JP2004519088A5 - 枚葉プロセスにおける基板の洗浄方法及び洗浄液 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツール内の前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、及び
キレート化剤を含む溶液に前記基板を露出するステップと
を含む、基板の処理方法。
【請求項2】
前記基板は、30秒未満の間、前記洗浄液に露出される請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記キレート化剤は、カルボン酸である請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記洗浄液と異なる溶液で前記基板の背面を洗浄している間、前記洗浄液で前記基板の前面を洗浄するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項5】
前記基板を洗浄する間、前記基板に音響波を適用するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項6】
前記音響波は、超音波である請求項5に記載の方法。
【請求項7】
キャビテーションガスを前記洗浄液に溶解するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項8】
前記キャビテーションガスは、H2、N2、O2、O3、Ar及びHeからなる群から選択される請求項7に記載の方法。
【請求項9】
前記基板を洗浄した後、400℃を超える温度で行う熱処理ステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項10】
前記熱処理ステップは、アニールステップである請求項9に記載の方法。
【請求項11】
前記熱処理ステップは、化学気相堆積ステップである請求項9に記載の方法。
【請求項12】
前記熱処理ステップは、酸化ステップである請求項9に記載の方法。
【請求項13】
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置する前に、前記基板からフォトレジストを除去するためのO2アッシングステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項14】
前記キレート化剤は、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)である請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記溶液は、界面活性剤をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項16】
前記界面活性剤は、前記溶液の1〜100ppmである請求項15に記載の方法。
【請求項17】
前記界面活性剤は、非イオン性である請求項15に記載の方法。
【請求項18】
前記界面活性剤は、陰イオン性である請求項15に記載の方法。
【請求項19】
前記界面活性剤は、非イオン性と陰イオン性化合物からなる混合物である請求項15に記載の方法。
【請求項20】
前記非イオン性活性剤は、ポリオキシエチレンブチルフェニルエーテルである請求項17に記載の方法。
【請求項21】
前記陰イオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルフェニル硫酸塩である請求項18に記載の方法。
【請求項22】
前記非イオン性界面活性剤は、前記溶液の30ppmである請求項17に記載の方法。
【請求項23】
前記陰イオン性界面活性剤は、前記溶液の30ppmである請求項18に記載の方法。
【請求項24】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項1に記載の方法。
【請求項25】
洗浄液であって、
NH4OHと、
H2O2と、
H2Oと、
キレート化剤と、
界面活性剤と
を含む混合物から形成される洗浄液。
【請求項26】
前記NH4OH、H2O2及びH2Oの混合比は、5/1/1〜1000/1/1である請求項25に記載の洗浄液。
【請求項27】
前記NH4OHは、水に対してNH3が28〜29%w/wである溶液から作られる請求項25に記載の洗浄液。
【請求項28】
前記H2O2は、水に対してH2O2が31〜32%w/wである溶液から作られる請求項25に記載の洗浄液。
【請求項29】
前記キレート化剤の平衡定数(K)は、アルミニウムに対して1015より大きいものである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項30】
前記キレート化剤の平衡定数(K)は、アルミニウムに対して1020より大きいものである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項31】
前記キレート化剤は、N,N’−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エチレンジイミノ二酢酸(HPED)、トリエチレンテトラニトリロ六酢酸(TTHA)、デスフェリフェリオキサミンB、N,N’,N”−トリス[2−(N−ヒドロキシカルボニル)エチル]−1,3,5−ベンゼントリカルボキサミド(BAMTH)、モリブデン酸からなる群から選択される請求項25に記載の洗浄液。
【請求項32】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、0.001mg/l〜300mg/lである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項33】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、0.01mg/l〜3mg/lである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項34】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、1〜400ppmである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項35】
前記界面活性剤は、非イオン性である請求項25に記載の洗浄液。
【請求項36】
前記界面活性剤は、陰イオン性である請求項25に記載の洗浄液。
【請求項37】
前記界面活性剤は、三菱化学株式会社製のMCX−SD2000である請求項36に記載の洗浄液。
【請求項38】
前記MCX−SD2000は、前記溶液の0.05%である請求項37に記載の洗浄液。
【請求項39】
基板の洗浄方法であって、
フッ化水素溶液で前記基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、第1のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第1のリンスで前記基板をリンスした後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記洗浄液で前記基板を洗浄した後、第2のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第2のリンスで前記基板の前記リンス後、前記基板を乾燥するステップと、
前記処理を3分以内に行うステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項40】
前記処理は、2分以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項41】
前記エッチングは、30秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項42】
前記第1のリンスは、20秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項43】
前記洗浄は、30秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項44】
前記第2のリンスは、20秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項45】
前記乾燥は、20秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項46】
前記基板の前記エッチング中、前記基板の前面にエッチング溶液が適用され、前記基板の背面に前記エッチング溶液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項47】
前記基板の前記第1のリンス中、前記基板の前面にリンス溶液が適用され、前記基板の背面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項48】
前記基板の前記洗浄中、前記基板の前面に前記洗浄液が適用され、前記基板の背面に前記洗浄液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項49】
前記基板の前記第2のリンス中、前記基板の前面にリンス溶液が適用され、前記基板の背面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項50】
前記基板は、シリコン基板である、請求項39に記載の方法。
【請求項51】
基板の洗浄方法であって、
キレート化剤と界面活性剤とを含む第1の溶液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、水と酸化剤とを含む前記溶液で前記基板をリンスするステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項52】
前記酸化剤は、O3、O2及びH2O2からなる群から選択される請求項51に記載の方法。
【請求項53】
前記酸化剤は、Cu2+を酸化するのに十分な濃度で前記第2の溶液に存在する請求項51に記載の方法。
【請求項54】
前記酸化剤の前記濃度は、1ppmより高い請求項51に記載の方法。
【請求項55】
前記酸化剤の前記濃度は、100ppmより高い請求項51に記載の方法。
【請求項56】
前記第2の溶液の標準酸化電位は、0.5Vより大きい請求項51に記載の方法。
【請求項57】
前記水は、前記水に前記酸化剤が添加される前に脱気される請求項51に記載の方法。
【請求項58】
前記水は、脱イオン化される請求項51に記載の方法。
【請求項59】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項51に記載の方法。
【請求項60】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、2〜3秒間、前記基板上にHF溶液を供給して、HF被覆基板を生じさせるステップと、
前記基板上に前記HF溶液を供給した後、前記HF被覆基板上に洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項61】
前記処理中に前記基板をスピンすることをさらに含む請求項60に記載の方法。
【請求項62】
前記基板の第1の面上に前記HF溶液が供給される間、前記基板の第2の面上に、前記HF溶液と異なる溶液が供給される請求項60に記載の方法。
【請求項63】
前記基板上に前記洗浄液が供給されるとき、前記基板に超音波が適用される請求項60に記載の方法。
【請求項64】
前記基板は、酸化物層を備えた表面を有する請求項60に記載の方法。
【請求項65】
前記酸化物層を備えた前記表面上に、前記フッ化水素酸溶液が供給される請求項64に記載の方法。
【請求項66】
前記フッ化水素酸溶液は、1Å〜8Åの厚みまで前記酸化物層をエッチングする請求項65に記載の方法。
【請求項67】
前記洗浄液は、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤
を含む請求項60に記載の方法。
【請求項68】
前記洗浄液は、30秒未満の間、前記基板上に存在する請求項60に記載の方法。
【請求項69】
前記洗浄液は、前記HF溶液を中和するのに十分な時間、前記HF被覆基板上に供給される請求項60に記載の方法。
【請求項70】
前記HF溶液は、水と、フッ化水素酸とを含む請求項60に記載の方法。
【請求項71】
前記HF溶液は、水と、緩衝フッ化水素酸とを含む請求項60に記載の方法。
【請求項72】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項39に記載の方法。
【請求項73】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに、第1の面と第2の面とを有する基板を配置するステップと、
前記洗浄ツールに前記基板を配置した後、2〜3秒間、前記基板の前記第1の面上にHF溶液を供給して、前記基板のHF被覆された第1の面を生じさせるステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給するのと同時に、前記基板の前記第2の面上に、前記HF溶液と異なる溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給した後、前記基板の前記HF被覆された第1の面上に、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項74】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに、親水性表面を有する第1の面と、第2の面とを有する基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板の前記第1の面上に前記疎水性表面を残すことができる程度に短い時間、前記基板の前記第1の面上にHF溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給するのと同時に、前記基板の前記第2の面上に前記HF溶液と異なる溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給した後、前記基板の前記第1の面上に洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項75】
前記洗浄液は、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む請求項74に記載の方法。
【請求項76】
前記HF溶液は、前記基板上に5×1010原子/cm2未満の濃度のアルミニウムを残すことができる時間、前記基板上に供給される請求項74に記載の方法。
【請求項77】
基板の処理方法であって、
HF溶液で基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、前記基板を乾燥するステップと、
を含み、前記処理を3分以内に行う基板の処理方法。
【請求項78】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板上に、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと、
前記基板上に前記洗浄液を供給した後、第1のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記基板をリンスした後、2〜3秒間、前記基板上にフッ化水素酸溶液を供給するステップと、
前記基板を洗浄した後、第2のリンスで前記基板をリンスするステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項79】
前記第1のリンスと前記第2のリンスは、同じ溶液である請求項78に記載の方法。
【請求項80】
基板の処理方法であって、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、第1のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第1のリンスで前記基板をリンスした後、HF溶液で前記基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、第2のリンスで前記基板をリンスするステップと、
を含み、前記処理を3分以内に行う基板の処理方法。
【請求項81】
前記第1のリンスと前記第2のリンスは、同じ溶液である請求項80に記載の方法。
【請求項82】
基板の処理方法であって、
第1の面と第2の面とを有する基板をO2アッシングし、前記O2アッシングを前記基板の前記第1の面に行うステップと、
前記基板の前記第1の面をO2アッシングした後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板の前記第1の面を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、リンス溶液で前記基板をリンスするステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項83】
前記基板は、前記処理中にスピンされる請求項82に記載の方法。
【請求項84】
前記処理中、前記基板に超音波が適用される請求項82に記載の方法。
【請求項85】
前記基板の前記第1の面を洗浄する前に、前記基板の前記第1の面をリンスするステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項86】
前記基板の前記第1の面を洗浄した後、前記基板の前記第1の面をリンスするステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項87】
前記リンス溶液は、オゾン処理された水である請求項82に記載の方法。
【請求項88】
前記基板をリンスした後、2000〜4000rpmの速度で前記基板をスピンすることにより、前記基板を洗浄した後に前記基板を乾燥するステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項89】
前記基板の前記第1の面を洗浄するのと同時に、前記洗浄液と異なる溶液で前記基板の前記第2の面を洗浄するステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項90】
基板の処理方法であって、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、前記基板をリンスするステップと、
前記基板をリンスした後、前記基板を乾燥するステップと、
前記洗浄、リンス及び乾燥を2分以内に行うステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項91】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板上にHF溶液を供給するステップと、
前記基板上に前記HF溶液を供給した後、前記基板上に、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項92】
洗浄液であって、
NH4OHと、
N,N’−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エチレンジイミノ二酢酸(HPED)と
を含む洗浄液。
【請求項93】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
NH4OH、及び
N,N’−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エチレンジイミノ二酢酸(HPED)を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項94】
洗浄液であって、
NH4OHと、
トリエチレンテトラニトリロ六酢酸(TTHA)と
を含む洗浄液。
【請求項95】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
NH4OH及びトリエチレンテトラニトリロ六酢酸(TTHA)を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項96】
洗浄液であって、
NH4OHと、
デスフェリフェリオキサミンBと
を含む洗浄液。
【請求項97】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
NH4OH及びデスフェリフェリオキサミンBを含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項98】
前記リンス中、前記基板に超音波が適用される請求項97に記載の方法。
【請求項99】
前記基板の第1の面に前記リンス溶液が適用され、前記基板の第2の面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項97に記載の方法。
【請求項100】
洗浄液であって、
NH4OHと、
N,N’,N”−トリス[2−(N−ヒドロキシカルボニル)エチル]−1,3,5−ベンゼントリカルボキサミド(BAMTH)と
を含む洗浄液。
【請求項101】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
NH4OH及びモリブデン酸を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項1】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツール内の前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、及び
キレート化剤を含む溶液に前記基板を露出するステップと
を含む、基板の処理方法。
【請求項2】
前記基板は、30秒未満の間、前記洗浄液に露出される請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記キレート化剤は、カルボン酸である請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記洗浄液と異なる溶液で前記基板の背面を洗浄している間、前記洗浄液で前記基板の前面を洗浄するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項5】
前記基板を洗浄する間、前記基板に音響波を適用するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項6】
前記音響波は、超音波である請求項5に記載の方法。
【請求項7】
キャビテーションガスを前記洗浄液に溶解するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項8】
前記キャビテーションガスは、H2、N2、O2、O3、Ar及びHeからなる群から選択される請求項7に記載の方法。
【請求項9】
前記基板を洗浄した後、400℃を超える温度で行う熱処理ステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項10】
前記熱処理ステップは、アニールステップである請求項9に記載の方法。
【請求項11】
前記熱処理ステップは、化学気相堆積ステップである請求項9に記載の方法。
【請求項12】
前記熱処理ステップは、酸化ステップである請求項9に記載の方法。
【請求項13】
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置する前に、前記基板からフォトレジストを除去するためのO2アッシングステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項14】
前記キレート化剤は、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)である請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記溶液は、界面活性剤をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項16】
前記界面活性剤は、前記溶液の1〜100ppmである請求項15に記載の方法。
【請求項17】
前記界面活性剤は、非イオン性である請求項15に記載の方法。
【請求項18】
前記界面活性剤は、陰イオン性である請求項15に記載の方法。
【請求項19】
前記界面活性剤は、非イオン性と陰イオン性化合物からなる混合物である請求項15に記載の方法。
【請求項20】
前記非イオン性活性剤は、ポリオキシエチレンブチルフェニルエーテルである請求項17に記載の方法。
【請求項21】
前記陰イオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルフェニル硫酸塩である請求項18に記載の方法。
【請求項22】
前記非イオン性界面活性剤は、前記溶液の30ppmである請求項17に記載の方法。
【請求項23】
前記陰イオン性界面活性剤は、前記溶液の30ppmである請求項18に記載の方法。
【請求項24】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項1に記載の方法。
【請求項25】
洗浄液であって、
NH4OHと、
H2O2と、
H2Oと、
キレート化剤と、
界面活性剤と
を含む混合物から形成される洗浄液。
【請求項26】
前記NH4OH、H2O2及びH2Oの混合比は、5/1/1〜1000/1/1である請求項25に記載の洗浄液。
【請求項27】
前記NH4OHは、水に対してNH3が28〜29%w/wである溶液から作られる請求項25に記載の洗浄液。
【請求項28】
前記H2O2は、水に対してH2O2が31〜32%w/wである溶液から作られる請求項25に記載の洗浄液。
【請求項29】
前記キレート化剤の平衡定数(K)は、アルミニウムに対して1015より大きいものである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項30】
前記キレート化剤の平衡定数(K)は、アルミニウムに対して1020より大きいものである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項31】
前記キレート化剤は、N,N’−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エチレンジイミノ二酢酸(HPED)、トリエチレンテトラニトリロ六酢酸(TTHA)、デスフェリフェリオキサミンB、N,N’,N”−トリス[2−(N−ヒドロキシカルボニル)エチル]−1,3,5−ベンゼントリカルボキサミド(BAMTH)、モリブデン酸からなる群から選択される請求項25に記載の洗浄液。
【請求項32】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、0.001mg/l〜300mg/lである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項33】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、0.01mg/l〜3mg/lである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項34】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、1〜400ppmである請求項25に記載の洗浄液。
【請求項35】
前記界面活性剤は、非イオン性である請求項25に記載の洗浄液。
【請求項36】
前記界面活性剤は、陰イオン性である請求項25に記載の洗浄液。
【請求項37】
前記界面活性剤は、三菱化学株式会社製のMCX−SD2000である請求項36に記載の洗浄液。
【請求項38】
前記MCX−SD2000は、前記溶液の0.05%である請求項37に記載の洗浄液。
【請求項39】
基板の洗浄方法であって、
フッ化水素溶液で前記基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、第1のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第1のリンスで前記基板をリンスした後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記洗浄液で前記基板を洗浄した後、第2のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第2のリンスで前記基板の前記リンス後、前記基板を乾燥するステップと、
前記処理を3分以内に行うステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項40】
前記処理は、2分以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項41】
前記エッチングは、30秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項42】
前記第1のリンスは、20秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項43】
前記洗浄は、30秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項44】
前記第2のリンスは、20秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項45】
前記乾燥は、20秒以内に行われる請求項39に記載の方法。
【請求項46】
前記基板の前記エッチング中、前記基板の前面にエッチング溶液が適用され、前記基板の背面に前記エッチング溶液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項47】
前記基板の前記第1のリンス中、前記基板の前面にリンス溶液が適用され、前記基板の背面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項48】
前記基板の前記洗浄中、前記基板の前面に前記洗浄液が適用され、前記基板の背面に前記洗浄液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項49】
前記基板の前記第2のリンス中、前記基板の前面にリンス溶液が適用され、前記基板の背面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項39に記載の方法。
【請求項50】
前記基板は、シリコン基板である、請求項39に記載の方法。
【請求項51】
基板の洗浄方法であって、
キレート化剤と界面活性剤とを含む第1の溶液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、水と酸化剤とを含む前記溶液で前記基板をリンスするステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項52】
前記酸化剤は、O3、O2及びH2O2からなる群から選択される請求項51に記載の方法。
【請求項53】
前記酸化剤は、Cu2+を酸化するのに十分な濃度で前記第2の溶液に存在する請求項51に記載の方法。
【請求項54】
前記酸化剤の前記濃度は、1ppmより高い請求項51に記載の方法。
【請求項55】
前記酸化剤の前記濃度は、100ppmより高い請求項51に記載の方法。
【請求項56】
前記第2の溶液の標準酸化電位は、0.5Vより大きい請求項51に記載の方法。
【請求項57】
前記水は、前記水に前記酸化剤が添加される前に脱気される請求項51に記載の方法。
【請求項58】
前記水は、脱イオン化される請求項51に記載の方法。
【請求項59】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項51に記載の方法。
【請求項60】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、2〜3秒間、前記基板上にHF溶液を供給して、HF被覆基板を生じさせるステップと、
前記基板上に前記HF溶液を供給した後、前記HF被覆基板上に洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項61】
前記処理中に前記基板をスピンすることをさらに含む請求項60に記載の方法。
【請求項62】
前記基板の第1の面上に前記HF溶液が供給される間、前記基板の第2の面上に、前記HF溶液と異なる溶液が供給される請求項60に記載の方法。
【請求項63】
前記基板上に前記洗浄液が供給されるとき、前記基板に超音波が適用される請求項60に記載の方法。
【請求項64】
前記基板は、酸化物層を備えた表面を有する請求項60に記載の方法。
【請求項65】
前記酸化物層を備えた前記表面上に、前記フッ化水素酸溶液が供給される請求項64に記載の方法。
【請求項66】
前記フッ化水素酸溶液は、1Å〜8Åの厚みまで前記酸化物層をエッチングする請求項65に記載の方法。
【請求項67】
前記洗浄液は、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤
を含む請求項60に記載の方法。
【請求項68】
前記洗浄液は、30秒未満の間、前記基板上に存在する請求項60に記載の方法。
【請求項69】
前記洗浄液は、前記HF溶液を中和するのに十分な時間、前記HF被覆基板上に供給される請求項60に記載の方法。
【請求項70】
前記HF溶液は、水と、フッ化水素酸とを含む請求項60に記載の方法。
【請求項71】
前記HF溶液は、水と、緩衝フッ化水素酸とを含む請求項60に記載の方法。
【請求項72】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項39に記載の方法。
【請求項73】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに、第1の面と第2の面とを有する基板を配置するステップと、
前記洗浄ツールに前記基板を配置した後、2〜3秒間、前記基板の前記第1の面上にHF溶液を供給して、前記基板のHF被覆された第1の面を生じさせるステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給するのと同時に、前記基板の前記第2の面上に、前記HF溶液と異なる溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給した後、前記基板の前記HF被覆された第1の面上に、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項74】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに、親水性表面を有する第1の面と、第2の面とを有する基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板の前記第1の面上に前記疎水性表面を残すことができる程度に短い時間、前記基板の前記第1の面上にHF溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給するのと同時に、前記基板の前記第2の面上に前記HF溶液と異なる溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第1の面上に前記HF溶液を供給した後、前記基板の前記第1の面上に洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項75】
前記洗浄液は、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む請求項74に記載の方法。
【請求項76】
前記HF溶液は、前記基板上に5×1010原子/cm2未満の濃度のアルミニウムを残すことができる時間、前記基板上に供給される請求項74に記載の方法。
【請求項77】
基板の処理方法であって、
HF溶液で基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、前記基板を乾燥するステップと、
を含み、前記処理を3分以内に行う基板の処理方法。
【請求項78】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板上に、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと、
前記基板上に前記洗浄液を供給した後、第1のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記基板をリンスした後、2〜3秒間、前記基板上にフッ化水素酸溶液を供給するステップと、
前記基板を洗浄した後、第2のリンスで前記基板をリンスするステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項79】
前記第1のリンスと前記第2のリンスは、同じ溶液である請求項78に記載の方法。
【請求項80】
基板の処理方法であって、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、第1のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第1のリンスで前記基板をリンスした後、HF溶液で前記基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、第2のリンスで前記基板をリンスするステップと、
を含み、前記処理を3分以内に行う基板の処理方法。
【請求項81】
前記第1のリンスと前記第2のリンスは、同じ溶液である請求項80に記載の方法。
【請求項82】
基板の処理方法であって、
第1の面と第2の面とを有する基板をO2アッシングし、前記O2アッシングを前記基板の前記第1の面に行うステップと、
前記基板の前記第1の面をO2アッシングした後、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板の前記第1の面を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、リンス溶液で前記基板をリンスするステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項83】
前記基板は、前記処理中にスピンされる請求項82に記載の方法。
【請求項84】
前記処理中、前記基板に超音波が適用される請求項82に記載の方法。
【請求項85】
前記基板の前記第1の面を洗浄する前に、前記基板の前記第1の面をリンスするステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項86】
前記基板の前記第1の面を洗浄した後、前記基板の前記第1の面をリンスするステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項87】
前記リンス溶液は、オゾン処理された水である請求項82に記載の方法。
【請求項88】
前記基板をリンスした後、2000〜4000rpmの速度で前記基板をスピンすることにより、前記基板を洗浄した後に前記基板を乾燥するステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項89】
前記基板の前記第1の面を洗浄するのと同時に、前記洗浄液と異なる溶液で前記基板の前記第2の面を洗浄するステップをさらに含む請求項82に記載の方法。
【請求項90】
基板の処理方法であって、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、前記基板をリンスするステップと、
前記基板をリンスした後、前記基板を乾燥するステップと、
前記洗浄、リンス及び乾燥を2分以内に行うステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項91】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板上にHF溶液を供給するステップと、
前記基板上に前記HF溶液を供給した後、前記基板上に、
NH4OH、
H2O2、
H2O、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項92】
洗浄液であって、
NH4OHと、
N,N’−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エチレンジイミノ二酢酸(HPED)と
を含む洗浄液。
【請求項93】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
NH4OH、及び
N,N’−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エチレンジイミノ二酢酸(HPED)を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項94】
洗浄液であって、
NH4OHと、
トリエチレンテトラニトリロ六酢酸(TTHA)と
を含む洗浄液。
【請求項95】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
NH4OH及びトリエチレンテトラニトリロ六酢酸(TTHA)を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項96】
洗浄液であって、
NH4OHと、
デスフェリフェリオキサミンBと
を含む洗浄液。
【請求項97】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
NH4OH及びデスフェリフェリオキサミンBを含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項98】
前記リンス中、前記基板に超音波が適用される請求項97に記載の方法。
【請求項99】
前記基板の第1の面に前記リンス溶液が適用され、前記基板の第2の面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項97に記載の方法。
【請求項100】
洗浄液であって、
NH4OHと、
N,N’,N”−トリス[2−(N−ヒドロキシカルボニル)エチル]−1,3,5−ベンゼントリカルボキサミド(BAMTH)と
を含む洗浄液。
【請求項101】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
NH4OH及びモリブデン酸を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
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