JPH0760082A - 超純水の比抵抗調整方法及び装置 - Google Patents
超純水の比抵抗調整方法及び装置Info
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- JPH0760082A JPH0760082A JP5215932A JP21593293A JPH0760082A JP H0760082 A JPH0760082 A JP H0760082A JP 5215932 A JP5215932 A JP 5215932A JP 21593293 A JP21593293 A JP 21593293A JP H0760082 A JPH0760082 A JP H0760082A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/20—Mixing gases with liquids
- B01F23/23—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids
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- B01F23/23105—Arrangement or manipulation of the gas bubbling devices
- B01F23/2312—Diffusers
- B01F23/23124—Diffusers consisting of flexible porous or perforated material, e.g. fabric
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01F23/237—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids characterised by the physical or chemical properties of gases or vapours introduced in the liquid media
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- B01F23/23762—Carbon dioxide
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
三層膜構造を有する中空糸膜を用いて、水溶液と接する
多孔質層と反対側の多孔質層側に水圧より高い圧力で、
炭酸ガスを酸素ガスを脱気した後の超純水へ給気し、超
純水の比抵抗を調整する方法及び該方法を実施する装置
に関する。
多孔質層と反対側の多孔質層側に水圧より高い圧力で、
炭酸ガスを酸素ガスを脱気した後の超純水へ給気し、超
純水の比抵抗を調整する方法及び該方法を実施する装置
に関する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に半導体の洗浄用水
に用いられ超純水の比抵抗を調整する方法及び装置に関
するものである。
に用いられ超純水の比抵抗を調整する方法及び装置に関
するものである。
【０００２】
【従来技術】半導体の製造工程において、超純水（比抵
抗≧１８ＭΩ・ｃｍ）を使用して基板を洗浄する場合、
超純水の比抵抗が高いために静電気が発生し、そのため
の絶縁破壊を起こしたり、あるいは微粒子の吸着等が生
じる等の不都合があった。
抗≧１８ＭΩ・ｃｍ）を使用して基板を洗浄する場合、
超純水の比抵抗が高いために静電気が発生し、そのため
の絶縁破壊を起こしたり、あるいは微粒子の吸着等が生
じる等の不都合があった。
【０００３】そこでこのような不都合を解消するため
に、一般には超純水の流路にマグネシウムのメッシュを
装着して超純水の比抵抗を低下させる方法が知られてい
る。
に、一般には超純水の流路にマグネシウムのメッシュを
装着して超純水の比抵抗を低下させる方法が知られてい
る。
【０００４】疎水性の多孔質中空糸膜を用いて炭酸ガス
を飲料水へ溶解する装置（実開昭５７−８６６２３号公
報）、超純水の比抵抗調整法（特開昭６０−２７６０３
号公報）が提案されている。又均質層をその両側から多
孔質層で挟み込んだ三層構造の複合中空糸膜で溶存ガス
を除去する方法が知られている（実開平３−７９０８
号、特開平３−１６９３０３号公報）。
を飲料水へ溶解する装置（実開昭５７−８６６２３号公
報）、超純水の比抵抗調整法（特開昭６０−２７６０３
号公報）が提案されている。又均質層をその両側から多
孔質層で挟み込んだ三層構造の複合中空糸膜で溶存ガス
を除去する方法が知られている（実開平３−７９０８
号、特開平３−１６９３０３号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら前記疎水性の
多孔質中空糸膜を用いた方法では、中空糸膜表面の開孔
部に形成される気／液平衡面に於て比較的低いガス圧領
域では炭酸ガス圧に対応した炭酸ガスが溶解するもの
の、ガスの溶解速度を高める為にガス圧を高く設定し膜
間差圧を大きくすると、多孔質層細孔部をガスが透過し
気泡となって水中に存在することになり、超純水の比抵
抗を均一に調整することが困難になる。或は、長時間使
用すると多孔質層細孔部の表面に水蒸気が凝縮し水が漏
れる等の問題点があった。
多孔質中空糸膜を用いた方法では、中空糸膜表面の開孔
部に形成される気／液平衡面に於て比較的低いガス圧領
域では炭酸ガス圧に対応した炭酸ガスが溶解するもの
の、ガスの溶解速度を高める為にガス圧を高く設定し膜
間差圧を大きくすると、多孔質層細孔部をガスが透過し
気泡となって水中に存在することになり、超純水の比抵
抗を均一に調整することが困難になる。或は、長時間使
用すると多孔質層細孔部の表面に水蒸気が凝縮し水が漏
れる等の問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、上記問題点を解決し、高
い膜間差圧で使用でき、長時間使用してもガスの給気性
能が低下することがなく、炭酸ガス給気効率が高く、高
処理量で超純水の比抵抗を調整する方法及び小型の超純
水の比抵抗を調整する装置を提供することにある。
い膜間差圧で使用でき、長時間使用してもガスの給気性
能が低下することがなく、炭酸ガス給気効率が高く、高
処理量で超純水の比抵抗を調整する方法及び小型の超純
水の比抵抗を調整する装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、炭酸ガスを超
純水中に給気することにより、炭酸ガスが超純水中に炭
酸イオンとして溶解することにより超純水の比抵抗を低
下させ帯電による半導体の製品不良を低下させることを
目的とする。
純水中に給気することにより、炭酸ガスが超純水中に炭
酸イオンとして溶解することにより超純水の比抵抗を低
下させ帯電による半導体の製品不良を低下させることを
目的とする。
【０００８】本発明の要旨は以下の通りである。 （１） 均質層をその両側から多孔質層で挟み込んだ三
層膜構造であって、均質層を構成する素材の炭酸ガス透
過速度が１．０×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・
ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）以上の性能を有する複合中空糸膜を
用いて、水溶液と接する多孔質層と反対側の多孔質層側
に水圧より高い圧力で、炭酸ガスを酸素ガスを脱気した
後の超純水へ給気し、超純水の比抵抗を調整することを
特徴とする超純水の比抵抗調整方法。
層膜構造であって、均質層を構成する素材の炭酸ガス透
過速度が１．０×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・
ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）以上の性能を有する複合中空糸膜を
用いて、水溶液と接する多孔質層と反対側の多孔質層側
に水圧より高い圧力で、炭酸ガスを酸素ガスを脱気した
後の超純水へ給気し、超純水の比抵抗を調整することを
特徴とする超純水の比抵抗調整方法。
【０００９】（２） 処理すべき超純水に溶存する酸素
ガスを脱気する装置と、該装置の後に炭酸ガスを供給す
る装置を有し、該炭酸ガスを給気する装置が、酸素ガス
脱気後の処理すべき超純水と接触し且つ炭酸ガスを該酸
素ガス脱気後の処理すべき超純水に透過させる均質層を
その両側から多孔質層で挟み込んだ三層膜構造であっ
て、均質層を構成する素材の炭酸ガス透過速度が１．０
×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨ
ｇ）以上の性能を有する複合中空糸膜を備えた炭酸ガス
給気モジュールで構成され、該炭酸ガス給気モジュール
で炭酸ガスを超純水へ溶解させ超純水の比抵抗を調製す
ることを特徴とする超純水の比抵抗調整装置。
ガスを脱気する装置と、該装置の後に炭酸ガスを供給す
る装置を有し、該炭酸ガスを給気する装置が、酸素ガス
脱気後の処理すべき超純水と接触し且つ炭酸ガスを該酸
素ガス脱気後の処理すべき超純水に透過させる均質層を
その両側から多孔質層で挟み込んだ三層膜構造であっ
て、均質層を構成する素材の炭酸ガス透過速度が１．０
×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨ
ｇ）以上の性能を有する複合中空糸膜を備えた炭酸ガス
給気モジュールで構成され、該炭酸ガス給気モジュール
で炭酸ガスを超純水へ溶解させ超純水の比抵抗を調製す
ることを特徴とする超純水の比抵抗調整装置。
【００１０】（３） 上記発明（２）に記載の炭酸ガス
を給気する炭酸ガス給気モジュールが、容器と該容器内
に位置する上記発明（１）に記載の複合中空糸膜と、該
複合中空糸膜の端部を接着剤で支持し、複合中空糸膜の
中空部に連通する空間と複合中空糸膜の外表面に連通す
る空間とを隔離する隔壁を有し、複合中空糸膜の外表面
と容器内壁面とで構成される空間に超純水を流すための
導入口及び導出口または該空間に炭酸ガスを給気するた
めの給気口と複合中空糸中空部に超純水を流すための導
入口及び導出口または該中空部に炭酸ガスを給気するた
めの給気口を設けたことを特徴とする超純水の比抵抗調
整装置。
を給気する炭酸ガス給気モジュールが、容器と該容器内
に位置する上記発明（１）に記載の複合中空糸膜と、該
複合中空糸膜の端部を接着剤で支持し、複合中空糸膜の
中空部に連通する空間と複合中空糸膜の外表面に連通す
る空間とを隔離する隔壁を有し、複合中空糸膜の外表面
と容器内壁面とで構成される空間に超純水を流すための
導入口及び導出口または該空間に炭酸ガスを給気するた
めの給気口と複合中空糸中空部に超純水を流すための導
入口及び導出口または該中空部に炭酸ガスを給気するた
めの給気口を設けたことを特徴とする超純水の比抵抗調
整装置。
【００１１】本発明で使用する複合中空糸膜は例えば特
公平３−４４８１１号公報、特開平１−１２７０２３号
公報等に開示されており、ガスは透過するが水不透過の
性質を有する所謂ガス分離膜である均質膜を多層構造の
間に挟み込んでいる為に長時間使用しても水が漏れるこ
とはなく、且つ炭酸ガスガスボンベ中に含まれる微小な
異物が超純水中に混入することがない。
公平３−４４８１１号公報、特開平１−１２７０２３号
公報等に開示されており、ガスは透過するが水不透過の
性質を有する所謂ガス分離膜である均質膜を多層構造の
間に挟み込んでいる為に長時間使用しても水が漏れるこ
とはなく、且つ炭酸ガスガスボンベ中に含まれる微小な
異物が超純水中に混入することがない。
【００１２】又この均質膜を多孔質層で挟み込んでいる
為に、均質層が傷つくこと無く、ガス透過性の高い薄膜
を形成することができる。炭酸ガス透過速度が１．０×
１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨ
ｇ）未満では超純水中に溶解する炭酸ガスの均質膜を透
過する速度が遅く効率的に炭酸ガスを溶解することがで
きない。
為に、均質層が傷つくこと無く、ガス透過性の高い薄膜
を形成することができる。炭酸ガス透過速度が１．０×
１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨ
ｇ）未満では超純水中に溶解する炭酸ガスの均質膜を透
過する速度が遅く効率的に炭酸ガスを溶解することがで
きない。
【００１３】このような複合中空糸膜は例えば多重円筒
型の紡糸ノズルを用いて均質膜を形成するポリマーと多
孔質膜を形成するポリマーとを交互に配置し溶融紡糸
し、次いで均質膜を多孔質化することなく多孔質膜だけ
を多孔質化する条件で延伸する方法により製造される。
型の紡糸ノズルを用いて均質膜を形成するポリマーと多
孔質膜を形成するポリマーとを交互に配置し溶融紡糸
し、次いで均質膜を多孔質化することなく多孔質膜だけ
を多孔質化する条件で延伸する方法により製造される。
【００１４】均質層を構成するポリマー素材としては、
ガス透過性の優れたシリコンゴム系ポリマーを始めとし
て、ポリジメチルシロキサン、シリコンとポリカーボネ
ートの共重合体等のシリコンゴム系ポリマー、ポリ４−
メチルペンテン−１、低密度ポリエチレン等のポリオレ
フィン系ポリマー、パーフルオロアルキル系ポリマー等
のフッ素含有ポリマー、エチルセルロース等セルロース
系ポリマー、ポリフェニレンオキサイド、ポリ４−ビニ
ルピリジン、ウレタン系ポリマー及びこれらポリマー素
材の共重合体あるいはブレンド体等の各種ポリマーをあ
げることができる。
ガス透過性の優れたシリコンゴム系ポリマーを始めとし
て、ポリジメチルシロキサン、シリコンとポリカーボネ
ートの共重合体等のシリコンゴム系ポリマー、ポリ４−
メチルペンテン−１、低密度ポリエチレン等のポリオレ
フィン系ポリマー、パーフルオロアルキル系ポリマー等
のフッ素含有ポリマー、エチルセルロース等セルロース
系ポリマー、ポリフェニレンオキサイド、ポリ４−ビニ
ルピリジン、ウレタン系ポリマー及びこれらポリマー素
材の共重合体あるいはブレンド体等の各種ポリマーをあ
げることができる。
【００１５】また、多孔質層を構成するポリマー素材と
しては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ３−メチ
ルブテン−１、ポリ４−メチルペンテン−１等のポリオ
レフィン系ポリマー、ポリフッ化ビニリデン、ポリテト
ラフルオロエチレン等のフッ素系ポリマー、ポリスチレ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン
等の疎水性ポリマーが挙げられる。
しては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ３−メチ
ルブテン−１、ポリ４−メチルペンテン−１等のポリオ
レフィン系ポリマー、ポリフッ化ビニリデン、ポリテト
ラフルオロエチレン等のフッ素系ポリマー、ポリスチレ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン
等の疎水性ポリマーが挙げられる。
【００１６】均質層を構成するポリマー素材と、多孔質
層を構成するポリマー素材との組み合わせについては特
に限定されず、異種のポリマーは勿論同種のポリマーで
あっても良い。均質層が多孔質層で物理的に挟み込まれ
たサンドイッチ構造を有しているので、両膜間の接着性
が悪くとも、実用上の弊害は生じない。
層を構成するポリマー素材との組み合わせについては特
に限定されず、異種のポリマーは勿論同種のポリマーで
あっても良い。均質層が多孔質層で物理的に挟み込まれ
たサンドイッチ構造を有しているので、両膜間の接着性
が悪くとも、実用上の弊害は生じない。
【００１７】炭酸ガスを超純水中に給気することによ
り、炭酸ガスが超純水中に炭酸イオンとして溶解するこ
とにより超純水の比抵抗を低下させ帯電による半導体の
製品不良を低下することができる。
り、炭酸ガスが超純水中に炭酸イオンとして溶解するこ
とにより超純水の比抵抗を低下させ帯電による半導体の
製品不良を低下することができる。
【００１８】然し乍ら超純水中に溶存する酸素ガスが半
導体基板を酸化させショートを引き起こす危険性がある
ため、酸素ガスを脱気することが必要であり酸素ガス脱
気後に炭酸ガスを溶解させることが好ましい。
導体基板を酸化させショートを引き起こす危険性がある
ため、酸素ガスを脱気することが必要であり酸素ガス脱
気後に炭酸ガスを溶解させることが好ましい。
【００１９】水温に比べモジュール内ガス側の温度が低
い場合にはガス側空隙に凝縮水が溜まり膜面積を減少さ
せることが生じることから、ガス側と水温に大きな温度
差が生じないように保温することが好ましい。
い場合にはガス側空隙に凝縮水が溜まり膜面積を減少さ
せることが生じることから、ガス側と水温に大きな温度
差が生じないように保温することが好ましい。
【００２０】又凝縮水による糸束の集束化による膜面積
の低下を防ぐ方法として、中空糸膜をラッセル状或はす
だれ状に編成すること、又中空糸膜の充填量を容器両端
の接着剤で囲まれた空間の容積中に占める中空糸膜の容
積率を２０〜５０％（好ましくは２５〜４５％）の範囲
内にすること等が考えられる。
の低下を防ぐ方法として、中空糸膜をラッセル状或はす
だれ状に編成すること、又中空糸膜の充填量を容器両端
の接着剤で囲まれた空間の容積中に占める中空糸膜の容
積率を２０〜５０％（好ましくは２５〜４５％）の範囲
内にすること等が考えられる。
【００２１】ラッセル状或はすだれ状に編成すると緯糸
の中空糸膜を経糸でシート状に加工する為中空糸膜間が
経糸の太さ分だけ空間を維持することができる。このた
め、中空糸膜を１本宛編むことが好ましいが何本かをま
とめて編んでもよい。
の中空糸膜を経糸でシート状に加工する為中空糸膜間が
経糸の太さ分だけ空間を維持することができる。このた
め、中空糸膜を１本宛編むことが好ましいが何本かをま
とめて編んでもよい。
【００２２】中空糸膜の充填量を容器両端の接着剤で囲
まれた空間の容積中に占める中空糸膜の容積率を２０％
未満にすると必要な膜面積を確保するには容積が大きく
なり、５０％を越えると凝縮水が中空糸膜間に残存し給
気に有効な膜面積が減少してしまう。
まれた空間の容積中に占める中空糸膜の容積率を２０％
未満にすると必要な膜面積を確保するには容積が大きく
なり、５０％を越えると凝縮水が中空糸膜間に残存し給
気に有効な膜面積が減少してしまう。
【００２３】モジュールへ導入する炭酸ガス圧は高い程
超純水への移動速度が速く効率的である。高い水圧で使
用するときには均質膜を水がＲＯ膜的に透水することを
防ぐ為にガス圧を水圧よりも高い圧力に設定することが
好ましい。
超純水への移動速度が速く効率的である。高い水圧で使
用するときには均質膜を水がＲＯ膜的に透水することを
防ぐ為にガス圧を水圧よりも高い圧力に設定することが
好ましい。
【００２４】図１は本発明に適する装置の一例である。
１は気密性及び水密性を有する容器であり、該容器の内
部には多数本の中空糸膜２が所定の間隔をおいてその両
端部がポッティング剤３により支持固定されるように配
設されている。
１は気密性及び水密性を有する容器であり、該容器の内
部には多数本の中空糸膜２が所定の間隔をおいてその両
端部がポッティング剤３により支持固定されるように配
設されている。
【００２５】容器１の両端には前記ポッティング剤によ
り支持固定された中空糸膜２と容器１の内壁間に形成さ
れる空隙部に夫々連通する超純水の導入口４及び導出口
５が設けてある。
り支持固定された中空糸膜２と容器１の内壁間に形成さ
れる空隙部に夫々連通する超純水の導入口４及び導出口
５が設けてある。
【００２６】前記ポッティング剤により、前記多数本の
中空糸膜２，２，２，・・・・，２間に形成される空隙
と前記超純水の導入口４及び導出口５とを遮断する隔壁
３を形成する。更に容器１の周面の一部には、前記中空
糸膜２，２，２，・・・・，２間に形成される空隙とを
連通する炭酸ガス給気口６が形成され、該炭酸ガス給気
口６は炭酸ガスボンベ７から供給される炭酸ガス圧を調
整する炭酸ガス調整弁８と接続されている。
中空糸膜２，２，２，・・・・，２間に形成される空隙
と前記超純水の導入口４及び導出口５とを遮断する隔壁
３を形成する。更に容器１の周面の一部には、前記中空
糸膜２，２，２，・・・・，２間に形成される空隙とを
連通する炭酸ガス給気口６が形成され、該炭酸ガス給気
口６は炭酸ガスボンベ７から供給される炭酸ガス圧を調
整する炭酸ガス調整弁８と接続されている。
【００２７】更に容器１はガス温あるいは水温を低下さ
せぬように保温カバー９で覆われており、水蒸気の凝縮
水を除去する為のドレン除去口１０及びドレン除去する
ときにのみ連通するコック１１を設けてある。
せぬように保温カバー９で覆われており、水蒸気の凝縮
水を除去する為のドレン除去口１０及びドレン除去する
ときにのみ連通するコック１１を設けてある。
【００２８】
【作用】かかる構成により、本発明によれば超純水に高
いガス溶解速度で炭酸ガスを溶解させることができ、非
常に高い効率で超純水の比抵抗を調整することができ
る。また、均質膜を炭酸ガスは透過して溶解するために
非常にクリーンな炭酸ガスを溶解することが可能であ
る。
いガス溶解速度で炭酸ガスを溶解させることができ、非
常に高い効率で超純水の比抵抗を調整することができ
る。また、均質膜を炭酸ガスは透過して溶解するために
非常にクリーンな炭酸ガスを溶解することが可能であ
る。
【００２９】従って、本発明を用いることにより、非常
に小さなスペースで均一な比抵抗を有する超純水を炭酸
ガスの供給圧力及び超純水の流量により容易に調整し供
給することが可能である。
に小さなスペースで均一な比抵抗を有する超純水を炭酸
ガスの供給圧力及び超純水の流量により容易に調整し供
給することが可能である。
【００３０】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明す
る。超純水の比抵抗は市販の比抵抗測定装置（フォック
スボロ−社製、タイプ９２３Ｄ）を用いて測定した。
る。超純水の比抵抗は市販の比抵抗測定装置（フォック
スボロ−社製、タイプ９２３Ｄ）を用いて測定した。
【００３１】参考例１ 同心円状に配置された３つの吐出口を有する中空糸製造
用ノズルに対し、内層と外層に供給するポリマー素材と
して高密度ポリエチレン（三井石油化学工業（株）社製
Ｈｉｚｅｘ２２００Ｊ）を、中間層に供給するポリマ
ー素材としてセグメント化ポリウレタン（Ｔｈｅｒｍｅ
ｄｉｃｓ Ｉｎｃ．製 ＴｅｃｏｆｌｅｘＥＧ８０Ａ）
を用い、吐出温度１６５℃、巻き取り速度１８０ｍ／ｍ
ｉｎで紡糸した。
用ノズルに対し、内層と外層に供給するポリマー素材と
して高密度ポリエチレン（三井石油化学工業（株）社製
Ｈｉｚｅｘ２２００Ｊ）を、中間層に供給するポリマ
ー素材としてセグメント化ポリウレタン（Ｔｈｅｒｍｅ
ｄｉｃｓ Ｉｎｃ．製 ＴｅｃｏｆｌｅｘＥＧ８０Ａ）
を用い、吐出温度１６５℃、巻き取り速度１８０ｍ／ｍ
ｉｎで紡糸した。
【００３２】得られた中空糸未延伸糸を１００℃で１時
間アニール処理をした。次いでアニール処理糸を室温下
で８０％延伸し、引き続き１０５℃に加熱された加熱炉
中で熱延伸倍率が１３０％になるまで熱延伸を行って、
複合中空糸膜を得た。
間アニール処理をした。次いでアニール処理糸を室温下
で８０％延伸し、引き続き１０５℃に加熱された加熱炉
中で熱延伸倍率が１３０％になるまで熱延伸を行って、
複合中空糸膜を得た。
【００３３】得られた複合中空糸膜は、図２に示すよう
な最内層から順次多孔質層、均質層、多孔質層の三層構
造であり、内径が２００μｍ、厚みが最内層から２５μ
ｍ、１μｍ、２５μｍの同心円状であった。該複合中空
糸膜の多孔質層表面を走査型電子顕微鏡で観察した結
果、幅０．０６〜０．０９μｍ、長さ０．１〜０．５μ
ｍのスリット状の孔が形成されていた。この中空糸膜の
炭酸ガス透過速度は７．５×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）
／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）であった。
な最内層から順次多孔質層、均質層、多孔質層の三層構
造であり、内径が２００μｍ、厚みが最内層から２５μ
ｍ、１μｍ、２５μｍの同心円状であった。該複合中空
糸膜の多孔質層表面を走査型電子顕微鏡で観察した結
果、幅０．０６〜０．０９μｍ、長さ０．１〜０．５μ
ｍのスリット状の孔が形成されていた。この中空糸膜の
炭酸ガス透過速度は７．５×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）
／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）であった。
【００３４】参考例２ 同心円状に配置された吐出を有する中空糸製造用ノズル
に対し、供給するポリマー素材として高密度ポリエチレ
ン（三井石油化学工業（株）社製 Ｈｉｚｅｘ２２００
Ｊ）を用い、吐出温度１５５℃、巻き取り速度１５０ｍ
／ｍｉｎで紡糸した。
に対し、供給するポリマー素材として高密度ポリエチレ
ン（三井石油化学工業（株）社製 Ｈｉｚｅｘ２２００
Ｊ）を用い、吐出温度１５５℃、巻き取り速度１５０ｍ
／ｍｉｎで紡糸した。
【００３５】得られた中空糸未延伸糸を１１０℃で１時
間アニール処理をした。次いでアニール処理糸を室温下
で１５０％延伸し、引き続き１１５℃に加熱された加熱
炉中で熱延伸倍率が２００％になるまで熱延伸を行っ
て、中空糸膜を得た。
間アニール処理をした。次いでアニール処理糸を室温下
で１５０％延伸し、引き続き１１５℃に加熱された加熱
炉中で熱延伸倍率が２００％になるまで熱延伸を行っ
て、中空糸膜を得た。
【００３６】得られた中空糸膜は、内径が２００μｍ、
厚みが６０μｍの同心円状であった。該中空糸膜の多孔
質層表面を走査型電子顕微鏡で観察した結果、幅０．０
４〜０．０８μｍ、長さ０．１〜０．２μｍのスリット
状の孔が形成されていた。この中空糸膜の炭酸ガス透過
速度は０．９×１０-2（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓ
ｅｃ・ｃｍＨｇ）であった。
厚みが６０μｍの同心円状であった。該中空糸膜の多孔
質層表面を走査型電子顕微鏡で観察した結果、幅０．０
４〜０．０８μｍ、長さ０．１〜０．２μｍのスリット
状の孔が形成されていた。この中空糸膜の炭酸ガス透過
速度は０．９×１０-2（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓ
ｅｃ・ｃｍＨｇ）であった。
【００３７】実施例１ 図１に示す装置を用いて、超純水中に炭酸ガスを溶解さ
せ超純水の比抵抗を測定した。参考例１及び２より得ら
れた中空糸膜を図３に示すラッセル編みシート状に編成
し、充填率４０％で膜面積１．５ｍ2 のモジュールを作
製し、図１の装置に組み込んだ。原水は１８．２ＭΩ・
ｃｍの比抵抗を持つ超純水を用いて測定した。
せ超純水の比抵抗を測定した。参考例１及び２より得ら
れた中空糸膜を図３に示すラッセル編みシート状に編成
し、充填率４０％で膜面積１．５ｍ2 のモジュールを作
製し、図１の装置に組み込んだ。原水は１８．２ＭΩ・
ｃｍの比抵抗を持つ超純水を用いて測定した。
【００３８】上記超純水を比抵抗調整装置に水導入口４
へ表１に示す流量で水圧２ｋｇ／ｃｍ2 で供給し、炭酸
ガスを炭酸ガス給気口６より炭酸ガス圧を表１に示す圧
力で供給した。
へ表１に示す流量で水圧２ｋｇ／ｃｍ2 で供給し、炭酸
ガスを炭酸ガス給気口６より炭酸ガス圧を表１に示す圧
力で供給した。
【００３９】このときの測定結果を表１に示した。表１
に示したように複合中空糸膜を用いた装置は高いガス圧
で炭酸ガスを供給できるために非常に効率的に比抵抗を
調整することができる。
に示したように複合中空糸膜を用いた装置は高いガス圧
で炭酸ガスを供給できるために非常に効率的に比抵抗を
調整することができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、複合中空糸膜を介して高い膜
間差圧で炭酸ガスを給気することにより効率よく炭酸ガ
スを超純水に浸透溶解させ、処理すべき超純水の流量あ
るいは炭酸ガス圧力を制御することにより超純水の比抵
抗を調整するので超純水に異物が混入すること無く超純
水の比抵抗を自由にしかも容易に調整することができ
る。
間差圧で炭酸ガスを給気することにより効率よく炭酸ガ
スを超純水に浸透溶解させ、処理すべき超純水の流量あ
るいは炭酸ガス圧力を制御することにより超純水の比抵
抗を調整するので超純水に異物が混入すること無く超純
水の比抵抗を自由にしかも容易に調整することができ
る。
【００４１】又複合中空糸膜を用いているために長時間
使用しても水が漏れること無く安定して炭酸ガスを一定
の溶解量で供給することができ安定した比抵抗の調整が
可能である。このことは特に半導体製造プロセスに適用
した場合長期間に渡って安定した動作を保証できるきわ
めて有用な超純水給水系を提供することが可能となる。
使用しても水が漏れること無く安定して炭酸ガスを一定
の溶解量で供給することができ安定した比抵抗の調整が
可能である。このことは特に半導体製造プロセスに適用
した場合長期間に渡って安定した動作を保証できるきわ
めて有用な超純水給水系を提供することが可能となる。
【００４２】
【表１】
【図１】本発明の超純水の比抵抗調整装置の一例を示す
模式図である
模式図である
【図２】多孔質層、均質層、多孔質層の三層構造からな
る複合中空糸膜の一例を示す模式図である。
る複合中空糸膜の一例を示す模式図である。
【図３、４】中空糸膜をラッセル編成した一例を示す模
式図である。
式図である。
【図５】中空糸膜をスダレ編成した一例を示す模式図で
ある。
ある。
１ 容器 ２ 中空糸膜 ３ 接着部 ４ 水導入口 ５ 水導出口 ６ 炭酸ガス給気口 ７ 炭酸ガスボンベ ８ 炭酸ガス圧調整弁 ９ 保温カバー １０ ドレン除去口 １１ ドレン除去コック
Claims (3)
- 【請求項１】 均質層をその両側から多孔質層で挟み込
んだ三層膜構造であって、均質層を構成する素材の炭酸
ガス透過速度が１．０×１０-5（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃ
ｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）以上の性能を有する複合中空
糸膜を用いて、水溶液と接する多孔質層と反対側の多孔
質層側に水圧より高い圧力で、炭酸ガスを酸素ガスを脱
気した後の超純水へ給気し、超純水の比抵抗を調整する
ことを特徴とする超純水の比抵抗調整方法。 - 【請求項２】 処理すべき超純水に溶存する酸素ガスを
脱気する装置と、該装置の後に炭酸ガスを供給する装置
を有し、該炭酸ガスを給気する装置が、酸素ガス脱気後
の処理すべき超純水と接触し且つ炭酸ガスを該酸素ガス
脱気後の処理すべき超純水に透過させる均質層をその両
側から多孔質層で挟み込んだ三層膜構造であって、均質
層を構成する素材の炭酸ガス透過速度が１．０×１０-5
（ｃｍ3 （ＳＴＰ）／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）以上
の性能を有する複合中空糸膜を備えた炭酸ガス給気モジ
ュールで構成され、該炭酸ガス給気モジュールで炭酸ガ
スを超純水へ溶解させ超純水の比抵抗を調整することを
特徴とする超純水の比抵抗調整装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の炭酸ガスを給気する炭
酸ガス給気モジュールが、容器と該容器内に位置する請
求項１に記載の複合中空糸膜と、該複合中空糸膜の端部
を接着剤で支持し、複合中空糸膜の中空部に連通する空
間と複合中空糸膜の外表面に連通する空間とを隔離する
隔壁を有し、複合中空糸膜の外表面と容器内壁面とで構
成される空間に超純水を流すための導入口及び導出口ま
たは該空間に炭酸ガスを給気するための給気口と複合中
空糸中空部に超純水を流すための導入口及び導出口また
は該中空部に炭酸ガスを給気するための給気口を設けた
ことを特徴とする超純水の比抵抗調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5215932A JPH0760082A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 超純水の比抵抗調整方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5215932A JPH0760082A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 超純水の比抵抗調整方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0760082A true JPH0760082A (ja) | 1995-03-07 |
Family
ID=16680651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5215932A Pending JPH0760082A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 超純水の比抵抗調整方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760082A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6158721A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-12 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for adding carbon dioxide gas to ultra pure water |
| JP2002028462A (ja) * | 2000-01-12 | 2002-01-29 | Sekisui Chem Co Ltd | オゾン処理装置 |
| EP1195189A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| JP2002292362A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-08 | Kurita Water Ind Ltd | 比抵抗調整水製造装置 |
| JPWO2005038895A1 (ja) * | 2003-10-21 | 2007-02-01 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 液供給方法および装置 |
| JP2008530789A (ja) * | 2005-02-10 | 2008-08-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 液浸液、露光装置および露光方法 |
| US7469883B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| KR101322709B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2013-10-28 | (주)세프라텍 | 수용성 기체 분리 포집을 위한 막 접촉 방법 및 그 시스템 |
| CN104190275A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-12-10 | 上海紫泉饮料工业有限公司 | 一种饮料制作中的溶糖方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP5215932A patent/JPH0760082A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19853638B4 (de) * | 1997-05-21 | 2013-06-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Verfahren zum Hinzufügen von Kohlendioxidgas zu ultrareinem Wasser |
| GB2343637B (en) * | 1997-05-21 | 2002-11-13 | Dainippon Ink & Chemicals | Apparatus and method for adding carbon dioxide gas to ultra pure water |
| US6158721A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-12 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for adding carbon dioxide gas to ultra pure water |
| JP2002028462A (ja) * | 2000-01-12 | 2002-01-29 | Sekisui Chem Co Ltd | オゾン処理装置 |
| US7469883B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| EP1195189A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| US6884359B2 (en) | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| KR100783857B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2007-12-10 | 다이닛뽄 잉크 앤드 케미칼즈, 인코포레이티드 | 초순수의 비저항 조정 장치 및 조정 방법 |
| JP4654526B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-03-23 | 栗田工業株式会社 | 比抵抗調整水製造装置 |
| JP2002292362A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-08 | Kurita Water Ind Ltd | 比抵抗調整水製造装置 |
| US8171956B2 (en) | 2003-10-21 | 2012-05-08 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Liquid supply method and apparatus |
| JPWO2005038895A1 (ja) * | 2003-10-21 | 2007-02-01 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 液供給方法および装置 |
| US9164391B2 (en) | 2005-02-10 | 2015-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| JP2012069981A (ja) * | 2005-02-10 | 2012-04-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2011142348A (ja) * | 2005-02-10 | 2011-07-21 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィシステム及びデバイス製造方法 |
| US8859188B2 (en) | 2005-02-10 | 2014-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| JP2008530789A (ja) * | 2005-02-10 | 2008-08-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 液浸液、露光装置および露光方法 |
| US9454088B2 (en) | 2005-02-10 | 2016-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| US9772565B2 (en) | 2005-02-10 | 2017-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| US10712675B2 (en) | 2005-02-10 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| KR101322709B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2013-10-28 | (주)세프라텍 | 수용성 기체 분리 포집을 위한 막 접촉 방법 및 그 시스템 |
| CN104190275A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-12-10 | 上海紫泉饮料工业有限公司 | 一种饮料制作中的溶糖方法 |
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