JPH06295898A - 有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留物と損傷酸化物を選択的に除去するための方法 - Google Patents

有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留物と損傷酸化物を選択的に除去するための方法

Info

Publication number
JPH06295898A
JPH06295898A JP6050027A JP5002794A JPH06295898A JP H06295898 A JPH06295898 A JP H06295898A JP 6050027 A JP6050027 A JP 6050027A JP 5002794 A JP5002794 A JP 5002794A JP H06295898 A JPH06295898 A JP H06295898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
residue
etching
oxide
oxides
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6050027A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2979284B2 (ja
Inventor
Bill Bowden
ビル・バウデン
Debbie Switalski
デビー・スウィタルスキイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Chemical Systems International Inc
Original Assignee
Advanced Chemical Systems International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Chemical Systems International Inc filed Critical Advanced Chemical Systems International Inc
Publication of JPH06295898A publication Critical patent/JPH06295898A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2979284B2 publication Critical patent/JP2979284B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理された半導体ウエーハから有機金属化合
物などの残留物を除去する。 【構成】 実質的にフッ化水素および水を含まない無水
フッ化アンモニウムと多価アルコールよりなる溶液にプ
ラズマエッチングされたシリコンウェーハを浸漬するこ
とによって、プラズマエッチングにおいて生成する酸化
された有機金属化合物の残留物、有機ケイ素化合物の残
留物、天然酸化物および損傷酸化物を選択的に除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には半導体ウェー
ハの処理において生成する有機金属化合物の残留物、有
機ケイ素化合物の残留物および損傷酸化物を除去するた
めの方法に関し、詳しくは多価アルコールに無水フッ化
アンモニウムを溶解した溶液を使用してこのような残留
物および損傷酸化物を選択的に除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ上のフィルムをパターン
化するためのエッチング工程にフッ化水素が広く使用さ
れてきた。フッ化水素は極めて速いエッチング速度を有
し、したがってフッ化水素の幾つかの代替物が開発され
てきた。キンズブロン等による米国特許第４，３４３，
６７７号はフィルムのパターン化を論じ、そして約１０
対１のモル比で緩衝されたフッ化アンモニウム／フッ化
水素酸をエチレングリコールなどの好適な溶媒と混合し
て使用するエッチング溶液を開示している。ガジュダに
よる米国特許第４，２３０，５２３号はグリセリンその
他の多価アルコールなどの有機溶媒に溶解されたフッ化
水素溶液よりなるエッチング剤を開示している。エッチ
ング剤はシリコンを侵さないで二酸化ケイ素をエッチン
グするために使用される。ガジュダはこの溶液は非結合
水とフッ化アンモニウムを含まないことを要求してい
る。マエダ等による米国特許第３，９７９，２４１号は
エチレングリコール、ポリエチレングリコールおよびグ
リセリンなどの多価アルコールに溶解されたフッ化アン
モニウムまたはフッ化アルカリを使用したエッチング溶
液を教示している。エッチング溶液は半導体ウェーハ上
の二酸化ケイ素または窒化ケイ素を選択的にエッチング
するために使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】処理された半導体ウェ
ーハから、金属および金属合金のプラズマエッチングに
よって生成する酸化された有機金属化合物の残留物を除
去するための、そしてプラズマエッチングされたケイ素
から酸化された有機ケイ素化合物の残留物を除去するた
めの方法を提供することが本発明の主要な目的である。
“バイア”から、すなわち多層チップパターンにおける
層を接続する経路から酸化された有機金属化合物および
有機ケイ素化合物の残留物を除去するための改良された
方法を提供することが本発明のもう一つの目的である。
本発明のさらに他の一つの目的は半導体基板のプラズマ
エッチングにおいて生成する天然酸化物（すなわち非炉
成長酸化物）および損傷酸化物（プラズマエッチングに
おいて生成する不純物または損傷のために結晶格子が均
一でない酸化物）を選択的に除去するための方法を提供
することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】要するに、本発明の好ま
しい実施態様はプラズマエッチングされたシリコンウェ
ーハを実質的にフッ化水素および水を含有しない無水フ
ッ化アンモニウムと多価アルコールよりなる溶液に浸漬
することによって、プラズマエッチングにおいて生成し
た酸化された有機金属化合物の残留物、有機ケイ素化合
物の残留物、天然酸化物および損傷酸化物を選択的に除
去する方法である。
【０００５】
【実施例】本発明はプラズマエッチングにおいて生成さ
れる有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留物を
除去するための方法、および半導体処理において利用す
るために天然酸化物を除去するための方法を提供する。
ホトレジストを使用してパターン化されたシリコンウェ
ーハのプラズマエッチングは有機金属化合物および有機
ケイ素化合物の残留物と損傷酸化物を生成させる可能性
がある。酸化された有機金属化合物および有機ケイ素化
合物の残留物と損傷酸化物がプラズマエッチング後の半
導体基板のバイアと平面部分に見出される。これらの残
留物および損傷酸化物は、半導体表面の望ましい特徴を
劣化させ装置の寿命を短くするので好ましくない。した
がって、これらの残留物および酸化物を除去することが
好ましい。本発明は制御されたエッチング方法によって
好ましくない残留物および酸化物を除去するための改良
された方法を提供する。
【０００６】エッチング工程は無水フッ化アンモニウム
を多価アルコール、好ましくはエチレングリコールまた
はグリセロールに溶解した溶液を使用することによって
制御される。溶液はできるだけ水を含有していないこと
が好ましい。エッチング工程の機構はフッ化アンモニウ
ムが少量だけフッ化水素とアンモニアに解離することを
含んでいると考えられる。
【０００７】
【化１】 この解離の平衡定数は左側に強く助長される。非常に少
量のフッ化水素が溶液中に存在している。フッ化水素は
全く添加されておらず存在している量はフッ化アンモニ
ウムの解離によるものである。水が存在しないとＨ3 Ｏ
＋の生成が妨げられフッ化アンモニウム／エチレングリ
コール溶液のｐＨは実質的に中性である。生成したフッ
化水素は（水が存在しないために）標準ＨＦ系における
ように酸性度を増大させる実質的なイオン化反応が起こ
らない。好ましい実施態様においては、フッ化アンモニ
ウムと多価アルコールよりなる溶液は０．５％以下の水
しか含んでいない。エッチング速度はこの溶液中では水
を含む溶媒系におけるより小さく、エッチングは選択的
で、より制御して行うことができる。
【０００８】ここに記述されている方法に使用される組
成物はエチレングリコール、グリセロール、プロピレン
グリコール、ポリエチレングリコール、ポリメチレング
リコールなどの多価アルコールに溶解された無水フッ化
アンモニウムよりなることが好ましい。さらに、界面活
性剤の使用は溶媒系による半導体表面の湿潤を増大させ
ることによって残留酸化物の除去を助長する。好ましい
実施態様における界面活性剤は非イオン界面活性剤であ
ったが、他の界面活性剤も好適であろう。
【０００９】無水フッ化アンモニウムは使用される多価
アルコールに溶解される。好ましい実施態様において
は、４重量％の無水フッ化アンモニウムがエチレングリ
コールに溶解される。少量のフッ化アンモニウムはエッ
チング速度を小さくし、比較的多い量が使用されるが、
使用される多価アルコールへのフッ化アンモニウムの溶
解度によって制約される。そうでなければ、無水フッ化
水素アンモニウムＮＨ4ＨＦ2 が使用される。酸性フッ
化アンモニウムはエッチング速度をより大きくする。
【００１０】この溶液は前駆物質であるフッ化アンモニ
ウムからのフッ化水素の制御された遊離を行わせる。制
御された遊離は現存する熱領域酸化物（すなわち炉成長
二酸化ケイ素）を分離しないでプラズマエッチング工程
で生成する損傷酸化物または堆積酸化物を選択的にエッ
チングすることを可能にする。このことは熱領域酸化物
は均一であってプラズマエッチングされた酸化物（酸化
された有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留
物）あるいは損傷酸化ケイ素よりも高い密度と小さい表
面積を有するためである。同様に熱領域酸化物を分離し
ないで天然酸化物（炉成長領域酸化物よりも低い密度を
有する非炉成長酸化物）が選択的にエッチングされる。
【００１１】無水フッ化アンモニウム／多価アルコール
溶液は非熱酸化物を選択的にエッチングするので、プラ
ズマエッチング中にこのような酸化物によって被覆され
たホトレジストの領域は露出される。ホトレジスト・ス
トリッパーが使用されると残留したホトレジストをより
良く除去することができる。
【００１２】第１図を参照すると、プラズマエッチング
中に生成した酸化物（たとえば酸化された有機金属化合
物や有機ケイ素化合物）および熱領域二酸化ケイ素など
の低温度酸化物（ＬＴＯ）のエッチング速度の差異が示
されている。使用された溶液はエチレングリコール中に
４重量％の無水フッ化アンモニウムを溶解したものであ
る。グラフから明らかなように、低温度酸化物はそのエ
ッチング速度が大きいために選択的に除去することがで
きる。特別に重要なことは低温度（１５℃〜３０℃）に
おけるエッチング速度の顕著な差異である。
【００１３】第２図を参照すると、温度によるエッチン
グ速度の差異のもう一つの例が図示されている。エッチ
ング溶液はエチレングリコールに４重量％のフッ化アン
モニウムを溶解したものである。やはり熱酸化物（二酸
化ケイ素）のエッチング速度はテトラエチルオルトシリ
ケート（ＴＥＯＳ）およびホウ素リンケイ素ガラス（Ｂ
ＰＳＧ）のエッチング速度よりも小さい。
【００１４】溶媒系における水の含有量を減少させるこ
との重要性は第３図に示されているが、この図は熱二酸
化ケイ素のエッチング速度は水含有量とともに顕著に増
大することを示している。この実例はエチレングリコー
ル中に４重量％のフッ化アンモニウムを溶解したものに
も当てはまる。
【００１５】第５図を参照すると、エッチング工程の単
純な図面が示されている。第５（ａ）図においてはシリ
コンウェーハ１０の表面に二酸化ケイ素層１２が置かれ
ている。二酸化ケイ素層１２の上にはアルミニウム層１
４があり、その上にパターン化されたホトレジスト１６
がある。そしてアルミニウム層１４はプラズマ・エッチ
ング工程においてエッチングされ、パターン化されたホ
トレジスト１６上にアルミニウムをある程度バックスパ
ッタリングさせる。パターン化されたホトレジストに有
機アルミニウム化合物が被覆され、この化合物は取除く
ことが困難でありホトレジスト・ストリッパーによるホ
トレジストの完全な除去も妨げる。
【００１６】第５（ｂ）図はアルミニウム１４のプラズ
マエッチング後のホトレジスト１６上の有機アルミニウ
ム化合物１８を示している。ここに開示されている方法
を利用して、有機アルミニウム化合物が除去されて、こ
のことによって清浄なホトレジスト層が露出し、この層
はホトレジスト・ストリッパーによって除去することが
できる。
【００１７】第５（ｃ）図は有機アルミニウム化合物を
除去しないと、酸化された有機アルミニウム化合物１８
（“側壁重合体”）は残留物として残ることを示してい
る。この図はアルミニウムのプラズマエッチングを例示
しているが、プラズマエッチング、ポリシリコンエッチ
ングおよび経路（バイア）エッチングのいずれにおいて
も同様の工程と残留物が含まれる。
【００１８】本発明の方法を利用したウェーハ処理の代
表的な実例は以下の通りである。ホトレジストパターン
化された半導体ウェーハがプラズマエッチングされる。
次にウェーハはエチレングリコールに４重量％の無水フ
ッ化アンモニウムを溶解したエッチング溶液に２２℃に
おいて約２０分間浸漬される。浸漬後にウェーハは脱イ
オン水によって洗浄されて遠心脱水される。それからウ
ェーハ上のホトレジストは適当なストリッパーによって
除去される。そしてウェーハは脱イオン水によって洗浄
されて遠心脱水される。
【００１９】以上のように本発明は特定の実施態様に関
して記述されてきたが、本発明の変形および変更態様は
この技術分野の熟練者にとっては自明のことであると予
期される。したがって、特許請求の範囲はこのような変
形および変更態様をすべて本発明の真の精神および範囲
内に入るものとして包括するものと解釈すべきであると
考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】温度に対する酸化物のエッチング速度を示すグ
ラフである。
【図２】温度に対する酸化物のエッチング速度を示すグ
ラフである。
【図３】エッチング溶液の水含有量の相違によるエッチ
ング速度の変動を示すグラフである。
【図４】溶液を収容する浴寿命にわたって様々の種類の
酸化物のエッチング速度を示すグラフである。
【図５】本発明によるエッチング工程の略図と、プラズ
マエッチングにおいて生成する有機金属化合物残留物が
不適切に除去されると残存する残留物の種類の略図であ
る。
【符号の説明】
１０ シリコンウエーハ １２ 二酸化ケイ素層 １４ アルミニウム層 １６ ホトレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デビー・スウィタルスキイ アメリカ合衆国 95035 カリフォルニア 州・ミルピタス・オールダ ドライブ・ 510

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板を処理するに際して生成す
    る、有機金属化合物の残留物、有機ケイ素化合物の残留
    物、天然酸化物および損傷酸化物を半導体基板から選択
    的に除去するための方法において、前記半導体基板をこ
    の基板から前記有機金属化合物の残留物、有機ケイ素化
    合物の残留物、天然酸化物および損傷酸化物を除去する
    のに十分な時間だけエッチング溶液に接触させる工程を
    含み、 （ａ）前記エッチング溶液は多価アルコールに溶解され
    た無水フッ化アンモニウム塩、無水フッ化水素アンモニ
    ウム塩およびこれらの混合物よりなる群から選ばれた無
    水フッ化アンモニウム塩よりなり、 （ｂ）前記エッチング溶液は約４重量％以下の水を含有
    し、フッ化水素を添加されていないことを特徴とする残
    留物を選択的に除去する方法。
JP6050027A 1993-02-24 1994-02-24 有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留物と損傷酸化物を選択的に除去するための方法 Expired - Fee Related JP2979284B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/021,799 US5320709A (en) 1993-02-24 1993-02-24 Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
US021,799 1993-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06295898A true JPH06295898A (ja) 1994-10-21
JP2979284B2 JP2979284B2 (ja) 1999-11-15

Family

ID=21806221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6050027A Expired - Fee Related JP2979284B2 (ja) 1993-02-24 1994-02-24 有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留物と損傷酸化物を選択的に除去するための方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5320709A (ja)
JP (1) JP2979284B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332526A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Daikin Ind Ltd メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物
WO2005091347A1 (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Daikin Industries, Ltd. SiN膜の選択エッチング液及びエッチング方法

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130702A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Fujitsu Ltd 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法
US5476816A (en) * 1994-03-28 1995-12-19 Motorola, Inc. Process for etching an insulating layer after a metal etching step
US5571447A (en) * 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US5695661A (en) * 1995-06-07 1997-12-09 Micron Display Technology, Inc. Silicon dioxide etch process which protects metal
WO1997002958A1 (en) * 1995-07-10 1997-01-30 Advanced Chemical Systems International Organic amine/hydrogen fluoride etchant composition and method
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5603849A (en) * 1995-11-15 1997-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and compositions for cleaning silicon wafers with a dynamic two phase liquid system with hydrofluoric acid
JP3333684B2 (ja) * 1996-03-15 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 研磨処理方法
JP3755776B2 (ja) * 1996-07-11 2006-03-15 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法
US6030932A (en) * 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
US5770523A (en) * 1996-09-09 1998-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for removal of photoresist residue after dry metal etch
US5709756A (en) * 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US5968848A (en) * 1996-12-27 1999-10-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6224785B1 (en) 1997-08-29 2001-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5882425A (en) * 1997-01-23 1999-03-16 Semitool, Inc. Composition and method for passivation of a metallization layer of a semiconductor circuit after metallization etching
TW434196B (en) * 1997-06-25 2001-05-16 Ibm Selective etching of silicate
US6012469A (en) 1997-09-17 2000-01-11 Micron Technology, Inc. Etch residue clean
JP2001527286A (ja) * 1997-12-19 2001-12-25 アドバンスド・ケミカル・システムズ・インターナショナル・インコーポレーテッド フッ化物塩、キレート剤、およびグリコール溶媒を含む、選択的酸化シリコンエッチング剤調合物
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6117796A (en) * 1998-08-13 2000-09-12 International Business Machines Corporation Removal of silicon oxide
US5939336A (en) * 1998-08-21 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Aqueous solutions of ammonium fluoride in propylene glycol and their use in the removal of etch residues from silicon substrates
JP3903215B2 (ja) * 1998-11-24 2007-04-11 ダイキン工業株式会社 エッチング液
US6828289B2 (en) 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
US8153095B2 (en) * 1999-03-29 2012-04-10 Honeywell International Inc. Method for producing highly pure solutions using gaseous hydrogen fluoride
DE19914243A1 (de) * 1999-03-29 2000-10-05 Riedel De Haen Gmbh Verfahren zur Herstellung hochreiner Lösungen unter Verwendung von gasförmigem Fluorwasserstoff
US6248704B1 (en) 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6090766A (en) * 1999-10-12 2000-07-18 Brink; Douglas F. Stone cleaning agent and preparation thereof
DE60108286T2 (de) 2000-03-27 2005-12-29 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Entfernungsmittel für Polymer
JP3662484B2 (ja) * 2000-08-09 2005-06-22 エム・エフエスアイ株式会社 ウェット処理方法及びウェット処理装置
JP2002303993A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
TW480619B (en) * 2001-04-17 2002-03-21 United Microelectronics Corp Cleaning method for dual damascene manufacture process
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
MY131912A (en) * 2001-07-09 2007-09-28 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
US6829092B2 (en) * 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6839479B2 (en) * 2002-05-29 2005-01-04 Silicon Light Machines Corporation Optical switch
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US7393819B2 (en) * 2002-07-08 2008-07-01 Mallinckrodt Baker, Inc. Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
US6677286B1 (en) 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US6967718B1 (en) 2003-02-28 2005-11-22 Silicon Light Machines Corportion Method and apparatus for monitoring WDM channels and for analyzing dispersed spectrum of light
US7046420B1 (en) 2003-02-28 2006-05-16 Silicon Light Machines Corporation MEM micro-structures and methods of making the same
KR101117939B1 (ko) * 2003-10-28 2012-02-29 사켐,인코포레이티드 세척액 및 에칭제 및 이의 사용 방법
KR100589490B1 (ko) * 2003-12-30 2006-06-14 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US8119537B2 (en) * 2004-09-02 2012-02-21 Micron Technology, Inc. Selective etching of oxides to metal nitrides and metal oxides
US7682458B2 (en) * 2005-02-03 2010-03-23 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous based residue removers comprising fluoride
US7888302B2 (en) * 2005-02-03 2011-02-15 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous based residue removers comprising fluoride
EP1701218A3 (en) * 2005-03-11 2008-10-15 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Polymer remover
CN102981377B (zh) 2005-06-07 2014-11-12 高级技术材料公司 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物
US20090212021A1 (en) * 2005-06-13 2009-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation
TWI339780B (en) * 2005-07-28 2011-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
CN101496146A (zh) * 2005-10-05 2009-07-29 高级技术材料公司 选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法
AU2006340825A1 (en) 2005-11-09 2007-10-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
US7943562B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor substrate cleaning methods, and methods of manufacture using same
KR101449774B1 (ko) * 2006-12-21 2014-10-14 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭 후 잔류물의 제거를 위한 액체 세정제
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
CN102007196B (zh) * 2008-03-07 2014-10-29 高级技术材料公司 非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法
US20090253268A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Honeywell International, Inc. Post-contact opening etchants for post-contact etch cleans and methods for fabricating the same
KR20100052638A (ko) * 2008-11-11 2010-05-20 주식회사 동부하이텍 이미지 센서의 제조 방법
CN103003923A (zh) 2010-07-16 2013-03-27 高级技术材料公司 用于移除蚀刻后残余物的水性清洁剂
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
WO2012048079A2 (en) 2010-10-06 2012-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for selectively etching metal nitrides
WO2012051380A2 (en) 2010-10-13 2012-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
SG11201403556WA (en) 2011-12-28 2014-07-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10176979B2 (en) 2012-02-15 2019-01-08 Entegris, Inc. Post-CMP removal using compositions and method of use
SG11201407650VA (en) 2012-05-18 2014-12-30 Entegris Inc Composition and process for stripping photoresist from a surface including titanium nitride
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
US9102901B2 (en) * 2012-12-20 2015-08-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods and compositions for removal of metal hardmasks
US10472567B2 (en) 2013-03-04 2019-11-12 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
JP6723152B2 (ja) 2013-06-06 2020-07-15 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
KR102338526B1 (ko) 2013-07-31 2021-12-14 엔테그리스, 아이엔씨. Cu/W 호환성을 갖는, 금속 하드 마스크 및 에칭-후 잔여물을 제거하기 위한 수성 제형
CN105492576B (zh) 2013-08-30 2019-01-04 恩特格里斯公司 选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法
US10340150B2 (en) 2013-12-16 2019-07-02 Entegris, Inc. Ni:NiGe:Ge selective etch formulations and method of using same
US20160322232A1 (en) 2013-12-20 2016-11-03 Entegris, Inc. Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
KR102290209B1 (ko) 2013-12-31 2021-08-20 엔테그리스, 아이엔씨. 규소 및 게르마늄을 선택적으로 에칭하기 위한 배합물
US20160340620A1 (en) 2014-01-29 2016-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
CN109153914A (zh) * 2015-10-02 2019-01-04 安万托特性材料公司 具有优异基材相容性和优越镀液稳定性的酸性半水性氟化物活化的抗反射涂层清洁剂

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4941716A (ja) * 1972-08-25 1974-04-19
JPH01243528A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Toshiba Corp 表面処理方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979241A (en) * 1968-12-28 1976-09-07 Fujitsu Ltd. Method of etching films of silicon nitride and silicon dioxide
FR2288392A1 (fr) * 1974-10-18 1976-05-14 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs
JPS5370688A (en) * 1976-12-06 1978-06-23 Toshiba Corp Production of semoconductor device
US4269654A (en) * 1977-11-18 1981-05-26 Rca Corporation Silicon nitride and silicon oxide etchant
US4230523A (en) * 1978-12-29 1980-10-28 International Business Machines Corporation Etchant for silicon dioxide films disposed atop silicon or metallic silicides
US4343677A (en) * 1981-03-23 1982-08-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for patterning films using reactive ion etching thereof
US4432132A (en) * 1981-12-07 1984-02-21 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Formation of sidewall oxide layers by reactive oxygen ion etching to define submicron features
US4372807A (en) * 1982-03-25 1983-02-08 Rca Corporation Plasma etching of aluminum
US4471524A (en) * 1982-06-01 1984-09-18 At&T Bell Laboratories Method for manufacturing an insulated gate field effect transistor device
KR890003903B1 (ko) * 1983-06-29 1989-10-10 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 패턴 형성 방법
JPS6039176A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Daikin Ind Ltd エッチング剤組成物
US4620934A (en) * 1984-04-26 1986-11-04 Allied Corporation Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4
US4517106A (en) * 1984-04-26 1985-05-14 Allied Corporation Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions
US4532005A (en) * 1984-05-21 1985-07-30 At&T Bell Laboratories Device lithography using multi-level resist systems
JPH0375386A (ja) * 1989-08-18 1991-03-29 Metsuku Kk 錫又は錫‐鉛合金の剥離方法
US5219791A (en) * 1991-06-07 1993-06-15 Intel Corporation TEOS intermetal dielectric preclean for VIA formation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4941716A (ja) * 1972-08-25 1974-04-19
JPH01243528A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Toshiba Corp 表面処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332526A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Daikin Ind Ltd メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物
WO2005091347A1 (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Daikin Industries, Ltd. SiN膜の選択エッチング液及びエッチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2979284B2 (ja) 1999-11-15
US5320709A (en) 1994-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2979284B2 (ja) 有機金属化合物および有機ケイ素化合物の残留物と損傷酸化物を選択的に除去するための方法
US6783695B1 (en) Acid blend for removing etch residue
US6453914B2 (en) Acid blend for removing etch residue
KR100368193B1 (ko) 수성 세정 조성물
JP2787788B2 (ja) 残留物除去方法
US6121217A (en) Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process
US20020119245A1 (en) Method for etching electronic components containing tantalum
TW200902705A (en) Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution
US5882425A (en) Composition and method for passivation of a metallization layer of a semiconductor circuit after metallization etching
US5607543A (en) Integrated circuit etching
US6838391B2 (en) Method of semiconductor processing including fluoride
US4256520A (en) Etching of gallium stains in liquid phase epitoxy
WO1997002958A1 (en) Organic amine/hydrogen fluoride etchant composition and method
JP2001520267A (ja) 半導体基板からの残留物をストリッピングするためのホウ酸アンモニウム含有組成物
US6287983B2 (en) Selective nitride etching with silicate ion pre-loading
JP4758187B2 (ja) フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液
KR100634401B1 (ko) 반도체 제조공정의 기판 처리 방법
JP2003500537A (ja) 銅含有表面を有する電子部品を湿式処理する方法
KR100207522B1 (ko) 반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법
JPH06168917A (ja) レジスト除去方法
KR20010012144A (ko) 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 방법
KR100876782B1 (ko) 반도체소자 제조방법
JPH0670994B2 (ja) 半導体基板のエッチング方法
JPH02222145A (ja) 半導体装置の洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120917

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees