KR100634401B1 - 반도체 제조공정의 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 제조공정의 기판 처리 방법을 제공한다. 이 방법은 유기계 첨가물(organic additive)이 함유된 무기계 세정액(inorganic cleaning solution)을 사용하여 기판을 세정하는 단계와, 유기 알코올(organic alcohole)을 사용하여 기판을 린스하는 단계와, 탈이온수(deionized water)를 사용하여 기판을 린스하는 단계를 포함한다.
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 관한 것으로서, 더 구체적으로 반도체 제조공정에서 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정에서 기판의 세정은 황산, 과산화수소, 불산, 암모니아 등의 무기세정액 또는 유기 아민 등의 유기 세정액을 이용한다. 오염물 또는 산화막을 제거하기 위한 세정 이후에는 잔류된 세정액을 제거하기 위한 린스 공정이 실시되는데, 일반적으로 유기 세정액 처리 후에는 이소프로필 알코올을 사용하여 린스 공정이 실시되고, 무기 세정액 처리 후에는 탈이온수를 사용하여 린스 공정이 실시된다.
일반적으로 무기 세정액은 표면장력이 크기 때문에 세정액이 미세구조에 효과적으로 침투 및 습윤될 수 있도록 유기 계면활성제를 세정액에 첨가하는 것이 제안되었다. 또한, CMP후 세정에서 금속의 부식을 방지하기 위하여 무기계 세정액에 유기계 부식방지제를 첨가하는 기술도 사용된다. 유기계 첨가물이 함유된 무기계 세정액을 사용하여 오염물질을 제거한 후에는 잔류된 세정액을 완전히 제거하기 위하여 무기계 세정액 처리된 기판을 탈이온수를 사용하여 세정하고 건조하는 과정을 거치게된다. 이 때, 실리콘질화막, 폴리실리콘, 실리콘-게르마늄 및 실리콘 산화막의 표면에 흡착된 유기계 계면활성제 또는 유기계 부식방지제는 박막의 표면에 소수성 코팅막을 형성하여 탈이온수를 사용하여 린스를 하더라도 기판의 표면에 잔여물로 남게되거나, 소수성 코팅막으로 인하여 탈이온수가 고르게 퍼지지 못하고 부분적으로 맺힌 상태로 존재하여 건조후 물반점이 나타나는 문제를 유발할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기계 첨가물이 함유된 무기계 세정액 처리된 기판에 잔여물이 남지 않도록 하는 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 유기계 첨가물이 함유된 무기계 세정액을 사용하여 기판을 세정하는 경우 기판의 표면에 소수성 잔여물이 남지 않도록 하는 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 유기 알코올 및 탈이온수를 사용하는 기판 처리 방법을 제공한다. 이 방법은 유기계 첨가물(organic additive)이 함유된 무기계 세정액(inorganic cleaning solution)을 사용하여 기판을 세정하는 단계와, 유기 알코올(organic alcohole)을 사용하여 기판을 린스하는 단계와, 탈이온수(deionized water)를 사용하여 기판을 린스하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 기판 상에 절연막 또는 도전막을 형성한 후 패터닝하는 식각 공정을 실시하고, 식각공정이 완료된 기판 표면의 불순물 또는 오염물질 등을 제거하기 위한 식각후 세정이 실시된다(S11 단계). 식각후 세정에 사용되는 수용액은 수용성인 무기계 수용액을 사용하고, 미세 패턴들 사이에 세정액이 효과적으로 침투 및 습윤되도록 무기계 수용액에 유기 계면활성제를 첨가한다. 황산, 과산화수소, 암모니아 및 불산 등의 무기계 수용액에 첨가되는 계면활성제는 음이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 및 비이온 계면활성제 등이 사용될 수 있다. 특히, 양이온 계면활성제는 기포 발생이 적은 특징을 가지는데 양이온 계면활성제로는 CTAB, 폴리 옥시에틸렌알킬아민, 테트라알킬암모늄, 알킬암모늄플로라이드 및 옥틸암모늄클로라이드 등이 있다. 상기 계면활성제가 첨가되면 무기계 세정액의 침투성 및 습윤성이 증가하여 미세한 패턴과 패턴 사이의 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있으나, 실리콘질화막, 실리콘산화막, 폴리실리콘막 및 실리콘-게르마늄막의 표면에 계면활성제가 흡착되어 소수성 코팅막이 형성될 수 있다.
본 발명에서 탈이온수와 50%불산이 200:1로 혼합된 무기계 수용액에 양이온 계면활성제인 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide) 0.1% 첨가된 세정액에 1000Å의 실리콘 산화막이 형성된 시편을 약 1분간 처리하였을 때, 본래 친수성인 실리콘 산화막의 표면이 소수성으로 바뀐 것을 알 수 있었다.
유기 계면활성제가 함유된 무기계 세정액을 사용하여 기판을 세정한 후 유기 알코올을 사용하여 상기 기판을 린스한다(S12). 상기 유기 알코올은 다음 화학식 1 및 화학식 2의 구조를 가질 수 있다.
화학식 1에서, R1은 메틸, 에틸, 프로필 또는 이소프로필이다.
화학식 2에서, X는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸 또는 이소부틸이고,
Y는 -(CH2)2-, -(CH2)3-, -CH(CH3)CH2-, -(CH2)4-이고,
n은 1 내지 20 가운데 선택된 정수 이다.
상기 유기계 알코올 가운데 가급적 상온에서 액체로 존재하는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 상기 유기계 알코올 린스 단계를 알코올의 녹는점 이상 인화점 이하의 온도에서 실시할 수도 있다.
상기 유기 알코올을 사용한 린스를 실시한 후에, 다시 탈이온수를 사용하여 기판을 린스하고(S13), 기판을 건조한다(S14). 무기계 세정액에 유기계 계면활성제를 첨가하여 기판을 세정한 이후 탈이온수만으로 린스한 경우에는 기판의 표면에 소수성 코팅막이 잔존하여 탈이온수가 기판 표면에 고르게 펼쳐지지 않아서 건조 후 물반점이 나타났으나, 유기계 알코올을 사용한 1차 린스와, 탈이온수를 사용한 2차 린스를 순차적으로 실시함으로써 물반점 형성을 방지하였다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
화학적기계적 연마공정(CMP; Chemical Mechanical Polishing)은 기판의 표면을 평탄화하거나, 절연막이 노출될 때까지 금속막을 연마하여 금속 패턴을 형성하 는데 사용된다. CMP 공정에서 기판을 연마하는 슬러리에도 계면활성제가 함유될 수 있다. CMP공정이 완료된 기판은 건조되기 전에 탈이온수에 의해 잔류한 슬러리 및 연마부산물을 제거하는 버핑이 실시된다(S21). 상기 버핑에 의해 잔류된 슬러리 및 연마물을 1차적으로 제거하고, 기판 상의 오염물질을 제거하기 위하여 무기계 세정액을 사용하여 CMP후 세정(post CMP cleaning)이 실시된다(S22). CMP후 세정에서 하부의 금속막이 부식되는 것을 방지하기 위하여 무기계 세정액에 유기계 부식방지제가 함유된다. 상기 유기계 부식방지제로는 방향족 히드록시 화합물, 아세틸렌 알코올, 트리아졸 화합물 및 이소치아졸린이 있다. 세정액에 유기계 부식방지제를 함유함으로써 금속의 부식은 방지할 수 있지만, 금속 패턴을 절연시키는 실리콘산화막의 표면에 상기 유기계 부식방지제가 흡착되어 소수성의 코팅막이 형성된다.
CMP 세정이 완료된 기판은 스피너 또는 수조에 옮겨져 유기계 알코올을 사용하여 기판을 린스한다(S23).
상기 유기 알코올은 다음 화학식 3 및 화학식 4의 구조를 가질 수 있다.
화학식 3에서, R1은 메틸, 에틸, 프로필 또는 이소프로필이다.
화학식 4에서, X는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸 또는 이소 부틸이고,
Y는 -(CH2)2-, -(CH2)3-, -CH(CH3)CH2-, -(CH2)4-이고,
n은 1 내지 20 가운데 선택된 정수 이다.
상기 유기계 알코올 가운데 가급적 상온에서 액체로 존재하는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 상기 유기계 알코올 린스 단계를 알코올의 녹는점 이상 인화점 이하의 온도에서 실시할 수도 있다.
상기 유기 알코올을 사용한 린스를 실시한 후에, 다시 탈이온수를 사용하여 기판을 린스하고(S13), 기판을 건조한다(S14).
상술한 것과 같이 본 발명에 따르면, 기판 표면에 흡착되어 기판의 표면에 소수성 코팅막을 형성하는 유기계 첨가물이 함유된 무기계 세정액을 사용하여 기판을 세정한 이후에 유기계 알코올 린스와 탈이온수 린스를 순차적으로 기판에 처리함으로써 기판에 형성된 소수성 코팅막을 제거할 수 있다.
따라서, 무기계 세정액이 미세 패턴과 패턴 사이에 효과적으로 침투 및 습윤되도록 하기 위하여 유기 계면활성제를 무기계 세정액에 첨가하는 세정 공정과, 금속의 부식을 방지하기 위하여 유기계 부식방지제를 무기계 세정액에 첨가하는 세정 공정을 실시할 때 기판 표면에 형성된 소수성 코팅막을 제거하여 기판 표면에 잔류물이 남거나, 또는 물반점이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
Claims (11)
- 유기계 첨가물(organic additive)이 함유된 무기계 세정액(inorganic cleaning solution)을 사용하여 기판을 세정하는 단계;유기 알코올(organic alcohole)을 사용하여 기판을 린스하는 단계;및탈이온수(deionized water)를 사용하여 기판을 린스하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기계 첨가물의 함량은 0.1% 정도인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유기계 첨가물이 함유된 무기계 세정액은 유기 계면활성제가 함유된 수용성 반도체 세정액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 유기 계면활성제는 양이온 계면활성제인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 양이온 계면활성제는 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 반도체 세정액은 탈이온수와 50%HF 200:1 용액에 CTAB가 첨가된 세정액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판을 세정하는 단계는,CMP공정 후 유기계 부식방지제가 첨가된 무기계 세정액을 사용하여 기판을 세정하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 유기계 부식방지제는 방향족 히드록시 화합물, 아세틸렌 알코올, 트리아졸 화합물 및 이소치아졸린 가운데 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 알코올은 다음 화학식으로 표시되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.R1-OH상기 화학식에서 R1은 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 이소프로필기 가운데 선택된 하나를 표시한다.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 알코올은 다음 화학식으로 표시되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.XO-(Y-O)n-H상기 화학식에서 n은 1 내지 20에서 선택된 정수이고,X는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸 및 이소부틸 가운데 선택된 하나를 포함하고,Y는 -(CH2)2-, -(CH2)3-, -CH(CH3)CH2-, -(CH2)4- 가운데 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 알코올을 사용하여 세정하는 단계는,유기 알코올의 녹는점 이상 인화점 이하의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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|---|---|---|---|---|
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| US8153019B2 (en) * | 2007-08-06 | 2012-04-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices |
| JP5664653B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2015-02-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法 |
| WO2018136511A1 (en) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for removing ceria particles from a surface |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100207469B1 (ko) | 1996-03-07 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체기판의 세정액 및 이를 사용하는 세정방법 |
| JP2000208467A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液およびそれを用いた半導体基板の洗浄方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4004951A (en) * | 1975-07-03 | 1977-01-25 | Kaiser Aluminum & Chemical Corporation | Protective coating for aluminum products |
| JPS63283028A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-11-18 | Hashimoto Kasei Kogyo Kk | 微細加工表面処理剤 |
| US4906552A (en) * | 1988-02-22 | 1990-03-06 | Hughes Aircraft Company | Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography |
| TW263531B (ko) * | 1992-03-11 | 1995-11-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | |
| US6129091A (en) * | 1996-10-04 | 2000-10-10 | Taiwan Semiconductor Manfacturing Company | Method for cleaning silicon wafers with deep trenches |
| US6033993A (en) * | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
| US5977041A (en) * | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Olin Microelectronic Chemicals | Aqueous rinsing composition |
| JP3003684B1 (ja) * | 1998-09-07 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄液 |
| US6248704B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
| US7208049B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
| US20020121290A1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
| JP2001100436A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| JP2002075993A (ja) * | 2000-06-15 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6927176B2 (en) * | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| CN1218222C (zh) * | 2000-07-10 | 2005-09-07 | Ekc技术公司 | 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物 |
| US6350560B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-26 | Shipley Company, L.L.C. | Rinse composition |
| US6391794B1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-05-21 | Micron Technology, Inc. | Composition and method for cleaning residual debris from semiconductor surfaces |
| TW548736B (en) * | 2001-07-12 | 2003-08-21 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device fabricating method and treating liquid |
| US7468105B2 (en) * | 2001-10-16 | 2008-12-23 | Micron Technology, Inc. | CMP cleaning composition with microbial inhibitor |
| JP4221191B2 (ja) * | 2002-05-16 | 2009-02-12 | 関東化学株式会社 | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 |
| US20040258832A1 (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Barklund Anna M. | Method of chemical analysis using microwells patterned from self-assembled monolayers and substrates |
| KR100593668B1 (ko) * | 2004-01-20 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법 |
-
2004
- 2004-08-03 KR KR1020040061232A patent/KR100634401B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-07-29 US US11/193,088 patent/US20060027252A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100207469B1 (ko) | 1996-03-07 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체기판의 세정액 및 이를 사용하는 세정방법 |
| JP2000208467A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液およびそれを用いた半導体基板の洗浄方法 |
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