KR100207522B1 - 반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents

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Abstract

반도체장치의 금속배선 공정에서 사용되는 세정액 그를 이용한 세정방법에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 반도체장치의 세정공정에 사용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 금속배선 형성공정 및 화학기계적 연마 공정에 후속되는 세정공정의 세정방법을 제공한다. 따라서, 상술한 본 발명에 따르면, IPA 린스 공정을 생략할 수 있기 때문에 공정이 단순해 지고, 유기 스트리퍼를 쓰지 않기 때문에 환경문제를 방지하며, 반도체 기판에 금속 이온의 오염이 방지되며, 금속배선 공정 및 화학기계적 연마 공정의 부산물을 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법
본 발명은 반도체장치에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체장치의 금속배선 공정에서 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다.
반도체장치의 제조에 있어서 세정공정은, 공정의 거의 모든 단계에서 발생 가능한 미립자(Particle)를 포함하는 모든 오염을 제거하는 공정으로서, 최근 반도체 소자가 점차 고집적화되고, 배선 간격이 미세화되는 경향에 따라 그 중요성이 날로 강조되고 있다.
특히, 금속배선 형성공정에 있어서 패턴의 간격이 점차 미세화되는 경향에 따라, 고집적화를 달성하기 위하여 다층배선을 이용한 금속배선 형성이 요구되고 있다. 이러한 다층으로 구성된 금속배선을 형성할 때, 층간의 금속배선을 서로 연결하기 위하여 비아홀(Via hole)의 형성이 필요하다. 일반적으로, 비아홀은 건식 식각을 통하여 형성하는데, 이때 사용되는 가스가 플라즈마장(plasma field) 내에서 반도체 기판이나, 포토레지스트와 상호 반응을 일으키면서 원하지 않은 부생성물(by-product, 이를 Polymer, side polymer, veil, fence라고 칭하기도 함)이 비아홀 주변에서 다량으로 생성되게 된다.
이러한 부생성물(by-product)은 웨이퍼의 표면을 오염시켜서 후속 공정에서의 미세 패턴을 형성하는데 있어 장애가 되고 있으며, 반도체 제조 공정의 전체적인 수율을 저하시키며, 나아가서는 반도체 소자의 신뢰성을 저하하는 요인으로까지 작용하기도 한다. 따라서, 금속배선 공정에 있어서 상술한 부생성물을 적절한 방법으로 제거해야 한다.
종래에 있어서는, 금속배선 형성공정후에 발생한 부생성물을 제거하기 위한 세정공정에서 사용하는 세정액으로서는 5∼50%의 하이드록실아민(Hydroxylamine)과 같은 유기 스트리퍼를 베이스(base)로 구성한 새정액이 사용되었다. 이에 대한 내용이 미국 특허번호 제5334332호(subject: Cleaning compositions for removing etching residue and method of using.)에 개시되어 있다.
하지만, 5∼50%의 하이드록실아민(Hydroxylamine)과 같은 유기 스트리퍼를 사용한 세정액 및 이를 이용한 세정방법의 문제점은, 첫째로, 유기 스트리퍼를 이용하여 세정공정을 끝내고, 탈이온수(DI water)를 통한 세정공정 전에, IPA(Iso-Propyl Alcohol) 린스공정을 추가해야 하기 때문에 공정이 복잡하고 길어지는 문제점이 있고, 둘째로, 하이드록실아민(Hydroxylamine)과 같은 유기 스트리퍼는 독성이 높기 때문에 환경오염이 대두되는 문제점이 있고, 셋째로 하이드록실아민(Hydroxylamine) 유기 스트리퍼가 포함하고 있는 다량의 금속오염물로 인하여 금속배선의 표면에 오염을 유발하는 문제점이 발생하고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 금속배선 형성공정에서 발생하는 부생성물의 제거 능력이 뛰어나고, 상술한 종래기술의 문제점을 해결할 수 있는 반도체장치의 세정액을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기의 세정액을 이용한 반도체장치의 세정방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 금속배선 공정시의 세정방법을 설명하기 위하여 공정의 순서에 따라서 도시한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따라 금속층에 대한 화학 기계적 연마 공정이 끝난 후의 세정방법을 설명하기 위하여 공정의 순서에 따라 도시한 순서도이다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체장치의 세정공정에 사용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액을 제공한다.
상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 카보닐계(carbonyl(C=O))의 킬레이트제(Chelating agent)를 첨가하는 것이 바람직하며, 상기 카보닐계(carbonyl)의 킬레이트제(Chelating agent)의 첨가 농도는 상기 사불화 붕산(HBF4)의 농도와 비교하여 10-6∼ 1 중량%의 농도인 것이 바람직하다.
상기 킬레이트제(Chelating agent)는 EDTA(Ethylene Diamine Tetra Acetic acid), NTA(Nitrilo TriAcetic Acid), ACAC(ACetylACetone), 포름산암모늄(Ammonium formate, HCOO-NH4 +), 중탄산암모늄(Ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 과황산암모늄(Ammonium persulfate, (NH4)2S2O8), 설파민산암모늄(Ammonium surfamate, NH2SO3NH2), 설파민산(Surfamic Acid, NH2SO3H), 질산암모늄(Ammonium nitrate, NH4NO3), 질산(Nitric Acid, HNO3) 및 구연산암모늄(Ammonium citrate)으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것이 바람직하다.
상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 탄화수소계 또는 불화탄소계의 계면 활성제(surfactant)가 100PPB∼500PPM의 혼합농도로 더 첨가되어 있는 것이 바람직하다.
상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 금속층이 형성된 반도체 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트에 정렬 및 노광을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴에 현상(development) 공정을 진행하여 다중화 되지 않은 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부의 금속층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속 패턴의 상부에 있는 포토레지스트를 에싱(Ashing) 공정을 통하여 제거하는 단계와, 상기 금속배선이 형성된 반도체 기판을 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액이 있는 제1 액조에서 세정하는 단계 및, 상기 세정된 반도체 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에서 반도체 기판에 잔류하는 세정액을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법을 제공한다.
상기 금속층은, 알루미늄(AL), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN) 및, 금속 실리사이드(metal silicide)로 이루어진 군중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 사용하는 것이 적합하다.
상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 킬레이트제(Chelating agent)를 첨가하는 것이 바람직하다.
상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액은 0∼50℃의 온도 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.
상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 금속층이 형성되어 있는 반도체 기판에 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 이용하여 금속층의 표면을 연마하는 단계와, 상기 연마가 완료된 반도체 기판을 반도체 기판을 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액이 있는 제1 액조에서 세정하는 단계 및, 상기 세정된 반도체 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에서 반도체 기판에 잔류하는 세정액을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법을 제공한다.
상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 킬레이트제(Chelating agent)를 첨가하는 것이 바람직하다.
상기 금속층은, 알루미늄(AL), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN) 및, 금속 실리사이드(metal silicide)로 이루어진 군중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 사용하는 것이 적합하다.
상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액은 0∼50℃의 온도 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면, 금속배선 형성공정에서 발생하는 부생성물의 제거 능력이 뛰어나고 종래 기술에 있어서의 문제점들을 해결할 수 있는 반도체장치의 금속배선 공정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법을 구현할 수 있다.
여기서 킬레이트제(Chelating agent)란, 금속 이온과 결합하여 화합물을 생성할 능력을 가진 다관능성(多官能性) 화합물 또는 관능기(官能基)로서, 특정한 금속 이온에 대하여 선택적 흡착성을 갖는 물질을 말한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
실시예 1
먼저, 실시예 1에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 세정액에 대하여 설명하기로 한다.
화학식 1 내지 화학식 4는 본 발명에 바람직한 실시예에 사용되는 킬레이트제(Chelating agent)로 사용되는 화합물인, EDTA(Ethylene Diamine Tetra Acetic acid), NTA(Nitrilo Tri Acetic acid), ACAC(ACetyl ACetone) 및 구연산암모늄(Ammonium citrate)의 화학구조식 및 금속과 정합(整合)을 이루고 있는 위치를 도시한 도면이다.
여기서, 금속과 정합(整合)을 이루고 있는 위치는 점선으로 도시된 부분이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의한 금속배선 형성공정 세정공정에서 사용되는 세정액은, 탈이온수를 베이스(base)로 사용한 용액에, 수용성(aqueous) 사불화 붕산(HBF4,35∼50% 농축)을 탈이온수(DI water) 양의 10-3∼20 중량% 첨가하고, 킬레이트제(Chelating agent)로 EDTA(Ethylene Diamine Tetra Acetic acid), NTA(Nitrilo TriAcetic Acid), ACAC(ACetyl ACetone), 포름산암모늄(Ammonium formate, HCOO-NH4 +), 중탄산암모늄(Ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 과황산암모늄(Ammonium persulfate,(NH4)2S2O8), 설파민산암모늄(Ammonium surfamate, NH2SO3NH2), 설파민산(Surfamic Acid, NH2SO3H), 질산암모늄(Ammonium nitrate, NH4NO3), 질산(Nitric Acid, HNO3) 및 구연산암모늄(Ammonium citrate)중에서 선택된 하나를 상기 수용성(aqueous) 사불화 붕산(HBF4,35∼50% 농축)의 농도의 10-6∼ 1 중량%으로 첨가하는 것을 구성 요소로 하고 있다. 이러한 화합물의 혼합 방식은 담그기(Dipping) 방식으로 처리한다.
여기서, 상기 킬레이트제(Chelating agent)가 본 발명에 따른 세정액 내에서 하는 역할은, 불화물(fluoride) 계열의 화합물로부터 야기될 수 있는 금속배선 표면의 부식(corrosion)을 방지하는 작용과, 세정하고자 하는 반도체 기판 내의 금속이 아닌 층(layer)으로 금속 이온이 침투하여 오염시키는 것을 방지하는 역할을 한다.
또한, 본 발명에 실시예에 의한 반도체장치의 세정액인, 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 탄화수소 또는 불화탄소계의 계면 활성제(surfactant)를 100PPB∼500PPM의 혼합농도로 더 첨가하면, 세정액의 가용성(Wettability)를 더욱 증가시켜 효과적이다.
본 발명에 의한 세정액이 사용되는 구체적인 적용례는, 반도체장치의 금속배선 공정에서 건식 식각을 통한 금속배선을 형성하고 금속배선의 상부에 있는 포토레지스트 패턴을 에싱(Ashing) 공정을 통하여 제거하고, 식각을 통한 금속배선 패턴을 형성하고, 후속되는 세정공정에서 세정액으로 이용된다.
실시예 2
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 금속배선 공정의 세정방법을 설명하기 위하여 공정의 순서에 따라 도시한 순서도 이다.
도 1의 순서도를 설명하면, 금속층이 형성된 반도체 기판에 포토레지스트를 도포(10)하고, 이어서, 상기 포토레지스트에 마스크를 정렬하여 UV광을 조사(12)한다. 이때, 상기 UV광에 의하여 다중화되지 않은 포토레지스트를 현상(development, 14) 공정을 통하여 제거한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부의 금속층에 식각을 진행하여 금속배선을 형성(16)한다. 연속해서 상기 금속배선의 상부에 남아있는 포토레지스트 패턴을 에싱공정을 통하여 제거(18)하고, 상기 에싱이 끝난 반도체 기판을, 본 발명에 의한 유기용제를 사용하지 않은 세정액인 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액이 있는 제1 액조에서 세정(20)한다. 상기 세정된 반도체 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에서 반도체 기판에 잔류하는 세정액을 제거(22)함으로써 금속 배선 형성공정에서의 세정을 완료한다.
상기의 제1 세정액조에 특정한 금속 이온에 대하여 선택적 흡착성을 갖는 킬레이트제를 더 첨가하여 사용함으로써 세정효과를 높일 수 있다.
여기서, 본 발명에 실시예에 의한 반도체장치의 세정액인, 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 탄화수소 또는 불화탄소계의 계면 활성제(surfactant)를 100PPB∼500PPM의 혼합농도로 더 첨가하면, 세정액의 가용성(Wettability)를 더욱 증가시켜 효과적이다.
상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 세정방법의 후속 공정으로 제3 액조에 탈이온수를 넣어서 반도체 기판에 잔류할 수 있는 세정액을 다시 반복해서 세정하는 단계와, 건조(dry) 공정을 진행하여 반도체 기판에 남아 있는 탈이온수를 제거하는 단계를 실시할 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 반도체 공정의 세정방법은 Al, Ti, TiN, W 및 금속 실리사이드 등의 금속막이 형성된 반도체 기판에 사용할 경우, 그 농도를 조절함으로써 식각량을 수십Å 이내로 조절할 수 있으며 폴리머를 효과적으로 제거할 수 있으므로 안정된 식각율과, 보다 향상된 반도체 기판 표면의 균일성(Uniformity)을 얻을 수 있다.
또한 0∼50℃의 범위에서 세정을 실시할 때, 세정 효과를 극대화시킬 수 있다.
실시예3
도 2는 본 발명의 바람직한 다른 실시예를 설명하기 위한 순서도로서, 금속층에 대한 화학 기계적 연마 공정이 끝난후의 세정방법을 공정의 순서에 따라서 작성한 순서도이다.
본 발명에 의한 세정액을 사용한 세정방법은, 금속배선 공정에 후속되는 세정공정에서도 효과를 나타낼 뿐만 아니라, 최근에 주목받기 시작한 금속층에 대한 화학 기계적 연마 공정에 후속되는 세정공정에서도 연마공정중에서 발생하는 웨이퍼 상부의 잔류물(residue)을 제거하는 효과를 가지고 있다.
도 2를 상세히 설명하면, 단차를 갖는 금속층이 형성되어 있는 반도체 기판에 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 이용하여 금속층의 표면을 연마(30)하여 평탄화를 달성한다. 이어서, 상기 연마 공정에서 발생하는 연마 잔류물을 제거하기 위하여, 상기 연마가 완성된 반도체 기판을 본 발명에 따른 유기 용제를 사용하지 않은 세정액인, 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액이 있는 제1 액조에서 연마 잔류물을 세정(32)한다. 연속해서, 상기 세정된 반도체 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에서 반도체 기판에 잔류하는 세정액을 제거(34)함으로써, 화학기계적 연마 공정에 후속되는 세정공정을 완료한다.
상기의 제1 세정액조에 특정한 금속 이온에 대하여 선택적 흡착성을 갖는 킬레이트제를 첨가하여 사용함으로써, 세정효과를 더욱 높일 수 있다.
여기서, 본 발명에 실시예에 의한 반도체장치의 세정액인, 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 탄화수소 또는 불화탄소계의 계면 활성제(surfactant)를 100PPB∼500PPM의 혼합농도로 더 첨가하면, 세정액의 가용성(Wettability)를 더욱 증가시켜 효과적이다.
상술한 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 공정의 세정방법은 Al, Ti, TiN, W 및 금속 실리사이드 등의 금속막에 대한 화학기계적 연마공정에 후속되는 세정방법으로 적합하며 사용하는 온도의 범위를 0∼50℃의 범위에서 조정하여 효과를 극대화 시킬수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
따라서, 상술한 본 발명에 따르면, IPA(Isopropyl alcohol) 린스 공정을 생략하여 공정을 단순화함과 동시에 유기 스트리퍼를 쓰지 않기 때문에 환경문제를 방지하며, 반도체 기판에 금속 이온의 오염을 방지하면서, 금속배선 공정의 부산물을 효과적으로 제거할 수 있는 반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법을 구현함으로써, 반도체 소자의 제조 공정에서 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (25)

  1. 반도체장치의 세정공정에 사용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 킬레이트제(Chelating agent)가 더 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 킬레이트제(Chelating agent)는 카보닐계(carbonyl(C=O))인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 킬레이트제(Chelating agent)의 첨가 농도는 상기 사불화 붕산(HBF4)의 농도와 비교하여 10-6∼ 1 중량%의 농도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 사불화 붕산(HBF4)을 혼합한 용액에 계면 활성제(surfactant)가 더 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 계면 활성제는 탄화수소계 또는 불화탄소계인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 계면활성제를 첨가하는 혼합 농도는 반도체 세정액에 대하여 100PPB∼500PPM인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  8. 제3 항에 있어서, 상기 카보닐계(carbonyl(C=O))는 EDTA(Ethylene Diamine Tetra Acetic acid), NTA(Nitrilo TriAcetic Acid), ACAC(ACetyl ACetone), 포름산암모늄(Ammonium formate, HCOO-NH4 +), 중탄산암모늄(Ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 과황산암모늄(Ammonium persulfate,(NH4)2S2O8), 설파민산암모늄(Ammonium surfamate, NH2SO3NH2), 설파민산(Surfamic Acid, NH2SO3H), 질산암모늄(Ammonium nitrate, NH4NO3), 질산(Nitric Acid, NHO3) 및 구연산암모늄(Ammonium citrate)으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
  9. 금속층이 형성된 반도체 기판에 포토레지스트막을 도포하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부의 금속층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 금속 패턴 상에 있는 포토레지스트 패턴을 에싱(ashing) 공정을 통하여 제거하는 단계;
    상기 금속배선이 형성된 반도체 기판을 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액이 있는 제1 액조에서 세정하는 단계; 및
    상기 세정된 반도체 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에서 반도체 기판에 잔류하는 세정액을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속층은, 알루미늄(AL), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN) 및, 금속 실리사이트(metal silicide)로 이루어진 군중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된 금속배선인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액에 킬레이트제(Chelating agent)를 더 첨가하여 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  12. 제9 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 킬레이트제(Chelating agent)가 첨가되는 농도는 사불산 붕산의 중량과 대비하였을 때 10-6중량% 내지 1 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  13. 제9 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액을 0∼50℃의 온도 범위에서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  14. 제9 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 계면 활성제(surfactant)가 더 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 계면 활성제는 탄화수소계 또는 불화탄소계인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  16. 제14 항에 있어서, 상기 계면활성제를 첨가하는 혼합 농도는 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 세정액에 대하여 100PPB∼500PPM인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  17. 금속층이 형성되어 있는 반도체 기판에 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 이용하여 금속층의 표면을 연마하는 단계;
    상기 연마가 완료된 반도체 기판을 반도체 기판을 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF4)을 탈이온수의 양과 비교하여 10-3∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액이 있는 제1 액조에서 세정하는 단계; 및
    상기 세정된 반도체 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에서 반도체 기판에 잔류하는 세정액을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 금속층은, 알루미늄(AL), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN) 및, 금속 실리사이트(metal silicide)로 이루어진 군중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된 금속배선인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  19. 제17 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 킬레이트제(Chelating agent)를 첨가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  20. 제17 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 킬레이트제(Chelating agent)가 첨가되는 농도는 사불산 붕산의 중량과 대비하였을 때 10-6중량% 내지 1 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  21. 제17 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액을 0∼50℃의 온도 범위에서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  22. 제17 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 계면 활성제(surfactant)가 더 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  23. 제22 항에 있어서, 상기 계면 활성제는 탄화수소계 또는 불화탄소계인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  24. 제22 항에 있어서, 상기 계면활성제를 첨가하는 혼합 농도는 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액에 대하여 100PPB∼500PPM인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  25. 제17 항에 있어서, 상기 사불화 붕산(HBF4)용액과 탈이온수(DI water)가 혼합된 용액을 0∼50℃의 온도 범위에서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
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