DE60108286T2 - Entfernungsmittel für Polymer - Google Patents
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein das Gebiet der Entfernung von Polymermaterialien von einem Substrat. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung Zusammensetzungen und Verfahren zur Entfernung eines plasmainduzierten Polymermaterials von elektronischen Vorrichtungen.
- Zur Herstellung elektronischer Vorrichtungen wie z.B. Schaltkreisen, Plattenlaufwerken, Speichermedienvorrichtungen und dergleichen werden zahlreiche Materialien verwendet, die Polymere enthalten. Solche Polymermaterialien finden sich in Photolacken bzw. -resists, Lötmasken, Antireflexionsbeschichtungen und dergleichen. Beispielsweise werden in modernen Technologien Lackmaterialien des Positiv-Typs zum lithographischen Schreiben bzw. Belichten von Mustern bzw. Strukturen auf ein Substrat verwendet, so dass die Muster anschließend geätzt oder auf eine andere Weise in dem Substratmaterial definiert werden können. Das Lackmaterial wird als Film abgeschieden und das gewünschte Muster wird durch Belichten des Lackfilms mit einer energiereichen Strahlung definiert. Danach werden die belichteten Bereiche einem Lösen durch eine geeignete Entwicklerflüssigkeit unterworfen. Nachdem das Muster auf diese Weise in dem Substrat definiert worden ist, muss das Lackmaterial vollständig von dem Substrat entfernt werden, um eine nachteilige Beeinflussung oder Behinderung nachfolgender Vorgänge oder Verfahrensschritte zu vermeiden.
- Bei einem solchen photolithographischen Verfahren ist es erforderlich, dass das Photolackmaterial nach dem Schreiben bzw. Belichten des Musters gleichmäßig und vollständig von allen unbelichteten Bereichen entfernt wird, so dass weitere lithographische Vorgänge ermöglicht werden. Selbst ein partielles Zurückbleiben eines Lacks in einem Bereich, der weiter einer Musterbildung bzw. Strukturierung unterworfen werden soll, ist unerwünscht. Unerwünschte Rückstände zwischen strukturierten Merkmalen können schädliche Effekte auf nachfolgende Filmabscheidungsverfahren, wie z.B. eine Metallisierung, haben oder sie können unerwünschte Oberflächenzustände und -ladungen verursachen, die zu einer verminderten Leistung der Vorrichtung führen.
- In der Halbleiterindustrie findet eine Entwicklung in Richtung von Sub-0,25 μm-Geometriemerkmalen statt. Mit einer kleiner werdenden Geometrie der Merkmale und einer steigenden Muster- bzw. Strukturdichte sind für das lithographische Verfahren ein Plasmaätzen, ein reaktives Ionenätzen, Ionenstrahlätzen und dergleichen erforderlich. Während solcher Plasmaätz-, reaktiven Ionenätz- und Ionenstrahlätzverfahren wird das Polymermaterial Bedingungen ausgesetzt, welche die Entfernung eines solchen Polymermaterials schwierig machen. Während des Plasmaätzverfahrens bildet ein Photolackfilm einen schwer zu entfernenden organometallischen Polymerrückstand an den Seitenwänden der verschiedenen geätzten Merkmale. Ferner wird der Photolack aufgrund der Hochvakuum- und Hochtemperaturbedingungen in der Ätzkammer sehr stark vernetzt.
- Bekannte Reinigungsverfahren entfernen einen solchen Polymerrückstand nicht in akzeptabler Weise. Beispielsweise werden bei extremen Bedingungen, die eine hohe Temperatur und verlängerte Zykluszeiten umfassen, gegenwärtig Aceton oder N-Methylpyrrolidon verwendet. Solche Gebrauchsbedingungen liegen häufig über dem Flammpunkt des Lösungsmittels, was bezüglich des Aussetzens des Personals zu Umwelt-, Gesundheits- und Sicherheitsproblemen führt. Darüber hinaus werden durch die erforderlichen verlängerten Verfahrenszykluszeiten die Produktivität und der Durchsatz nachteilig beeinflusst. Selbst bei solchen extremen Entfernungsbedingungen müssen die Vorrichtungen in einem Nass-Trocken-Nass-Ablöseverfahren gegebenenfalls einer Nassablösung und anschließenden Entschäumung (O2-Plasmaveraschung) und einer nachfolgenden Nassreinigung unterworfen werden.
- Die
US 5,320,709 (Bowden et al.) beschreibt Zusammensetzungen zur selektiven Entfernung organometallischer Rückstände, die nach dem Plasmaätzen von Materialien zurückbleiben, wobei die Zusammensetzungen ein wasserfreies Ammoniumfluoridsalz, das aus wasserfreiem Ammoniumfluorid oder wasserfreiem Ammoniumdifluorid ausgewählt ist, in einem mehrwertigen Alkohol aufweisen, wobei die Zusammensetzung weniger als 4 Gew.-% zugesetztes Wasser umfasst. Die in diesen Zusammensetzungen vorliegende niedrige Wassermenge steuert die Ätzgeschwindigkeit und macht die Zusammensetzungen folglich bei der Entfernung eines organometallischen Materials selektiv, ohne Materialien wie z.B. Siliziumdioxid nachteilig zu beeinflussen. Die3 in diesem Patent zeigt deutlich die sehr starke Zunahme der Ätzgeschwindigkeit von Siliziumdioxid mit steigendem Wassergehalt in den Zusammensetzungen. Solche Zusammensetzungen haben den Nachteil, dass sie aufgrund der Unverträglichkeit mit gewöhnlichen Lösungsmittelabfallströmen spezielle Handhabungs- und Entsorgungsanforderungen sowie eine hohe Viskosität aufweisen, die Sprühwerkzeugverfahren verhindern. - Bestimmte Zusammensetzungen, die ein (C4)Alkandiol, Ammoniumdifluorid, Dipropylenglycolmono-n-butylether, 2 bis 3 Gew.-% Wasser und 10 Gew.-% Dimethylacetamid enthalten, wurden als Glasätzmittel für Flachbildschirme verwendet. Solche Zusammensetzungen wurden nicht zur Entfernung eines Polymerrückstands nach dem Plasmaätzen verwendet.
- Darüber hinaus weisen andere bekannte Ablösezusammensetzungen für Anwendungen zur Entfernung eines Polymers nach dem Plasmaätzen zahlreiche Nachteile auf, einschließlich eine(n) unerwünschte(n) Entflammbarkeit, Toxizität, Flüchtigkeit, Geruch, die Notwendigkeit einer Verwendung bei erhöhten Temperaturen wie z.B. bis zu 100°C, und hohe Kosten aufgrund von Materialien, die Handhabungsvorschriften unterliegen. Ein spezielles Problem bei modernen Halbleitervorrichtungen der nächsten Generation besteht darin, dass bekannte Ablösezusammensetzungen mit verschiedenen Dünnschichten in solchen Vorrichtungen unverträglich sind, d.h. solche bekannten Ablösezusammensetzungen verursachen eine Korrosion der Dünnschichten, insbesondere von Kupfer und eines dielektrischen Materials mit niedrigem k-Wert, die in solchen modernen Vorrichtungen vorliegen.
- Es besteht deshalb ein fortgesetzter Bedarf für Ablösezusammensetzungen und Entfernungszusammensetzungen für Polymere nach dem Ätzen, welche das Polymermaterial effektiv entfernen, die umweltverträglicher sind, die Merkmale und Geometrien nicht beschädigen, keine Korrosion des Substrats, insbesondere von Metalldünnschichten, verursachen und dielektrische Schichten in dem Substrat nicht ätzen.
- Es wurde überraschenderweise gefunden, dass ein Polymermaterial einfach und sauber von Substraten entfernt werden kann, insbesondere von Substraten aus 100% Kupfer, die dielektrische Materialien aufweisen. Ein solches Polymermaterial kann erfindungsgemäß ohne Korrosion der darunter liegenden Metallschichten, insbesondere Kupfer, und ohne Ätzen herkömmlicher dielektrischer Materialien wie z.B. Siliziumdioxid und Materialien mit niedriger Dielektrizitätskonstante („niedrigem k-Wert") wie z.B. Hydrogensilsesquioxan, Polyarylenether und SILK, entfernt werden. Es wurde ferner überraschenderweise gefunden, dass Wasser-enthaltende Zusammensetzungen zur Entfernung von Polymermaterialien effektiv sind, ohne dielektrische Materialien zu ätzen.
- In einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Zusammensetzung für die Entfernung von Polymermaterial von einem Substrat bereit, welche eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive umfasst, wobei das Wasser in einer Menge von mindestens 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- In einem zweiten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren für die Entfernung von Polymermaterial von einem Substrat bereit, welches den Schritt des Inkontaktbringens eines Substrats, das zu entfernendes Polymermaterial enthält, mit der vorstehend beschriebenen Zusammensetzung umfasst.
- In einem dritten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Zusammensetzung für die Entfernung von Polymermaterial von einem Substrat bereit, welche eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, einen oder mehrere Korrosionsinhibitoren und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive umfasst, wobei das Wasser in einer Menge von mindestens 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- In einem vierten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Zusammensetzung für die Entfernung von Polymermaterial von einem Substrat bereit, welche eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, ein oder mehrere grenzflächenaktive(s) Mittel und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive umfasst, wobei das Wasser in einer Menge von mindestens 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- In einem fünften Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise bereit, die ein oder mehrere Metall(e) und ein oder mehrere dielektrische(s) Materiali(en) umfassen, wobei das Verfahren die Schritte des Inkontaktbringens des integrierten Schaltkreises, der ein oder mehrere zu entfernende(s) Polymermaterial(ien) umfasst, mit einer Zusammensetzung, die eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive umfasst, und des Spülens des Substrats umfasst, wobei das Wasser in einer Menge von mindestens 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- In einem sechsten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung magnetischer Dünnschichtköpfe bereit, wobei das Verfahren die Schritte des Inkontaktbringens eines Vorläufers des magnetischen Dünnschichtkopfs, der ein zu entfernendes Polymer umfasst, mit einer Zusammensetzung, die eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive umfasst, für einen Zeitraum, der ausreichend ist, um das Polymermaterial zu entfernen, und des Spülens des Substrats umfasst, wobei das Wasser in der Zusammensetzung in einer Menge von mindestens 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- In dieser Beschreibung haben die folgenden Abkürzungen die folgenden Bedeutungen, falls sich aus dem Zusammenhang klar nichts anderes ergibt: g = Gramm; °C = Grad Celsius; A = Angstrom; Gew.-% = Gewichtsprozent; cm = Zentimeter; ml = Milliliter; ppb = Teile pro Milliarde; UV = Ultraviolett; min = Minute; PVD = physikalische Dampfabscheidung; AF = Ammoniumfluorid; ABF = Ammoniumdifluorid; DPM = Dipropylenglycolmonomethylether; DPNB = Dipropylenglycolmono-n-butylether und MP-Diol = 2-Methyl-1,3-propandiol. Alle Prozentangaben beziehen sich auf das Gewicht. Alle Zahlenbereiche sind als einschließlich zu verstehen und sind kombinierbar.
- Die Begriffe „Ablösen" und „Entfernen" werden in dieser Beschreibung austauschbar verwendet. Entsprechend werden die Begriffe „Ablösezusammensetzung" und „Entfernungszusammensetzung" austauschbar verwendet. „Alkyl" bezieht sich auf lineares, verzweigtes und cyclisches Alkyl. Der Ausdruck „substituiertes Alkyl" bezieht sich auf eine Alkylgruppe, bei der eines oder mehrere der Wasserstoffatome durch eine andere Substituentengruppe ersetzt worden ist bzw. sind, wie z.B. Halogen, Cyano, Nitro, (C1-C6)Alkoxy, Mercapto, (C1-C6)Alkylthio und dergleichen. In dieser Beschreibung bezieht sich der Begriff „aprotisch" auf Verbindungen, die kein Proton aufnehmen oder abgeben. Der Begriff „Glycol" bezieht sich auf zweiwertige Alkohole. Folglich bezieht sich der Begriff „Glycolether" auf Ether zweiwertiger Alkohole.
- Die Zusammensetzungen, die in der vorliegenden Erfindung geeignet sind, umfassen eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, ein Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemische davon, und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive, wobei das Wasser in einer Menge von mindestens 5 Gew.-% vorliegt.
- Die Polyolverbindungen, die in der vorliegenden Erfindung geeignet sind, sind beliebige Polyolverbindungen, die mit Wasser mischbar sind und die Zusammensetzung nicht destabilisieren. Mit dem Begriff „Polyolverbindung" ist eine Verbindung mit zwei oder mehr Hydroxylgruppen gemeint. Geeignete Polyolverbindungen umfassen aliphatische Polyolverbindungen wie z.B. (C2-C20)Alkandiole, substituierte (C2-C20)Alkandiole, (C2-C20)Alkantriole, substituierte (C2-C20)Alkantriole und dergleichen. Geeignete aliphatische Polyolverbindungen umfassen unter anderem Ethylenglycol, Propylenglycol, Diethylenglycol, Dipropylenglycol, Triethylenglycol, Tripropylenglycol, 2-Methyl-1,3-propandiol, Butandiol, Pentandiol, Hexandiol, Glycerin und dergleichen. Es ist bevorzugt, dass die aliphatische Polyolverbindung Ethylenglycol, Propylenglycol, 2-Methylpropandiol, Butandiol oder Pentandiol ist. Solche Polyolverbindungen sind im Allgemeinen käuflich, wie z.B. von Aldrich (Milwaukee, Wisconsin), und können ohne weitere Reinigung verwendet werden. Die Polyolverbindungen werden in der vorliegenden Erfindung typischerweise in einer Menge im Bereich von etwa 5 bis etwa 85 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, verwendet, vorzugsweise von etwa 10 bis etwa 70 Gew.-% und mehr bevorzugt von etwa 40 bis etwa 70 Gew.-%.
- Die Glycolether, die in der vorliegenden Erfindung geeignet sind, sind beliebige Glycolether, die mit Wasser mischbar sind, mit der Polyolverbindung verträglich sind und die Zusammensetzung nicht destabilisieren, wie z.B. Glycolmono(C1-C6)alkylether und Glycoldi(C1-C6)alkylether, wie z.B. unter anderem (C1-C20)Alkandiol(C1-C6)alkylether und (C1-C20)Alkandioldi(C1-C6)alkylether. Geeignete Glycolether umfassen unter anderem Ethylenglycolmonomethylether, Diethylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonomethylether, Propylenglycoldimethylether, Propylenglycolmono-n-butylether, Dipropylenglycolmonomethylether, Dipropylenglycoldimethylether, Dipropylenglycolmono-n-butylether, Tripropylenglycolmonomethylether und dergleichen. Es ist bevorzugt, dass der Glycolether Dipropylenglycolmonomethylether oder Dipropylenglycolmono-n-butylether ist. Solche Glycolether sind käuflich und können ohne weitere Reinigung verwendet werden. Typischerweise liegen die Glycolether in den Zusammensetzungen der Erfindung in einer Menge im Bereich von etwa 5 bis etwa 80 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vor, und vorzugsweise von etwa 10 bis etwa 70 Gew.-%. Es ist bevorzugt, dass die Polyolverbindung und der Glycolether in einem Gewichtsverhältnis von 1:1 vorliegen.
- Typischerweise wird in der vorliegenden Erfindung entionisiertes Wasser verwendet. Das Wasser liegt typischerweise in einer Menge im Bereich von 5 bis etwa 40 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vor, und vorzugsweise von etwa 10 bis etwa 35 Gew.-%. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung zur Entfernung eines Polymerrückstands verwendet werden, sind typischerweise 5 bis etwa 15 Gew.-% Wasser geeignet. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung zur Entfernung eines Polymerrückstands nach dem Plasmaätzen aus Öffnungen mit einem hohen Seitenverhältnis, wie z.B. Kontaktlöchern, verwendet werden, ist typischerweise etwa 10 bis etwa 35 Gew.-% Wasser geeignet.
- Das Fluoridsalz, das in der vorliegenden Erfindung geeignet ist, wird aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon ausgewählt. Das Fluoridsalz liegt in den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung typischerweise in einer Menge von etwa 1 bis etwa 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vor und vorzugsweise von etwa 1,5 bis etwa 3 Gew.-%. Die Fluoridsalze sind im Allgemeinen käuflich und können ohne weitere Reinigung verwendet werden.
- Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung können gegebenenfalls ein oder mehrere Additiv(e) umfassen. Geeignete Additive umfassen unter anderem Korrosionsinhibitoren, grenzflächenaktive Mittel oder Netzmittel, Co-Lösungsmittel, Komplexbildner und dergleichen.
- Zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist ein beliebiger Korrosionsinhibitor geeignet, der die Korrosion von Metallfilmschichten vermindert. Geeignete Korrosionsinhibitoren umfassen unter anderem Brenzcatechin; (C1-C6)Alkylbrenzcatechin, wie z.B. Methylbrenzcatechin, Ethylbrenzcatechin und tert-Butylbrenzcatechin; Benzotriazol; Hydroxyanisol; (C1-C10)Alkylbenzotriazole; (C1-C10)Hydroxyalkylbenzotriazole; 2-Mercaptobenzimidazol; Gallussäure; Gallussäureester wie z.B. Methylgallat und Propylgallat und dergleichen. Es ist bevorzugt, dass es sich bei dem Korrosionsinhibitor um Brenzcatechin, (C1-C6)Alkylbrenzcatechin, Benzotriazol oder (C1-C10)Alkylbenzotriazole, 2-Mercaptobenzimidazol und mehr bevorzugt um Benzotriazol und tert-Butylbrenzcatechin handelt. Solche Korrosionsinhibitoren sind im Allgemeinen von verschiedenen Quellen käuflich, wie z.B. von Aldrich (Milwaukee, Wisconsin), und können ohne weitere Reinigung verwendet werden.
- Wenn solche Korrosionsinhibitoren in den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung verwendet werden, liegen sie typischerweise in einer Menge im Bereich von etwa 0,01 bis etwa 10 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vor. Es ist bevorzugt, dass die Menge des Korrosionsinhibitors etwa 0,2 bis etwa 5 Gew.-%, mehr bevorzugt etwa 0,5 bis etwa 3 Gew.-% und insbesondere etwa 1,5 bis etwa 2,5 Gew.-% beträgt. Es ist bevorzugt, dass ein Korrosionsinhibitor verwendet wird.
- In den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung können nichtionische, anionische und kationische grenzflächenaktive Mittel verwendet werden. Nichtionische grenzflächenaktive Mittel sind bevorzugt. Solche grenzflächenaktiven Mittel sind im Allgemeinen käuflich. Die grenzflächenaktiven Mittel liegen typischerweise in einer Menge von etwa 0,2 bis etwa 5 Gew.-%, vorzugsweise von etwa 0,5 bis etwa 3 Gew.-% und mehr bevorzugt von etwa 1 bis etwa 2,5 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vor. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung zur Entfernung eines Polymerrückstands aus Öffnungen mit einem hohen Seitenverhältnis nach dem Plasmaätzen verwendet werden, ist es bevorzugt, dass in den vorliegenden Zusammensetzungen ein grenzflächenaktives Mittel verwendet wird, und es ist mehr bevorzugt, dass sowohl ein grenzflächenaktives Mittel als auch ein Korrosionsinhibitor verwendet werden.
- Geeignete Co-Lösungsmittel, die in den Zusammensetzungen geeignet sind, sind beliebige Co-Lösungsmittel, die mit Wasser mischbar sind und die vorliegenden Zusammensetzungen nicht destabilisieren. Solche geeigneten Co-Lösungsmittel umfassen unter anderem polare aprotische Lösungsmittel wie z.B. Dimethylsulfoxid, Tetramethylsulfon (oder Sulfolan) und Dimethylsulfon; Aminoalkohole wie z.B. Aminoethylaminoethanol; N-(C1-C10)Alkylpyrrolidone wie z.B. N-Methylpyrrolidon („NMP"), N-Ethylpyrrolidon, N-Hydroxyethylpyrrolidon und N-Cyclohexylpyrrolidon; Amide wie z.B. Dimethylacetamid („DMAC") und dergleichen. Es ist bevorzugt, dass das Co-Lösungsmittel aus N-(C1-C10)Alkylpyrrolidonen und Amiden, mehr bevorzugt aus N-Methylpyrrolidon, N-Ethylpyrrolidon, N-Hydroxyethylpyrrolidon, N-Cyclohexylpyrrolidon und Dimethylacetamid ausgewählt ist. Es ist ferner bevorzugt, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung frei von einem Amin-Co-Lösungsmittel sind, wie z.B. von Aminoalkoholen. Wenn solche Co-Lösungsmittel verwendet werden, liegen sie typischerweise in einer Menge im Bereich von etwa 5 bis etwa 45 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vor, vorzugsweise von etwa 5 bis etwa 35 Gew.-% und mehr bevorzugt von etwa 10 bis etwa 30 Gew.-%.
- Besonders gut geeignete Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind diejenigen, die etwa 1 bis etwa 5 Gew.-% und vorzugsweise etwa 1,5 bis etwa 2,5 Gew.-% und einen Korrosionsinhibitor in einer Menge von etwa 1 bis etwa 3 Gew.-% umfassen. Wenn ein oder mehrere Co-Lösungsmittel verwendet werden, sind besonders geeignete Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung diejenigen, die ein Gewichtsverhältnis von Polyolverbindung/Glycolether/Co-Lösungsmittel von 2:2:1 aufweisen.
- Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung können durch Kombinieren von einer oder mehreren der Polyolverbindungen, einem oder mehreren der Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, und gegebenenfalls einem oder mehreren der Additive in einer beliebigen Reihenfolge hergestellt werden. Vorzugsweise wird das Fluoridsalz in der minimalen Wassermenge gelöst, die zum Lösen des Salzes erforderlich ist, und dann werden der resultierenden Lösung eine oder mehrere der Polyolverbindungen, einer oder mehrere der Glycolether, ausreichend Wasser, um mindestens 5 Gew.-% bereitzustellen, und dann eines oder mehrere der optionalen Additive zugesetzt.
- Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind zur Entfernung eines Polymermaterials nach der Plasmaätzung von einem Substrat geeignet. Jegliches Polymermaterial, z.B. unter anderem Photolacke, Lötmasken, Antireflexionsbeschichtungen und dergleichen, das strengen Verfahrensbedingungen unterworfen worden ist, wie z.B. einem Plasmaätz-, Autoplasmaveraschungs-, Ionenimplantations- oder Ionenstrahlätzverfahren kann erfindungsgemäß effektiv von einem Substrat entfernt werden. Jegliches Polymermaterial, das den vorstehend beschriebenen strengen Behandlungsverfahren unterworfen worden ist, wird in dieser Beschreibung als "Polymerrückstand nach einem Plasmaätzen" bezeichnet. Die Zusammensetzungen und Verfahren der vorliegenden Erfindung sind besonders zur Entfernung des organometallischen Polymerrückstands nach einem Trockenplasmaätzen, reaktiven Ionenätzen und Ionenstrahlätzen von Materialien, wie z.B. Photolacken, leitenden Metallschichten und isolierenden dielektrischen Schichten geeignet.
- Ein Polymerrückstand auf einem Substrat kann durch Inkontaktbringen des Substrats mit einer Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung entfernt werden. Das Substrat kann mit den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung mit einem beliebigen bekannten Mittel in Kontakt gebracht werden, wie z.B. durch Eintauchen des Substrats in ein Bad, wie z.B. eine nasschemischen Einrichtung, die eine Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung enthält, wie z.B. ein Bad, das Raumtemperatur aufweist oder erhitzt wird, oder durch Sprühen einer Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung bei einer gewünschten Temperatur auf die Oberfläche des Substrats. Nach dem Kontakt mit den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung wird das Substrat typischerweise z.B. mit entionisiertem Wasser gespült und dann getrocknet, wie z.B. durch Schleudertrocknen. Wenn die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung auf ein Substrat gesprüht werden, wird ein solcher Sprühvorgang typischerweise in einer Sprühkammer wie z.B. einer Lösungsmittelreinigungssprühvorrichtung durchgeführt, die von Semitool, Inc. (Kalispell, Montana) erhältlich ist.
- Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt darin, dass Temperaturen eingesetzt werden können, die signifikant niedriger sind als die Temperaturen, die mit bekannten Entfernungszusammensetzungen für ein Polymer nach einem Plasmaätzen eingesetzt werden. Typischerweise kann das Polymerrückstand-Entfernungsverfahren der vorliegenden Erfindung bei Umgebungstemperatur oder bei einer beliebigen Temperatur wie z.B. von Raumtemperatur bis etwa 60°C, vorzugsweise von etwa 20°C bis etwa 50°C, mehr bevorzugt von etwa 25°C bis etwa 45°C und insbesondere von etwa 25°C bis etwa 35°C durchgeführt werden.
- Ein weiterer Vorteil der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass sie zur Entfernung von Polymermaterial von Substraten effektiv verwendet werden können, die ein oder mehrere dielektrische Schichten umfassen, ohne das dielektrische Material wesentlich zu ätzen. Typischerweise ätzen die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung dielektrische Materialien mit einer Geschwindigkeit von weniger als 5 Å/min, vorzugsweise mit einer Geschwindigkeit von weniger als 4 Å/min und mehr bevorzugt mit einer Geschwindigkeit von weniger als 3 Å/min bei 23°C. Folglich sind die vorliegenden Zusammensetzungen mit vielen verschiedenen dielektrischen Materialien verträglich, insbesondere mit Materialien mit niedriger Dielektrizitätskonstante ("niedrigem k-Wert"), wie z.B. unter anderem Siloxanen, Siliciumdioxiden, Silsesquioxanen, wie z.B. Hydrogensilsesquioxan, Methylsilsesquioxan, Phenylsilsesquioxan und Gemischen davon, Benzocyclobutenen ("BCB"), Polyarylenethern, polyaromatischen Kohlenwasserstoffen, fluorierten Siliciumgläsern und dergleichen.
- Ein weiterer Vorteil der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass ein Polymermaterial nach dem Plasmaätzen von einem Substrat ohne Ätzen thermischer Oxidschichten unterhalb von Metallleitungen entfernt werden kann.
- Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind besonders gut für die Entfernung von Rückständen nach dem Plasmaätzen geeignet, wenn andere herkömmliche Ablösezusammensetzungen solche Rückstände nicht entfernen können. Ferner sind die vorliegenden Zusammensetzungen für Substrate, die Metalle enthalten, insbesondere Kupfer und Aluminium, im Wesentlichen nicht korrosiv. Es ist bevorzugt, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bezüglich Metallen, insbesondere Kupfer und Aluminium, nicht korrosiv sind.
- Die vorliegenden Zusammensetzungen sind bei der vollständigen Entfernung des Photolacks für den fernen UV-Bereich, der auf einer Schicht eines schwer zu entfernenden Antireflexionsbeschichtungspolymers ("ARC"-Polymers) aufgebracht ist, sehr effektiv. Es ist bekannt, dass solche ARC's vernetzte Polymermaterialien sind, die mit herkömmlichen Photolack-Ablösezusammensetzungen nur sehr schwer zu entfernen sind.
- Um Metallleitungen mit Sub-0,5 μm-Geometrie und Kontaktlochöffnungen mit hohem Seitenverhältnis zu erhalten, werden der Photolack für den fernen UV-Bereich und die entsprechende ARC-Schicht mit einem fluorierten Plasmagas behandelt, wie z.B. einem Plasmagas, das mit Plasmaätzvorrichtungen mit hoher Dichte verwendet wird. Der Positiv-Photolack für den fernen UV-Bereich und das ARC-Polymer werden unter solchen Bedingungen sehr stark vernetzt, wodurch fluororganometallische Polymerrückstände zurückbleiben, die mit herkömmlichen Ablöseverfahren nur sehr schwer zu entfernen sind. Es wurde überraschenderweise gefunden, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung solche Polymerrückstände bei Umgebungstemperatur und relativ kurzen Verarbeitungszeiten effektiv entfernen.
- Folglich sind die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung auch in anderen Anwendungen geeignet, bei denen solche strengen oder extremen Verarbeitungsbedingungen vorliegen, wie z.B. unter anderem bei der TFT/LCD-Flachbildschirmherstellung, bei der Herstellung von Magnetowiderstandsdünnschichtköpfen und großen Magnetowiderstandsdünnschichtköpfen oder bei der Herstellung von Lese-Schreib-Vorrichtungen. Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind bezüglich Metallfilmen bzw. -schichten, die bei der Herstellung von Magnetowiderstandsdünnschichtköpfen und großen Magnetowiderstandsdünnschichtköpfen verwendet werden, wie z.B. Aluminiumoxid ("Al2O3"), Gold ("Au"), Cobalt ("Co"), Kupfer ("Cu"), Eisen ("Fe"), Iridium ("Ir"), Mangan ("Mn"), Molybdän ("Mo"), Nickel ("Ni"), Platin ("Pt"), Ruthenium ("Ru") und Zirkonium ("Zr"), sowie gegen andere Metalle, die bei der Herstellung von Halbleitern und elektronischen Materialien verwendet werden, wie z.B. unter anderem Kupfer, Aluminium, Nickel-Eisen, Wolfram, Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid, im Wesentlichen inert und vorzugsweise vollständig inert.
- Die nachstehenden Beispiele sollen verschiedene weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, sind jedoch nicht beschränkend aufzufassen.
- Beispiel 1
- Dieses Beispiel veranschaulicht die Entfernung eines Polymerrückstands nach einem Plasmaätzen und das Lackablösevermögen der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung.
- Eine Anzahl von Siliziumwafern (8 Zoll oder 20,3 cm), die mit elektroplattiertem Kupfer beschichtet waren, oder Aluminiumtitancarbid-Keramikwafer ("AlTiC"-Keramikwafer) mit chemisch aufgedampften ("CVD") Metallschichten oder Legierungsschichten aus Aluminium ("Al"), Aluminiumoxid ("Al2O3"), Silizium ("Si"), Kupfer ("Cu"), Titan ("Ti"), Titannitrid ("TiN") oder Wolfram ("W") wurden entweder mit einem Positiv-Photolack der AZ 4000-Reihe (von Clariant Corp., Somerville, New Jersey erhältlich) oder mit einem DUV-Positiv-Photolack (von Shipley Company, Marlborough, Massachusetts erhältlich) sowie mit einem Antireflexionsbeschichtungspolymer (von Shipley Company erhältlich) beschichtet. Die Wafer wurden dann nachgetrocknet, verarbeitet und autoplasmaverascht. Nach dem Veraschen wurden die Wafer 15 bis 20 min in ein 500 ml-Bad einer Ablösezusammensetzung bei 25°C eingetaucht. Die Wafer wurden dann mit entionisiertem Wasser ("DI"-Wasser) gespült und mit einem Stickstoffstrom getrocknet. Nach dem Trocknen wurden die Wafer bezüglich Polymerrückständen und einer gegebenenfalls vorhandenen Metallkorrosion unter Verwendung eines Feldemissionsrasterelektronenmikroskops ("FE-SEM") unter Verwendung von Standardverfahren getestet. Die getesteten Ablösezusammensetzungen sind in der Tabelle 1 angegeben.
- Die Ablöse- und Korrosionsergebnisse sind in der Tabelle 2 angegeben. Die getesteten und in der Tabelle 2 angegebenen Dünnschichten waren entweder Schichten aus einzelnen Metallen oder Legierungsschichten. Die Schichten, und zwar entweder die Schichten aus einem einzelnen Metall oder die Legierungsschichten, sind durch Kommata getrennt. Legierungen werden mit dem Symbol "/" angegeben, wie z.B. Al/Cu.
- Die vorstehenden Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bei der Entfernung eines Polymerrückstands nach dem Plasmaätzen effektiv und für Metallschichten im Wesentlichen nicht korrosiv sind.
- Beispiel 2
- Dieses Beispiel veranschaulicht die nicht-korrosive Natur der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bezüglich Kupfer.
- Siliziumwafer, die eine elektroplattierte Schicht aus 100% Kupfer enthielten, wurden in 2 Zoll × 2 Zoll-Chips (5 cm × 5 cm-Chips) geschnitten und 30 min in 100 ml eines Ablösebads bei 75°C erhitzt. Die kupferplattierten Wafer wurden dann aus dem Ablösebad entfernt. Das Ablösebad wurde dann bezüglich des Gehalts an gelöstem Kupfer unter Verwendung eines von Hewlett-Packard erhältlichen induktiv gekoppelten Plasmamassenspektrometers ("ICP-MS") HP-4500 unter Verwendung eines Kaltabschirmungsplasmaverfahrens untersucht. Zwei Ablösebäder der vorliegenden Erfindung, die Proben G und H, wurden mit drei bekannten Polymerablösebädern verglichen, den Vergleichsproben C1 bis C3. Die Zusammensetzungen der Ablösebäder und die Menge des gelösten Kupfers sind in der Tabelle 3 angegeben.
- Die vorstehenden Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bezüglich Kupfer signifikant weniger korrosiv sind als die bekannten Ablösezusammensetzungen.
- Beispiel 3
- Das Verfahren von Beispiel 2 wurde unter Verwendung von Flachbildschirmen ("FPD's") wiederholt, bei denen eine Glasplatte mit verschiedenen Metalllegierungen beschichtet war. Bei keiner der Metallschichten wurde eine signifikante Korrosion festgestellt.
- Beispiel 4
- Das Verfahren von Beispiel 2 wurde unter Verwendung eines Glassubstrats mit einer Indiumzinnoxid/Tantal-Dünnschicht ("ITO/TA"-Dünnschicht) wiederholt. Auf den Metallschichten wurde keine signifikante Korrosion festgestellt.
- Beispiel 5
- Das Verfahren von Beispiel 2 wurde unter Verwendung eines Niob/Aluminium/Niob-Substrats ("Nb/Al/Nb"-Substrats) wiederholt. Es wurde keine signifikante Korrosion der Metallschichten festgestellt.
- Beispiel 6
- Das Verfahren von Beispiel 2 wurde unter Verwendung von Magnetowiderstandsdünnschichtköpfen und großen Magnetowiderstandsdünnschichtköpfen wiederholt, die Al2O3-Dünnschichten enthielten. Auf den Al2O3-Dünnschichten wurde keine signifikante Korrosion der Metallschichten festgestellt, jedoch wurden in den Ablösebädern Spurenmengen an Aluminium nachgewiesen.
- Beispiel 7
- Ein Siliziumwafer, der eine Metallschicht aus TiN/AlCu/TiN auf einer thermischen Oxidschicht enthielt, wurde in mehrere kleine Stücke zerbrochen. Ein Ablösebad, das 27,5% DPM, 27,5 Wasser, 27,5% MP-Diol, 13,8% DMAC, 1,8% Ammoniumfluorid, 0,9% eines nichtionischen grenzflächenaktiven Mittels und 0,9% eines Korrosionsinhibitors enthielt, wurde hergestellt. Das Ablösebad wurde auf verschiedene Temperaturen erwärmt. Ein Stück des Wafers wurde bei jeder der getesteten Temperaturen 10 min in ein Ablösebad eingebracht. Nach 10 min wurden die Waferstücke aus dem Bad entnommen, 5 min mit entionisiertem Wasser gespült und dann unter einem sauberen Stickstoffstrom getrocknet. Alle Proben wurden mittels FE-SEM bewertet, um die Menge der Oxidschichtunterätzungen zu bestimmen. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 4 angegeben.
- Die vorstehenden Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in einem Bereich von Temperaturen geeignet sind, ohne dass die Oxidschicht unterätzt wird.
- Beispiel 8
- Dieses Beispiel veranschaulicht, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung mit einem dielektrischen Material verträglich sind.
- Eine Anzahl von Proben eines dielektrischen Materials wurde einem auf 23°C erwärmten Ablösebad ausgesetzt, das 27,5% DPM, 27,5% Wasser, 27,5% MP-Diol, 13,8% DMAC, 1,8% Ammoniumfluorid, 0,9% eines nichtionischen grenzflächenaktiven Mittels und 0,9 eines Korrosionsinhibitors enthielt. Die Ätzgeschwindigkeiten des Bads bezüglich der verschiedenen dielektrischen Materialien wurde bestimmt und die Ergebnisse sind in der Tabelle 5 angegeben.
- Aus den vorstehenden Daten ist ersichtlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bezüglich dielektrischer Materialien im Allgemeinen nicht korrosiv sind, insbesondere bezüglich anorganischer Materialien wie z.B. Siliziumgläsern.
- Beispiel 9
- Das Verfahren von Beispiel 8 wurde wiederholt, jedoch wurden verschiedene Oxidmaterialien dem Ablösebad ausgesetzt. Diese Daten sind in der Tabelle 6 angegeben. "BPSG" bezieht sich auf ein Bor-Phosphor-Siliziumglas, "TEOS" bezieht sich auf Tetraethylorthosilikat und "PE-SiO2" bezieht sich auf Plasma-verstärktes Siliziumoxid.
- Die vorstehenden Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung Oxidmaterialien nicht wesentlich ätzen.
- Beispiel 10
- Das Verfahren von Beispiel 8 wurde wiederholt, jedoch wurden verschiedene Metalle dem Ablösebad ausgesetzt. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 7 angegeben.
- Diese Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung bezüglich Metallen im Wesentlichen nicht korrosiv sind.
- Beispiel 11
- Siliziumoxidschichten, die mit Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in Kontakt gebracht worden sind, die ABF als Fluoridsalz und > 5% Wasser enthielten, zeigten eine Sprenkelung, jedoch keinen signifikanten Verlust an Siliziumdioxid. Entsprechende Zusammensetzungen, die < 5% Wasser enthielten, zeigen keine Sprenkelung. Eine solche Sprenkelung ist nur ein kosmetischer Defekt und kein signifikanter Verlust an Siliziumdioxid. Siliziumoxidschichten, die mit Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung in Kontakt gebracht worden sind, die AF als Fluoridsalz enthielten und einen Wassergehalt von etwa 5 bis etwa 35% Wasser aufwiesen, zeigen keine Sprenkelung und keinen signifikanten Verlust an Siliziumdioxid.
- Beim Erwärmen der Zusammensetzungen der Erfindung auf etwa 40°C wurde die Menge des geätzten Siliziumdioxids erhöht. Bei Temperaturen unter etwa 35°C war bei der Verwendung von AF oder ABF als Fluoridsalz keine signifikante Siliziumdioxidätzung sichtbar.
- Diese Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung Siliziumdioxid nicht wesentlich ätzen.
- Beispiel 12
- Das Verfahren von Beispiel 2 wurde wiederholt, jedoch wurden verschiedene Korrosionsinhibitoren in der folgenden Ablösezusammensetzung bewertet: 28% DPM, 28% Wasser, 28% MP-Diol, 14% DMAC und 2% Ammoniumfluorid. Die Korrosionsinhibitoren wurden bezüglich der Kupferkorrosion durch visuelle Untersuchung auf einer Skala von 1 bis 10 bewertet, wobei 1 die für das Kupfer am stärksten korrosive Zusammensetzung und 10 die für das Kupfer am wenigsten korrosive Zusammensetzung ist. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 8 angegeben.
- Die vorstehenden Daten zeigen, dass alle Korrosionsinhibitoren in den Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung wirksam sind.
- Beispiel 13
- Dieses Beispiel veranschaulicht das Reinigungsverfahren eines Flachbildschirms ("FPD" oder "TFT/LCD").
- Flüssigkristallanzeige-Flachbildschirme, die als Metallstapel Kupfer ("Cu"), Molybdän ("Mo"), Wolfram ("W") und Titannitrid ("Ti-N") aufweisen und eine Positiv-Photolackschicht enthielten, wurden mit Plasma mit hoher Dichte zum Ätzen von Metallschichten behandelt und mit einem Sauerstoffplasma verascht. Der resultierende plasmageätzte Polymerrückstand wurde unter Verwendung von zwei käuflichen Photolack-Ablösezusammensetzungen und Polymerentfernungszusammensetzungen (Vergleichsbeispiele C4 und C5) und zwei Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung getestet. Die getesteten Zusammensetzungen sind in der Tabelle 9 angegeben.
- Die eingesetzten Ablösezeiten und -temperaturen entsprachen den von den Herstellern empfohlenen Zeiten und Temperaturen und sind in der Tabelle 10 angegeben. Die Proben wurden bezüglich des Ausmaßes des Polymerrückstand-Entfernungsvermögens jeder Zusammensetzung mit einem JEOL-6320 SEM (Rasterelektronenmikroskop) sowie durch Messungen des spezifischen Widerstands/der Leitfähigkeit von Kontaktlochöffnungen bewertet. Die Proben wurden ebenfalls bezüglich jeglicher Korrosion der Metallschichten bewertet. Das Ausmaß der Korrosion jedes Metallsubstrats wurde unter Verwendung der Konzentration ionischer Spezies in den Ablöselösungen vor und nach dem Ablöseprozess gemessen. Die Ionenkonzentrationen wurden Verwendung eines induktiv gekoppelten Plasmaemissionsmassenspektrometers ("ICP/MS") HP-4500 von Hewlett-Packard unter Verwendung von Kaltplasmatechniken und Standardzugabeverfahren gemessen. Das Ausmaß der Metallkorrosion und die Ergebnisse der Polymerrückstandsentfernung sind in der Tabelle 10 angegeben.
- Die vorstehenden Daten zeigen deutlich, dass die Zusammensetzungen der Erfindung bezüglich einer schnellen und vollständigen Entfernung eines Plasmaätz-Polymerrückstands wirksam sind, ohne dass eine Korrosion des Substrats verursacht wird.
Claims (11)
- Zusammensetzung für die Entfernung von Polymermaterial von einem Substrat, welche eine oder mehrere Polyolverbindungen, einen oder mehrere Glycolether, Wasser, Fluoridsalz, ausgewählt aus Ammoniumfluorid, Ammoniumdifluorid, Ammonium-Tetramethylammoniumdifluorid oder Gemischen davon, und gegebenenfalls ein oder mehrere Additive umfaßt, wobei das Wasser in einer Menge von mindestens 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Polyolverbindung aus (C2-C20)Alkandiolen, substituierten (C2-C20)Alkandiolen, (C2-C20)Alkantriolen oder substituierten (C2-C20)Alkantriolen ausgewählt ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei das Polyol in einer Menge von etwa 5 bis etwa 85 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Glycolether aus (C1-C20)Alkandiol(C1-C6)alkylethern oder (C1-C20)Alkandioldi(C1-C6)alkylethern ausgewählt ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Glycolether in einer Menge von etwa 5 bis etwa 80 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Fluoridsalz Ammoniumfluorid ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Fluoridsalz in einer Menge von etwa 1 bis etwa 5 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung, vorliegt.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das optionale Additiv aus Korrosionsinhibitoren, grenzflächenaktiven Mitteln, Co-Lösungsmitteln oder Komplexbildnern ausgewählt ist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 8, wobei das Co-Lösungsmittel aus polaren aprotischen Lösungsmitteln, Aminoalkoholen, N-(C1-C10)Alkylpyrrolidonen oder Amiden ausgewählt ist.
- Verfahren zum Entfernen von Polymermaterial von einem Substrat, umfassend den Schritt des Inkontaktbringens eines Substrates, das zu entfernendes Polymermaterial enthält, mit der Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
- Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Substrat ein integrierter Schaltkreis oder ein magnetischer Dünnschichtkopf ist.
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