KR20160044852A - 금속막용 세정제 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 금속막용 세정제 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플랫패널 디스플레이 제조 공정 중 세정 공정에서 금속의 부식방지성을 확보하며 기판 위에 남게 되는 잔사 및 불순물에 대한 우수한 세정성을 갖는 세정제 조성물에 관한 것이다.

Description

금속막용 세정제 조성물 {CLEANSING COMPOSITION FOR METAL FILM}

본 발명은 금속막용 세정제 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플랫패널 디스플레이 제조 공정에 있어서, 다양한 공정 과정 후 금속 기판 위에 남게 되는 잔사, 불순물 및 오염물 등을 제거하는 세정제 조성물에 관한 것이다.

플랫패널 디스플레이 장치(flat panel display device)는, 반도체 디바이스와 같이, 성막, 노광, 에칭 등의 공정을 거쳐 제품이 제조된다. 하지만, 이러한 제조공정 중에, 기판 표면에 각종의 유기물이나 무기물 등의 크기가 1㎛ 이하인 매우 작은 파티클(Particle)이 부착되는 오염이 발생한다. 이러한 파티클이 부착한 채로, 다음의 공정 처리를 실시했을 경우, 막의 핀홀이나 피트, 배선의 단선이나 브릿지(Bridge)가 발생하여, 제품의 제조 수율이 저하된다.

따라서, 오염물을 제거하기 위한 세정이 각 공정 간에 행해지고 있고, 이를 위한 세정제에 대해서도 많은 연구가 있었다.

관련하여, 대한민국 공개특허 제2004-0035368호에서는 알칸올 아민, 유기용매, 킬레이트 화합물 및 물로 구성된 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물을 개시하고 있다. 하지만, 상기 세정제는 유기오염물 및 파티클 제거력이 부족하고, 폴리하이드록시 벤젠계 킬레이트 화합물인 카테콜 또는 갈산 등으로 인해 장기간 사용시 석출 문제가 발생할 수 있다. 대한민국 공개특허 제2006-0127098호에서는 유기산, 유기 알칼리, 계면활성제 및 물을 포함하는 반도체 디바이스용 기판의 세정제를 개시하고 있다. 하지만, 상기 공개특허의 세정제는 산성 범위의 용액이므로 린스 공정 시, 잔여물이 남을 수 있으며 파티클(particle) 제거력이 불충분하다는 단점이 있다. 또한, 금속막에 대한 부식 방지 능력이 우수하지 못하다는 단점이 있다.

대한민국 공개특허 2004-0035368 대한민국 공개특허 2006-0127098

본 발명은, 상기 종래기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 이미다졸 유도체를 함유하는 부식방지제를 포함하는 금속막용 세정제 조성물을 제공함으로써, 세정 과정에서 금속막은 손상시키지 않는 동시에, 잔사 및 불순물 등의 우수한 제거능을 갖는 금속막용 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은,

(A) 알킬암모늄하이드록사이드, (B) 극성용제 및, (C) 하기 화학식 1의 이미다졸 유도체에서 선택되는 1종 이상의 부식방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물을 제공한다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서,

R₁은 C1~C10의 지방족 탄화수소, 페닐, 페닐기가 치환된 C1~C4의 지방족 탄화수소, 비닐(vinyl) 및 알릴(allyl) 중 선택되는 1종일 수 있다.

본 발명의 금속막용 세정제 조성물은 이미다졸 유도체 부식방지제를 포함함으로써, 금속막의 부식을 억제하여 세정 시 금속의 부식을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 잔사 및 불순물 등의 용이한 세정성 및 제거성을 제공할 수 있다.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

본 발명은,

플랫패널 디스플레이 제조 공정에서 세정제 조성물에 노출될 수도 있는 금속막 등의 금속은 임의의 원치 않는 정도로 부식시키지 않고, 기판으로부터 플라즈마 식각 후 잔재물, 플라즈마 박리 후 잔재물 등의 잔재물 또는 기타 국한되지 않는 잔재물을 제거할 수 있는 금속막용 세정제 조성물에 관해 개시한다.

즉, 에칭 등의 공정 이후 금속 기판 위에 남게 되는 잔사 및 불순물을 제거하는 금속막용 세정제 조성물에 대한 것으로,

(A) 알킬암모늄하이드록사이드, (B) 극성용제 및, (C) 하기 화학식 1의 이미다졸 유도체에서 선택되는 1종 이상의 부식방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물에 관한 것이다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서, R₁은 C1~C10의 지방족 탄화수소, 페닐, 페닐기가 치환된 C1~C4의 지방족 탄화수소, 비닐(vinyl) 및 알릴(allyl) 중 선택되는 1종일 수 있다.

본 발명의 세정제 조성물은 상기와 같은 조성에 의해, 세정 시 금속막에 대한 방식성을 가질 뿐만 아니라, 레지스트, 유기 절연막 및 투명레진 등의 잔사 및 불순물을 용이하게 제거하는 효과를 제공할 수 있다.

이하, 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.

(A) 알킬암모늄 하이드록사이드

본 발명의 세정제 조성물에 포함되는 (A) 알킬암모늄 하이드록사이드는 하이드록사이드 이온을 배출하며, 이는 레지스트 등의 잔사 내로 침투하여 고분자 레지스트 등의 용해를 촉진하는 역할을 한다. 또한, 유기 오염물 및 무기 오염물에 대한 세정 작용을 하며, 세정 후 파티클(particle)의 재흡착을 방지할 수 있도록 하여 세정의 효과를 향상시킨다.

상기 알킬암모늄 하이드록사이드는 일례로, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.

본 발명의 알킬암모늄 하이드록사이드는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하며, 0.3 내지 1 중량% 포함되는 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 알킬암모늄 하이드록사이드가 0.1 중량% 미만으로 포함되면 하이드록사이드 이온의 레지스트 고분자 내의 침투력이 감소되며, 레지스트에 대한 용해력이 떨어지게 된다. 또한, 5 중량%를 초과하면 금속의 부식이 발생하며, 물의 함량이 증가되어 고분자 레진 등에 대한 용해력이 감소되는 문제가 있다.

다만, 본 발명의 세정제 조성물을 세정제로 사용할 시에는 상기의 함량비인 것이 바람직하나, 운반과 저장의 용이성을 고려하여, 세정제 조성물 총 중량에 대하여 알킬암모늄 하이드록사이드 10 내지 30 중량%로 포함하여 제조되어 운반 및 저장하고, 사용시에 상기의 조성으로 희석하여 사용하는 것이 바람직하다.

(B) 극성용제

본 발명의 세정제 조성물에 포함되는 (B) 극성용제는 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 잔사 등의 박리력을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물의 물에 대한 용해력을 향상시키고, 이후 수세 공정에서 잔류물 및 세정제 조성물의 제거가 용이하도록 한다.

상기 극성용제는 상기 알킬암모늄 하이드록사이드를 100 중량부 당 1 중량부 이상 용해시킬 수 있는 것이 보다 바람직할 수 있다. 이는 제조, 저장시 경시에 의한 알킬암모늄 하이드록사이드의 침전물 발생을 억제하기 위하여 필요하다. 또한 세정 공정 중 가온조건에서 세정을 진행할 경우, 용제의 휘발에 의한 알킬암모늄 하이드록사이드의 농도 증가에 의한 침전물 발생을 억제하기 위해서 필요하다.

상기 극성용제로는 양자성 극성용제와 비양자성 극성용제를 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 양자성 극성용제의 바람직한 예로는, 물(탈이온수), 알킬알콜류, 글리콜류 등을 들 수 있으며, 알킬알콜류의 일례로, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, t-부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올 및 옥탄올 등을 들 수 있으며,

글리콜류의 일례로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.

상기 비양자성 극성용제의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸설폭사이드(DMSO), 디에틸설폭사이드, 디프로필설폭사이드, 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아마이드, N-메틸포름아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, 아세트아마이드, N-메틸아세트아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N-(2-히드록시에틸)아세트아마이드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아마이드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아마이드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아마이드 등의 아마이드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.

상기 용제 중에서 양자성 극성용제로 바람직하게는 물을 사용할 수 있으며, 비양자성 극성용제로서 바람직하게는 디메틸설폭사이드(DMSO)를 사용할 수 있다.

본 발명의 극성용제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 70 중량% 이상 포함되는 것이 바람직하며, 85 중량%이상 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다. 상기 알킬암모늄 하이드록사이드의 용해성을 고려하여, 극성용제 100 중량%에 대해서 양자성 극성용제를 50 중량%이상 함유하는 것이 바람직하다.

비양자성 극성용제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 0 내지 45 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하며, 10 내지 30 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.

본 발명의 세정제 조성물에 포함될 수 있는 상기 비양자성 극성용제의 함량은 세정되는 대상의 종류에 따라서 조절될 수 있는데, 단순한 이물의 제거를 목적으로 할 때에는 비양자성 극성용제는 첨가될 필요가 없다. 그러나, 포토레지스트와 같은 고분자 제거를 목적으로 할 경우에는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 10 중량% 이상의 비양자성 극성용제를 사용하는 것이 가교 상태의 고분자의 스웰링 및 제거된 고분자의 용해에 보다 적합할 수 있다.

다만, 비양자성 극성용제의 함량이 세정제 조성물 총 중량에 대하여 45 중량%를 초과하면 알킬암모늄 하이드록사이드의 활성을 저해하여, 용해도 저하로 인해 침전물 발생이 우려되며, 가격이 상승하고, 냄새가 발생할 우려가 있다.

(C) 부식방지제

본 발명의 금속막용 세정제 조성물은 부식 방지제(C)를 포함한다. 상기 부식 방지제는 세정제 조성물에 포함되어, 알루미늄 및/또는 구리 등을 포함하는 금속막의 부식 방지 능력을 향상시킨다. 특히 물 및 극성용제에 대한 용해성이 뛰어나므로 기판 표면에 잔류하지 않는다는 장점 또한 제공할 수 있다.

상기 부식 방지제는 하기 화학식 1의 이미다졸 유도체 화합물에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서,

R₁은 C1~C10의 지방족 탄화수소, 페닐, 페닐기가 치환된 C1~C4의 지방족탄화수소, 비닐(vinyl) 및 알릴(allyl) 중 선택되는 1종 이상일 수 있다.

종래 벤조트리아졸, 아미노테트라졸 등과 같은 산성의 부식 방지제를 사용할 경우, 세정제 조성물의 산성화가 야기됨에 따라 세정제 조성물의 부식 방지성과 우수한 세정성을 동시에 충족시키기 어렵다는 문제가 있었다. 상기 이미다졸 유도체는 염기성을 나타내며, 이 때문에 금속막용 세정제 조성물에 포함되어 염기성을 유지 또는 강화시킬 수 있다. 세정제 조성물의 pH가 높을수록 잔사 및 불순물 등의 세정성이 향상된다는 점에 기반하여, 이미다졸 유도체를 포함함으로써 세정제 조성물의 우수한 세정성에 기여함을 예상할 수 있다.

상기 이미다졸 유도체 부식 방지제의 이미다졸 내의 질소 원자는, 순수에 의한 린스 공정 시 양이온화(cationized) 될 수 있다. 이 때문에 물 및 극성 용제에 대한 용해성이 뛰어나 금속 막질 표면에 잔류하지 않는다. 즉, 금속막과 킬레이팅(chelating)된 부식 방지제가 양이온화 됨으로써 금속막과의 결합력이 약화되고, 물 및 극성 용제에 대한 용해성은 증대되므로, 기판, 금속막 등에 잔여물을 남기지 않고 용이하게 세정될 수 있다.

부식 방지제가 기판, 금속막 표면 등에 잔류하게 될 경우 이후의 공정에서 기판 위에 위치하게 되는 층과의 밀착력 저하를 유발할 수 있다. 때문에 본 발명의 부식방지제는 린스 후 잔여물을 남기지 않음으로써 이후 공정의 정밀도를 높이는 효과를 제공할 수 있다.

상기 화학식 1의 부식 방지제의 일례로 하기 화학식 2 내지 11을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[화학식 5]

[화학식 6]

[화학식 7]

[화학식 8]

[화학식 9]

[화학식 10]

[화학식 11]

이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 부식 방지제는 금속막용 세정제 조성물 총 중량에 대하여, 3 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하며, 0.001 내지 1 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기와 같은 범위로 포함되는 경우, 세정 혹은 DI 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금 등으로 이루어진 금속막에 발생하는 부식을 방지할 수 있으며, 금속막 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하를 예방할 수 있다.

본 발명의 금속막용 세정제 조성물은 기타첨가제(D)로서 추가로, 산소제거제 및 계면활성제로 이루어진 군 가운데 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.

본 발명에서 산소 제거제는 세정제 조성물에 추가로 포함되어 금속의 부식방지를 도와주는 역할을 하며, 일례로는 에탄올 아민을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 산소 제거제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 1 중량% 이하로 포함되는 것이 포함되는 것이 바람직할 수 있다.

본 발명에서 계면활성제는 세정제 조성물에 추가로 포함되어, 세정 대상 표면에 대한 젖음성을 향상시켜서, 세정성을 향상시키는 역할을 한다. 일례로는 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르 등을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 계면활성제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 1 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직할 수 있다.

또한, 본 발명은 본 발명의 세정제 조성물을 이용하여 플랫패널 디스플레이 장치를 포함하는 전자 재료 제조 시 세정을 실시하는 것을 특징으로 하는 전자 재료 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 제조 방법에서 세정 단계는, 바람직하게는 구리 및 구리 이외의 금속, 바람직하게는 알루미늄, 텅스텐 등의 금속의 부식을 억제하며, 소자 표면에 부착되어 있는 미세한 오염 입자, 습식 또는 건식 식각공정, 드라이 에싱 공정 후 발생하는 변질, 경화된 포토레지스트 및 폴리머 잔류물을 제거하는데 사용할 수 있다.

세정은 당 업계에 통상적으로 알려진 세정 방법에 의하여 수행할 수 있으며, 세정제 조성물과, 포토레지스트 및 폴리머 잔류물이 형성되어 있는 기판이 접촉할 수 있는 방법이면, 양호한 결과를 얻을 수 있다. 본 발명에 따른 세정 방법으로는, 침적, 분무법, 매엽 방식 및 에어 나이프 방식을 이용한 방법 등이 적용된다.　침적, 분무법, 매엽 방식 및 에어 나이프 방식에 의하여 세정하는 경우, 세정 조건으로서 온도는 대개 10 내지 100℃, 바람직하게는 20 내지 50℃이고, 침적 및 분무시간은 대개 10초 내지 30분, 바람직하게는 30초 내지 10분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하지 않으며, 당업자에 의해 용이하게 적합화 될 수 있다.

이하에서, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.

실시예 및 비교예 : 세정제 조성물의 제조

하기 표 1에 제시된 성분을 정해진 조성비에 따라 혼합하여 실시예 1~7 및 비교예 1~4의 세정제 조성물을 제조하였다.

항목	(A) 알킬암모늄 하이드록사이드		(B) 극성 용제			(C) 부식 방지제		(D) 기타 첨가제
	종류	중량%	비양자성 극성용제		양자성 극성용제	종류	중량%	종류	중량%
			종류	중량%	탈이온수
실시예 1	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 2	0.1	-	-
실시예 2	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 5	0.1	-	-
실시예 3	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 3	0.1	-	-
실시예 4	TBAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 2	0.4	-	-
실시예 5	TEAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 2	0.04	-	-
실시예 6	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 2	0.1	에탄올아민	0.1
실시예 7	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 2	0.1	테트라에틸렌글리콜 디메틸에테르	0.5
비교예 1	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	-	-	-	-
비교예 2	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	화학식 12	0.1	-	-
비교예 3	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	BTA	0.1	-	-
비교예 4	TMAH	0.4	DMSO	30	잔량	ATZ	0.1	-	-

주)

(A) 알킬암모늄하이드록사이드

TMAH: 테트라메틸암모늄 하이드록사이드,

TEAH: 테트라에킬암모늄 하이드록사이드

(B) 극성 용제

DMSO: 디메틸설폭사이드

(C) 부식 방지제

[화학식 12]:

BTA(벤조트리아졸):

ATZ(아미노테트라졸):

(D) 기타 첨가제

산소(O₂) 제거제: 에탄올아민

비이온성 계면활성제: 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르

< 실험예 >

실험예 1: 세정제 조성물의 잔사 및 오염물 세정성 평가

(1)

상기 실시예 1~7 및 비교예 1~4에서 제조된 세정제 조성물의 잔사 및 오염물 세정성을 평가하였다.

금속막용 세정제 조성물의 세정성을 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 Cu 적층을 가지는 웨이퍼상에 실리콘오일, Al과 SUS(Stainless Steel) 파우더로 오염시킨 기판을, 50℃ 온도로 유지시킨 상기 실시예 1~7 및 비교예 1~4의 세정제 조성물에 5분 동안 침적시켰다. 이후 기판상에 잔류하는 세정제 조성물의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다.

이후, 잔사 및 오염물의 세정 정도는 주사전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

[잔사 및 오염물 세정성 평가]

◎: 잔사 및 오염물 100% 제거

○: 잔사 및 오염물 80%이상 제거

△: 잔사 및 오염물 80%미만 제거

×: 잔사 및 오염물 제거 안됨

(2)

세정제 조성물의 pH가 높을수록 잔사 및 불순물 등의 세정성이 향상된다는 점에 기반하여, 알킬암모늄 하이드록사이드로서 TMAH 0.4 중량%, 용제로서 DMSO 30 중량%, 탈이온수 잔량 및 상기 표 1의 실시예 1~7 및 비교예 1~4와 각각 동일한 종류의 부식방지제 0.1 중량%를 포함하여 제조된 세정제 조성물의 pH 변화를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

[pH 변화 평가]

○: 첨가제의 첨가에 의해서 pH가 증가됨.

△: 첨가제의 첨가에 의해서 pH의 변화가 없음

×: 첨가제의 첨가에 의해서 pH가 낮아짐.

실험예 2: 금속막 부식 방지성 평가

상기 실시예 1~7 및 비교예 1~4에서 제조된 세정제 조성물의 금속막 부식 방지성을 평가하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판 상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 구리 2500Å 두께로 형성된 유리 기판을 준비하였다. 상기 실시예 1~7 및 비교예 1~4에서 제조된 세정제 조성물의 온도를 40℃로 유지하고 상기 구리가 형성된 유리 기판을 30분간 침적하여 세정하였다. 이후 DIW(탈이온수)를 이용해 30초간 린스(rinse) 후, 질소를 이용하여 기판상에 잔류하는 세정제 조성물, DIW 등을 완전히 제거하였다.

상기 기판의 표면 산화 정도는 주사전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

[부식 방지성 평가 기준]

◎: 부식 미발생

○: 미약한 부식 발생

△: 심각한 부식 발생

×: 부식 후 식각 발생

항목	세정성		부식방지성
	잔사 및 오염물 세정성	pH의 변화	Cu
실시예 1	◎	○	○
실시예 2	◎	○	○
실시예 3	◎	○	○
실시예 4	◎	○	○
실시예 5	◎	△	○
실시예 6	◎	○	◎
실시예 7	◎	○	○
비교예 1	◎	△	×
비교예 2	○	○	△
비교예 3	△	×	◎
비교예 4	△	×	○

상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1~7의 세정제 조성물은 잔사 및 오염물 제거에 있어서 매우 우수한 세정효과를 내는 것을 확인하였다. 또한 금속막의 부식 방지성 평가에서도 부식이 발생하지 않아 우수한 금속 부식 방지성을 가지는 것을 확인할 수 있었다.

반면, 비교예 1~4의 조성물은 첨가제 첨가 후 pH 증가가 없거나 낮아지는 것으로 보아, 세정성이 낮다는 것을 짐작할 수 있었으며, 잔사 및 오염물 세정성 평가에서도 우수하지 않은 결과를 나타내었다. 또한, 부식 방지성 평가에서도 심각한 부식이 발생하는 것을 방지하지 못하는 것을 확인하였다.

Claims (8)

1. (A) 알킬암모늄 하이드록사이드, (B) 극성용제 및, (C) 하기 화학식 1의 이미다졸 유도체에서 선택되는 1종 이상의 부식방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
   [화학식 1]
   

   

   
   상기 화학식 1에서,
   R₁은 C1~C10의 지방족 탄화수소, 페닐, 페닐기가 치환된 C1~C4의 지방족탄화수소, 비닐(vinyl) 및 알릴(allyl) 중 선택되는 1종이다.
2. 청구항 1에 있어서,
   세정제 조성물 총 중량에 대하여 알킬암모늄 하이드록사이드 0.1 내지 5 중량%;
   극성용제 70 중량% 이상; 및
   부식방지제 3 중량% 이하를 포함하는 금속막용 세정제 조성물.
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 알킬암모늄 하이드록사이드는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
4. 청구항 1에 있어서,
   산소제거제 및 계면활성제로 이루어진 군 가운데 선택되는 1종 이상을 추가로 포함하는 금속막용 세정제 조성물.
5. 청구항 1에 있어서,
   극성 용제는 상기 알킬암모늄 하이드록사이드를 100중량부 당 1중량부 이상 용해시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
6. 청구항 1에 있어서,
   화학식 1의 이미다졸 유도체는 하기 화학식 2 내지 11로 이루어진 군 가운데 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
   [화학식 2]
   

   

   
   [화학식 3]
   

   

   
   [화학식 4]
   

   

   
   [화학식 5]
   

   

   
   [화학식 6]
   

   

   
   [화학식 7]
   

   

   
   [화학식 8]
   

   

   
   [화학식 9]
   

   

   
   [화학식 10]
   

   

   
   [화학식 11]
   

   
7. 청구항 1에 있어서,
   상기 극성용제는, 물, 알킬알콜류, 글리콜류, 피롤리돈 화합물, 이미다졸리디논 화합물, 락톤 화합물, 설폭사이드 화합물, 포스페이트 화합물, 카보네이트 화합물 및 아마이드 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
8. 플랫패널 디스플레이 장치를 포함하는 전자 재료 제조 시 청구항 1의 세정제 조성물을 이용하여 세정을 실시하는 것을 특징으로 하는 전자 재료의 제조 방법.