JPH04103124A - 半導体基板の汚染除去方法 - Google Patents
半導体基板の汚染除去方法Info
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- JPH04103124A JPH04103124A JP22155190A JP22155190A JPH04103124A JP H04103124 A JPH04103124 A JP H04103124A JP 22155190 A JP22155190 A JP 22155190A JP 22155190 A JP22155190 A JP 22155190A JP H04103124 A JPH04103124 A JP H04103124A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板であるウェーハ面の汚染物を除去
する半導体基板の汚染除去方法に関する。
する半導体基板の汚染除去方法に関する。
一般に、半導体装置の製造工程には５半導体基板く以下
ウェーハと呼ぶ）にドライエラ・ヂングイオン注入ある
いはフォトリソグラフィー技′術□等の各種の処理があ
るが、これらの処理は半導体基板に対してクリーンな工
程であるとは言えない。
ウェーハと呼ぶ）にドライエラ・ヂングイオン注入ある
いはフォトリソグラフィー技′術□等の各種の処理があ
るが、これらの処理は半導体基板に対してクリーンな工
程であるとは言えない。
例えば、イオン注入ドライエツチング装置等の大部分の
半導体装置の製造装置には、金属材料が年われており、
その金属のウェーハへの付着は避けきれない。また、こ
れら工程後におけるレジスト、薬品等の材料中の重金属
系の不純物を完全に無くすることは、困難である。すな
わち、この材料を使用することによるウェーハの重金属
汚染はさけきれない。そこで、従来、これらＱ’ｉＦエ
オーハの重金属を除去する半導体基板の汚染除去方法と
して、例えば、ウェーハを１８℃から２５℃。
半導体装置の製造装置には、金属材料が年われており、
その金属のウェーハへの付着は避けきれない。また、こ
れら工程後におけるレジスト、薬品等の材料中の重金属
系の不純物を完全に無くすることは、困難である。すな
わち、この材料を使用することによるウェーハの重金属
汚染はさけきれない。そこで、従来、これらＱ’ｉＦエ
オーハの重金属を除去する半導体基板の汚染除去方法と
して、例えば、ウェーハを１８℃から２５℃。
０．１％から１０％の弗酸水溶液で処理することが知ら
れている。
れている。
一方、半導体装置の製造工程中、シリコンウェーハはシ
リコン酸化物で覆われていることが多く、この方法によ
れば、シリコン酸化物が弗酸との反応により除去される
ため、ウェーハ表面及びシリコン酸化物中に存在する重
金属汚染物の除去が、シリコン酸化物の除去と同時に行
なえていた。
リコン酸化物で覆われていることが多く、この方法によ
れば、シリコン酸化物が弗酸との反応により除去される
ため、ウェーハ表面及びシリコン酸化物中に存在する重
金属汚染物の除去が、シリコン酸化物の除去と同時に行
なえていた。
しかしながら、上述した従来の弗酸水溶液でのウェーハ
の処理による半導体基板の汚染除去方法は、ある種の金
属には有効でなく、逆にウェーハの汚染を引き起こすと
いう欠点を有する。
の処理による半導体基板の汚染除去方法は、ある種の金
属には有効でなく、逆にウェーハの汚染を引き起こすと
いう欠点を有する。
すなわち、シリコンウェーハ面上に、数十へ以下のシリ
コン酸化膜しかついていない場合、ウェーハを弗酸水溶
液中で、処理を行うと、シリコン酸化膜は完全に除去さ
れ、シリコンが露出するが、このシリコン酸化膜上及び
シリコン酸化膜中に含まれている金属汚染物が、例えば
Ｃｕ、Ａｕなどのようにシリコンによりイオン化傾向の
小さい金属は除去されず、ウェーハ面に吸着されてしま
うことがある。また、何らかの原因で、弗酸水溶液が、
シリコンよりイオン化傾向の小さい金属で汚染された場
合、その弗酸水溶液でウェーハを処理すると、その金属
により半導体基板が汚染されてしまう。
コン酸化膜しかついていない場合、ウェーハを弗酸水溶
液中で、処理を行うと、シリコン酸化膜は完全に除去さ
れ、シリコンが露出するが、このシリコン酸化膜上及び
シリコン酸化膜中に含まれている金属汚染物が、例えば
Ｃｕ、Ａｕなどのようにシリコンによりイオン化傾向の
小さい金属は除去されず、ウェーハ面に吸着されてしま
うことがある。また、何らかの原因で、弗酸水溶液が、
シリコンよりイオン化傾向の小さい金属で汚染された場
合、その弗酸水溶液でウェーハを処理すると、その金属
により半導体基板が汚染されてしまう。
以上説明したように、ウェーハの金属汚染物を弗酸水溶
液で除去する方法は、シリコンよりイオン化傾向の小さ
い金属汚染に対しては、適していなという欠点を有する
。
液で除去する方法は、シリコンよりイオン化傾向の小さ
い金属汚染に対しては、適していなという欠点を有する
。
本発明の目的、かかる欠点を解消する半導体基板の汚染
除去方法を提供することである。
除去方法を提供することである。
本発明の半導体基板の汚染除去方法は、半導体基板を、
オゾンを溶解させた弗酸水溶液で処理し、汚染物の除去
を行うことを特徴としている。
オゾンを溶解させた弗酸水溶液で処理し、汚染物の除去
を行うことを特徴としている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体基板の汚染除去方法を一実施例
を説明するための処理槽の概略を示す断面面である。こ
の半導体基板の汚染除去方法は、まず、弗酸水溶液にオ
ゾンを溶解することである。すなわち、第１図に示すよ
うに、テフロン製の処理槽１内に１％の弗酸水溶液３を
供給する。
を説明するための処理槽の概略を示す断面面である。こ
の半導体基板の汚染除去方法は、まず、弗酸水溶液にオ
ゾンを溶解することである。すなわち、第１図に示すよ
うに、テフロン製の処理槽１内に１％の弗酸水溶液３を
供給する。
次いでバブラー２を通してオゾンを弗酸水溶液中で５分
から１０分間バブリングさせ、’１０ｐｐｍから１１０
０ＰＰのオゾンを溶解する。
から１０分間バブリングさせ、’１０ｐｐｍから１１０
０ＰＰのオゾンを溶解する。
次に、本方法によって生成されたオゾンの溶解しな弗酸
水溶液で、表層に数十へのシリコン酸化物のついたシリ
コンウェーハを１分から２分間浸漬処理すると、以下の
ような反応が行なわれる。
水溶液で、表層に数十へのシリコン酸化物のついたシリ
コンウェーハを１分から２分間浸漬処理すると、以下の
ような反応が行なわれる。
まず、弗酸により表層のシリコン酸化物を溶解し、シリ
コンの露出が行なわれる。
コンの露出が行なわれる。
次に、シリコン半導体基板上のシリコンの露出後は、オ
ゾンによるシリコンの酸化物の形成とオゾンによって形
成されたシリコン酸化物の弗酸での溶解除去が繰り返し
行なわれる。すなわち、従来の汚染除去方法では、弗酸
処理によって半導体基板表面にシリコンが露出した表面
にＣｕ、Ａｕなどが吸着されるのに対し、本発明の方法
によれば、半導体基板表面にシリコンが露出した後にオ
ゾンにより、シリコンの酸化とオゾンによって形成され
たシリコン酸化物の弗酸による溶解が繰り返し行なわれ
ることによって、Ｃｕ、Ａｕなとのシリコン半導体基板
上への残留はほとんどない。
ゾンによるシリコンの酸化物の形成とオゾンによって形
成されたシリコン酸化物の弗酸での溶解除去が繰り返し
行なわれる。すなわち、従来の汚染除去方法では、弗酸
処理によって半導体基板表面にシリコンが露出した表面
にＣｕ、Ａｕなどが吸着されるのに対し、本発明の方法
によれば、半導体基板表面にシリコンが露出した後にオ
ゾンにより、シリコンの酸化とオゾンによって形成され
たシリコン酸化物の弗酸による溶解が繰り返し行なわれ
ることによって、Ｃｕ、Ａｕなとのシリコン半導体基板
上への残留はほとんどない。
第２図は従来の汚染除去方法と本発明の汚染除去方法と
で半導体基板の汚染除去したときの結果を示すグラフで
ある。次に試みに、ウェーハ面上に故意にＣｕを付着さ
せ、従来の方法と本発明の方法により、処理を行ってみ
た。
で半導体基板の汚染除去したときの結果を示すグラフで
ある。次に試みに、ウェーハ面上に故意にＣｕを付着さ
せ、従来の方法と本発明の方法により、処理を行ってみ
た。
ここで、従来の方法は、１％弗酸水溶液中で１分間の処
理を行ったものであり、本発明の方法は１１００ＰＰの
オゾンを含有した１％の弗酸水溶液中で１分間の処理を
行ったものである。その結果、第２図に示すように、オ
ゾンを溶解させな弗酸水溶液中で処理を行った半導体基
板上に残留しなＣｕの濃度は、従来のものに比較し非常
に小さく、除去効果が非常に高いことが認められた。
理を行ったものであり、本発明の方法は１１００ＰＰの
オゾンを含有した１％の弗酸水溶液中で１分間の処理を
行ったものである。その結果、第２図に示すように、オ
ゾンを溶解させな弗酸水溶液中で処理を行った半導体基
板上に残留しなＣｕの濃度は、従来のものに比較し非常
に小さく、除去効果が非常に高いことが認められた。
以上説明したように本発明は、ウェーハをオゾンを溶解
させた弗酸水溶液中で処理することにより、オゾンによ
るシリコン表面の酸化物の形成と弗酸による酸化物の除
去という繰返し作用が働き、シリコンよりイオン化傾向
の小さな金属に対しても高い汚染除去率を図ることが出
来るので、半導体基板に付着した重金属物汚染を完全に
除去ａ来る半導体基板の汚染除去方法が得られるという
効果がある。
させた弗酸水溶液中で処理することにより、オゾンによ
るシリコン表面の酸化物の形成と弗酸による酸化物の除
去という繰返し作用が働き、シリコンよりイオン化傾向
の小さな金属に対しても高い汚染除去率を図ることが出
来るので、半導体基板に付着した重金属物汚染を完全に
除去ａ来る半導体基板の汚染除去方法が得られるという
効果がある。
第１図は、本発明の半導体基板の汚染除去方法の一実施
例を説明するための処理槽の概略を示す断面図、第２図
は、従来の汚染除去方法と本発明の汚染除去方法とで半
導体基板の汚染を除去したときの結果を示すグラフであ
る。 １・・・処理槽、２・・・バブラー ３・・・弗酸水溶
液。
例を説明するための処理槽の概略を示す断面図、第２図
は、従来の汚染除去方法と本発明の汚染除去方法とで半
導体基板の汚染を除去したときの結果を示すグラフであ
る。 １・・・処理槽、２・・・バブラー ３・・・弗酸水溶
液。
Claims (1)
- オゾンを溶解させた弗酸水溶液で、半導体基板を浸漬
処理することを特徴とする半導体基板の汚染除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155190A JPH04103124A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体基板の汚染除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155190A JPH04103124A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体基板の汚染除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103124A true JPH04103124A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16768495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22155190A Pending JPH04103124A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体基板の汚染除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103124A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0731498A2 (en) * | 1995-03-10 | 1996-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface processing method and surface processing device for silicone substrates |
| JPH08264498A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Pure Retsukusu:Kk | シリコンウエーハの清浄化方法 |
| WO2000053824A1 (fr) * | 1999-03-08 | 2000-09-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede d'elimination du cuivre de composants microelectroniques |
| US6523552B2 (en) * | 1995-11-07 | 2003-02-25 | Steag Microtech Gmbh | Facility for treating objects in a process tank |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP22155190A patent/JPH04103124A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0731498A2 (en) * | 1995-03-10 | 1996-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface processing method and surface processing device for silicone substrates |
| EP0731498A3 (en) * | 1995-03-10 | 1996-11-13 | Toshiba Kk | Surface treatment process for silicon substrates and device therefor |
| US5868855A (en) * | 1995-03-10 | 1999-02-09 | Kabushki Kaisha Toshiba | Surface processing method and surface processing device for silicon substrates |
| CN1076121C (zh) * | 1995-03-10 | 2001-12-12 | 株式会社东芝 | 半导体基板的表面处理液、用该液的表面处理方法和装置 |
| JPH08264498A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Pure Retsukusu:Kk | シリコンウエーハの清浄化方法 |
| US6523552B2 (en) * | 1995-11-07 | 2003-02-25 | Steag Microtech Gmbh | Facility for treating objects in a process tank |
| WO2000053824A1 (fr) * | 1999-03-08 | 2000-09-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede d'elimination du cuivre de composants microelectroniques |
| FR2790768A1 (fr) * | 1999-03-08 | 2000-09-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'attaque chimique du cuivre pour composants microelectroniques |
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