tokuyama Soda Co Ltd 半導体基材の洗浄方法
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