KR20040004382A - 방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트스트리핑/클리닝 조성물 - Google Patents

방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트스트리핑/클리닝 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20040004382A
KR20040004382A KR10-2003-7004293A KR20037004293A KR20040004382A KR 20040004382 A KR20040004382 A KR 20040004382A KR 20037004293 A KR20037004293 A KR 20037004293A KR 20040004382 A KR20040004382 A KR 20040004382A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
stripping
water
weight
cleaning
Prior art date
Application number
KR10-2003-7004293A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100793590B1 (ko
Inventor
다릴 더블유 피터스
플로이드 엘. 쥬니어 리들
Original Assignee
에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 filed Critical 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
Publication of KR20040004382A publication Critical patent/KR20040004382A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100793590B1 publication Critical patent/KR100793590B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • C23G1/061—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors nitrogen-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/16—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions using inhibitors
    • C23G1/18—Organic inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

반도체 및 집적 회로 제조시, 금속 및 유전체 표면으로부터 잔류물을 제거하기 위한 스트리핑 및 클리닝 조성물이 개시된다. 이 조성물은 억제 유효량으로 사용된 방향족 카르복실산으로부터 선택된 부식 억제제 성분을 포함하는 유기 극성 용매를 포함하는 수성계이다. 본 발명의 방법은 금속 및 유전체 표면으로부터 잔류물을 제거하기 위해, 잔류물을 제거하기에 충분한 시간 동안 금속 또는 유전체 표면을 상기 억제제 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다.

Description

방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트 스트리핑/클리닝 조성물 {Photoresist Stripper/Cleaner Compositions Containing Aromatic Acid Inhibitors}
통상, 반도체 및 집적 회로 제조시, 에칭 단계 후 잔류 부식제 및 포토레지스트는 금속성 회로의 표면을 부식 또는 무디게 하거나, 또는 기판을 화학적으로 변경시키지 않고 제거되어야 한다.
방향족 용매 및 염기성 아민의 혼합물을 포함하는 레지스트 스트리핑제 및 클리닝제가 공지되어 있다. 이들 레지스트 스트리핑제는 포토레지스트 잔류물의 제거에 효과적이며, 또한 금속 또는 금속 합금 도체, 예컨대 구리, 알루미늄화 이산화규소 및(또는) 티탄을 부식시키는 경향이 있다. 일부 스트리핑 조성물에 불화수소를 사용하여 금속 부식률을 감소시킬 것이 제안되었다. 그러나 불화수소는 티탄 금속을 공격하여, 취급에 주의를 요하고, 처리 문제를 발생시킨다. 또한, 시판되는 포토레지스트 스트리핑 조성물은 특정 코팅물을 제거하기 위해 과도하게 긴 체류 시간 또는 반복적인 적용을 요구하였다. 또한, 다양한 코팅물이 시판되는 스트리핑 조성물을 이용한 특정 기판으로부터의 제거를 방해하였다.
초미세 장치에서 공정 크기가 미세해지면, 예컨대 보다 많은 트랜지스터/㎠이면, 에칭 조건 및 후에칭 잔류물 제거의 필요성이 더욱 중요해진다. 포토레지스트는 손상에 더욱 민감해지며, 보다 엄격한 조건 하에 제거하기 더욱 어려워진다. 즉, 스트리핑/클리닝 배합물이 더욱 효율적인 부식 억제제를 제공하는 것을 비롯한 향상이 이루어져야 한다. 반수성 용매 혼합물 중의 반도체 스트리퍼-클리너에서 공지된 금속 부식 억제제 첨가제 (예를 들어, 카테콜, 피로갈롤, 갈산, 레소르시놀 및 베타 나프톨과 같은 페놀 유도체; 글루코스; 및 벤조트리아졸과 같은 아졸)는 높은 함량의 물 존재 하에 허용되는 부식 억제 수준을 유지하지 않는다. 약 25 중량％가 넘는 물을 포함하는 종래의 억제제는 알루미늄, 알루미늄 합금 및 구리에 대해 허용되지 않는 부식률을 발생시킨다. 반도체 장치 성능 및 수율은 고안된 선폭 유지에 매우 의존한다. 허용되지 않는 선폭 손실이 수율 손실을 발생시킨다. 물 함량이 높을수록 각각의 무기 잔류물의 제거율은 향상되지만, 선폭 손실에 대해 균형이 이루어져야 한다.
본원에 참고로 인용된 미국특허 제5,496,491호, 제5,556,482호 및 제5,707,947호 (Ward et al.)에는 금속과 배위 착체를 형성하는 억제제를 포함하는 염기성 아민 및 유기 극성 용매를 포함하는 포토레지스트용 유기 스트리핑 조성물이 개시되어 있다. 개시된 부식 억제제는 페놀 유도체로서, 금속 양이온과 킬레이트화할 수 있는 모노- 및 디-음이온을 형성하고, 안정한 5, 6 및 7-원 고리를 형성하는 pH 약 9의 용액 중에서 탈양성자화하는 약성이다.
벤조산 및 치환 벤조산은 과염소산 (HClO4) 중의 구리에 대한 계면 부식 억제제로서는 연구되었으나 (R. K. Dinoppa and S. M. Mayanna, Journal of Applied Electrochemistry, 11 (1981) p. 111-116), 반도체 및 미소 회로 소자로부터 포토레지스트의 제거를 위한 스트리핑/클리닝 조성물 분야에서 시험된 적은 없었다.
금속 및 금속 합금에 대한 향상된 부식 방지를 제공할 뿐 아니라, 기판에 화학적으로 불활성이면서 다양한 유기 중합체 포토레지스트 및 무기 물질을 효과적이며 실질적으로 완전히 제거하는 포토레지스트 스트리핑/클리닝 조성물을 제공할 필요가 있다.
발명의 요약
본 발명에 따르면, 포토레지스트 및 기타 잔류물을 제거하기 위한 반도체 또는 미소 회로 산업에서 유용하고, 산성 스트리핑 및 클리닝 조성물로서 유용하며, 산화제는 포함하지 않는 수성 산성 및 염기성 스트리핑 및 클리닝 조성물이 제공된다.
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물에 사용되는 억제제는 부식 억제 유효량의 암모늄 벤조에이트, 벤조산, 프탈산, 프탈산 무수물, 이소프탈산 및 이들의 혼합물로부터 선택된 방향족 카르복실산 및 이들의 유도체의 특정 군이다.
유리하게는, 수 염기성 아민을 포함하는 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 알칸올아민, 히드록실아민 및 이들의 혼합물을 포함한다. 본 발명의 조성물은 금속 또는 유전체 기판 상의 무기 잔류물을 제거하는 데 특히 유용하다.
본 발명의 목적은 재침적 없이 기판으로부터 잔류물을 효과적이며 효율적으로 제거하는 향상된 스트리핑 및 클리닝 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 금속, 금속 합금 또는 유전체 기판 어느 것에 대해서도 비부식성인 향상된 스트리핑 및 클리닝 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 금속 이온의 재침적을 억제하는 스트리핑 및 클리닝 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 염기성 또는 산성 스트리핑 및 클리닝 조성물에서 효율적으로 사용할 수 있는 부식 억제제를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 다량의 물의 존재 하에 향상된 부식 억제 수준을 유지하는 스트리핑 및 클리닝 조성물을 위한 부식 억제제를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 보다 저렴하며 저농도 및 저온에서 효과적인 반수성 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물을 위한 부식 억제제를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 독성이 감소된 수성 배합물 중에서 높은 클리닝 효율을 갖는, 알루미늄 및 구리 호일을 위한 수성 스트리핑 및 클리닝 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 반도체 및 미소 회로 제조시, 금속 또는 유전체 표면으로부터 잔류물을 제거하기 위한 스트리핑 및 클리닝 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 기판 상에서 잔류물의 재침적 및 금속의 부식을 방지하는 신규 억제 시스템을 제공한다.
도 1은 90/6 n/m 비의 물/45 ％ 콜린 히드록시드 스트리핑 조성물 매트릭스에 대한 부식 억제제 효율 곡선으로 20 ℃에서 다양한 비율의 암모늄 벤조에이트및 벤조산의 알루미늄 및 구리 금속 호일에 미치는 억제 효과를 나타낸다.
도 2는 6 ％ (45 ％) 콜린 히드록시드 및 4 ％ 벤조산을 포함하는 스트리핑 조성물 매트릭스 중 유기 극성 용매 (DMAC) 성분의 비율을 다양하게 함으로써 구리 에칭율에 미치는 효과를 나타낸다.
본 발명에 따르면, 반도체의 초미세 가공시 유용한 특정 방향족 카르복실산, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로부터 선택된 부식 억제제를 포함하는 신규 스트리핑 및(또는) 클리닝 조성물이 제공된다. 본 발명의 부식 억제제는 4.19 이하의 pKa 값을 갖는다.
본 발명의 바람직한 억제제는 벤조산, 암모늄 벤조에이트, 프탈산, 프탈산 무수물 및 이소프탈산이다. 염기성 반수성 용매 혼합물 중에서 무수물을 사용하면 그 자리에서 산이 형성된다.
부식 억제제는 약 0.2 내지 약 15 중량％의 양으로 사용될 수 있으며, 스트리핑 및(또는) 클리닝 조성물에 첨가될 수 있다. 바람직하게는 억제제 농도는 약 2 내지 8 중량％이며, 더욱 바람직하게는 약 3 내지 약 5 중량％이며, 가장 바람직하게는 약 3 내지 약 5 중량％이다. 이들 비율은 전체 스트리핑 및 클리닝 조성물 중량 기준이다.
본 발명의 부식 억제제는 적어도 수혼화성이며, 물이 25 중량％ 초과인 스트리핑 및 클리닝 조성물에서 효과적이다. 사실상, 물 함량이 약 25 내지 약 95 중량％인 스트리핑 및 클리닝 조성물이 알루미늄, 알루미늄 합금 및 구리에 대한 부식 억제 성능을 떨어뜨리지 않고 허용될 수 있다.
본 발명의 스트리핑 및(또는) 클리닝 조성물의 성분인 유기 극성 용매는 N,N'-디알킬알카노일아미드, N-알킬 락탐, 에틸렌 글리콜 에테르의 아세테이트 에스테르, 프로필렌 글리콜 에테르의 아세테이트 에스테르, 지방족 아미드, 헤테로시클릭, 시클릭 지방족 술폰, 2염기산의 에스테르, 시클릭 케톤, 시클릭 술폰, 2염기산의 에스테르, 술폭시드, 에테르 알콜 및 이들의 혼합물을 비롯한 다양한 종류의 물질을 포함한다.
특히, 유용한 용매에는 N,N'-디메틸아세트아미드, 카르비톨 아세테이트, 디메틸 아디페이트, 모노에탄올아민, 트리에탄올아민, 프로필렌 카르보네이트, 콜린 히드록시드, 2-(2-아미노-에톡시에탄올), 디메틸 포름아미드, 테트라히드로푸릴 알콜, 부틸 디글리콜, 디메틸 글루타레이트, 이소포론, 감마-부티로락톤, 메틸 아세톡시프로판, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 술폭시드 및 이들의 혼합물이 있다.
본 발명의 스트리핑 및(또는) 클리닝 조성물에 사용하기에 적합한 기타 극성 용매에는 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 디에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 트리에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 디프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 트리프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 에틸렌디아민 및 에틸렌트리아민이 있다. 당업계에 공지된 또다른 극성 용매 또한 본 발명의 조성물에 사용할 수 있다.
본 발명의 스트리핑 조성물은 또한 원한다면, 스트리핑 및 클리닝 작용에 영향을 미치지 않는 임의의 적합한 수혼화성 비이온성 계면활성제를, 전형적으로 전체 조성물의 약 0.1 내지 2 중량％의 양으로 포함할 수 있다.
본 발명에 사용하기에 적합한 알칸올아민은 화학식 R3-n-N[(CH2)mOR')]n(식중, R 및 R'는 H 또는 알킬일 수 있으며, m은 2 또는 3이며, n은 1, 2 또는 3임)으로 나타낼 수 있으며, 바람직하게는 비교적 높은(예를 들어 100 ℃ 이상) 비점 및 높은(예를 들어 45 ℃) 인화점을 갖는다. 알칸올아민은 바람직하게는 수용성이며 히드록실아민과 혼화성이다.
적합한 알칸올아민의 예로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 이소프로판올아민, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 이소부탄올아민, 2-아미노-2-에톡시에탄올, 2-아미노-2-에톡시프로판올, 트리프로판올아민 등이 있다.
임의로, 당업계에 공지된 기타 다양한 성분, 예컨대 염료 또는 착색제, 소포제 등이 약 0.1 내지 0.5 중량％의 양으로 스트리핑 조성물에 포함될 수 있다.
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물에 사용된 억제제는 조성물이 산성인지 또는 염기성인지에 의존한다. 상기 개시된 방향족 산 무수물이 산성 조성물에 사용된다. 그러나, 억제제는 산화 화합물을 포함하는 산성 조성물에는 사용되지 않는다.
본 발명의 수성 스트리핑 및 클리닝 조성물은
a) 물 약 25 중량％ 내지 약 95 중량％;
b) 유기 극성 용매 약 1 중량％ 내지 약 30 중량％; 및
c) 암모늄 벤조에이트, 벤조산, 프탈산, 프탈산 무수물 및 이소프탈산으로이루어진 군으로부터 선택된 부식 억제제 유효량의 혼합물을 포함하며, 산화제를 포함하지 않는다.
스트리핑 및 클리닝 조성물은 성분들을 단순히 혼합함으로써 제조할 수 있으며, 그 첨가 순서는 중요하지 않다. 히드록실아민을 사용한 배합물의 경우, 먼저 히드록실아민을 물에 용해한 다음, 다른 성분들을 첨가한다.
본 발명의 스트리핑 조성물은 인간에 대한 독성이 낮고 환경에 대한 문제가 없는 수혼화성, 비부식성, 비난연성인 것을 비롯해 여러가지 이유로 특히 유용하며 유리하다.
반도체 장치 성능 및 수율은 고안된 선폭의 유지에 매우 좌우된다. 허용되지 않는 선폭 손실이 수율 손실을 발생시킨다. 물의 양이 많아질수록 각 잔류물의 제거율은 향상되지만, 선폭 손실에 대해 균형이 이루어져야 한다. 본 발명의 부식 억제제는 다량의 물과 함께 작용한다. 조성물의 주위 증기압이 낮기 때문에, 이들은 종래의 조성물보다 실질적으로 증발이 적어, 비반응성이며 환경친화적임이 증명된다. 스트리핑 및 클리닝 조성물은 다용도로 재이용될 수 있으며, 환경에 대한 문제 및 번거로운 안전관련 주의사항 없이 쉽게 폐기될 수 있다.
같은 이유로, 스트리핑된 코팅물이 고체로서 쉽게 제거되어 용이한 폐기를 위해 회수될 수 있다. 본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 광범위한 코팅물 및 기판에 대해 보다 저온에서 보다 높은 스트리핑 효율을 가짐이 증명된다.
대표적인 유기 중합체 물질로는 포지티브 포토레지스트, 전자빔 레지스트, X-선 레지스트, 이온빔 레지스트 등이 있다. 유기 중합체 물질의 특정 예로는 페놀-포름알데히드, 폴리(p-비닐페놀) 및 노볼락 수지를 포함하는 포지티브 레지스트, 또는 고리화 폴리이소프렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트 함유 수지 등을 포함하는 네가티브 레지스트가 있다.
유기 중합체 물질은 당업계에 공지된 임의의 종래 기판, 예컨대 규소, 이산화규소, 질화규소, 폴리실리콘, 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 폴리이미드 등으로부터 제거될 수 있다.
본 발명의 방법은 유기 중합체 물질을 개시된 스트리핑 및 클리닝 조성물과 접촉시키는 것을 포함한다. 공정 조건, 즉, 온도, 시간 및 접촉 기간은 광범위한 범위로 변할 수 있으며, 일반적으로 제거될 유기 중합체 물질의 종류 및 두께 뿐만 아니라, 당업자에게 통상적인 기타 인자들에 의존한다. 일반적으로 약 25 ℃ 내지 약 100 ℃의 온도 및 약 10분 내지 약 60분의 접촉 기간이 전형적이다.
본 발명의 실행시 유기 중합체 물질과 스트리핑-클리닝 조성물의 접촉에 다양한 수단이 사용될 수 있다. 예를 들어, 유기 중합체 물질을 포함하는 기판을 스트리핑 욕 중에 침지할 수 있거나, 또는 스트리핑-클리닝 조성물을 중합체 물질의 표면 상에 분무할 수 있으며, 이는 당업자에게 명백할 것이다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 더욱 상세히 기술된다. 별도로 정의하지 않는 한, 모든 부 및 ％는 중량 기준이며, 모든 온도는 섭씨이다.
실시예 1
제어된 유전능을 갖는 스트리핑 및 클리닝 조성물을 실온에서 콜린 히드록시드와 물을 혼합함으로써 제조하여 묽은 염기 용액을 형성한 다음, 부식 억제제를첨가하였다. 조성을 표 Ⅰ에 나타낸다.
성분 중량％
탈이온수 90
콜린 히드록시드 6
억제제 4
100
실시예 2
실시예 1의 조성물에 사용된 몇몇 억제제는 암모늄 벤조에이트 (AB), 및 다양한 농도 비율의 암모늄 벤조에이트 (AB)와 벤조산 (BA)을 포함하였다.
도 1은 상기 억제제계에 대한 20 ℃에서 알루미늄 및 구리 부식 억제 효율을 나타내며, 결과를 표 Ⅱ에 나타낸다.
비율 AB/BA 에칭율 Å/분
Al Cu
4/0 225 40
2/2 50 18
4/2 10 4
도 1 및 표 Ⅱ에 나타낸 바와 같이, 암모늄 벤조에이트 및 벤조산이 혼합되는 경우, 부식 억제 효율이 증가하는 잇점, 즉 화합물들을 단독으로만 사용하여서는 수득할 수 없는 상승효과가 더해진다. 이는 특히 암모늄 벤조에이트의 비가 더 큰 경우에 그러하다. 알루미늄 부식 억제 효율은 극적으로 증가하나, 구리 부식 억제의 경우, 보다 서서히, 그러나 지속적으로 증가하였다.
실시예 3
본 실시예는 부식 억제제로서 벤조산 4 중량％를 사용하며, 추가로 다양한 중량％의 N,N'-디메틸아세트아미드 (DMAC)를 포함하는, 실시예 1의 일반적인 조성을 갖는 반수성 묽은 염기에 대한 구리 에칭율을 측정하였다. 본 시험은 75 ℃에서 행하였다. 결과를 도 2 및 표 Ⅲ에 나타낸다.
DMAC (중량％) D.I.H2O (중량％) 에칭율 (Å/분)
0 90 1.56
10 80 3.89
20 70 6.56
30 60 7.78
40 50 12.33
상기 데이터로부터 스트리핑-클리닝 조성물 중에서 DMAC 양이 증가하면, 구리 에칭율 또한 증가함이 주목된다. 이러한 예상치못한 현상은 용액에 대해 더 높은 친화성을 갖는 킬레이트화 생성물로 인해 부식 억제 효율이 감소했기 때문인 듯하다.
실시예 4
일련의 실험을 행하여, 공지된 종래 억제제 대 본 발명의 억제제의 알루미늄 및 구리 필름에 대한 부식 억제제 효율을 평가하였다.
64 ％ N,N'-디메틸아세트아미드, 30 ％ 탈이온수 및 6 ％ (45 ％) 콜린 히드록시드를 포함하는 스트리핑 조성물 매트릭스에 다양한 억제제를 첨가하였다. 억제제가 완전히 용해될 때까지 용액을 자기 교반기로 교반하였다. 모든 시험 웨이퍼는 금속 필름 아래에 1200의 열 산화물을 포함하였으며, 50 ℃로 유지된 다양한 용액에 침지하였으며, 30분 동안 자기 교반기로 교반한 후, 3분간 탈이온수로 세정한 다음, 질소 기체로 건조시켰다.
금속 에칭율을 실리콘 웨이퍼 상에서 금속 및 블랭크 금속 필름의 저항율 측정을 통해 금속 필름 두께를 측정하는 비코(Veeco) FFP 5000 전기 4포인트 프로브(four point probe) 장치를 사용하여 측정하였다.
Γ가 0 ％이면, 억제제가 효과가 없으며, 빠른 부식이 발생한 것이고, Γ가 100 ％이면 부식이 발생하지 않은 것이다. 0 미만의 값은 부식이 증가하였음을 의미하며, 이는 시험 용매 중 킬레이트화 생성물의 용해도가 증가하였기 때문인 듯하다. 결과를 표 Ⅳ에 나타낸다. 표 Ⅳ에서 보는 바와 같이, 모든 개시된 방향족 카르복실산인 벤조산, 프탈산, 이소프탈산 및 프탈산 무수물은 알루미늄 및 구리 필름 모두에 대해 낮은 농도 및 높은 농도에서 전체적으로 향상된 부식 효율을 제공한다. 지방족 디- 및 트리-히드록시산, 즉, 말론산, 말레산 및 D,L-말산에 대한 데이터만 두 금속 모두에 대해 유사한 결과를 보여준다. 단지 페놀계 히드록시기가 억제제로서 이용되는 경우, 즉 8-히드록시퀴놀린, 카테콜 및 피로갈롤의 경우, 부식 억제 효율이 낮아지는 결과가 나타났다.
50 ℃에서 Al 및 Cu 필름에 대한 DMAC/H2O/콜린 히드록시드 매트릭스의 부식 억제 효율 (Γ)
억제제 FW pKa 농도(M) ΓAl(％) ΓCu(％) 농도(M) ΓAl(％) ΓCu(％)
8-HQ 145 9.51 0.069 50 -307 0.34 98 59
카테콜 110 9.85 0.091 50 70 0.45 98 -104
피로갈롤 126 약9.80 0.079 50 33 0.40 99.8 26
갈산 170 4.41 0.059 50 0 0.29 99.9 -3
벤조트리아졸 119 - 0.084 10 26 0.42 100 33
말론산 104 2.83 0.096 99 85 0.48 99.8 74
푸마르산 116 3.03 0.086 0 93 0.43 99.9 70
말레산 116 1.83 0.086 77 89 0.43 99.9 63
D,L-말산 134 3.40 0.075 77 48 0.37 99.9 81
벤조산 112 4.19 0.082 50 78 0.41 99.9 44
프탈산 166 2.89 0.060 17 85 0.30 99.9 78
이소프탈산 166 3.54 0.060 50 78 0.30 100 85
프탈산무수물 152 - 0.066 50 89 0.33 100 85
FW 및 pKa는 CRC 표로부터 구함.Γ= (1-ER/ER0) ×100％ (0 내지 100 범위로 억제제 효율의 정량적 측정)에칭율은 Veeco 5000 FFP 4포인트 프로브를 이용하여 블랭크 필름에 대해 측정함.용액을 자기 교반기로 교반하고, 3분간 물로 세정하고 N2건조시킴.
균등론을 비롯한 특허법의 법령에 따라 해석되며 하기 특허청구범위에 의해서만 제한되는 본 발명의 범주 내에서, 기타 실시양태, 개선책, 세부사항 및 용도가 상기 개시된 내용 및 정신과 일치하여 이루어질 수 있음이 당업자들에게 명백할 것이다.

Claims (16)

  1. 금속, 금속 합금 또는 유전체 표면으로부터 잔류물을 제거하기 위한, 물 및 유기 극성 용매를 포함하는 산성 또는 염기성 스트리핑 및 클리닝 조성물에 있어서, 벤조산, 암모늄 벤조에이트, 프탈산, 프탈산 무수물, 이소프탈산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방향족 카르복실산 부식 억제제의 유효량을 가지며 산화제는 포함하지 않는 개량된 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 물 약 25 중량％ 이상을 포함하는 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 물 약 30 내지 95 중량％를 포함하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 억제제 약 0.2 내지 약 15 중량％를 포함하는 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 억제제 약 3 내지 약 5 중량％를 포함하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 억제제가 암모늄 벤조에이트 및 벤조산의 혼합물을 포함하며, pH가 약 4 미만인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 극성 용매가 N,N'-디메틸아세트아미드인 조성물.
  8. a) 콜린 히드록시드;
    b) 암모늄 벤조에이트 및 벤조산의 비가 2:1 내지 1:1인 암모늄 벤조에이트 및 벤조산의 혼합물 약 2 내지 6 중량％;
    c) 물 약 80 내지 90 중량％; 및
    d) N,N'-디메틸아세트아미드 0 내지 약 10중량％를 포함하며, 산화제를 포함하지 않는 제1항에 따른 염기성 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물.
  9. a) N,N'-디메틸아세트아미드 약 10 중량％;
    b) 콜린 히드록시드 약 6 중량％;
    c) 벤조산 약 4 중량％; 및
    d) 물 약 80 중량％를 필수적으로 포함하며, 산화제를 포함하지 않는 제1항에 따른 염기성 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물.
  10. a) 제1항의 조성물의 스트리핑 및 클리닝 유효량을 코팅된 기판에 적용하는 단계;
    b) 상기 코팅된 기판으로부터 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하기에 효과적인 시간 동안 상기 조성물과 상기 기판의 접촉을 유지하는 단계; 및
    c) 이어서, 상기 기판으로부터 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는, 코팅된 기판으로부터 잔류물의 제거 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 조성물이 물 약 25 중량％를 포함하는 것인 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 조성물이 물 약 30 내지 95 중량％를 포함하는 것인 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 조성물이 히드록실아민을 더 포함하는 것인 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 잔류물이 유기 코팅물인 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 유기 코팅물이 포토레지스트인 방법.
  16. a) 제5항의 조성물의 스트리핑 및 클리닝 유효량을 코팅된 기판에 적용하는 단계;
    b) 상기 코팅된 기판으로부터 포토레지스트를 스트리핑 및 클리닝하기에 효과적인 시간 동안 상기 조성물과 상기 기판의 접촉을 유지하는 단계; 및
    c) 상기 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는, 코팅된 기판으로부터 포토레지스트의 제거 방법.
KR1020037004293A 2000-09-25 2001-09-18 방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트스트리핑/클리닝 조성물 KR100793590B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/668,929 US6558879B1 (en) 2000-09-25 2000-09-25 Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors
US09/668,929 2000-09-25
PCT/US2001/029198 WO2002027409A1 (en) 2000-09-25 2001-09-18 Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040004382A true KR20040004382A (ko) 2004-01-13
KR100793590B1 KR100793590B1 (ko) 2008-01-14

Family

ID=24684339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037004293A KR100793590B1 (ko) 2000-09-25 2001-09-18 방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트스트리핑/클리닝 조성물

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6558879B1 (ko)
EP (1) EP1334408B1 (ko)
JP (1) JP2004510204A (ko)
KR (1) KR100793590B1 (ko)
CN (1) CN1221869C (ko)
AT (1) ATE320620T1 (ko)
AU (1) AU2001292766A1 (ko)
CA (1) CA2423468A1 (ko)
DE (1) DE60118015T2 (ko)
MY (1) MY122837A (ko)
TW (1) TWI262364B (ko)
WO (1) WO2002027409A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101488265B1 (ko) * 2007-09-28 2015-02-02 삼성디스플레이 주식회사 박리 조성물 및 박리 방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825156B2 (en) * 2002-06-06 2004-11-30 Ekc Technology, Inc. Semiconductor process residue removal composition and process
MY139607A (en) * 2001-07-09 2009-10-30 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
US8003587B2 (en) * 2002-06-06 2011-08-23 Ekc Technology, Inc. Semiconductor process residue removal composition and process
US7544381B2 (en) * 2003-09-09 2009-06-09 Boston Scientific Scimed, Inc. Lubricious coatings for medical device
KR100663624B1 (ko) * 2004-04-29 2007-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 제조방법
KR101088568B1 (ko) * 2005-04-19 2011-12-05 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US20080234162A1 (en) * 2007-03-21 2008-09-25 General Chemical Performance Products Llc Semiconductor etch residue remover and cleansing compositions
KR20090030491A (ko) * 2007-09-20 2009-03-25 삼성전자주식회사 액침 리소그래피 시스템용 세정액 및 액침 리소그래피 공정
CN101685273B (zh) * 2008-09-26 2014-06-04 安集微电子（上海）有限公司 一种去除光阻层残留物的清洗液
CN101685272A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
CN101738880A (zh) * 2008-11-10 2010-06-16 安集微电子（上海）有限公司 一种厚膜光刻胶清洗剂
US7645731B1 (en) * 2009-01-08 2010-01-12 Ecolab Inc. Use of aminocarboxylate functionalized catechols for cleaning applications
US8309502B2 (en) * 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8110535B2 (en) * 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
JP2012032757A (ja) * 2010-07-06 2012-02-16 Tosoh Corp レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法
JP2012018982A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Tosoh Corp レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法
MY172099A (en) * 2011-10-05 2019-11-13 Avantor Performance Mat Llc Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition
US10073351B2 (en) * 2014-12-23 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation
CN105759573A (zh) * 2015-12-23 2016-07-13 苏州瑞红电子化学品有限公司 一种用于去除钛镍银表面蚀刻残留光刻胶的剥离液组合物
KR102471495B1 (ko) * 2017-12-08 2022-11-28 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 포토레지스트 스트리퍼 조성물
AT16977U3 (de) * 2020-02-20 2021-03-15 4Tex Gmbh Verfahren zum Behandeln von Substraten mit Chemikalien
CN114453142B (zh) * 2022-01-14 2023-11-24 张志� 一种硫化铅锌矿物浮选碳抑制剂及工艺
WO2024128210A1 (ja) * 2022-12-12 2024-06-20 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト除去用組成物およびフォトレジストの除去方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556482A (en) * 1991-01-25 1996-09-17 Ashland, Inc. Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor
US5209858A (en) * 1991-02-06 1993-05-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stabilization of choline and its derivatives against discoloration
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
JP3264405B2 (ja) * 1994-01-07 2002-03-11 三菱瓦斯化学株式会社 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US6268323B1 (en) * 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US6033993A (en) * 1997-09-23 2000-03-07 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Process for removing residues from a semiconductor substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101488265B1 (ko) * 2007-09-28 2015-02-02 삼성디스플레이 주식회사 박리 조성물 및 박리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE60118015D1 (de) 2006-05-11
US6558879B1 (en) 2003-05-06
TWI262364B (en) 2006-09-21
MY122837A (en) 2006-05-31
KR100793590B1 (ko) 2008-01-14
EP1334408B1 (en) 2006-03-15
JP2004510204A (ja) 2004-04-02
AU2001292766A1 (en) 2002-04-08
EP1334408A1 (en) 2003-08-13
DE60118015T2 (de) 2006-09-14
CN1466708A (zh) 2004-01-07
CN1221869C (zh) 2005-10-05
ATE320620T1 (de) 2006-04-15
WO2002027409A1 (en) 2002-04-04
EP1334408A4 (en) 2004-12-29
CA2423468A1 (en) 2002-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100793590B1 (ko) 방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트스트리핑/클리닝 조성물
US7361631B2 (en) Compositions for the removal of organic and inorganic residues
US10233413B2 (en) Cleaning formulations
KR100700998B1 (ko) 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법
KR101535283B1 (ko) 세정 포뮬레이션 및 세정 포뮬레이션을 사용하는 방법
US7879783B2 (en) Cleaning composition for semiconductor substrates
US20050090416A1 (en) Semiconductor process residue removal composition and process
KR101983202B1 (ko) 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물
KR20030022273A (ko) 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 식각된 잔사의 세척을위한 조성물
US6432209B2 (en) Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates
EP1883863B1 (en) Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
US20020068684A1 (en) Stripping and cleaning compositions
KR102392062B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
JP2008519310A (ja) アルミニウム含有基板に使用するためのポストエッチ洗浄組成物
KR20160033023A (ko) 레지스트 박리액 조성물, 상기 조성물을 사용하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법, 및 상기 제조방법으로 제조된 플랫 패널 디스플레이 기판
KR102265414B1 (ko) 금속막용 세정제 조성물
KR101970039B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR20190040165A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR20160032839A (ko) 금속막용 세정제 조성물
KR20160044852A (ko) 금속막용 세정제 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101229

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee