JP2610844B2 - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JP2610844B2 JP2610844B2 JP61279589A JP27958986A JP2610844B2 JP 2610844 B2 JP2610844 B2 JP 2610844B2 JP 61279589 A JP61279589 A JP 61279589A JP 27958986 A JP27958986 A JP 27958986A JP 2610844 B2 JP2610844 B2 JP 2610844B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- cleaning
- pure water
- water
- wafer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを洗浄する方法に関し、特に水
しみや異物付着を低減した半導体ウェハの洗浄方法に関
する。
しみや異物付着を低減した半導体ウェハの洗浄方法に関
する。
〔従来の技術〕 半導体装置の製造工程では、前工程が終了した時点で
半導体ウェハの表面を洗浄し、前工程で残存している異
物や薬液を除去している。この洗浄方法としては、従来
第２図に示す方法が利用されている。
半導体ウェハの表面を洗浄し、前工程で残存している異
物や薬液を除去している。この洗浄方法としては、従来
第２図に示す方法が利用されている。
即ち、第２図の方法は、半導体ウェハを例えば弗酸等
で洗浄する薬液洗浄工程11と、この薬液を除去するため
の超純水リンス洗浄工程12と、乾燥工程13とで構成され
ている。
で洗浄する薬液洗浄工程11と、この薬液を除去するため
の超純水リンス洗浄工程12と、乾燥工程13とで構成され
ている。
なお、この種の洗浄方法に関するものとしては、例え
ば、特開昭59−39030号公報や特開昭59−211233号公報
が挙げられる。
ば、特開昭59−39030号公報や特開昭59−211233号公報
が挙げられる。
特開昭59−39030号公報には、所定温度に加熱するヒ
ータを有する純水洗浄装置が記載されているが、この純
水洗浄装置の加熱ヒータは純水の温度を一定に保ち比抵
抗を正確に測定するものであり、薬液洗浄工程、温純水
リンス洗浄工程、及び超純水リンス洗浄工程からなる構
成は開示されてない。
ータを有する純水洗浄装置が記載されているが、この純
水洗浄装置の加熱ヒータは純水の温度を一定に保ち比抵
抗を正確に測定するものであり、薬液洗浄工程、温純水
リンス洗浄工程、及び超純水リンス洗浄工程からなる構
成は開示されてない。
前記した従来の半導体ウェハの洗浄方法では、本発明
者等の検討によると、洗浄薬液が弗酸の場合には水しみ
の発生や異物の付着が顕著であることが明らかとなっ
た。
者等の検討によると、洗浄薬液が弗酸の場合には水しみ
の発生や異物の付着が顕著であることが明らかとなっ
た。
この点について、考察すると、異物付着及び水しみは
次の理由によって生じるものと推測できる。
次の理由によって生じるものと推測できる。
即ち、薬液が弗酸の場合には、シリコンからなるウェ
ハの表面のシリコン酸化膜が完全にエッチング除去され
てシリコン結晶表面が露呈されるため、ウェハ表面が疎
水性になる。このため、弗酸処理後の超純水洗浄工程に
おいて、純水中に僅かに存在する異物が水分子よりもウ
ェハ表面に直接接触し易くなり、これがそのまま残され
て乾燥後に異物として残存することになる。また、超純
水工程の進行に伴ってウェハ表面にシリコン酸化膜が成
長されて、この部分が親水性に変化して行くが、この親
水性の変化がウェハ全面に亘って均一でないと純水との
接触が部分的に相違し、これが水しみを発生する原因と
なる。
ハの表面のシリコン酸化膜が完全にエッチング除去され
てシリコン結晶表面が露呈されるため、ウェハ表面が疎
水性になる。このため、弗酸処理後の超純水洗浄工程に
おいて、純水中に僅かに存在する異物が水分子よりもウ
ェハ表面に直接接触し易くなり、これがそのまま残され
て乾燥後に異物として残存することになる。また、超純
水工程の進行に伴ってウェハ表面にシリコン酸化膜が成
長されて、この部分が親水性に変化して行くが、この親
水性の変化がウェハ全面に亘って均一でないと純水との
接触が部分的に相違し、これが水しみを発生する原因と
なる。
本発明の目的は、以上の問題を解消し、異物の付着及
び水しみの発生を効果的に防止することのできる洗浄方
法を提供することにある。
び水しみの発生を効果的に防止することのできる洗浄方
法を提供することにある。
本発明の半導体ウェハの洗浄方法は、薬液洗浄工程の
後に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リ
ンス洗浄工程及び乾燥工程を行うことにより前記目的が
達成される。
後に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リ
ンス洗浄工程及び乾燥工程を行うことにより前記目的が
達成される。
この洗浄方法によれば、温純水リンス工程により半導
体ウェハの表面が直に親水性に変化され、純水中の水分
子との接触性が高められて異物の直接接触を防止でき、
かつ水分子との部分的な接触が防止され、これにより異
物の付着及び水しみの発生を効果的に防止することが可
能となる。
体ウェハの表面が直に親水性に変化され、純水中の水分
子との接触性が高められて異物の直接接触を防止でき、
かつ水分子との部分的な接触が防止され、これにより異
物の付着及び水しみの発生を効果的に防止することが可
能となる。
以下、本発明を図面に示す実施例により詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の洗浄方法を説明するための工程図で
あり、ここではシリコンウェハを洗浄する場合について
説明する。図示のように、この方法では、薬液洗浄工程
１の後に、温純水リンス工程４を設け、しかる後に超純
水リンス工程２及び乾燥工程３を設けている。
あり、ここではシリコンウェハを洗浄する場合について
説明する。図示のように、この方法では、薬液洗浄工程
１の後に、温純水リンス工程４を設け、しかる後に超純
水リンス工程２及び乾燥工程３を設けている。
前記薬液洗浄工程１には、弗酸及び他の薬液等これま
で使用されているものをそのまま利用できる。
で使用されているものをそのまま利用できる。
また、温純水リンス工程４では、60℃程度に加熱した
純水を用いてリンス方式でウェハ表面を洗浄し、弗酸等
の薬液を除去する。この場合、少なくとも１分以上の洗
浄を行うことが必要とされる。
純水を用いてリンス方式でウェハ表面を洗浄し、弗酸等
の薬液を除去する。この場合、少なくとも１分以上の洗
浄を行うことが必要とされる。
超純水リンス工程２及び乾燥工程３は、これまでと全
く同様に行うことができる。
く同様に行うことができる。
このように、薬液洗浄工程１の直後に温純水リンス工
程４を設けると、弗酸によりシリコンウェハはシリコン
結晶の表面が露呈され、表面が疎水性とされるが、続く
温純水リンス洗浄工程４が常温よりも高いことから、こ
れを１分以上行うことによりウェハ表面に直ちに10〜20
Å程度の厚さのシリコン酸化膜が成長される。
程４を設けると、弗酸によりシリコンウェハはシリコン
結晶の表面が露呈され、表面が疎水性とされるが、続く
温純水リンス洗浄工程４が常温よりも高いことから、こ
れを１分以上行うことによりウェハ表面に直ちに10〜20
Å程度の厚さのシリコン酸化膜が成長される。
このシリコン酸化膜は、公知のように親水性であるた
め、後工程の超純水リンス洗浄工程２において、水分子
がウェハ表面に接触し、純水中に存在する異物とウェハ
表面との間に水分子層を形成する。このため、異物が直
接ウェハ表面に付着することはなく、続く乾燥工程３前
に確実に除去され、ウェハ表面への異物の付着が防止で
きる。
め、後工程の超純水リンス洗浄工程２において、水分子
がウェハ表面に接触し、純水中に存在する異物とウェハ
表面との間に水分子層を形成する。このため、異物が直
接ウェハ表面に付着することはなく、続く乾燥工程３前
に確実に除去され、ウェハ表面への異物の付着が防止で
きる。
また、ウェハ表面が親水性とされることにより、水分
子がウェハ全面に均一に接触し、水しみの発生も防止で
きる。
子がウェハ全面に均一に接触し、水しみの発生も防止で
きる。
因に、本発明者の実験によれば、従来存在していた異
物の90％以上を除去できた。
物の90％以上を除去できた。
ここで、前記実施例はシリコンウェハを弗酸で薬液洗
浄した例を示したが、これに限られることはなく、種々
の半導体ウェハを他の薬液で洗浄する場合にも同様に適
用できる。
浄した例を示したが、これに限られることはなく、種々
の半導体ウェハを他の薬液で洗浄する場合にも同様に適
用できる。
以上説明したように本発明によれば、薬液洗浄工程の
後に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リ
ンス洗浄工程及び乾燥工程を行っているので、温純水リ
ンス工程により半導体ウェハの表面が直に親水性に変化
され、純水中の水分子との接触性が高められて異物の直
接接触を防止でき、かつ水分子との部分的な接触が防止
され、これにより異物の付着及び水しみの発生を効果的
に防止することができる。
後に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リ
ンス洗浄工程及び乾燥工程を行っているので、温純水リ
ンス工程により半導体ウェハの表面が直に親水性に変化
され、純水中の水分子との接触性が高められて異物の直
接接触を防止でき、かつ水分子との部分的な接触が防止
され、これにより異物の付着及び水しみの発生を効果的
に防止することができる。
第１図は本発明の一実施例の工程図、 第２図は従来の工程図である。 １……薬液洗浄工程、２……超純水リンス洗浄工程、３
……乾燥工程、４……温純水リンス工程、11……薬液洗
浄工程、12……超純水リンス工程、13……乾燥工程。
……乾燥工程、４……温純水リンス工程、11……薬液洗
浄工程、12……超純水リンス工程、13……乾燥工程。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮田 清之 茂原市早野3300番地 株式会社日立製作 所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭58−135643（ＪＰ，Ａ) 前田和夫「最近ＬＳＩプロセス技術」 工業調査会（1983年７月25日）Ｐ．118 −124
Claims (1)
- 【請求項１】シリコンからなる半導体ウェハを弗酸にて
洗浄し、半導体ウェハの表面のシリコン酸化膜が除去さ
れ、シリコン結晶表面が露呈される半導体ウェハの薬液
洗浄工程の次に、常温より高い温度の純水で温純水リン
ス洗浄工程を行い、上記半導体ウェハ表面に酸化膜を形
成し、上記半導体ウェハ表面を親水性とした後に、超純
水リンス洗浄工程及乾燥工程を行うことを特徴とする半
導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279589A JP2610844B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279589A JP2610844B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133534A JPS63133534A (ja) | 1988-06-06 |
| JP2610844B2 true JP2610844B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=17613093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279589A Expired - Lifetime JP2610844B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610844B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04215879A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-08-06 | Seiko Epson Corp | ワーク洗浄方法および洗浄装置 |
| JP3261683B2 (ja) * | 1991-05-31 | 2002-03-04 | 忠弘 大見 | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP2648556B2 (ja) * | 1993-06-17 | 1997-09-03 | 住友シチックス株式会社 | シリコンウエーハの表面処理方法 |
| JP3292169B2 (ja) | 1999-02-24 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路 |
| KR100582202B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 |
| JP5634953B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2014-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置および記憶媒体 |
| CN116174377A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-05-30 | 江苏和阳新材料有限公司 | 一种单晶硅片全自动清洗方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135643A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハ洗浄装置 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61279589A patent/JP2610844B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 前田和夫「最近ＬＳＩプロセス技術」工業調査会（１９８３年７月２５日）Ｐ．１１８−１２４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63133534A (ja) | 1988-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |