JPH04207031A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH04207031A JPH04207031A JP34016890A JP34016890A JPH04207031A JP H04207031 A JPH04207031 A JP H04207031A JP 34016890 A JP34016890 A JP 34016890A JP 34016890 A JP34016890 A JP 34016890A JP H04207031 A JPH04207031 A JP H04207031A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体基板の洗浄方法に関するものであり、特
にフッ酸を使用する半導体基板の洗浄方法に関するもの
である。
にフッ酸を使用する半導体基板の洗浄方法に関するもの
である。
〈従来の技術〉
従来の技術に於いて半導体基板の洗浄は、第３図に示す
ように、薬液ｌをためた槽２に基板３を浸漬し、洗浄し
た後、薬液ｌをためた槽２から基板３を取出し、純水４
をオーバーフローさせている槽５に基板３を移し、基板
３に残留している薬品を除去した後に、純水槽５より基
板３を取出すものである。この方式（Ａ）では、薬液に
フッ酸を使用する場合、基板の酸化膜が除去されて基板
の活性面（たとえば、シリコン面）が露出すると、第３
図に於いて、フッ酸中より基板を取出す際（（３） ）
に、基板表面にフッ酸の液面に多く浮遊している異物粒
子が付着しやすく、洗浄後の基板処理に悪影響を及ぼす
。このような異物の付着を減らすために、従来の技術に
於いては、第４図に示すように、薬液ｌｌ中での洗浄が
終了した後に、薬液槽１２に純水１３を導入し、薬液を
オーバーフローさせて純水と置換した後に、純水１３中
から基板１４を取出す方法ＣＢ）が行なわれている。
ように、薬液ｌをためた槽２に基板３を浸漬し、洗浄し
た後、薬液ｌをためた槽２から基板３を取出し、純水４
をオーバーフローさせている槽５に基板３を移し、基板
３に残留している薬品を除去した後に、純水槽５より基
板３を取出すものである。この方式（Ａ）では、薬液に
フッ酸を使用する場合、基板の酸化膜が除去されて基板
の活性面（たとえば、シリコン面）が露出すると、第３
図に於いて、フッ酸中より基板を取出す際（（３） ）
に、基板表面にフッ酸の液面に多く浮遊している異物粒
子が付着しやすく、洗浄後の基板処理に悪影響を及ぼす
。このような異物の付着を減らすために、従来の技術に
於いては、第４図に示すように、薬液ｌｌ中での洗浄が
終了した後に、薬液槽１２に純水１３を導入し、薬液を
オーバーフローさせて純水と置換した後に、純水１３中
から基板１４を取出す方法ＣＢ）が行なわれている。
〈発明が解決しようとする課題〉
従来技術における第４図に示す方法により、フッ酸を使
用した洗浄の場合に於いても、基板を浸漬したまま、フ
ッ酸と純水を置換することで、槽から基板を引き上げる
際に付着する異物粒子を減らすことが可能であるが、フ
ッ酸に浸漬する前に、基板の活性面が露出している場合
には、基板をフッ酸に浸漬する際に、フッ酸液面に浮遊
する異物粒子の基板への付着がさけられない。
用した洗浄の場合に於いても、基板を浸漬したまま、フ
ッ酸と純水を置換することで、槽から基板を引き上げる
際に付着する異物粒子を減らすことが可能であるが、フ
ッ酸に浸漬する前に、基板の活性面が露出している場合
には、基板をフッ酸に浸漬する際に、フッ酸液面に浮遊
する異物粒子の基板への付着がさけられない。
く課題を解決するための手段〉
上記問題点を解決するための本発明の方法は、第１図に
示すように、オーバーフローさせた純水槽２１に基板２
２を浸漬し、基板２２が純水２３中に浸漬している状態
でオーバーフローラ止メ、洗浄薬液２４を槽２１に均一
に導入して調合し、洗浄が終了後、再び純水２５を導入
して薬液と純水を置換し、純水２５をオーバーフローさ
せながら槽２１から基板２２を取出すものである。
示すように、オーバーフローさせた純水槽２１に基板２
２を浸漬し、基板２２が純水２３中に浸漬している状態
でオーバーフローラ止メ、洗浄薬液２４を槽２１に均一
に導入して調合し、洗浄が終了後、再び純水２５を導入
して薬液と純水を置換し、純水２５をオーバーフローさ
せながら槽２１から基板２２を取出すものである。
く作 用〉
本発明によれば、半導体基板の活性面が薬液の液面に触
れることがなくなり、液面での基板への異物付着をなく
すことが可能である。
れることがなくなり、液面での基板への異物付着をなく
すことが可能である。
く実施例〉
半導体基板洗浄で頻繁に使用される希フン酸を用いる洗
浄に於ける、本発明の実施例を第１図を・ 例に説明
する。（１）純水２３をオーバーフローさせたテフロン
槽２１に、洗浄する基板２２を浸漬酸２４を槽２】に均
一に槽容積の１７１０滴下し、槽内の純水を１％の希フ
ッ酸２４′に変えて、１分間洗浄を行う。（３） テ
フロン槽２１の底部より純水２５を導入し、希フン酸を
純水で置換する。
浄に於ける、本発明の実施例を第１図を・ 例に説明
する。（１）純水２３をオーバーフローさせたテフロン
槽２１に、洗浄する基板２２を浸漬酸２４を槽２】に均
一に槽容積の１７１０滴下し、槽内の純水を１％の希フ
ッ酸２４′に変えて、１分間洗浄を行う。（３） テ
フロン槽２１の底部より純水２５を導入し、希フン酸を
純水で置換する。
（４）槽２１内の純水２５の比抵抗値が、１８ＭΩ・ｃ
ｍ以上に回復したら、純水をオーバーフローさせながら
基板を槽から引き上げて、水切り乾燥を行う。
ｍ以上に回復したら、純水をオーバーフローさせながら
基板を槽から引き上げて、水切り乾燥を行う。
本実施例に示した希フッ酸洗浄方法で半導体基板（６イ
ンチ・シリコンウェーハ）に付着する異物粒子数（粒径
０．１６μｍ以上）を、従来の希フッ酸洗浄方法Ａ、Ｂ
（Ａ、Ｂとも、１％フン酸洗浄時間１分、純水オーバー
フロー、水切り乾燥）と比較した結果を第２図に示す。
ンチ・シリコンウェーハ）に付着する異物粒子数（粒径
０．１６μｍ以上）を、従来の希フッ酸洗浄方法Ａ、Ｂ
（Ａ、Ｂとも、１％フン酸洗浄時間１分、純水オーバー
フロー、水切り乾燥）と比較した結果を第２図に示す。
基板に付着した粒子数は、従来方式Ａでは１１０〜１７
０個、従来方式Ｂでは３０〜４０個、本発明の方式Ｃで
は１０〜２０個であり、本発明の希フッ酸洗浄方法によ
り、基板に付着する異物粒子を減らすことが可能になる
。
０個、従来方式Ｂでは３０〜４０個、本発明の方式Ｃで
は１０〜２０個であり、本発明の希フッ酸洗浄方法によ
り、基板に付着する異物粒子を減らすことが可能になる
。
〈発明の効果〉
本発明の半導体基板の洗浄方法により、洗浄液から基板
に付着する異物粒子を大幅に低減させることが可能にな
る。
に付着する異物粒子を大幅に低減させることが可能にな
る。
第１図は、本発明の洗浄方法の説明図、第２図は、従来
の洗浄方法（Ａ、Ｂ）と本発明の洗浄方法（Ｃ）で実際
に洗浄を行った６インチ径シリコンウェーハに付着した
異物粒子数を示す図、第３図及び第４図は、それぞれ従
来の洗浄方法Ａ及びＢの説明図である。 符号の説明 ２１：洗浄槽、 ２２：半導体基板、 ２３：純水、
２４：フッ酸、 ２４′ ：希フッ酸、２５：純水。
の洗浄方法（Ａ、Ｂ）と本発明の洗浄方法（Ｃ）で実際
に洗浄を行った６インチ径シリコンウェーハに付着した
異物粒子数を示す図、第３図及び第４図は、それぞれ従
来の洗浄方法Ａ及びＢの説明図である。 符号の説明 ２１：洗浄槽、 ２２：半導体基板、 ２３：純水、
２４：フッ酸、 ２４′ ：希フッ酸、２５：純水。
Claims (1)
- １、半導体基板の洗浄方法に於いて、純水をオーバーフ
ローさせた洗浄槽に半導体基板を浸漬し、純水中に基板
が浸漬している状態で純水中に洗浄薬液を導入して基板
の洗浄を行い、その後、洗浄薬液中に純水を導入して洗
浄薬液を純水と置換した後にオーバーフローさせた純水
中より基板を取り出し、乾燥させることを特徴とする、
半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340168A JP2573418B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340168A JP2573418B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207031A true JPH04207031A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2573418B2 JP2573418B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=18334383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340168A Expired - Fee Related JP2573418B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573418B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US6158447A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124220A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01264226A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-20 | Nec Corp | 半導体基板の水洗装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340168A patent/JP2573418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124220A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01264226A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-20 | Nec Corp | 半導体基板の水洗装置 |
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| US6592678B1 (en) | 1997-09-09 | 2003-07-15 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US7077915B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Renesas Technology Corp. | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647996B2 (en) | 1999-07-14 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Method of diffusing pressurized liquid |
| US6672319B2 (en) | 1999-07-14 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6860279B2 (en) | 1999-07-14 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2573418B2 (ja) | 1997-01-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |