JPS63133534A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPS63133534A JPS63133534A JP27958986A JP27958986A JPS63133534A JP S63133534 A JPS63133534 A JP S63133534A JP 27958986 A JP27958986 A JP 27958986A JP 27958986 A JP27958986 A JP 27958986A JP S63133534 A JPS63133534 A JP S63133534A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 29
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハを洗浄する方法に関し、特に水し
みや異物付着を低減した半導体ウェハの洗浄方法に関す
る。
みや異物付着を低減した半導体ウェハの洗浄方法に関す
る。
半導体装置の製造工程では、前工程が終了した時点で半
導体ウェハの表面を洗浄し、前工程で残存している異物
や薬液を除去している。この洗浄方法としては、従来第
２図に示す方法が利用されている。
導体ウェハの表面を洗浄し、前工程で残存している異物
や薬液を除去している。この洗浄方法としては、従来第
２図に示す方法が利用されている。
即ち、第２図の方法は、半導体ウェハを例えば弗酸等で
洗浄する薬液洗浄工程１１と、この薬液を除去するため
の超純水リンス洗浄工程１２と、乾燥工程１３とで構成
されている。
洗浄する薬液洗浄工程１１と、この薬液を除去するため
の超純水リンス洗浄工程１２と、乾燥工程１３とで構成
されている。
なお、この種の洗浄方法に関するものとしては、例えば
、特開昭５９−３９０３０号公報や特開昭５９−２１１
２３３号公報が挙げられる。
、特開昭５９−３９０３０号公報や特開昭５９−２１１
２３３号公報が挙げられる。
前記した従来の半導体ウェハの洗浄方法では、本発明者
等の検討によると、洗浄薬液が弗酸の場合には水じみの
発生や異物の付着が顕著であることが明らかとなった。
等の検討によると、洗浄薬液が弗酸の場合には水じみの
発生や異物の付着が顕著であることが明らかとなった。
この点について、考察すると、異物付着及び水しみは次
の理由によって生じるものと推測できる。
の理由によって生じるものと推測できる。
即ち、薬液が弗酸の場合には、シリコンからなるウェハ
の表面のシリコン酸化膜が完全にエツチング除去されて
シリコン結晶表面が露呈されるため、ウェハ表面が疎水
性になる。このため、弗酸処理後の超純水洗浄工程にお
いて、純水中に僅かに存在する異物が水分子よりもウェ
ハ表面に直接接触し易くなり、これがそのまま残されて
乾燥後に異物として残存することになる。また、超純水
工程の進行に伴ってウェハ表面にシリコン酸化膜が成長
されて、この部分が親水性に変化して行くが、この親水
性の変化がウェハ全面に亘って均一でないと純水との接
触が部分的に相違し、これが水じみを発生する原因とな
る。
の表面のシリコン酸化膜が完全にエツチング除去されて
シリコン結晶表面が露呈されるため、ウェハ表面が疎水
性になる。このため、弗酸処理後の超純水洗浄工程にお
いて、純水中に僅かに存在する異物が水分子よりもウェ
ハ表面に直接接触し易くなり、これがそのまま残されて
乾燥後に異物として残存することになる。また、超純水
工程の進行に伴ってウェハ表面にシリコン酸化膜が成長
されて、この部分が親水性に変化して行くが、この親水
性の変化がウェハ全面に亘って均一でないと純水との接
触が部分的に相違し、これが水じみを発生する原因とな
る。
本発明の目的は、以上の問題を解消し、異物の付着及び
水しみの発生を効果的に防止することのできる洗浄方法
を提供することにある。
水しみの発生を効果的に防止することのできる洗浄方法
を提供することにある。
本発明の半導体ウェハの洗浄方法は、薬液洗浄工程の後
に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リン
ス洗浄工程及び乾燥工程を行うことにより前記目的が達
成される。
に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リン
ス洗浄工程及び乾燥工程を行うことにより前記目的が達
成される。
この洗浄方法によれば、温純水リンス工程により半導体
ウェハの表面が直に親水性に変化され、純水中の水分子
との接触性が高められて異物の直接接触を防止でき、か
つ水分子との部分的な接触が防止され、これにより異物
の付着及び水じみの発生を効果的に防止することが可能
となる。
ウェハの表面が直に親水性に変化され、純水中の水分子
との接触性が高められて異物の直接接触を防止でき、か
つ水分子との部分的な接触が防止され、これにより異物
の付着及び水じみの発生を効果的に防止することが可能
となる。
以下、本発明を図面に示す実施例により詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の洗浄方法を説明するための工程図であ
り、ここではシリコンウェハを洗浄する場合について説
明する。図示のように、この方法では、薬液洗浄工程１
の後に、温純水リンス工程４を設け、しかる後に超純水
リンス工程２及び乾燥工程３を設けている。
り、ここではシリコンウェハを洗浄する場合について説
明する。図示のように、この方法では、薬液洗浄工程１
の後に、温純水リンス工程４を設け、しかる後に超純水
リンス工程２及び乾燥工程３を設けている。
前記薬液洗浄工程１には、弗酸及び他の薬液等これまで
使用されているものをそのまま利用できる。
使用されているものをそのまま利用できる。
また、温純水リンス工程４では、６０℃程度に加熱した
純水を用いてリンス方式でウェハ表面を洗浄し、弗酸等
の薬液を除去する。この場合、少なくとも１分以上の洗
浄を行うことが必要とされる。
純水を用いてリンス方式でウェハ表面を洗浄し、弗酸等
の薬液を除去する。この場合、少なくとも１分以上の洗
浄を行うことが必要とされる。
超純水リンス工程２及び乾燥工程３は、これまでと全く
同様に行うことができる。
同様に行うことができる。
このように、薬液洗浄工程１の直後に温純水リンス工程
４を設けると、弗酸によりシリコンウェハはシリコン結
晶の表面が露呈され、表面が疎水性とされるが、続く温
純水リンス洗浄工程４が常温よりも高いことから、これ
を１分以上行うことによりウェハ表面に直ちに１０〜２
０人程度の厚さのシリコン酸化膜が成長される。
４を設けると、弗酸によりシリコンウェハはシリコン結
晶の表面が露呈され、表面が疎水性とされるが、続く温
純水リンス洗浄工程４が常温よりも高いことから、これ
を１分以上行うことによりウェハ表面に直ちに１０〜２
０人程度の厚さのシリコン酸化膜が成長される。
このシリコン酸化膜は、公知のように親水性であるため
、後工程の超純水リンス洗浄工程２において、水分子が
ウェハ表面に接触し、純水中に存在する異物とウェハ表
面との間に水分子層を形成する。このため、異物が直接
ウェハ表面に付着することはなく、続く乾燥工程３前に
確実に除去され、ウェハ表面への異物の付着が防止でき
る。
、後工程の超純水リンス洗浄工程２において、水分子が
ウェハ表面に接触し、純水中に存在する異物とウェハ表
面との間に水分子層を形成する。このため、異物が直接
ウェハ表面に付着することはなく、続く乾燥工程３前に
確実に除去され、ウェハ表面への異物の付着が防止でき
る。
また、ウェハ表面が親水性とされることにより、水分子
がウェハ全面に均一に接触し、水じみの発生も防止でき
る。
がウェハ全面に均一に接触し、水じみの発生も防止でき
る。
因に、本発明者の実験によれば、従来存在していた異物
の９０％以上を除去できた。
の９０％以上を除去できた。
ここで、前記実施例はシリコンウェハを弗酸で薬液洗浄
した例を示したが、これに限られることはなく、種々の
半導体ウェハを他の薬液で洗浄する場合にも同様に適用
できる。
した例を示したが、これに限られることはなく、種々の
半導体ウェハを他の薬液で洗浄する場合にも同様に適用
できる。
以上説明したように本発明によれば、薬液洗浄工程の後
に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リン
ス洗浄工程及び乾燥工程を行っているので、温純水リン
ス工程により半導体ウェハの表面が直に親水性に変化さ
れ、純水中の水分子との接触性が高められて異物の直接
接触を防止でき、かつ水分子との部分的な接触が防止さ
れ、これにより異物の付着及び水じみの発生を効果的に
防止することができる。
に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リン
ス洗浄工程及び乾燥工程を行っているので、温純水リン
ス工程により半導体ウェハの表面が直に親水性に変化さ
れ、純水中の水分子との接触性が高められて異物の直接
接触を防止でき、かつ水分子との部分的な接触が防止さ
れ、これにより異物の付着及び水じみの発生を効果的に
防止することができる。
第１図は本発明の一実施例の工程図、
第２図は従来の工程図である。
１・・・薬液洗浄工程、２・・・超純水リンス洗浄工程
、３・・・乾燥工程、４・・・温純水リンス工程、１１
・・・薬液洗浄工程、１２・・・超純水リンス工程、１
３・・・乾燥工程。 第１図 第２図
、３・・・乾燥工程、４・・・温純水リンス工程、１１
・・・薬液洗浄工程、１２・・・超純水リンス工程、１
３・・・乾燥工程。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハを、薬液洗浄工程、超純水リンス洗浄
工程及び乾燥工程で洗浄するに際し、前記薬液洗浄工程
の後に、温純水リンス洗浄工程を設けたことを特徴とす
る半導体ウェハの洗浄方法。 ２、温純水リンス洗浄工程は、６０℃程度で少なくとも
１分以上行ってなる特許請求の範囲第１項記載の半導体
ウェハの洗浄方法。 ３、シリコンウェハを弗酸で薬液洗浄してなる特許請求
の範囲第２項記載の半導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279589A JP2610844B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279589A JP2610844B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133534A true JPS63133534A (ja) | 1988-06-06 |
| JP2610844B2 JP2610844B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=17613093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279589A Expired - Lifetime JP2610844B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610844B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04215879A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-08-06 | Seiko Epson Corp | ワーク洗浄方法および洗浄装置 |
| WO1992022087A1 (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | Tadahiro Ohmi | Method for cleaning and apparatus thereof |
| JPH0745572A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-02-14 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウエーハの表面処理方法 |
| US6396321B1 (en) | 1999-02-24 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit equipped with function for controlling the quantity of processing per unit time length by detecting internally arising delay |
| JP2013016594A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置および記憶媒体 |
| US8828149B2 (en) * | 2003-10-13 | 2014-09-09 | Lg Display Co., Ltd | Apparatus for fabricating thin film transistor array substrate |
| CN116174377A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-05-30 | 江苏和阳新材料有限公司 | 一种单晶硅片全自动清洗方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135643A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハ洗浄装置 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61279589A patent/JP2610844B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135643A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハ洗浄装置 |
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| US6396321B1 (en) | 1999-02-24 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit equipped with function for controlling the quantity of processing per unit time length by detecting internally arising delay |
| US8828149B2 (en) * | 2003-10-13 | 2014-09-09 | Lg Display Co., Ltd | Apparatus for fabricating thin film transistor array substrate |
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| CN116174377A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-05-30 | 江苏和阳新材料有限公司 | 一种单晶硅片全自动清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2610844B2 (ja) | 1997-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |