JPH11162907A - 洗浄方法 - Google Patents

洗浄方法

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JPH11162907A
JPH11162907A JP34203997A JP34203997A JPH11162907A JP H11162907 A JPH11162907 A JP H11162907A JP 34203997 A JP34203997 A JP 34203997A JP 34203997 A JP34203997 A JP 34203997A JP H11162907 A JPH11162907 A JP H11162907A
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JP
Japan
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cleaning
silicon wafer
weight
solution
surfactant
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JP34203997A
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Kazuo Sato
一夫 佐藤
Takanori Ochi
啓典 越智
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンウエハを洗浄する。 【解決手段】 洗浄装置10は処理槽11、オーバーフ
ロー槽12、循環路13、ポンプ16、濾過装置17、
ヒータ18、過酸化水素水秤量槽21、アンモニア秤量
槽22、純水秤量槽23および界面活性剤秤量槽24を
備えており、処理槽11にはアンモニア、過酸化水素
水、純水および陰イオン界面活性剤が予め秤量されて貯
留される。シリコンウエハ1が界面活性剤が添加された
洗浄液4に浸漬されると、シリコンウエハ1と異物2と
はマイナス側に帯電し、互いの電気拆力がファンデルワ
ールス力を上回るため、異物2はシリコンウエハ1から
遊離する。洗浄液4は処理槽11からオーバーフロー槽
12へ溢流して循環路13を循環する。洗浄液4に浮遊
する異物2は濾過装置17で濾過されて除去される。 【効果】 ウエハと異物との電気拆力が高められるた
め、確実に洗浄できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄技術、特に、
洗浄液を用いて被洗浄物を洗浄する洗浄技術に関し、例
えば、半導体装置の製造工程において、シリコン基板
(以下、シリコンウエハという。)を洗浄するのに利用
して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、シリコ
ンウエハを洗浄する洗浄方法として、アンモニア/過酸
化水素水/水(NH4 OH/H2 2 /H2 O)等のア
ルカリ性溶液にシリコンウエハを晒す洗浄方法がある。
シリコンウエハ処理工程で発生するゴミはウエハ表面に
比較してアルカリ性溶液中でマイナス側に帯電し易く、
酸性溶液中でプラス側に帯電し易い傾向がある。したが
って、ゴミが付着したシリコンウエハがアルカリ性溶液
に晒されると、ウエハとゴミとの電気拆力がファンデル
ワールス力に近いか、または上回るため、シリコンウエ
ハからゴミを除去することができる。
【0003】なお、シリコンウエハの洗浄技術を述べて
ある例としては、株式会社工業調査会1994年11月
25日発行「電子材料1994年11月号別冊」P10
3〜P109、がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルカ
リ性溶液を使用した従来のシリコンウエハ洗浄方法にお
いては、電気拆力の利用が不充分であるため、洗浄が不
充分になる場合があるという問題点がある。
【0005】本発明の目的は、条件に対応して効果的に
洗浄することができる洗浄技術を提供することにある。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0008】すなわち、アルカリ性溶液に界面活性剤が
添加されて構成された洗浄液に被洗浄物を晒して洗浄す
ることを特徴とする。
【0009】また、酸性溶液に界面活性剤が添加されて
構成された洗浄液に被洗浄物を晒して洗浄することを特
徴とする。
【0010】また、温水に界面活性剤が添加されて構成
された洗浄液に被洗浄物を晒して洗浄することを特徴と
する。
【0011】また、アルカリ性溶液にアルコールが添加
されて構成された洗浄液に被洗浄物を晒して洗浄するこ
とを特徴とする。
【0012】また、酸性溶液にアルコールが添加されて
構成された洗浄液に被洗浄物を晒して洗浄することを特
徴とする。
【0013】また、温水にアルコールが添加されて構成
された洗浄液に被洗浄物を晒して洗浄することを特徴と
する。
【0014】前記した手段によれば、被洗浄物と汚染物
質との電気拆力を効果的に利用することができるため、
洗浄力を高めることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
シリコンウエハ洗浄方法を示す模式図である。図2はそ
のプロセスフローである。図3はその作用を説明するた
めの説明図である。
【0016】本実施形態において、本発明に係る洗浄方
法は、被洗浄物としてのシリコンウエハ1の表面に付着
した異物2を洗浄液4によって洗浄するように構成され
ており、図1に示されているシリコンウエハ洗浄装置1
0によって実施される。
【0017】図1に示されているシリコンウエハ洗浄装
置10は処理槽11を備えており、処理槽11はステン
レス鋼等を用いられて上面が開口した浴槽形状に形成さ
れている。処理槽11の少なくともその内面には洗浄液
4による腐蝕を防止するための弗素樹脂膜(図示せず)
がコーティングされている。処理槽11は被処理物とし
てのシリコンウエハ1を複数枚保持した処理治具3を完
全に収容し得る大きさに形成されており、その底面には
処理治具3を置くための簀の子19が敷設されている。
処理槽11の外部にはオーバーフロー槽12が処理槽1
1を取り巻くように敷設されており、このオーバーフロ
ー槽12は処理槽11から溢流して来る洗浄液4を一時
的に溜めるように構成されている。
【0018】処理槽11には洗浄液4を循環させるため
の循環路13が、オーバーフロー槽12を介して流体的
に接続されている。すなわち、処理槽11の底部には給
液管14が接続され、オーバーフロー槽12には排液管
15が底部に接続されている。排液管15の途中にはポ
ンプ16がオーバーフロー槽12の洗浄液4を揚水する
ように介設されており、ポンプ16の吐出側には濾過装
置17が介設されている。この濾過装置17は洗浄液4
の中に浮遊する塵埃等の比較的大きな異物(図示せず)
を微細な網目等により捕捉するように構成されている。
濾過装置17の下流側にはヒータ18が介設されてお
り、ヒータ18は洗浄液4を予め設定された温度に加熱
制御するように構成されている。また、処理槽11の底
には超音波振動子20が敷設されている。
【0019】処理槽11には過酸化水素水秤量槽21、
アンモニア秤量槽22、純水秤量槽23および界面活性
剤秤量槽24の各供給管が臨んでおり、各供給管によっ
て各槽から所定の薬液が所定の秤量ずつ適宜供給される
ようになっている。
【0020】処理槽11の片脇には第1水洗槽、第2水
洗槽およびスピン乾燥装置やベーパ乾燥装置が並べられ
て設備されており、処理槽11、第1水洗槽、第2水洗
槽、スピン乾燥装置、ベーパ乾燥装置間にはシリコンウ
エハ1を処理治具3に収容した状態で移送する搬送ロボ
ットが設備されている。
【0021】次に、本発明の一実施形態であるシリコン
ウエハの洗浄方法を前記構成に係るシリコンウエハ洗浄
装置を使用して説明する。
【0022】図2に示されているように、洗浄液準備工
程において、処理槽11には所定の成分や濃度に調製さ
れた洗浄液4が貯留され循環路13によって循環される
とともに、所定の温度に制御される。ここでは、後記す
る実施例1の洗浄液4が使用されるものとする。すなわ
ち、処理槽11には過酸化水素水秤量槽21、アンモニ
ア秤量槽22、純水秤量槽23および界面活性剤秤量槽
24の各供給管からアンモニア、純水および陰イオン界
面活性剤(anionic surfactant)が
予め秤量された所定の量ずつ供給される。
【0023】図2のシリコンウエハ浸漬工程において、
異物2が付着した被洗浄物としてのシリコンウエハ1は
複数枚が処理治具3に整列されて保持された状態で、シ
リコンウエハ洗浄装置10の処理槽11に貯留された洗
浄液4の中に図1に示されているように浸漬される。所
定時間浸漬後、シリコンウエハ1群は洗浄液4から引き
上げられる。洗浄液4の中に浸漬されている間に、シリ
コンウエハ1に付着した異物2は洗浄液4のアルカリ反
応によってシリコンウエハ1の表面から剥離されて、洗
浄液4によって洗い流される。
【0024】シリコンウエハ1が実施例1の陰イオン界
面活性剤が添加された洗浄液4に浸漬されると、図3
(a)に示されているように、シリコンウエハ1および
シリコンウエハ1に付着した異物2はいずれもマイナス
側に帯電する。ここで、シリコンウエハ1と異物2との
間の電気拆力がファンデルワールス力を上回るため、異
物2はシリコンウエハ1から図3(b)に示されている
ように遊離する。この際、超音波振動子20によって超
音波が付勢されるため、異物2はシリコンウエハ1から
確実に遊離する。
【0025】洗浄液4は処理槽11からオーバーフロー
槽12へ溢流し、このオーバーフロー槽12の底からポ
ンプ16により循環路13の排液管15に揚水される。
循環路13に揚水された洗浄液4は濾過装置17および
ヒータ18を経由して、循環路13の給液管14から処
理槽11へ還流される。この循環中に、シリコンウエハ
1から遊離して洗浄液4に浮遊する異物2は濾過装置1
7によって機械的ないしは物理的に捕捉されて、洗浄液
4の中から除去される。
【0026】シリコンウエハ浸漬工程において洗浄され
たシリコンウエハ1は処理槽11から搬送ロボットによ
って取り上げられ、図2の第1水洗工程および第2水洗
工程において水洗されて洗浄液を水洗された後に、図2
の乾燥工程において乾燥される。
【0027】洗浄液としては実施例1の洗浄液を使用す
るに限らず、洗浄する異物に対応して次の各実施例の洗
浄液を使用することが望ましい。
【0028】各実施例において使用温度は40〜60℃
である。対象物質とは最も洗浄効果のある異物の種類で
ある。異物除去率は洗浄によってシリコンウエハから除
去された異物の洗浄前に対する百分率である。異物数は
洗浄後のシリコンウエハに残った1枚当たりの異物の個
数であり、洗浄前の異物の数は1600(個/ウエハ)
である。
【0029】比較例 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液の
洗浄液。異物除去率は40%。異物数は960。
【0030】実施例1 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液に
陰イオン界面活性剤が10〜100ppm添加された洗
浄液。対象物質は微粒子、有機物。異物除去率は78
%。異物数は352。
【0031】実施例2 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液に
陽イオン界面活性剤(cationic surfac
tant)が10〜100ppm添加された洗浄液。対
象物質は微粒子、有機物。異物除去率は69%。異物数
は496。
【0032】実施例3 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液に
非イオン界面活性剤(nonionic surfac
tant)が10〜100ppm添加された洗浄液。対
象物質は微粒子、有機物。異物除去率は66%。異物数
は560。
【0033】実施例4 塩酸(Hcl)0.01〜1.0重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水の酸性溶液に陰イオ
ン界面活性剤が10〜100ppm添加された洗浄液。
対象物質は金属。
【0034】実施例5 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液に陰イオン界面活性剤が10〜100ppm
添加された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0035】実施例6 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にオゾン(O3 )が10〜100ppm、陰
イオン界面活性剤が10〜100ppm添加された洗浄
液。対象物質は微粒子、有機物。
【0036】実施例7 純水に陰イオン界面活性剤が10〜100ppm添加さ
れた洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0037】実施例8 塩酸0.01〜1.0重量%、過酸化水素水0.01〜
1.0重量%、残部純水の酸性溶液に陽イオン界面活性
剤が10〜100ppm添加された洗浄液。対象物質は
金属。
【0038】実施例9 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液に陽イオン界面活性剤が10〜100ppm
添加された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0039】実施例10 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にオゾンが10〜100ppm、陽イオン界
面活性剤が10〜100ppm添加された洗浄液。対象
物質は微粒子、有機物。
【0040】実施例11 純水に陽イオン界面活性剤が10〜100ppm添加さ
れた洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0041】実施例12 塩酸0.01〜1.0重量%、過酸化水素水0.01〜
1.0重量%、残部純水の酸性溶液に非イオン界面活性
剤が10〜100ppm添加された洗浄液。対象物質は
金属。
【0042】実施例13アンモニア0.01〜0.25
重量%、残部純水のアルカリ性溶液に非イオン界面活性
剤が10〜100ppm添加された洗浄液。対象物質は
微粒子、有機物。
【0043】実施例14 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にオゾンが10〜100ppm、非イオン界
面活性剤が10〜100ppm添加された洗浄液。対象
物質は微粒子、有機物。
【0044】実施例15 純水に非イオン界面活性剤が10〜100ppm添加さ
れた洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0045】実施例16 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液に
イソプロピルアルコールが0.01〜0.1重量%添加
された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0046】実施例17 塩酸0.01〜1.0重量%、過酸化水素水0.01〜
1.0重量%、残部純水の酸性溶液にイソプロピルアル
コールが0.01〜0.1重量%添加された洗浄液。対
象物質は金属。
【0047】実施例18 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にイソプロピルアルコールが0.01〜0.
1重量%添加された洗浄液。対象物質は微粒子、有機
物。
【0048】実施例19 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にオゾンが10〜100ppm、イソプロピ
ルアルコールが0.01〜0.1重量%添加された洗浄
液。対象物質は微粒子、有機物。
【0049】実施例20 純水にイソプロピルアルコールが0.01〜0.1重量
%添加された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0050】実施例21 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液に
エチルアルコールが0.01〜0.1重量%添加された
洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0051】実施例22 塩酸0.01〜1.0重量%、過酸化水素水0.01〜
1.0重量%、残部純水の酸性溶液にエチルアルコール
が0.01〜0.1重量%添加された洗浄液。対象物質
は金属。
【0052】実施例23 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にエチルアルコールが0.01〜0.1重量
%添加された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0053】実施例24 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にオゾンが10〜100ppm、エチルアル
コールが0.01〜0.1重量%添加された洗浄液。対
象物質は微粒子、有機物。
【0054】実施例25 純水にエチルアルコールが0.01〜0.1重量%添加
された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0055】実施例26 アンモニア0.01〜0.25重量%、過酸化水素水
0.01〜1.0重量%、残部純水のアルカリ性溶液に
メチルアルコールが0.01〜0.1重量%添加された
洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0056】実施例27 塩酸0.01〜1.0重量%、過酸化水素水0.01〜
1.0重量%、残部純水の酸性溶液にメチルアルコール
が0.01〜0.1重量%添加された洗浄液。対象物質
は金属。
【0057】実施例28 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にメチルアルコールが0.01〜0.1重量
%添加された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0058】実施例29 アンモニア0.01〜0.25重量%、残部純水のアル
カリ性溶液にオゾンが10〜100ppm、メチルアル
コールが0.01〜0.1重量%添加された洗浄液。対
象物質は微粒子、有機物。
【0059】実施例30 純水にメチルアルコールが0.01〜0.1重量%添加
された洗浄液。対象物質は微粒子、有機物。
【0060】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0061】例えば、処理槽や循環路等の洗浄装置の具
体的構造は、使用条件に対応して適宜選定することが望
ましい。スピンナ洗浄装置を使用してもよい。
【0062】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるシリコ
ンウエハの洗浄技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、シリコンウエハ以
外の被洗浄物に対する洗浄液による洗浄技術全般に適用
することができる。
【0063】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0064】アルカリ性溶液、酸性溶液または温水に界
面活性剤またはアルコールが添加された洗浄液に被洗浄
物を晒すことにより、被洗浄物と汚染物質との電気拆力
を効果的に利用することができるため、洗浄力を高める
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるシリコンウエハ洗浄
方法を示す模式図である。
【図2】そのプロセスフローである。
【図3】その作用を説明するための説明図である。
【符号の説明】
1…シリコンウエハ(被洗浄物)、2…異物、3…処理
治具、4…洗浄液、10…シリコンウエハ洗浄装置、1
1…処理槽、12…オーバーフロー槽、13…洗浄液循
環路、14…給液管、15…排液管、16…ポンプ、1
7…濾過装置、18…ヒータ、19…簀の子、20…超
音波振動子、21…過酸化水素水秤量槽、22…アンモ
ニア秤量槽、23…純水秤量槽、24…界面活性剤秤量
槽。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ性溶液に界面活性剤が添加され
    て構成された洗浄液に被洗浄物が晒されて洗浄されるこ
    とを特徴とする洗浄方法。
  2. 【請求項2】 前記界面活性剤が陰イオン界面活性剤で
    あることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記界面活性剤が陽イオン界面活性剤で
    あることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
  4. 【請求項4】 前記界面活性剤が非イオン界面活性剤で
    あることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
  5. 【請求項5】 酸性溶液に界面活性剤が添加されて構成
    された洗浄液に被洗浄物が晒されて洗浄されることを特
    徴とする洗浄方法。
  6. 【請求項6】 前記界面活性剤が陰イオン界面活性剤で
    あることを特徴とする請求項5に記載の洗浄方法。
  7. 【請求項7】 前記界面活性剤が陽イオン界面活性剤で
    あることを特徴とする請求項5に記載の洗浄方法。
  8. 【請求項8】 前記界面活性剤が非イオン界面活性剤で
    あることを特徴とする請求項5に記載の洗浄方法。
  9. 【請求項9】 温水に界面活性剤が添加されて構成され
    た洗浄液に被洗浄物が晒されて洗浄されることを特徴と
    する洗浄方法。
  10. 【請求項10】 アルカリ性溶液にアルコールが添加さ
    れて構成された洗浄液に被洗浄物が晒されて洗浄される
    ことを特徴とする洗浄方法。
  11. 【請求項11】 酸性溶液にアルコールが添加されて構
    成された洗浄液に被洗浄物が晒されて洗浄されることを
    特徴とする洗浄方法。
  12. 【請求項12】 温水にアルコールが添加されて構成さ
    れた洗浄液に被洗浄物が晒されて洗浄されることを特徴
    とする洗浄方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003221600A (ja) * 2001-11-16 2003-08-08 Mitsubishi Chemicals Corp 基板表面洗浄液及び洗浄方法
KR20040036754A (ko) * 2002-10-24 2004-05-03 주식회사 하이닉스반도체 화학적기계연마 공정에서의 세정 단계
KR20050056015A (ko) * 2003-12-09 2005-06-14 동부아남반도체 주식회사 습식세정장치의 리프터
JP2014022433A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003221600A (ja) * 2001-11-16 2003-08-08 Mitsubishi Chemicals Corp 基板表面洗浄液及び洗浄方法
KR20040036754A (ko) * 2002-10-24 2004-05-03 주식회사 하이닉스반도체 화학적기계연마 공정에서의 세정 단계
KR20050056015A (ko) * 2003-12-09 2005-06-14 동부아남반도체 주식회사 습식세정장치의 리프터
JP2014022433A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

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