JPS63133534A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄方法

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JPS63133534A
JPS63133534A JP27958986A JP27958986A JPS63133534A JP S63133534 A JPS63133534 A JP S63133534A JP 27958986 A JP27958986 A JP 27958986A JP 27958986 A JP27958986 A JP 27958986A JP S63133534 A JPS63133534 A JP S63133534A
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cleaning
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wafer
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雪田 博美
Hiroshi Sasaki
寛 佐々木
Kiyoyuki Miyata
宮田 清之
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを洗浄する方法に関し、特に水し
みや異物付着を低減した半導体ウェハの洗浄方法に関す
る。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造工程では、前工程が終了した時点で半
導体ウェハの表面を洗浄し、前工程で残存している異物
や薬液を除去している。この洗浄方法としては、従来第
2図に示す方法が利用されている。
即ち、第2図の方法は、半導体ウェハを例えば弗酸等で
洗浄する薬液洗浄工程11と、この薬液を除去するため
の超純水リンス洗浄工程12と、乾燥工程13とで構成
されている。
なお、この種の洗浄方法に関するものとしては、例えば
、特開昭59−39030号公報や特開昭59−211
233号公報が挙げられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記した従来の半導体ウェハの洗浄方法では、本発明者
等の検討によると、洗浄薬液が弗酸の場合には水じみの
発生や異物の付着が顕著であることが明らかとなった。
この点について、考察すると、異物付着及び水しみは次
の理由によって生じるものと推測できる。
即ち、薬液が弗酸の場合には、シリコンからなるウェハ
の表面のシリコン酸化膜が完全にエツチング除去されて
シリコン結晶表面が露呈されるため、ウェハ表面が疎水
性になる。このため、弗酸処理後の超純水洗浄工程にお
いて、純水中に僅かに存在する異物が水分子よりもウェ
ハ表面に直接接触し易くなり、これがそのまま残されて
乾燥後に異物として残存することになる。また、超純水
工程の進行に伴ってウェハ表面にシリコン酸化膜が成長
されて、この部分が親水性に変化して行くが、この親水
性の変化がウェハ全面に亘って均一でないと純水との接
触が部分的に相違し、これが水じみを発生する原因とな
る。
本発明の目的は、以上の問題を解消し、異物の付着及び
水しみの発生を効果的に防止することのできる洗浄方法
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体ウェハの洗浄方法は、薬液洗浄工程の後
に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リン
ス洗浄工程及び乾燥工程を行うことにより前記目的が達
成される。
〔作用〕
この洗浄方法によれば、温純水リンス工程により半導体
ウェハの表面が直に親水性に変化され、純水中の水分子
との接触性が高められて異物の直接接触を防止でき、か
つ水分子との部分的な接触が防止され、これにより異物
の付着及び水じみの発生を効果的に防止することが可能
となる。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に示す実施例により詳細に説明する
第1図は本発明の洗浄方法を説明するための工程図であ
り、ここではシリコンウェハを洗浄する場合について説
明する。図示のように、この方法では、薬液洗浄工程1
の後に、温純水リンス工程4を設け、しかる後に超純水
リンス工程2及び乾燥工程3を設けている。
前記薬液洗浄工程1には、弗酸及び他の薬液等これまで
使用されているものをそのまま利用できる。
また、温純水リンス工程4では、60℃程度に加熱した
純水を用いてリンス方式でウェハ表面を洗浄し、弗酸等
の薬液を除去する。この場合、少なくとも1分以上の洗
浄を行うことが必要とされる。
超純水リンス工程2及び乾燥工程3は、これまでと全く
同様に行うことができる。
このように、薬液洗浄工程1の直後に温純水リンス工程
4を設けると、弗酸によりシリコンウェハはシリコン結
晶の表面が露呈され、表面が疎水性とされるが、続く温
純水リンス洗浄工程4が常温よりも高いことから、これ
を1分以上行うことによりウェハ表面に直ちに10〜2
0人程度の厚さのシリコン酸化膜が成長される。
このシリコン酸化膜は、公知のように親水性であるため
、後工程の超純水リンス洗浄工程2において、水分子が
ウェハ表面に接触し、純水中に存在する異物とウェハ表
面との間に水分子層を形成する。このため、異物が直接
ウェハ表面に付着することはなく、続く乾燥工程3前に
確実に除去され、ウェハ表面への異物の付着が防止でき
る。
また、ウェハ表面が親水性とされることにより、水分子
がウェハ全面に均一に接触し、水じみの発生も防止でき
る。
因に、本発明者の実験によれば、従来存在していた異物
の90%以上を除去できた。
ここで、前記実施例はシリコンウェハを弗酸で薬液洗浄
した例を示したが、これに限られることはなく、種々の
半導体ウェハを他の薬液で洗浄する場合にも同様に適用
できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、薬液洗浄工程の後
に、温純水リンス洗浄工程を行い、この後に超純水リン
ス洗浄工程及び乾燥工程を行っているので、温純水リン
ス工程により半導体ウェハの表面が直に親水性に変化さ
れ、純水中の水分子との接触性が高められて異物の直接
接触を防止でき、かつ水分子との部分的な接触が防止さ
れ、これにより異物の付着及び水じみの発生を効果的に
防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の工程図、 第2図は従来の工程図である。 1・・・薬液洗浄工程、2・・・超純水リンス洗浄工程
、3・・・乾燥工程、4・・・温純水リンス工程、11
・・・薬液洗浄工程、12・・・超純水リンス工程、1
3・・・乾燥工程。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体ウェハを、薬液洗浄工程、超純水リンス洗浄
    工程及び乾燥工程で洗浄するに際し、前記薬液洗浄工程
    の後に、温純水リンス洗浄工程を設けたことを特徴とす
    る半導体ウェハの洗浄方法。 2、温純水リンス洗浄工程は、60℃程度で少なくとも
    1分以上行ってなる特許請求の範囲第1項記載の半導体
    ウェハの洗浄方法。 3、シリコンウェハを弗酸で薬液洗浄してなる特許請求
    の範囲第2項記載の半導体ウェハの洗浄方法。
JP61279589A 1986-11-26 1986-11-26 半導体ウエハの洗浄方法 Expired - Lifetime JP2610844B2 (ja)

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