JPH07130702A - 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法 - Google Patents
白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニ
ング方法に関し、その金属膜のパターニングの際に生じ
る再付着物による汚染を防止すること。 【構成】白金又はパラジウムよりなる金属膜13を形成す
る工程と、前記金属膜13の上にマスク14を形成し、塩素
含有ガス又は臭素含有ガスのいずれかとアルゴンガスと
を用いるドライエッチングにより、該マスク14に覆われ
ない領域の前記金属膜13を除去する工程と、前記金属膜
13の上に付着した塩化物又は臭化物を有機溶剤により除
去する工程を含む。
ング方法に関し、その金属膜のパターニングの際に生じ
る再付着物による汚染を防止すること。 【構成】白金又はパラジウムよりなる金属膜13を形成す
る工程と、前記金属膜13の上にマスク14を形成し、塩素
含有ガス又は臭素含有ガスのいずれかとアルゴンガスと
を用いるドライエッチングにより、該マスク14に覆われ
ない領域の前記金属膜13を除去する工程と、前記金属膜
13の上に付着した塩化物又は臭化物を有機溶剤により除
去する工程を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、白金又はパラジウムよ
りなる金属膜のパターニング方法に関する。
りなる金属膜のパターニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】SrTiO3、Pb(Zr,Ti)O3 などの酸化物誘電
体は、メモリー等のエレクトロニクス分野で応用が期待
されている。ところで、酸化物誘電体を例えばキャパシ
タの誘電体層として使用する場合に、誘電体層を挟む電
極としては白金（Pt）又はパラジウム（Pd) が用いられ
る。
体は、メモリー等のエレクトロニクス分野で応用が期待
されている。ところで、酸化物誘電体を例えばキャパシ
タの誘電体層として使用する場合に、誘電体層を挟む電
極としては白金（Pt）又はパラジウム（Pd) が用いられ
る。
【０００３】ところで、Pt膜又はPd膜を用いてデバイス
の電極を形成する場合には、それらの膜をパターニング
する必要があり、そのパターニングは例えば図５に示す
ような工程に沿ってなされる。まず、図５(a) に示すよ
うに、基板１に堆積されたPt膜２の上にフォトレジスト
３を塗布した後に、フォトレジスト３を露光、現像して
レジストパターンを形成する。そして、図５(b),(c) に
示すように、フォトレジスト３に覆われていない領域の
Pt膜２をアルゴンスパッタエッチングにより除去する。
ここでスパッタエッチングを用いているのは、その他の
ドライエッチング法によって蒸気圧のあるPtやPdの反応
生成物を生成させる反応ガスが無いからである。
の電極を形成する場合には、それらの膜をパターニング
する必要があり、そのパターニングは例えば図５に示す
ような工程に沿ってなされる。まず、図５(a) に示すよ
うに、基板１に堆積されたPt膜２の上にフォトレジスト
３を塗布した後に、フォトレジスト３を露光、現像して
レジストパターンを形成する。そして、図５(b),(c) に
示すように、フォトレジスト３に覆われていない領域の
Pt膜２をアルゴンスパッタエッチングにより除去する。
ここでスパッタエッチングを用いているのは、その他の
ドライエッチング法によって蒸気圧のあるPtやPdの反応
生成物を生成させる反応ガスが無いからである。
【０００４】以上の工程の後に、図５(d) に示すよう
に、溶剤によりフォトレジスト３を除去して、Pt膜２の
パターニングを終える。なお、Pd膜をパターニングする
場合にも同様な工程が採用されている。
に、溶剤によりフォトレジスト３を除去して、Pt膜２の
パターニングを終える。なお、Pd膜をパターニングする
場合にも同様な工程が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、アルゴンス
パッタエッチングによれば、Pt膜、Pd膜をエッチングす
る際にそれらの金属を物理的に削り取るだけであって、
その金属を化学反応させてその反応物を昇華させるので
はない。このため、スパッタにより飛び出した金属は、
レジストパターンの側壁に付着することになる。
パッタエッチングによれば、Pt膜、Pd膜をエッチングす
る際にそれらの金属を物理的に削り取るだけであって、
その金属を化学反応させてその反応物を昇華させるので
はない。このため、スパッタにより飛び出した金属は、
レジストパターンの側壁に付着することになる。
【０００６】そして、レジストパターンを除去した後
に、パターニング済みのPt膜又はPd膜の表面をＳＥＭに
より観察すると、図５(d) に示すようにエッチングされ
た領域の縁部に沿った領域に幅の狭い金属が再付着して
いることがわかる。これをこのまま放置すると再付着し
たPt又はPdが、その後の工程において飛散してデバイス
を汚染するといった問題がある。
に、パターニング済みのPt膜又はPd膜の表面をＳＥＭに
より観察すると、図５(d) に示すようにエッチングされ
た領域の縁部に沿った領域に幅の狭い金属が再付着して
いることがわかる。これをこのまま放置すると再付着し
たPt又はPdが、その後の工程において飛散してデバイス
を汚染するといった問題がある。
【０００７】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、パターニングの際に生じる再付着物によ
る汚染を防止できる白金又はパラジウムのパターニング
方法を提供することを目的とする。
ものであって、パターニングの際に生じる再付着物によ
る汚染を防止できる白金又はパラジウムのパターニング
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１、
２に例示するように、白金又はパラジウムよりなる金属
膜13，23を形成する工程と、前記金属膜13，23の上にマ
スク14，24を形成し、塩素含有ガス又は臭素含有ガスの
いずれかとアルゴンガスとを用いるドライエッチングに
よって該マスク14，24に覆われない領域の前記金属膜1
3，23を除去する工程と、前記金属膜13，23の上に付着
した塩化物又は臭化物を有機溶剤により除去する工程と
を有することを特徴とする白金又はパラジウムよりなる
金属膜のパターニング方法により達成する。
２に例示するように、白金又はパラジウムよりなる金属
膜13，23を形成する工程と、前記金属膜13，23の上にマ
スク14，24を形成し、塩素含有ガス又は臭素含有ガスの
いずれかとアルゴンガスとを用いるドライエッチングに
よって該マスク14，24に覆われない領域の前記金属膜1
3，23を除去する工程と、前記金属膜13，23の上に付着
した塩化物又は臭化物を有機溶剤により除去する工程と
を有することを特徴とする白金又はパラジウムよりなる
金属膜のパターニング方法により達成する。
【０００９】または、前記マスク14，24はフォトレジス
トであって、前記塩化物又は前記臭化物とともに前記有
機溶剤により除去されることを特徴とする白金又はパラ
ジウムよりなる金属膜のパターニング方法によって達成
する。または、前記有機溶剤はアセトン、エチルアルコ
ール又はエチルエーテルであることを特徴とする請求項
１記載の白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニ
ング方法によって達成する。
トであって、前記塩化物又は前記臭化物とともに前記有
機溶剤により除去されることを特徴とする白金又はパラ
ジウムよりなる金属膜のパターニング方法によって達成
する。または、前記有機溶剤はアセトン、エチルアルコ
ール又はエチルエーテルであることを特徴とする請求項
１記載の白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニ
ング方法によって達成する。
【００１０】または、前記塩素含有ガスは塩素ガス、四
塩化炭素又は三塩化ホウ素であり、前記臭素含有ガスは
臭化水素であることを特徴とする白金又はパラジウムよ
りなる金属膜のパターニング方法によって達成する。
塩化炭素又は三塩化ホウ素であり、前記臭素含有ガスは
臭化水素であることを特徴とする白金又はパラジウムよ
りなる金属膜のパターニング方法によって達成する。
【００１１】
【作 用】本発明によれば、白金膜やパラジウム膜をパ
ターニングする際に、エッチング用のアルゴンガスの他
に塩素又は臭素を含むガスを使用するようにしている。
したがって、エッチングの後には白金膜の上には塩素と
白金の化合物、又は臭素と白金の化合物が形成され、ま
た、パラジウム膜の上に塩素とパラジウムの化合物、又
は臭素とパラジウムの化合物が形成される。
ターニングする際に、エッチング用のアルゴンガスの他
に塩素又は臭素を含むガスを使用するようにしている。
したがって、エッチングの後には白金膜の上には塩素と
白金の化合物、又は臭素と白金の化合物が形成され、ま
た、パラジウム膜の上に塩素とパラジウムの化合物、又
は臭素とパラジウムの化合物が形成される。
【００１２】これらの塩化物又は臭化物は、アセトン、
エチルアルコール又はエチルエーテルなどの有機溶剤に
より容易に除去されるので、白金やパラジウムによる再
付着物が汚染源となることはない。しかも、フォトレジ
ストをマスクに使用する場合には、そのフォトレジスト
は塩化物又は臭化物とともに有機溶剤により同時に除去
されるので、再付着物除去工程が不要となり、スループ
ットが向上する。
エチルアルコール又はエチルエーテルなどの有機溶剤に
より容易に除去されるので、白金やパラジウムによる再
付着物が汚染源となることはない。しかも、フォトレジ
ストをマスクに使用する場合には、そのフォトレジスト
は塩化物又は臭化物とともに有機溶剤により同時に除去
されるので、再付着物除去工程が不要となり、スループ
ットが向上する。
【００１３】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１は、本発明の第１実施例のパターン方法を示す断面
図である。まず、図１(a) に示すように、シリコン（１
００）基板１１表面のシリコン酸化膜（SiO2膜）１２の
上に、スパッタ法によりPt膜１３を１０００Åの厚さに
形成する。
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１は、本発明の第１実施例のパターン方法を示す断面
図である。まず、図１(a) に示すように、シリコン（１
００）基板１１表面のシリコン酸化膜（SiO2膜）１２の
上に、スパッタ法によりPt膜１３を１０００Åの厚さに
形成する。
【００１４】その成長の際には、白金のターゲットを用
い、基板を３００℃で加熱し、成長雰囲気を５mTorr に
減圧し、成長雰囲気にアルゴン（Ar）ガスを導入する。
続いて、Pt膜３の表面にフォトレジスト１４を１μｍの
厚さに塗布し、これを図示しないフォトマスクと低圧水
銀ランプを用いて露光し、ついで、これを現像してレジ
ストパターンを形成する。
い、基板を３００℃で加熱し、成長雰囲気を５mTorr に
減圧し、成長雰囲気にアルゴン（Ar）ガスを導入する。
続いて、Pt膜３の表面にフォトレジスト１４を１μｍの
厚さに塗布し、これを図示しないフォトマスクと低圧水
銀ランプを用いて露光し、ついで、これを現像してレジ
ストパターンを形成する。
【００１５】この後に、図１(b),(c) に示すように、パ
ターニングされたフォトレジスト１４をマスクに使用し
てそのフォトレジスト１４に覆われない領域のPt膜１３
をスパッタエッチングする。フォトレジスト１４とし
て、例えば有機系の材料を使用する。スパッタエッチン
グの際には、スパッタエッチング装置のベルジャー内で
対向する一対の電極の一方に基板１１を置き、そのエッ
チング雰囲気のガス圧を６mTorr まで下げ、電極間の投
入電力を２００Ｗに設定し、また、Arガスと塩素（Cl 2)
ガスをそれぞれ５０SCCM、４０SCCMずつエッチング雰囲
気に導入してなされる。これにより、Pt膜１３の１００
Å/minのエッチング速度が得られる。
ターニングされたフォトレジスト１４をマスクに使用し
てそのフォトレジスト１４に覆われない領域のPt膜１３
をスパッタエッチングする。フォトレジスト１４とし
て、例えば有機系の材料を使用する。スパッタエッチン
グの際には、スパッタエッチング装置のベルジャー内で
対向する一対の電極の一方に基板１１を置き、そのエッ
チング雰囲気のガス圧を６mTorr まで下げ、電極間の投
入電力を２００Ｗに設定し、また、Arガスと塩素（Cl 2)
ガスをそれぞれ５０SCCM、４０SCCMずつエッチング雰囲
気に導入してなされる。これにより、Pt膜１３の１００
Å/minのエッチング速度が得られる。
【００１６】そのエッチングは、イオン化したArがPt膜
１３に衝突し、Ptの原子、分子を飛び出させることによ
って行われる。このとき、雰囲気中に飛び出したPtと塩
素が結合してPtCl4 が生成され、これがフォトレジスト
４の側壁とPt膜１３の上に堆積する。これにより、その
側壁には塀状のPtCl4 層１５が形成される。次に、図１
(d) に示すように、アセトン（CH3COCH3) を使用してPt
膜１３の表面を洗浄するとともにフォトレジスト１４を
剥離する。このとき、フォトレジスト１４の側壁のPtCl
4 層１５はアセトン等の有機溶剤に溶けるので、フォト
レジスト１４とともにPt膜３の上から除去される。
１３に衝突し、Ptの原子、分子を飛び出させることによ
って行われる。このとき、雰囲気中に飛び出したPtと塩
素が結合してPtCl4 が生成され、これがフォトレジスト
４の側壁とPt膜１３の上に堆積する。これにより、その
側壁には塀状のPtCl4 層１５が形成される。次に、図１
(d) に示すように、アセトン（CH3COCH3) を使用してPt
膜１３の表面を洗浄するとともにフォトレジスト１４を
剥離する。このとき、フォトレジスト１４の側壁のPtCl
4 層１５はアセトン等の有機溶剤に溶けるので、フォト
レジスト１４とともにPt膜３の上から除去される。
【００１７】これにより、Pt膜１３のパターニング工程
において、フォトレジスト１４を除去した直後の状態で
は、Pt膜１３の上には再付着した金属が残らなくなる。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 図２は、本発明の第２実施例のパターン方法を示す断面
図である。まず、図２(a) に示すように、シリコン（１
００）基板２１表面のSiO2膜２２の上に、スパッタ法に
よりPd膜２３を１０００Åの厚さに形成する。その成長
の際には、パラジウムターゲットを用い、基板温度を３
００℃に設定して、成長雰囲気を５mTorr に減圧し、成
長雰囲気にArガスを導入する。
において、フォトレジスト１４を除去した直後の状態で
は、Pt膜１３の上には再付着した金属が残らなくなる。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 図２は、本発明の第２実施例のパターン方法を示す断面
図である。まず、図２(a) に示すように、シリコン（１
００）基板２１表面のSiO2膜２２の上に、スパッタ法に
よりPd膜２３を１０００Åの厚さに形成する。その成長
の際には、パラジウムターゲットを用い、基板温度を３
００℃に設定して、成長雰囲気を５mTorr に減圧し、成
長雰囲気にArガスを導入する。
【００１８】次に、Pd膜２３の表面にフォトレジスト２
４を１μｍの厚さに塗布し、これを図示しないフォトマ
スクと低圧水銀ランプを使用して露光し、ついで、これ
を現像してレジストパターンを形成する。この後に、図
２(b),(c) に示すように、フォトレジスト２４をマスク
に使用し、フォトレジスト２４に覆われない領域のPd膜
２３をスパッタエッチングする。そのエッチング条件と
して、エッチング雰囲気のガス圧を７mTorr 、電極間の
投入電力を３００Ｗに設定し、また、Arガスと塩素（Cl
2)ガスをそれぞれ５０SCCM、５０SCCMずつエッチング雰
囲気に導入する。これにより、Pd膜２３の１５０Å／mi
n のエッチング速度が得られるこのエッチングは、イオ
ン化したArがPd膜２３に衝突し、Pdの原子、分子を飛び
出させてなされる。このとき、雰囲気中に飛び出したPd
とCl2 が結合してPdCl 2 が生成され、これがフォトレジ
スト２４の側壁とPd膜２３の上に堆積することになる。
これにより、その側壁には塀状のPdCl2 層２５が形成さ
れる。
４を１μｍの厚さに塗布し、これを図示しないフォトマ
スクと低圧水銀ランプを使用して露光し、ついで、これ
を現像してレジストパターンを形成する。この後に、図
２(b),(c) に示すように、フォトレジスト２４をマスク
に使用し、フォトレジスト２４に覆われない領域のPd膜
２３をスパッタエッチングする。そのエッチング条件と
して、エッチング雰囲気のガス圧を７mTorr 、電極間の
投入電力を３００Ｗに設定し、また、Arガスと塩素（Cl
2)ガスをそれぞれ５０SCCM、５０SCCMずつエッチング雰
囲気に導入する。これにより、Pd膜２３の１５０Å／mi
n のエッチング速度が得られるこのエッチングは、イオ
ン化したArがPd膜２３に衝突し、Pdの原子、分子を飛び
出させてなされる。このとき、雰囲気中に飛び出したPd
とCl2 が結合してPdCl 2 が生成され、これがフォトレジ
スト２４の側壁とPd膜２３の上に堆積することになる。
これにより、その側壁には塀状のPdCl2 層２５が形成さ
れる。
【００１９】次に、図２(d) に示すように、アセトンを
使用してPd膜２３の表面を洗浄するとともにフォトレジ
スト２４を剥離する。このとき、PdCl2 層２５は第１実
施例と同様に有機溶剤に溶けるので、フォトレジスト２
４とともにPd膜２３から除去される。これにより、Pd膜
２３の表面では、金属の再付着による突起が発生するこ
とはない。 （ｃ）本発明の第３実施例の説明 上記した２つの実施例では、単にPt膜、Pd膜のパターニ
ング工程について説明したが、次にPt膜を電極に使用す
るキャパシタの作製工程の一例を説明する。
使用してPd膜２３の表面を洗浄するとともにフォトレジ
スト２４を剥離する。このとき、PdCl2 層２５は第１実
施例と同様に有機溶剤に溶けるので、フォトレジスト２
４とともにPd膜２３から除去される。これにより、Pd膜
２３の表面では、金属の再付着による突起が発生するこ
とはない。 （ｃ）本発明の第３実施例の説明 上記した２つの実施例では、単にPt膜、Pd膜のパターニ
ング工程について説明したが、次にPt膜を電極に使用す
るキャパシタの作製工程の一例を説明する。
【００２０】図３、４は、本発明の第３実施例のパター
ン方法を示す断面図である。まず、図３(a) に示すシリ
コン（１００）基板３０の上に、スパッタ法により第一
のPt膜３１を１０００Åの厚さに形成する。その成長条
件は、第１実施例と同様である。次に、第一のPt膜３１
の表面にフォトレジスト３２を１μｍの厚さに塗布し、
これを露光、現像して下側電極形成領域に残す。
ン方法を示す断面図である。まず、図３(a) に示すシリ
コン（１００）基板３０の上に、スパッタ法により第一
のPt膜３１を１０００Åの厚さに形成する。その成長条
件は、第１実施例と同様である。次に、第一のPt膜３１
の表面にフォトレジスト３２を１μｍの厚さに塗布し、
これを露光、現像して下側電極形成領域に残す。
【００２１】この後に、図３(b) に示すように、ArとCl
2 の混合ガスを使用し、フォトレジスト３２をマスクに
してPt膜３１をスパッタエッチングする。そのエッチン
グ条件は、第１実施例と同じにする。これにより得られ
たPt膜３１のパターンを、キャパシタ用の下側電極３１
Ａとする。このエッチングにおいては、第１実施例と同
様に、Arイオンの衝突によってPt膜３１からPtが飛び出
す。そして、飛び出したPtは雰囲気中の塩素と結合して
PtCl4 となり、これがフォトレジスト３２の側壁とPt膜
３１の上に堆積してPtCl4層３３を構成する。
2 の混合ガスを使用し、フォトレジスト３２をマスクに
してPt膜３１をスパッタエッチングする。そのエッチン
グ条件は、第１実施例と同じにする。これにより得られ
たPt膜３１のパターンを、キャパシタ用の下側電極３１
Ａとする。このエッチングにおいては、第１実施例と同
様に、Arイオンの衝突によってPt膜３１からPtが飛び出
す。そして、飛び出したPtは雰囲気中の塩素と結合して
PtCl4 となり、これがフォトレジスト３２の側壁とPt膜
３１の上に堆積してPtCl4層３３を構成する。
【００２２】次に、アセトンを使用してPt膜の表面を洗
浄するとともにフォトレジスト３２を剥離する。このと
き、フォトレジスト３２に付着したPtCl4 層３３はアセ
トンに溶けるので、図３(c) に示すように、フォトレジ
スト３２とともにPt膜３１の上から除去される。これに
より、Pt膜３１をパターニングの後には、そのPt膜３１
の表面に導電性の突起が発生することはなくなる。
浄するとともにフォトレジスト３２を剥離する。このと
き、フォトレジスト３２に付着したPtCl4 層３３はアセ
トンに溶けるので、図３(c) に示すように、フォトレジ
スト３２とともにPt膜３１の上から除去される。これに
より、Pt膜３１をパターニングの後には、そのPt膜３１
の表面に導電性の突起が発生することはなくなる。
【００２３】フォトレジスト３２を除去した後に、キャ
パシタを構成する誘電体膜として図３(e) に示すストロ
ンチウムチタン酸素（SrTiO3）膜３４をスパッタ法によ
り１０００Åの膜厚に成長する。その成長の際には、Sr
TiO3ターゲットを用い、基板温度を６００℃に設定し、
成長雰囲気を２０mTorr に減圧し、Arガスと酸素（O2）
ガスを同じ割合でスパッタ雰囲気中に導入する。
パシタを構成する誘電体膜として図３(e) に示すストロ
ンチウムチタン酸素（SrTiO3）膜３４をスパッタ法によ
り１０００Åの膜厚に成長する。その成長の際には、Sr
TiO3ターゲットを用い、基板温度を６００℃に設定し、
成長雰囲気を２０mTorr に減圧し、Arガスと酸素（O2）
ガスを同じ割合でスパッタ雰囲気中に導入する。
【００２４】さらに、キャパシタの上側電極となる第二
のPt膜３５をスパッタ法により１０００Åの膜厚に成長
する。その成長の際には、下側電極３１Ａの熱溶融を防
ぐために基板温度を室温とし、それ以外の成長条件を第
一のPt膜３１の成長条件と同じにする。次に、Pt膜３５
の表面にフォトレジスト３６を１μｍの厚さに塗布し、
これを露光、現像して下側電極３１Ａの上方の領域に残
す。
のPt膜３５をスパッタ法により１０００Åの膜厚に成長
する。その成長の際には、下側電極３１Ａの熱溶融を防
ぐために基板温度を室温とし、それ以外の成長条件を第
一のPt膜３１の成長条件と同じにする。次に、Pt膜３５
の表面にフォトレジスト３６を１μｍの厚さに塗布し、
これを露光、現像して下側電極３１Ａの上方の領域に残
す。
【００２５】この後に、フォトレジスト３６をマスクに
して第二のPt膜３５をスパッタエッチングする。そのエ
ッチング条件は、第１実施例と同じにする。このエッチ
ングにおいても、PtCl4 がフォトレジスト３６の側壁に
堆積するが、フォトレジスト３６を除去するアセトンに
より第二のPt膜３５の表面から除去される。これによ
り、図４(a) に示すようなキャパシタ用の上側電極３５
Ａが形成される。
して第二のPt膜３５をスパッタエッチングする。そのエ
ッチング条件は、第１実施例と同じにする。このエッチ
ングにおいても、PtCl4 がフォトレジスト３６の側壁に
堆積するが、フォトレジスト３６を除去するアセトンに
より第二のPt膜３５の表面から除去される。これによ
り、図４(a) に示すようなキャパシタ用の上側電極３５
Ａが形成される。
【００２６】続いて、上側電極３５Ａ及びSrTiO3膜３４
の表面にフォトレジスト３６を塗布してこれを露光、現
像し、図４(b) に示すようにキャパシタの誘電体膜を形
成する領域に残存させる。この後に、フォトレジスト３
７をマスクにし、スパッタエッチング法を用いるフォト
リソグラフィー法によりSrTiO3膜３４をパターニングす
る。これにより、キャパシタが完成する。
の表面にフォトレジスト３６を塗布してこれを露光、現
像し、図４(b) に示すようにキャパシタの誘電体膜を形
成する領域に残存させる。この後に、フォトレジスト３
７をマスクにし、スパッタエッチング法を用いるフォト
リソグラフィー法によりSrTiO3膜３４をパターニングす
る。これにより、キャパシタが完成する。
【００２７】次に、フォトレジスト３７を剥離した後
に、保護膜としてSiO2膜３８をＣＶＤにより成長する。
この後に、フォトリソグラフィー法によりSiO2膜３８を
パターニングし、図４(c) に示すように、下側電極３１
Ａの一部と上側電極３５Ａの一部を露出させる２つの開
口部３９，４０を形成する。さらに、全体にアルミニウ
ム膜を形成した後に、これをフォトリソグラフィー法に
よりパターニングし、図４(d) に示すように、下側電極
３１Ａ、上側電極３５Ａを引き出すための配線４１，４
２を形成する。 （ｄ）その他の実施例の説明 上記した実施例では、Pt膜やPd膜をスパッタエッチング
する際に、アルゴンガスに塩素を混入したが、四塩化炭
素（CCl4）、臭化水素（HBr ）、三塩化ホウ素（BC
l3）、その他のハロゲン含有ガスをアルゴンガスに混入
させても同じ結果が得られる。
に、保護膜としてSiO2膜３８をＣＶＤにより成長する。
この後に、フォトリソグラフィー法によりSiO2膜３８を
パターニングし、図４(c) に示すように、下側電極３１
Ａの一部と上側電極３５Ａの一部を露出させる２つの開
口部３９，４０を形成する。さらに、全体にアルミニウ
ム膜を形成した後に、これをフォトリソグラフィー法に
よりパターニングし、図４(d) に示すように、下側電極
３１Ａ、上側電極３５Ａを引き出すための配線４１，４
２を形成する。 （ｄ）その他の実施例の説明 上記した実施例では、Pt膜やPd膜をスパッタエッチング
する際に、アルゴンガスに塩素を混入したが、四塩化炭
素（CCl4）、臭化水素（HBr ）、三塩化ホウ素（BC
l3）、その他のハロゲン含有ガスをアルゴンガスに混入
させても同じ結果が得られる。
【００２８】また、上記した実施例では、PtやPdの化合
物の除去としてアセトンを使用しているが、エチルアル
コール（C2H5OH）、エチルエーテル((C2H5)2O)その他の
有機溶剤を用いてもよい。
物の除去としてアセトンを使用しているが、エチルアル
コール（C2H5OH）、エチルエーテル((C2H5)2O)その他の
有機溶剤を用いてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、白金
膜やパラジウム膜をパターニングする際に、エッチング
用のガスの他に塩素又は臭素を含むガスを使用するよう
にしているので、エッチングの後には白金膜の上には塩
素・白金化合物、又は臭素・白金化合物が形成され、ま
た、パラジウム膜の上には塩素・パラジウム化合物、又
は臭素・パラジウム化合物が形成される。
膜やパラジウム膜をパターニングする際に、エッチング
用のガスの他に塩素又は臭素を含むガスを使用するよう
にしているので、エッチングの後には白金膜の上には塩
素・白金化合物、又は臭素・白金化合物が形成され、ま
た、パラジウム膜の上には塩素・パラジウム化合物、又
は臭素・パラジウム化合物が形成される。
【００３０】それらの塩化物又は臭化物は、アセトン、
エチルアルコールなどの有機溶剤により容易に除去でき
るので、それらの反応生成物が白金膜やパラジウム膜の
上に残存することはなく、デバイスの汚染を未然に防止
できる。しかも、フォトレジストをマスクに使用する場
合には、そのフォトレジストは塩化物又は臭化物ととも
に有機溶剤により同時に除去されるので、再付着物除去
工程が不要となりスループットを向上できる。
エチルアルコールなどの有機溶剤により容易に除去でき
るので、それらの反応生成物が白金膜やパラジウム膜の
上に残存することはなく、デバイスの汚染を未然に防止
できる。しかも、フォトレジストをマスクに使用する場
合には、そのフォトレジストは塩化物又は臭化物ととも
に有機溶剤により同時に除去されるので、再付着物除去
工程が不要となりスループットを向上できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る白金膜のパターニン
グ工程を示す断面図である。
グ工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係るパラジウム膜のパタ
ーニング工程を示す断面図である。
ーニング工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施例に係るキャパシタを形成す
る工程を示す断面図（その１）である。
る工程を示す断面図（その１）である。
【図４】本発明の第３実施例に係るキャパシタを形成す
る工程を示す断面図（その２）である。
る工程を示す断面図（その２）である。
【図５】従来方法による白金膜のパターニング工程を示
す断面図である。
す断面図である。
１１ 基板 １２ SiO2膜 １３ Pt膜 １４ フォトレジスト １５ PtCl4 層 ２１ 基板 ２２ SiO2膜 ２３ Pd膜 ２４ フォトレジスト ２５ PdCl2 層 ３０ 基板 ３１、３５ Pt膜 ３２、３６、３７ フォトレジスト ３３ PtCl4 層 ３４ SrTiO3膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/314 Ａ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (4)
- 【請求項１】白金又はパラジウムよりなる金属膜（13，
23）を形成する工程と、 前記金属膜（13，23）の上にマスク（14，24）を形成
し、塩素含有ガス又は臭素含有ガスのいずれかとアルゴ
ンガスとを用いるドライエッチングにより、該マスク
（14，24）に覆われない領域の前記金属膜（13，23）を
除去する工程と、 前記金属膜（13，23）の上に付着した塩化物又は臭化物
を有機溶剤により除去する工程とを有することを特徴と
する白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング
方法。 - 【請求項２】前記マスク（14，24）はフォトレジストで
あって、前記塩化物又は前記臭化物とともに前記有機溶
剤により除去されることを特徴とする請求項１記載の白
金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法。 - 【請求項３】前記有機溶剤はアセトン、エチルアルコー
ル又はエチルエーテルであることを特徴とする請求項１
記載の白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニン
グ方法。 - 【請求項４】前記塩素含有ガスは塩素ガス、四塩化炭素
又は三塩化ホウ素であり、前記臭素含有ガスは臭化水素
であることを特徴とする請求項１記載の白金又はパラジ
ウムよりなる金属膜のパターニング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5278657A JPH07130702A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法 |
| US08/288,182 US5679213A (en) | 1993-11-08 | 1994-08-09 | Method for patterning a metal film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5278657A JPH07130702A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130702A true JPH07130702A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17600343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5278657A Pending JPH07130702A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5679213A (ja) |
| JP (1) | JPH07130702A (ja) |
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| KR20010034127A (ko) | 1998-01-13 | 2001-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 이방성 플라티늄 프로화일을 위한 에칭 방법 |
| US6265318B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Iridium etchant methods for anisotropic profile |
| US6919168B2 (en) | 1998-01-13 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Masking methods and etching sequences for patterning electrodes of high density RAM capacitors |
| JP4023076B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2007-12-19 | 富士通株式会社 | 表裏導通基板及びその製造方法 |
| US6949461B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Method for depositing a metal layer on a semiconductor interconnect structure |
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| DE102006039915A1 (de) | 2006-08-25 | 2008-03-20 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Halogenhaltige Schichten |
| JP5573251B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエーターの製造方法 |
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| CN110970313B (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 焊垫结构及半导体结构的制备方法 |
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- 1993-11-08 JP JP5278657A patent/JPH07130702A/ja active Pending
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