JP3771294B2 - ウェーハの洗浄方法 - Google Patents

ウェーハの洗浄方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3771294B2
JP3771294B2 JP05028695A JP5028695A JP3771294B2 JP 3771294 B2 JP3771294 B2 JP 3771294B2 JP 05028695 A JP05028695 A JP 05028695A JP 5028695 A JP5028695 A JP 5028695A JP 3771294 B2 JP3771294 B2 JP 3771294B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wax
mirror
cleaning method
base solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP05028695A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08213356A (ja
Inventor
恭光 原田
正 小川
守 荻迫
Original Assignee
コマツ電子金属株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コマツ電子金属株式会社 filed Critical コマツ電子金属株式会社
Priority to JP05028695A priority Critical patent/JP3771294B2/ja
Publication of JPH08213356A publication Critical patent/JPH08213356A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3771294B2 publication Critical patent/JP3771294B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、ウェーハの洗浄方法、特に鏡面仕上げ工程でウェーハの裏面に付着するワックスを除去するウェーハの洗浄方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般にシリコンウェーハを研磨仕上げするには、ウェーハをターンテーブルに載置して行う。この時、図1(a)に示すように、ウェーハ1の裏面にワックス2が付着する。このワックス2の除去には、小さな有機物パーティクルと違って塩基溶液によるケン化反応を用いる方法が効果的である。これまでこの塩基溶液としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化物が使用されていた。しかしながら、アルカリ金属水酸化物のような強い塩基では、ワックスは除去されるが、鏡面研磨されたシリコン層が過剰に食刻される欠点があった。
【0003】
従来、自然酸化膜層をフッ化水素で除去した後、ウェーハの疎水化した露出シリコン表面に有機物パーティクルが静電気的に付着するのを防止するため、過酸化水素水で強制的に酸化して親水化する技術は知られている(特開平4−165620号公報)。また有機物パーティクルの除去工程で、有機物パーティクルを酸化して除去しやすくするために、過酸化水素水とアンモニア水を併用することは広く知られているが、この処理の前あるいは前後に、過酸化水素水を用いて酸化処理し、高い処理温度で処理時間の短縮化をはかる方法も知られている(特開平4−719号)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、過酸化水素水は前者ではシリコン表面の酸化による親水化で、有機物パーティクルの静電気的付着を防止するものであり、後者では有機物パーティクルを酸化して除去を容易にするもので、いずれもウェーハに付着したワックスを強い塩基溶液で除去する工程固有の課題、即ち鏡面研磨されたシリコン層の過剰な食刻による荒れ抑制を解決するものではない。
【0005】
本発明は、鏡面仕上げ工程で付着したワックスを塩基溶液で除去する際、過剰な食刻による表面荒れを抑制するウェーハの洗浄方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
第1発明に係るウェーハの洗浄方法は、鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸化剤で処理してウェーハの鏡面仕上げ後の表面に酸化膜を形成し、次いで、無機強塩基溶液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理することを特徴とする。
【0007】
また第2発明に係るウェーハの洗浄方法は、鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸化剤を含む無機強塩基溶液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理してウェーハの鏡面仕上げ後の表面に酸化膜を形成することを特徴とする。
【0008】
本発明の洗浄方法における処理対象物は、図1(a)に示すように、研磨仕上げ時裏面にワックス2が付着したシリコンウェーハ1である。このウェーハ1のワックス2を無機強塩基溶液または有機塩基溶液で除去するに当たり、事前あるいは同時に酸化剤で処理して、図1(b)に示すように、ウェーハ1の上面に強制的に酸化膜3を形成する。この状態で、前記塩基溶液が作用し、図1(c)の点線で示すように、ワックス2を除去する。このとき、酸化膜3はわずかに食刻されるだけですむ。処理後のウェーハ1は、図1(d)に示すように、上面に酸化膜3のみが残った状態である。
【0010】
本発明において、酸化剤としては、過酸化水素水またはオゾンの使用が好適である。また、塩基溶液としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物からなる無機強塩基がもっとも望ましいが、有機塩基でもよい。有機塩基としては、特にアミノアルコールなどの使用が効果的である。
【0011】
第1の発明において、酸化剤、例えば過酸化水素水の濃度は約0.1〜20%である。塩基溶液の濃度は、使用塩基または処理対象ワックスの種類によって異なるので特定できないが、例えば水酸化カリウム溶液の場合では、約0.1〜20%が好適である。第2の発明において、塩基溶液に対する酸化剤、例えば過酸化水素の添加の比率は、処理済みのウェーハの表面平均粗度(以下マイクロラフネスと呼ぶ)との関係で言えば、図2に示すように、約0.1以上から有効である。上限は除去目的物であるワックスの種類に応じて定めればよい。両発明を通じて、洗浄温度は、図3に示すように、約20〜80℃、望ましくは洗浄効率とマイクロラフネスの両面から約60〜80℃である。また洗浄槽及びすすぎ槽には、超音波発生装置を付設すると、洗浄が一層効率的になる。
【0012】
【作用】
本発明では、鏡面仕上げ時に付着したワックスをウェーハから除去する際に、例えば水酸化カリウムのような無機の強塩基溶液で処理する前又は同時に、過酸化水素水のような酸化剤で処理して、ウェーハのシリコン表面に酸化膜を形成しておくと、シリコン(Si)と酸化膜(SiO2)のエッチングレートの違いから、シリコン表面の食刻が抑制されるものと思われる。
【0013】
以下の実施例及び比較例のマイクロラフネス値は、AFM(原子間力顕微鏡)により測定した。AFMは、ウェーハ表面の粗さを高さに対して測定し、その大きさを表面平均粗度Ra(nm)とした。
【0014】
【実施例1】
鏡面仕上げ処理後の裏面にエステル系ワックスが付着したウェーハを用いた。ワックスの付着厚は約2〜5μmであった。このウェーハを過酸化水素を5%含有する純水溶液で処理した。処理温度は60℃、処理時間は5分であった。酸化処理後のウェーハ表面の酸化膜の厚さは10〜20Åであった。次いで酸化処理後のウェーハを水酸化カリウムの5%溶液で処理した。処理後のウェーハには、ワックスの残存は皆無で、表面のマイクロラフネスはRa=0.150nmであった。
【0015】
【実施例2】
実施例1と同じ鏡面仕上げ処理後のウェーハを用いた。このウェーハを過酸化水素含有水酸化カリウム溶液で処理した。この溶液の組成比は、純水90%、過酸化水素5%、水酸化カリウム5%であった。処理温度及び時間は実施例1と同様にした。酸化膜の厚さは測定できなかったが、処理後のウェーハには、ワックスの残存は皆無で、表面のマイクロラフネスはRa=0.110nmであった。
【0016】
【実施例3】
実施例1と同じ鏡面仕上げ処理後のウェーハを用いた。このウェーハを過酸化水素含有アミノアルコール溶液で処理した。混合比は、純水90%、過酸化水素5%、アミノアルコール5%であった。処理温度及び時間は実施例1と同様にした。酸化膜の厚さは測定できなかったが、処理後のウェーハには、ワックスの残存は皆無で、表面のマイクロラフネスはRa=0.100nmであった。
【0017】
【比較例1】
実施例1と同じ鏡面仕上げ処理後のウェーハを水酸化カリウム5%溶液のみで処理した。処理温度及び時間は実施例1と同様にした。処理後のウェーハには、ワックスの残存は皆無であったが、表面のマイクロラフネスはRa=0.227nmであった。
【0018】
【発明の効果】
本発明のシリコンウェーハの洗浄方法によれば以下のごとき利点が得られる。(イ)酸化剤の使用により、ウェーハ表面の食刻による荒れが約半分以下に抑制できる。その結果、良品率が向上する。
(ロ)強い塩基溶液の使用が可能となり、処理時間が短縮化される。
(ハ)ウェーハ表面に付着している有機物パーティクルも、酸化されて除去される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のシリコンウェーハ洗浄方法におけるウェーハの変化を模式的に示す側面図である。
【図2】第2発明における水酸化カリウムに対する過酸化水素の添加量と、処理済みウェーハの表面粗度との関係を示すグラフである。
【図3】第2発明における洗浄温度とウェーハの表面粗度の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 シリコンウェーハ
2 ワックス
3 酸化膜

Claims (6)

  1. 鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸化剤で処理してウェーハの鏡面仕上げ後の表面に酸化膜を形成し、次いで、無機強塩基溶液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理することを特徴とするウェーハの洗浄方法。
  2. 鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸化剤を含む無機強塩基溶液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理してウェーハの鏡面仕上げ後の表面に酸化膜を形成することを特徴とするウェーハの洗浄方法。
  3. 酸化剤が、過酸化水素水及びオゾンからなる群から選ばれた少なくともひとつであることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウェーハの洗浄方法。
  4. 無機強塩基が、アルカリ金属水酸化物であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウェーハの洗浄方法。
  5. アルカリ金属水酸化物が、水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムであることを特徴とする請求項4記載のウェーハの洗浄方法。
  6. 有機塩基が、アミノアルコールであることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウェーハの洗浄方法。
JP05028695A 1995-01-31 1995-01-31 ウェーハの洗浄方法 Expired - Lifetime JP3771294B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05028695A JP3771294B2 (ja) 1995-01-31 1995-01-31 ウェーハの洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05028695A JP3771294B2 (ja) 1995-01-31 1995-01-31 ウェーハの洗浄方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004174531A Division JP2004289178A (ja) 2004-06-11 2004-06-11 ウェーハの洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08213356A JPH08213356A (ja) 1996-08-20
JP3771294B2 true JP3771294B2 (ja) 2006-04-26

Family

ID=12854684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05028695A Expired - Lifetime JP3771294B2 (ja) 1995-01-31 1995-01-31 ウェーハの洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3771294B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123383A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハの洗浄方法
JP2010135525A (ja) 2008-12-04 2010-06-17 Siltronic Ag 半導体ウエハの洗浄方法
JP6124276B2 (ja) * 2012-08-06 2017-05-10 サスティナブル・テクノロジー株式会社 基体表面の親水性維持方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08213356A (ja) 1996-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2787788B2 (ja) 残留物除去方法
US5837662A (en) Post-lapping cleaning process for silicon wafers
US6096650A (en) Treatment of a surface having exposed silica
JP2004519088A5 (ja) 枚葉プロセスにおける基板の洗浄方法及び洗浄液
JP2010109384A (ja) スクラバ中の金属を除去する方法
JPH08195369A (ja) 基板の洗浄方法
EP0718873A3 (en) Cleaning process for hydrophobic silicon wafers
JPH10154690A (ja) メガソニック場の存在下において稀薄化学エッチング剤を用いるSiO2エッチング速度の制御
TWI501308B (zh) 半導體晶圓的洗淨方法及半導體晶圓
JPH0869990A (ja) 半導体シリコンウェーハの洗浄方法
US5964953A (en) Post-etching alkaline treatment process
JP2001316691A (ja) 洗浄剤組成物、洗浄方法及びその用途
JP3771294B2 (ja) ウェーハの洗浄方法
JPS63133534A (ja) 半導体ウエハの洗浄方法
JP2004289178A (ja) ウェーハの洗浄方法
WO1998001897A1 (fr) Procede de nettoyage de dispositif a semi-conducteurs
JPH11260774A (ja) 張り合わせ基板の製造方法
US6394106B1 (en) Cleaning solutions and methods for semiconductor wafers
JP3669419B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2715086B2 (ja) 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法
JP3449492B2 (ja) ウェーハエッチングの前処理方法
JP3158407B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2000277473A (ja) シリコンウエーハの洗浄方法
TW408384B (en) Method for etching silicon wafer
JP4026384B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040611

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040616

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20040813

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110217

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120217

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120217

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130217

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140217

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term