DE60118015T2

DE60118015T2 - Fotoresist-entfernungs-/reinigungszusammensetzungen mit aromatischen säureinhibitoren

Info

Publication number: DE60118015T2
Application number: DE60118015T
Authority: DE
Inventors: W. Darryl Stewartsville PETERS; L. Floyd Hellertown RIDDLE
Original assignee: Air Products and Chemicals Inc
Current assignee: Air Products and Chemicals Inc
Priority date: 2000-09-25
Filing date: 2001-09-18
Publication date: 2006-09-14
Anticipated expiration: 2021-09-19
Also published as: TWI262364B; ATE320620T1; CN1221869C; MY122837A; DE60118015D1; JP2004510204A; WO2002027409A1; CN1466708A; US6558879B1; AU2001292766A1; CA2423468A1; EP1334408A4; KR20040004382A; EP1334408B1; KR100793590B1; EP1334408A1

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Bei der Erfindung geht es um Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen für die Entfernung von Rückständen von Metall oder dielektrischen Flächen bei der Herstellung von Halbleitern und Mikroschaltkreisen. Genauer stellt die Erfindung ein neues Inhibitionssystem zur Verfügung, das die Korrosion des Metalls und die erneute Ablagerung von Rückständen auf dem Substrat verhindert.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Herkömmlich müssen bei der Herstellung von Halbleitern und Mikroschaltkreisen nach dem Ätzschritt die rückständigen Ätzmittel und Photoresists entfernt werden, ohne dass die Oberfläche der metallischen Schaltungsbauteile korrodiert oder stumpf bzw. das Substrat chemisch verändert wird.
Resistablösungs- und Reinigungsmittel, die Gemische aus aromatischen Lösungsmitteln und basischen Aminen umfassen, sind bekannt. Diese Resistablösungsmittel sind zwar effektiv darin, die Photoresistrückstände zu entfernen, neigen jedoch auch dazu, den Leiter aus Metall oder einer Metalllegierung wie Kupfer, aluminisiertem Siliciumdioxid und/oder Titan zu korrodieren. Für einige Ablösungszusammensetzungen wurde vorgeschlagen, Fluorwasserstoff zu verwenden, um die Metallkorrosionsgeschwindigkeit zu verringern. Jedoch greift Fluorwasserstoff Titanmetall an, muss vom Personal sehr sorgfältig gehandhabt werden und verursacht Probleme bezüglich der Entsorgung. Darüber hinaus haben im Handel erhältliche Photoresistablösungszusammensetzungen übermäßig lange Verweilzeiten oder wiederholte Anwendungen erfordert, um bestimmte Beschichtungen zu entfernen. Außerdem gelang es bei verschiedene Beschichtungen nicht, sie mit den verfügbaren Ablösungszusammensetzungen von bestimmten Substraten zu entfernen.
Je geringer die Verarbeitungsgröße in Vorrichtungen im Submikronbereich wird, d.h. je mehr Transistoren pro cm² vorliegen, desto kritischer werden die Ätzbedingungen und die Notwendigkeit, Rückstände nach dem Ätzen zu entfernen. Der Photoresist wird anfälliger für Beschädigungen und lässt sich auch unter strengeren Bedingungen schwieriger entfernen. Somit müssen Ablösungs-/Reinigungsformulierungen verbessert werden. Dies schließt auch die Bereitstellung effizienterer Korrosionsinhibitoren ein. Bekannte Metallkorrosionsinhibitoradditive (d.h. Phenolderivate wie Catechol, Pyrogallol, Gallussäure, Resorcinol und β-Naphthol), Glucose und Azole wie Benzotriazol usw. in Ablösungsmitteln/Reinigern für Halbleiter in halbwässerigen Lösungsmittelmischunen können in Gegenwart großer Wassermengen keinen akzeptablen Grad an Korrosionshemmung aufrechterhalten. Bei herkömmlichen Inhibitoren führen mehr als etwa 25 Gew.-% Wasser zu inakzeptablen Korrosionsraten für Aluminium, Aluminiumlegierungen und Kupfer. Die Leistung und Ausbeute der Halbleitervorrichtung hängen stark davon ab, dass die vorgegebene Linienbreite erhalten bleibt. Ein inakzeptabler Verlust an Linienbreite führt zu einem Verlust an Ausbeute. Größere Mengen an Wasser verbessern die Geschwindigkeit der Entfernung aller organischen Rückstände, doch dies muss gegen den Verlust der Linienbreite aufgewogen werden.
US-A-5,496,482, 5,556,482 und 5,707,947, erteilt an Ward et al., die hiermit durch Bezugnahme in diese Anmeldung aufgenommen werden, offenbaren organische Ablösungszusammensetzungen für Photoresists, die organische polare Lösungsmittel und basische Amine enthalten und Inhibitoren umfassen, die Koordinationskomplexe mit dem Metall bilden. Die offenbarten Korrosionsinhibitoren sind schwache Phenolderivate, die in Lösungen mit einem pH-Wert von etwa 9 deprotonieren und Mono- und Dianionen bilden, die mit Metallkationen chelieren können und stabile fünf-, sechs- und siebengliedrige Ringe bilden.
Benzoesäure und substituierte Benzoesäuren sind als Korrosionsinhibitoren an Schnittstellen für Kupfer in Perchlorsäure (HClO₄) studiert worden (R. K. Dinoppa und S. M. Mayanna, "Journal of Applied Electrochemistry, 11 (1981), S. 111–116), wurden jedoch niemals auf dem Gebiet der Ablösungs-/Reinigungszusammensetzungen für die Entfernung von Photoresists aus Halbleitern und Mikroschaltkreiselementen getestet.
Es besteht der Bedarf, eine Photoresistablösungs-/-reinigungszusammensetzung zur Verfügung zu stellen, die die Korrosionshemmung an Metallen und Metalllegierungen verbessert sowie viele verschiedene organische polymere Photoresists und anorganische Materialien effizient und im Wesentlichen vollständig entfernt, dabei aber gleichzeitig gegenüber dem Substrat chemisch inert ist.
Zusammenfassung der Erfindung
Erfindungsgemäß werden wässerige saure und basische Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen zur Verfügung gestellt, die in der Halbleiter- oder Mikroschaltkreisindustrie zur Entfernung von Photoresists und anderen Rückständen brauchbar sind, über verbesserte Korrosionshemmung verfügen, in säurehaltigen Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen eingesetzt werden können und frei von Oxidationsmitteln sind.
Die Inhibitoren, die in den erfindungsgemäßen Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen verwendet werden, sind eine einzigartige Gruppe von aromatischen Carbonsäuren und ihren Derivaten, ausgewählt aus Ammoniumbenzoat, Benzoesäure, Phthalsäureanhydrid, Isophthalsäure und deren Gemischen in einer Menge, die die Korrosion effektiv hemmt.
Vorteilhafterweise umfassen die Photoresistablösungs- und -reinigungszusammensetzungen, die wässrige basische Amine enthalten, Alkanolamine, Hydroxylamine und Gemische davon. Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen eignen sich besonders gut für die Entfernung organischer Rückstände auf Metall oder dielektrischen Substraten.
Es ist eine Aufgabe dieser Erfindung, verbesserte Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen zur Verfügung zu stellen, die Rückstände von Substraten effektiv und effizient entfernen, ohne dass es zu einer erneuten Ablagerung kommt.
Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, eine verbesserte Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung zur Verfügung zu stellen, die weder Metalle noch Metalllegierungen oder dielektrische Substrate korrodiert.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung einer Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung, die die erneute Ablagerung von Metallionen hemmt.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Korrosionsinhibitors, der effektiv in basischen oder sauren Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen verwendet werden kann.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Korrosionsinhibitors für Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen, die in Gegenwart großer Wassermengen einen verbesserten Grad an Korrosionshemmung aufrechterhalten.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung von Korrosionsinhibitoren für halbwässerige Photoresistablösungs- und -reinigungszusammensetzungen, die weniger teuer sind und bei niedrigen Konzentrationen und niedrigen Temperaturen effektiv arbeiten.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung liegt in der Bereitstellung einer wässerigen Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung für Aluminium- und Kupferfolien mit hoher Reinigungseffizienz in wässrigen Formulierungen mit verringerter Toxizität.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 zeigt Kurven der Korrosionshemmungseffizienz für eine Ablösungszusammensetzungsmatrix aus Wasser/45% Cholinhydroxid im Verhältnis von 90/6 n/m und die hemmende Wirkung verschiedener Verhältnisse von Ammoniumbenzoat und Benzoesäure auf Aluminium- und Kupfermetallfolien bei 20°C.
2 zeigt die Auswirkung der Kupferätzgeschwindigkeit durch Veränderung des Verhältnisses der Komponente des organischen polaren Lösungsmittels (DMAC) in einer Ablösungszusammensetzungsmatrix, die 6% (45%) Cholinhydroxid und 4% Benzoesäure umfasst.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Erfindungsgemäß werden neuartige Ablösungs- und/oder Reinigungszusammensetzungen zur Verfügung gestellt, welche aus spezifischen aromatischen Carbonsäuren, ihren Derivaten und deren Gemischen ausgewählte Korrosionsinhibitoren enthalten und für die Verarbeitung von Halbleitern im Submikronbereich geeignet sind. Die erfindungsgemäßen Korrosionsinhibitoren haben einen pKa-Wert, der 4,19 oder weniger entspricht.
Die bevorzugten erfindungsgemäßen Inhibitoren sind Benzoesäure, Ammoniumbenzoat, Phthalsäure, Phthalsäureanhydrid und Isophthalsäure. Die Verwendung von Anhydriden in basischen, halbwässerigen Lösungsmittelmischungen führt zur Bildung der Säure in situ.
Korrosionsinhibitoren können in Mengen von 0,2 bis etwa 15 Gew.-% verwendet und den Ablösungs- und/oder Reinigungszusammensetzungen zugesetzt werden. Vorzugsweise beträgt die Inhibitorkonzentration 2 bis 8 Gew.-%, stärker bevorzugt etwa 3 bis etwa 5 Gew.-% und am meisten bevorzugt etwa 3 bis etwa 5 Gew.-%. Diese Prozentsätze basieren auf dem Gesamtgewicht der Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung.
Die erfindungsgemäßen Korrosionsinhibitoren sind zumindest mit Wasser mischbar und effektiv in Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen, die mehr als 25 Gew.-% Wasser enthalten. Tatsächlich können Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen mit einem Wassergehalt von etwa 25 bis etwa 95 Gew.-% toleriert werden, ohne dass es zu einem Rückgang der Korrosionshemmungsleistung bei Aluminium, Aluminiumlegierungen und Kupfer kommt.
Die organischen polaren Lösungsmittel, bei denen es sich um Komponenten der erfindungsgemäßen Ablösungs- und/oder Reinigungszusammensetzung handelt, umfassen eine breite Materialklasse, darunter N,N'-Dialkylalkanoylamide, N-Alkyllactame, Acetatester von Ethylenglycolethern, Acetatester von Propylenglycolethern, aliphatische Amide, heterocyclische Verbindungen, cyclische aliphatische Sulfone, Ester dibasischer Säuren, cyclische Ketone, cyclische Sulfone, Ester dibasischer Säuren [AdÜ: Doppeltnennung], Sulfoxide, Etheralkohole und Gemische davon.
Im einzelnen umfassen brauchbare Lösungsmittel N,N'-Dimethylacetamid, Carbitolacetat, Dimethyladipat, Monoethanolamin, Triethanolamin, Propylencarbonat, Cholinhydroxid, 2-(2-Aminoethoxyethanol), Dimethylformamid, Tetrahydrofurylalkohol, Butyldiglycol, Dimethylglutarat, Isophoron, γ-Butyrolacton, Methylacetoxypropan, N-Methyl-2-pyrrolidon, Dimethylsulfoxid und deren Gemische.
Andere polare Lösungsmittel, die sich zur Verwendung in den erfindungsgemäßen Ablösungs- und/oder Reinigungszusammensetzungen eignen, umfassen Ethylenglycol, Ethylenglycolalkylether, Diethylenglycolalkylether, Triethylenlgycolalkylether, Propylenglycol, Propylenglycolalkylether, Dipropylenglycolalkylether, Tripropylenglycolalkylether, Ethylendiamin und Ethylentriamin. Weitere in der Technik bekannte polare Lösungsmittel können ebenfalls in der erfindungsgemäßen Zusammensetzung verwendet werden.
Die erfindungsgemäßen Ablösungszusammensetzungen können auf Wunsch auch jedes geeignete mit Wasser mischbare nichtionische Tensid enthalten, das die Ablösungs- und Reinigungswirkung nicht beeinträchtigt, typischerweise in einer Menge von etwa 0,1 bis etwa 2 Gew.-% der Gesamtzusammensetzung.
Für die Verwendung in der Erfindung geeignete Alkanolamine können durch folgende Formel dargestellt werden R_3-n-N[(CH₂)_mOR')]_n, in der R und R' H oder Alkyl sein können und m 2 oder 3 und n 1, 2 oder 3 ist. Sie haben vorzugsweise relativ hohe Siedepunkte, d.h. 100°C oder darüber und einen hohen Flammpunkt, d.h. 45°C. Die Alkanolamine sind vorzugsweise wasserlöslich und mit Hydroxylamin mischbar.
Beispiele für geeignete Alkanolamine umfassen Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, Isopropanolamin, 2-Amino-1-propanol, 3-Amino-1-propanolisobutanolamin, 2-Amino-2-ethoxyethanol, 2-Amino-2-ethoxypropanol, Tripropanolamin und dergleichen.
Verschiedene andere Fachleuten bekannte Inhaltsstoffe, z.B. Farbstoffe oder Färbemittel, schaumbremsende Mittel usw., können ggfs. in einer Menge von etwa 0,1 bis 0,5 Gew.-% in den Ablösungszusammensetzungen enthalten sein.
Welcher Inhibitor in den erfindungsgemäßen Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen verwendet wird, hängt davon ab, ob die Zusammensetzungen sauer oder basisch sind. Die aromatischen Säureanhydride, die vorstehend offenbart sind, werden in den sauren Zusammensetzungen verwendet. Die Inhibitoren werden jedoch nicht in sauren Zusammensetzungen verwendet, die eine oxidierende Verbindung enthalten.
Die erfindungsgemäßen wässerigen Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen enthalten ein Gemisch aus:

a) etwa 25 Gew.-% bis etwa 95 Gew.-% Wasser;
b) etwa 1 Gew.-% bis etwa 30 Gew.-% eines organischen polaren Lösungsmittels und
c) eine effektive Menge eines Korrosionsinhibitors, ausgewählt aus Ammoniumbenzoat, Benzoesäure, Phthalsäure, Phthalsäureanhydrid und Isophthalsäure, wobei diese Zusammensetzung frei von Oxidationsmitteln ist.

Die Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen können durch einfaches Mischen der Komponenten hergestellt werden, wobei die Reihenfolge der Zugabe nicht kritisch ist. In Formulierungen, in denen Hydroxylamin verwendet wird, wird es zuerst in Wasser gelöst, und dann werden die anderen Komponenten zugegeben.
Die erfindungsgemäßen Ablösungszusammensetzungen sind aus verschiedenen Gründen besonders nützlich und vorteilhaft. Dazu gehört, dass die Ablösungszusammensetzungen mit Wasser mischbar, nicht korrosiv und nicht entflammbar sind, über geringe Toxizität gegenüber Menschen verfügen und die Umwelt nicht belasten.
Die Leistung von Halbleitervorrichtungen und deren Ausbeute hängen stark davon ab, dass die vorgegebene Linienbreite erhalten bleibt. Ein inakzeptabler Verlust der Linienbreite führt zum Verlust an Ausbeute. Größere Mengen an Wasser verbessern die Entfernungsgeschwindigkeit jedes Rückstandes, doch dies muss gegen den Verlust der Linienbreite aufgewogen werden. Die erfindungsgemäßen Korrosionsinhibitoren arbeiten mit größeren Wassermengen. Wegen des geringen Umgebungsdampfdrucks der Zusammensetzungen weisen sie eine wesentlich geringere Verdampfung auf als Zusammensetzungen des Standes der Technik; außerdem sind sie nicht reaktiv und umweltfreundlich. Die Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen können für eine mehrfache Verwendung zurückgeführt und auf einfache Weise entsorgt werden, ohne die Umwelt zu belasten und ohne aufwändige Sicherheitsmaßnahmen treffen zu müssen.
Gleichermaßen können die abgelösten Beschichtungen auf einfache Weise als Feststoffe entfernt und zur einfachen Entsorgung gesammelt werden. Die erfindungsgemäßen Ablösungs- und Reinigungszusammensetzungen weisen bei niedrigeren Temperaturen für viele verschiedene Beschichtungen und Substrate eine höhere Ablösungseffizienz auf.
Repräsentative organische polymere Materialien umfassen positive Photoresists, Elektronenstrahlresists, Röntgenresists, Ionenstrahlresists und dergleichen. Spezifische Beispiele für organische polymere Materialien umfassen positive Resists, die Phenolformaldehyd, Poly(p-vinylphenol) und Novolakharze umfassen, oder negative Resists, die cyclisierte Polyisopren oder Polymethylmethacrylat enthaltende Harze und dergleichen umfassen.
Das organische polymere Material kann von allen Fachleuten bekannten herkömmlichen Substraten entfernt werden, wie z.B. Silicium, Siliciumdioxid, Siliciumnitrid, Polysilicium, Aluminium, Aluminiumlegierungen, Kupfer, Kupferlegierungen, Polyimiden usw.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst das In-Kontakt-Bringen eines organischen polymeren Materials mit der offenbarten Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung. Die Verfahrensbedingungen, d.h. Temperatur, Zeit und Dauer des Kontakts können über einen weiten Bereich schwanken und hängen im Allgemeinen von der Art und Dicke des organischen polymeren Materials, das entfernt werden soll, sowie anderen Fachleuten bekannten Faktoren ab. Im Allgemeinen sind Temperaturen im Bereich von etwa 25 bis etwa 100°C für einen Kontaktzeitraum von etwa 10 bis etwa 60 Minuten typisch.
Beim In-Kontakt-Bringen des organischen polymeren Materials mit der Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung zur Durchführung der Erfindung können viele verschiedene Mittel verwendet werden. Beispielsweise kann das das organische polymere Material enthaltende Substrat in ein Ablösebad getaucht oder die Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung auf Fachleuten bekannte Weise über die Oberfläche des polymeren Materials gesprüht werden.
Die Erfindung wird anhand des folgenden Beispiels detailliert beschrieben. Sämtliche Teile und Prozentsätze sind nach Gewicht angegeben, und alle Temperaturen sind in Grad Celsius, wenn nicht ausdrücklich etwas anderes vermerkt ist.
Beispiel 1
Eine Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung mit kontrollierten dielektrischen Fähigkeiten wird durch Mischen von Cholinhydroxid und Wasser bei Raumtemperatur zur Herstellung einer verdünnten basische Lösung gefolgt von der Zugabe eines Korrosionsinhibitors hergestellt. Die Zusammensetzung ist in Tabelle 1 aufgeführt. Tabelle 1

Komponente Gew.-%

Entionisiertes Wasser 90

Cholinhydroxid 6

Inhibitor 4

100
Beispiel 2
Mehrere in der Zusammensetzung von Beispiel 1 verwendete Inhibitoren umfassten Ammoniumbenzoat (AB) und verschiedene Konzentrationsverhältnisse von Ammoniumbenzoat (AB) und Benzoesäure (BA).
1 zeigt die Effizienzkurven bei der Hemmung der Aluminium- und Kupferkorrosion bei 20°C für die erwähnten Inhibitorsysteme; die Ergebnisse sind in Tabelle 2 zusammengefasst.
Tabelle 2
Wie 1 und Tabelle 2 zeigen, gibt es zusätzliche Vorteile in der Effizienz der Korrosionshemmung wenn Ammoniumbenzoat und Benzoesäure kombiniert werden, z.B. synergistische Effekte, die durch Einsatz der Verbindung allein nicht erreicht werden können. Dies ist besonders dann der Fall, wenn das Verhältnis von Ammoniumbenzoat größer ist. Es findet ein dramatischer Anstieg in der Effizienz der Aluminiumkorrosionshemmung und ein stärker abgestufter, aber anhaltender Anstieg in der Kupferkorrosionshemmung statt.
Beispiel 3
Mit diesem Beispiel bestimmte man die Kupferätzgeschwindigkeiten für eine halbwässerige verdünnte Base der allgemeinen Formulierung von Beispiel 1 unter Verwendung von 4 Gew.-% Benzoesäure als Korrosionsinhibitor sowie zusätzlich unterschiedlicher Gewichtsprozentsätze von N,N'-Dimethylacetatmid (DMAC). Die Tests wurden bei 75°C durchgeführt. Die Ergebnisse sind in 2 und Tabelle 3 zu sehen.
Tabelle 3
Aus den resultierenden Daten geht hervor, dass bei zunehmender Menge von DMAC in den Ablösungs-/Reinigungszusammensetzungen die Kupferätzgeschwindigkeit ebenfalls ansteigt. Dieses unerwartete Phänomen ist wahrscheinlich darauf zurückzuführen, dass das Chelierungsprodukt eine höhere Affinität für die Lösung hat, was zu einem Rückgang der Korrosionshemmungseffizienz führt.
Beispiel 4
Eine Reihe experimenteller Durchläufe wurde durchgeführt, um die Korrosionshemmungseffizienz bei erfindungsgemäßen Aluminium- und Kupferfilmen im Vergleich zu dem bekannten Inhibitor des Standes der Technik zu bewerten.
Zu einer Ablösungszusammensetzungsmatrix, die 64% N,N'-Dimethylacetamid, 30% entionisiertes Wasser und 6% (45%) Cholinhydroxid umfasste, gab man verschiedene Inhibitoren. Die Lösungen wurden mit einem magnetischen Rührwerk gerührt, bis die Inhibitoren in Lösung waren. Alle Testwafer enthielten 1200 [AdÜ: Maß fehlt] thermisches Oxid unter dem Metallfilm. Sie wurden in die auf 50°C gehaltenen verschiedenen Lösungen getaucht und 30 Minuten mit einem magnetischen Rührwerk gerührt. Dann wurden sie drei Minuten mit entionisiertem Wasser gespült und anschließend mit Stickstoffgas getrocknet.
Die Metallätzgeschwindigkeiten wurden unter Einsatz eines 4-Punkt-Sondensystems Veeco FFP 5000 bestimmt, das die Dicke des Metallfilms durch Widerstandsmessungen auf Metall- und Deckmetallfilmen auf Siliciumwafern bestimmt.
Wenn
0% ist, ist der Inhibitor ineffektiv, und es ist eine rasche Korrosion eingetreten. Wenn r 100% beträgt, ist keine Korrosion eingetreten. Werte von weniger als 0% bezeichnen eine Verbesserung bei der Korrosion, vermutlich aufgrund der erhöhten Löslichkeit des Chelierungsprodukts in den getesteten Lösungsmitteln. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 zu sehen.
Wie aus Tabelle 4 hervorgeht, stellen alle offenbarten beanspruchten aromatischen Carbonsäuren, Benzoesäure, Isophthalsäure und Phthalsäureanhydrid insgesamt eine verbesserte Korrosionseffizienz bei niedrigen und hohen Konzentrationen sowohl für Aluminium- als auch für Kupferfilme zur Verfügung. Nur die Daten für die aliphatischen Di- und Trihydroxysäuren, d.h. Malonsäure, Maleinsäure und D,L-Äpfelsäure zeigen vergleichbare Ergebnisse für beide Metalle. Wenn nur phenolische Hydroxygruppen im Inhibitor zur Verfügung stehen, d.h. 8-Hydroxychinolin, Catechol und Pyrogallo, ist der resultierende Grad der Korrosionsinhibitoreffizienz geringer.
Für Fachleute ist offensichtlich, dass auch andere Ausführungsformen, Verbesserungen, Details und Verwendungen entsprechend dem Wortlaut und Geist der vorstehenden Offenbarung im Rahmen der Erfindung liegen, die nur durch die vorstehenden Ansprüche beschränkt ist und gemäß den Statuten des Patentgesetzes einschließlich der Äquivalenzlehre ausgelegt wird. Tabelle 4

*) nicht beansprucht
– FW und pKa stammten aus den CRC-Tabellen
–
was dem quantitativen Maß der Effektivität des Inhibitors im Bereich von 0 bis 100 entspricht
– Ätzgeschwindigkeiten für Deckfilme mit einer Veeco 5000 FFP-4-Punkt Sonde bestimmt
– Die Lösungen wurden unter Rühren mit einem Magnetrührwerk, 3 × Wasserspülung und Trocknen mit N₂ durchlaufen gelassen.

Claims

Saure oder basische Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung zur Entfernung von Rückständen von Metall, Metalllegierungen oder dielektrischen Oberflächen, wobei diese Zusammensetzung Wasser und ein organisches polares Lösungsmittel umfasst, wobei diese Zusammensetzung außerdem eine effektive Menge eines aromatischen Carbonsäurekorrosionsinhibitors umfasst, der ausgewählt wird aus der Gruppe, bestehend aus Benzoesäure, Ammoniumbenzoat, Phthalsäureanhydrid, Isophthalsäure und deren Gemischen, und wobei diese Zusammensetzung frei von Oxidantien ist.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, die mindestens 25 Gew.-% Wasser umfasst.
Zusammensetzung nach Anspruch 2, bei der das Wasser im Bereich von 30 bis 95 Gew.-% vorliegt.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, die 0,2 bis 15 Gew.-% des Inhibitors umfasst.
Zusammensetzung nach Anspruch 4, die 3 bis 5 Gew.-% des Inhibitors umfasst.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der der Inhibitor ein Gemisch aus Ammoniumbenzoat und Benzoesäure umfasst: und der pH unter 4 liegt.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der das polare Lösungsmittel N,N'-Dimethylacetamid ist.
Basische Photoresist-Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung nach Anspruch 1, umfassend: a) Cholinhydroxid; b) 2 bis 6 Gew.-% eines Gemischs von Ammoniumbenzoat und Benzoesäure; c) 80 bis 90 Gew.-% Wasser und d) 0 bis 10 Gew.-% N,N'-Dimethylacetamid, wobei das Verhältnis von Ammoniumbenzoat und Benzoesäure im Bereich von 2 : 1 bis 1 : 1 liegt, wobei die Zusammensetzung frei von Oxidantien ist.
Basische Photoresist-Ablösungs- und Reinigungszusammensetzung nach Anspruch 1, bestehend im Wesentlichen aus: a) 10 Gew.-% N,N'-Dimethylacetamid; b) 6 Gew.-% Cholinhydroxid; c) 4 Gew.-% Benzoesäure und d) 80 Gew.-% Wasser wobei die Zusammensetzung frei von Oxidantien ist.
Verfahren zur Entfernung eines Rückstands von einem beschichteten Substrat, das folgende Schritte umfasst: a) das Aufbringen einer zum Ablösen und Reinigen effektiven Menge der Zusammensetzung von Anspruch 1 auf das beschichtete Substrat; b) das Halten dieser Zusammensetzung in Kontakt mit dem Substrat für einen effektiven Zeitraum, damit der Rückstand vom beschichteten Substrat abgelöst und dieses gereinigt werden kann, und c) die anschließende Entfernung des Rückstands vom Substrat.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Zusammensetzung mindestens 25 Gew.-% Wasser enthält.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Zusammensetzung 30 bis 95 Gew.-% Wasser enthält.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Zusammensetzung außerdem Hydroxylamin enthält.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Rückstand eine organische Beschichtung ist.
Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die organische Beschichtung ein Photoresist ist.
Verfahren zur Entfernung eines Photoresists vom einem beschichteten Substrat, das folgende Schritte umfasst: a) das Aufbringen einer zum Ablösen und Reinigen effektiven Menge der Zusammensetzung von Anspruch 5 auf das beschichtete Substrat; b) das Halten dieser Zusammensetzung in Kontakt mit dem Substrat für einen effektiven Zeitraum, damit der Photoresist vom beschichteten Substrat abgelöst und dieses gereinigt werden kann, und c) die Entfernung des Photoresists vom Substrat: