JP2626324B2 - 洗浄方法 - Google Patents

洗浄方法

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JP2626324B2
JP2626324B2 JP3186721A JP18672191A JP2626324B2 JP 2626324 B2 JP2626324 B2 JP 2626324B2 JP 3186721 A JP3186721 A JP 3186721A JP 18672191 A JP18672191 A JP 18672191A JP 2626324 B2 JP2626324 B2 JP 2626324B2
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semiconductor substrate
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tank
viscosity chemical
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吉男 平野
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において高粘性薬液により処理された半導体基板のよう
な被処理物の洗浄方法の改良に関するものである。
【０００２】近年の半導体装置の製造工程においてはウ
エーハの大径化、高集積化に伴い、高粘性薬液により処
理された半導体基板の洗浄工程には加熱された純水によ
る洗浄や大量の純水による洗浄が行われているが、この
ためには純水加熱装置や大型の純水製造装置が必要とな
る。
【０００３】以上のような状況から、加熱純水や大量の
純水を用いないで洗浄処理を効率良く行うことが可能な
洗浄方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の洗浄方法を複数の槽を用いる半導
体基板の場合について図４により詳細に説明する。
【０００５】図４は従来の洗浄方法を工程順に示す図で
ある。まず図に示すように高粘性薬液槽31の高粘性薬液
中に半導体基板をディップする。この高粘性薬液槽31に
て処理された半導体基板の表面には高粘性薬液が付着し
ているが、従来はこの半導体基板を直接水洗槽33の純水
中にディップし、この高粘性薬液を加熱した純水や大量
の純水により溶解させて除去した後、乾燥室34内で乾燥
させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体基板の洗浄方法においては、高粘性薬液にて処理し
た半導体基板の表面には高粘性薬液が付着しており、こ
の半導体基板を直接水洗槽の純水中にディップし、純水
に溶解しにくい高粘性薬液を完全に除去するためには水
洗処理に長時間が必要になるから加熱した純水を用いる
か、或いは大量の純水により高粘性薬液を溶解させて除
去しているので、純水加熱装置や大型の純水製造装置が
必要になるという問題点があった。
【０００７】本発明は以上のような状況から、高粘性薬
液処理を行った被処理物の洗浄を簡単且つ短時間に行う
ことが可能となる洗浄方法の提供を目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、高
粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であっ
て、この高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着
している被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、
この低粘性薬液が付着している被処理物を水洗処理する
工程とを含むように構成する。
【０００９】
【作用】即ち本発明においては、図１に示すように高粘
性薬液槽１内で高粘性薬液処理を行った半導体基板を低
粘性薬液槽２内の低粘性薬液中にディップし、この高粘
性薬液を低粘性薬液に置換した後、この純水に溶解し易
い低粘性薬液が付着した半導体基板を水洗槽３内の純水
中にディップすることにより除去するので高粘性薬液処
理した被処理物を極めて短時間に純水により洗浄するこ
とが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下複数の槽を用いる半導体基板の場合につ
いて、図２により窒化膜を除去する本発明の第１の実施
例を、図３によりレジスト膜を剥離する本発明の第２の
実施例を工程順に詳細に説明する。
【００１１】図２は本発明による第１の実施例の洗浄方
法を工程順に示す図、図３は本発明による第２の実施例
の洗浄方法を工程順に示す図である。窒化膜を除去する
場合には、まず図２に示すような高温燐酸槽11内で高粘
性薬液である高温燐酸で半導体基板を処理すると、半導
体基板の表面の窒化膜は除去されて高温燐酸が付着す
る。
【００１２】つぎに硝酸槽12内の低粘性薬液である硝酸
に半導体基板をディップにして高温燐酸を硝酸で置換す
ると、半導体基板の表面には硝酸が付着する。ついで硝
酸が表面に付着している半導体基板を水洗槽13内の純水
にディップすると、低粘性薬液である硝酸は純水に容易
に溶解するので、短時間内に少量の純水により水洗する
ことが可能となる。
【００１３】レジスト膜を剥離する場合には、まず図３
に示すような高温硫酸・過酸化水素槽21（以下、高温硫
酸・Ｈ2Ｏ2槽21と略称する。）で高粘性薬液である高温
硫酸・Ｈ2Ｏ2で半導体基板を処理すると、半導体基板の
表面のレジスト膜は剥離されて高温硫酸・Ｈ2Ｏ2が付着
する。
【００１４】つぎに硝酸槽22内の低粘性薬液である硝酸
に半導体基板をディップにして高温硫酸・Ｈ2Ｏ2を硝酸
で置換すると、半導体基板の表面には硝酸が付着する。
ついで硝酸が表面に付着している半導体基板を水洗槽23
内の純水にディップすると、低粘性薬液である硝酸は純
水に容易に溶解するので、短時間内に少量の純水により
水洗することが可能となる。
【００１５】このように硝酸により処理を行うので、拡
散工程或いはＣＶＤ工程の前にこのレジスト剥離・洗浄
を行えば、前処理なしに拡散或いはＣＶＤ工程に半導体
基板を投入することができ、スループット向上に寄与す
ることが可能となる。
【００１６】なお、本発明の第１及び第２の実施例にお
いては低粘性薬液として硝酸を用いたが、塩酸と過酸化
水素の混合液を用いても同様に短時間内に少量の純水に
より水洗することが可能である。
【００１７】本実施例は複数の槽を用いる多槽方式の洗
浄方法であるが、一槽のみを用いて処理薬液を順次交換
して行う一槽方式の洗浄方法も可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な工程の追加により高粘性薬液によ
り処理された被処理物に付着した高粘性薬液を低粘性薬
液と置換するので、この低粘性薬液を純水により容易に
溶解することが可能となる利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できる洗浄方法の提供が可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理図、
【図２】 本発明による第１の実施例の洗浄方法を工程
順に示す図、
【図３】 本発明による第２の実施例の洗浄方法を工程
順に示す図、
【図４】 従来の洗浄方法を工程順に示す図、
【符号の説明】
１は高粘性薬液槽、２は低粘性薬液槽、３は水洗槽、11
は高温燐酸槽、12は硝酸槽、13は水洗槽、14は乾燥室、
21は高温硫酸・Ｈ2Ｏ2槽、22は硝酸槽、23は水洗槽、24
は乾燥室、

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高粘性薬液により処理された被処理物の
    洗浄方法であって、 前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着
    している前記被処理物を低粘性薬液により処理する工程
    と、 前記低粘性薬液が付着している前記被処理物を水洗処理
    する工程と、 を含むことを特徴とする洗浄方法。
JP3186721A 1991-07-26 1991-07-26 洗浄方法 Expired - Lifetime JP2626324B2 (ja)

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JPH0536661A JPH0536661A (ja) 1993-02-12
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