JPH05206096A - 半導体基板薬液浸漬式処理装置 - Google Patents
半導体基板薬液浸漬式処理装置Info
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- JPH05206096A JPH05206096A JP1338392A JP1338392A JPH05206096A JP H05206096 A JPH05206096 A JP H05206096A JP 1338392 A JP1338392 A JP 1338392A JP 1338392 A JP1338392 A JP 1338392A JP H05206096 A JPH05206096 A JP H05206096A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬液処理並びに水洗処理した半導体基板を安
全かつ短時間に乾燥することを目的とする。 【構成】 ウエハ（５）を遠心乾燥機（４）で乾燥する
前処理として蒸気ＩＰＡ（１６）による乾燥によらずＩ
ＰＡ置換できるＩＰＡ槽（３）を設け、薬液処理並びに
水洗処理したウエハ（５）をＩＰＡ槽（３）中のＩＰＡ
に浸漬する。 【効果】 ＩＰＡ置換されたウエハを、低速回転でかつ
短時間で乾燥することができ、ウエハの割れ発生が低下
し装置の処理能力が向上する。また、蒸気ＩＰＡを利用
しないことから、危険性の少ない安全な装置を提供する
ことができる。
全かつ短時間に乾燥することを目的とする。 【構成】 ウエハ（５）を遠心乾燥機（４）で乾燥する
前処理として蒸気ＩＰＡ（１６）による乾燥によらずＩ
ＰＡ置換できるＩＰＡ槽（３）を設け、薬液処理並びに
水洗処理したウエハ（５）をＩＰＡ槽（３）中のＩＰＡ
に浸漬する。 【効果】 ＩＰＡ置換されたウエハを、低速回転でかつ
短時間で乾燥することができ、ウエハの割れ発生が低下
し装置の処理能力が向上する。また、蒸気ＩＰＡを利用
しないことから、危険性の少ない安全な装置を提供する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に半導体基板の浸漬処理装置に関する。
し、特に半導体基板の浸漬処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板薬液浸漬式処理装置
は、図４に示すようにカセット６に収納された半導体基
板（以下ウエハと称する）５を薬液処理する薬液槽１と
薬液処理後のウエハ５を水洗する水洗槽２と、水洗後の
ウエハ５を乾燥する蒸気乾燥機１２を有している。即
ち、薬液槽１内の薬液により処理されたウエハ５は水洗
槽２で水洗され、蒸気乾燥機１２で乾燥が完了されてい
た。次に蒸気乾燥機１２について図５を用いて説明す
る。
は、図４に示すようにカセット６に収納された半導体基
板（以下ウエハと称する）５を薬液処理する薬液槽１と
薬液処理後のウエハ５を水洗する水洗槽２と、水洗後の
ウエハ５を乾燥する蒸気乾燥機１２を有している。即
ち、薬液槽１内の薬液により処理されたウエハ５は水洗
槽２で水洗され、蒸気乾燥機１２で乾燥が完了されてい
た。次に蒸気乾燥機１２について図５を用いて説明す
る。
【０００３】処理槽１３内のイソプロピルアルコール
（以下ＩＰＡと称する）１４を外部ヒータ１５が加熱す
ることにより気化させ、更に気化した蒸気ＩＰＡ１６が
処理槽１３外に洩れないように蓋１７が設けられ、ま
た、蒸気ＩＰＡ１６を冷却して液化させる冷却パイプ１
８が設けられている。
（以下ＩＰＡと称する）１４を外部ヒータ１５が加熱す
ることにより気化させ、更に気化した蒸気ＩＰＡ１６が
処理槽１３外に洩れないように蓋１７が設けられ、ま
た、蒸気ＩＰＡ１６を冷却して液化させる冷却パイプ１
８が設けられている。
【０００４】この状態でウエハ５を蒸気ＩＰＡ１６区域
にロボット１９が運び込み、ウエハ５を乾燥するもので
あった。ＩＰＡを加熱してウエハの処理を行うウエハの
蒸気処理技術については、実公昭４８−３１８３６号、
特開昭５５−４４７９８号、特開昭５６−１６８０７２
号、特開昭５５−１６８０７８号、特開昭６３−２５９
２７号の各公報に詳細に説明されている。
にロボット１９が運び込み、ウエハ５を乾燥するもので
あった。ＩＰＡを加熱してウエハの処理を行うウエハの
蒸気処理技術については、実公昭４８−３１８３６号、
特開昭５５−４４７９８号、特開昭５６−１６８０７２
号、特開昭５５−１６８０７８号、特開昭６３−２５９
２７号の各公報に詳細に説明されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
基板薬液浸漬式処理装置では、ウエハ及びカセットの熱
容量が大きく、ＩＰＡ蒸気でＩＰＡ置換するのに時間が
かかること、及びＩＰＡ置換後、ゆっくりとウエハ及び
カセットを引上げないと正常な乾燥ができないため、薬
液槽又は水洗槽の処理時間より蒸気乾燥機での処理時間
の方がはるかに長く、装置の処理能力は蒸気乾燥機の処
理時間により律則されていた。また、引火性の有機溶剤
であるＩＰＡを気化するまで加熱して使用しなければな
らないといる危険性があった。
基板薬液浸漬式処理装置では、ウエハ及びカセットの熱
容量が大きく、ＩＰＡ蒸気でＩＰＡ置換するのに時間が
かかること、及びＩＰＡ置換後、ゆっくりとウエハ及び
カセットを引上げないと正常な乾燥ができないため、薬
液槽又は水洗槽の処理時間より蒸気乾燥機での処理時間
の方がはるかに長く、装置の処理能力は蒸気乾燥機の処
理時間により律則されていた。また、引火性の有機溶剤
であるＩＰＡを気化するまで加熱して使用しなければな
らないといる危険性があった。
【０００６】本発明は、乾燥処理時間を短縮し安全性の
高い半導体基板薬液浸漬式処理装置を提供することを目
的とする。
高い半導体基板薬液浸漬式処理装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板薬液
浸漬式処理装置は、半導体基板を薬液処理する薬液槽
と、薬液処理された半導体基板を水洗処理する水洗槽
と、水洗処理された半導体基板を高清浄度なイソプロピ
ルアルコール（以下ＩＰＡと称する）に浸漬処理するＩ
ＰＡ槽と、ＩＰＡ浸漬処理された半導体基板を乾燥する
遠心乾燥機とから構成することを特徴とする。
浸漬式処理装置は、半導体基板を薬液処理する薬液槽
と、薬液処理された半導体基板を水洗処理する水洗槽
と、水洗処理された半導体基板を高清浄度なイソプロピ
ルアルコール（以下ＩＰＡと称する）に浸漬処理するＩ
ＰＡ槽と、ＩＰＡ浸漬処理された半導体基板を乾燥する
遠心乾燥機とから構成することを特徴とする。
【０００８】更に、本発明の半導体基板薬液浸漬式処理
装置は、前記ＩＰＡ槽を、ＩＰＡの供給を制御するＩＰ
Ａ供給弁と、ＩＰＡを貯蔵する内槽と、この内槽からあ
ふれたＩＰＡを受けるオーバーフロー槽と、このオーバ
ーフロー槽からのＩＰＡ排液を排出する排液配管とから
構成することを特徴とする。
装置は、前記ＩＰＡ槽を、ＩＰＡの供給を制御するＩＰ
Ａ供給弁と、ＩＰＡを貯蔵する内槽と、この内槽からあ
ふれたＩＰＡを受けるオーバーフロー槽と、このオーバ
ーフロー槽からのＩＰＡ排液を排出する排液配管とから
構成することを特徴とする。
【０００９】更にまた、本発明の半導体基板薬液浸漬式
処理装置は、前記ＩＰＡ槽に、前記オーバーフロー槽か
らのＩＰＡ排液を精製するＩＰＡ精製器と、このＩＰＡ
精製器により精製されたＩＰＡを前記内槽へ供給する手
段を付加して構成したことを特徴とする。
処理装置は、前記ＩＰＡ槽に、前記オーバーフロー槽か
らのＩＰＡ排液を精製するＩＰＡ精製器と、このＩＰＡ
精製器により精製されたＩＰＡを前記内槽へ供給する手
段を付加して構成したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明により、薬液処理した半導体基板はＩＰ
Ａ蒸気乾燥機ではなく、ＩＰＡ槽に充填されたＩＰＡ新
液に浸漬させＩＰＡ置換を行った後、遠心乾燥機で乾燥
を完了させるようにしたことにより、安全かつ短時間に
乾燥することができるようになった。
Ａ蒸気乾燥機ではなく、ＩＰＡ槽に充填されたＩＰＡ新
液に浸漬させＩＰＡ置換を行った後、遠心乾燥機で乾燥
を完了させるようにしたことにより、安全かつ短時間に
乾燥することができるようになった。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例につき図面を参照して説
明する。
明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例の処理部構成図
である。薬液槽１と水洗槽２とＩＰＡ槽３と遠心乾燥機
４によって構成されている。カセット６に収納されたウ
エハ５は、薬液槽１で薬液処理され、水洗槽２で水洗さ
れた後、ＩＰＡ槽３でＩＰＡ置換される。そこでＩＰＡ
置換されたウエハ５は、遠心乾燥機４により低速回転か
つ短時間で容易に乾燥できる。
である。薬液槽１と水洗槽２とＩＰＡ槽３と遠心乾燥機
４によって構成されている。カセット６に収納されたウ
エハ５は、薬液槽１で薬液処理され、水洗槽２で水洗さ
れた後、ＩＰＡ槽３でＩＰＡ置換される。そこでＩＰＡ
置換されたウエハ５は、遠心乾燥機４により低速回転か
つ短時間で容易に乾燥できる。
【００１３】即ち、本発明にあってはＩＰＡ置換を従来
の蒸気乾燥機を用いることなくＩＰＡ新液に浸漬するた
めのＩＰＡ槽３を用い、更に、ＩＰＡ置換後のウエハ５
を乾燥するための遠心乾燥機４を設け、乾燥を完了させ
るように構成したものである。このような本発明によ
り、ＩＰＡ置換を安全にかつ短時間で処理することがで
きるようになり、また、簡単な構成の遠心乾燥機により
完全な乾燥を行うことができるようになった。
の蒸気乾燥機を用いることなくＩＰＡ新液に浸漬するた
めのＩＰＡ槽３を用い、更に、ＩＰＡ置換後のウエハ５
を乾燥するための遠心乾燥機４を設け、乾燥を完了させ
るように構成したものである。このような本発明によ
り、ＩＰＡ置換を安全にかつ短時間で処理することがで
きるようになり、また、簡単な構成の遠心乾燥機により
完全な乾燥を行うことができるようになった。
【００１４】ついで、ＩＰＡ槽３について図２を用いて
説明する。図２はＩＰＡ槽３の配管フロー図である。内
槽７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と内槽７か
らオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを排液する
排液配管１０を有している。
説明する。図２はＩＰＡ槽３の配管フロー図である。内
槽７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と内槽７か
らオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを排液する
排液配管１０を有している。
【００１５】次に、本発明の他の実施例について図３を
参照して説明する。処理部構成図は図１と同じである。
内槽７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と、内槽
７からオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを回収
し含有水分及びパーティクルを取り除き、内槽７へ供給
するＩＰＡ精製器１１を有している。これによりＩＰＡ
の消費量は蒸発分及びカセット６とウエハ５に付着して
持ち出された量だけであり、大幅に削減できる効果があ
る。しかも、ウエハ５の乾燥状態に大きく影響を及ぼす
水洗槽２から持ち込まれた水分や空気中から溶け込んだ
水分等、ＩＰＡ中の含有水分量及びパーティクル量を最
低限に抑えることができるため、新液ＩＰＡのみで処理
する場合とほぼ同等なウエハの清浄度の乾燥状態が得ら
れる。
参照して説明する。処理部構成図は図１と同じである。
内槽７にＩＰＡ新液を供給するＩＰＡ供給弁９と、内槽
７からオーバーフロー槽８へあふれ出したＩＰＡを回収
し含有水分及びパーティクルを取り除き、内槽７へ供給
するＩＰＡ精製器１１を有している。これによりＩＰＡ
の消費量は蒸発分及びカセット６とウエハ５に付着して
持ち出された量だけであり、大幅に削減できる効果があ
る。しかも、ウエハ５の乾燥状態に大きく影響を及ぼす
水洗槽２から持ち込まれた水分や空気中から溶け込んだ
水分等、ＩＰＡ中の含有水分量及びパーティクル量を最
低限に抑えることができるため、新液ＩＰＡのみで処理
する場合とほぼ同等なウエハの清浄度の乾燥状態が得ら
れる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウエハを
遠心乾燥する前に高清浄度のＩＰＡで浸漬処理してウエ
ハ表面をＩＰＡ置換できるＩＰＡ槽を備えたことによ
り、乾燥時の処理時間の短縮が実現可能となり装置処理
能力の向上が図れるという効果を有する。また、蒸気Ｉ
ＰＡを使用する場合と比べはるかに安全であるという効
果も有する。
遠心乾燥する前に高清浄度のＩＰＡで浸漬処理してウエ
ハ表面をＩＰＡ置換できるＩＰＡ槽を備えたことによ
り、乾燥時の処理時間の短縮が実現可能となり装置処理
能力の向上が図れるという効果を有する。また、蒸気Ｉ
ＰＡを使用する場合と比べはるかに安全であるという効
果も有する。
【図１】 本発明の一実施例の処理部を示す構成図であ
る。
る。
【図２】 図１に示したＩＰＡ槽の配管フロー図であ
る。
る。
【図３】 本発明の他の実施例のＩＰＡ槽の配管フロー
図である。
図である。
【図４】 従来の半導体基板薬液浸漬式処理装置の処理
部を示す構成図である。
部を示す構成図である。
【図５】 図４の蒸気乾燥機の概略説明図である。
１…薬液槽 ２…水洗槽 ３…ＩＰＡ槽 ４…遠心乾燥機 ５…ウエハ ７…内槽 ８…オーバーフロー槽 ９…ＩＰＡ供給弁 １０…排液配管 １１…ＩＰＡ精製器
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板を薬液処理する薬液槽と、薬
液処理された半導体基板を水洗処理する水洗槽と、水洗
処理された半導体基板を高清浄度なイソプロピルアルコ
ール（以下ＩＰＡと称する）に浸漬処理するＩＰＡ槽
と、ＩＰＡ浸漬処理された半導体基板を乾燥する遠心乾
燥機とを具備することを特徴とする半導体基板薬液浸漬
式処理装置。 - 【請求項２】 前記ＩＰＡ槽は、ＩＰＡの供給を制御す
るＩＰＡ供給弁と、ＩＰＡを貯蔵する内槽と、この内槽
からあふれたＩＰＡを受けるオーバーフロー槽と、この
オーバーフロー槽からのＩＰＡ排液を排出する排液配管
とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体基板
薬液浸漬式処理装置。 - 【請求項３】 前記オーバーフロー槽からのＩＰＡ排液
を精製するＩＰＡ精製器と、このＩＰＡ精製器により精
製されたＩＰＡを前記内槽へ供給する手段を具備したこ
とを特徴とする請求項２記載の半導体基板薬液浸漬式処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013383A JP3009006B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013383A JP3009006B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206096A true JPH05206096A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3009006B2 JP3009006B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=11831575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4013383A Expired - Fee Related JP3009006B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体基板の乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3009006B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163019B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US8608864B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-12-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58200540A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS59195653A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPS6237931A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH0210824A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子線レジスト現像方法 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4013383A patent/JP3009006B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58200540A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS59195653A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPS6237931A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH0210824A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子線レジスト現像方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163019B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7204889B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7422639B2 (en) * | 1997-03-21 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US8608864B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-12-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3009006B2 (ja) | 2000-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991104 |
|
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