DE69526637T2 - Reinigungsmittelzusammensetzung und Verfahren zum Entfernen von Photoresist mit dieser Zusammensetzung - Google Patents

Reinigungsmittelzusammensetzung und Verfahren zum Entfernen von Photoresist mit dieser Zusammensetzung

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Description

    Hinter rund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Entfernungs- und Reinigungsmittelzusammensetzung (im Folgenden einfach als "Entfernungsmittel" bezeichnet) für ein Photoresist und ein Verfahren zur Entfernung, und insbesondere betrifft sie eine Entfernungsmittelzusammensetzung zum Entfernen von Photoresistschichten in dem Herstellungsprozess von integrierten Halbleitermustern, sowie ein Verfahren zum Entfernen der Photoresistschichten.
    • 2. Beschreibung der verwandten Fachgebiete
  • Jedes integrierte Halbleitermuster kann durch ein Verfahren hergestellt werden, welches das Aufbringen eines Photoresists auf ein anorganisches Substrat, das Durchführen der Exposition und der Entwicklung zur Bildung eines Photoresistmusters, das Ätzen der unmaskierten Bereiche des anorganischen Substrats durch das Photoresistmuster als Maske zur Bildung eines feinen Musters und das anschliessende Ablösen des Photoresistfilms von dem anorganischen Substrat umfasst, oder durch ein Verfahren, welches das Durchführen des Veraschens nach der Bildung des feinen Musters in der gleichen Weise und das anschliessende Ablösen eines verbleibenden Resistrestes von dem anorganischen Substrat umfasst.
  • Bislang wurden als Entfernungsflüssigkeit für das Photoresist, welche in diesen Verfahren verwendet werden kann, in der Regel saure Entfernungsmittel und alkalische Entfernungsmittel eingesetzt.
  • Beispiele für die sauren Entfernungsmittel schliessen ein Entfernungsmittel, welches eine Arylsulfonsäure, wie Benzolsulfonsäure, Toluolsulfonsäure oder Xylolsulfonsäure, ein Phenol und ein chlorhaltiges organisches Lösungsmittel umfasst (US-Patent Nr. 3582401), und ein Entfernungsmittel, welches einen aromatischen Kohlenwasserstoff, wie Naphthalin, ein Phenol und eine Arylsulfonsäure umfasst (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 35357/1987), ein.
  • Diese sauren Entfernungsmittel sind schwach, was die Ablösekraft angeht, und, was noch schlimmer ist, sie sind stark korrosiv gegenüber Aluminium, Kupfer und dergleichen, die oft als Verdrahtungsmaterialien für die Bildung feiner Drähte verwendet wurden. Aus diesem Grund sind sie nicht für Feinarbeiten geeignet, bei welchen die Abmessungsgenauigkeit in den letzten Jahren sehr strengen Anforderungen unterlag. Darüberhinaus ist die Löslichkeit dieser sauren Entfernungsflüssigkeiten in Wasser sehr gering, so dass nach dem Entfernen des Photoresist das Spülen mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol, vor dem Waschen mit Wasser erfolgen muss, was den Vorgang kompliziert macht.
  • Andererseits schliessen Beispiele für die alkalischen Entfernungsflüssigkeiten ein Entfernungsmittel, welches ein Ethylenoxid-Addukt von einem Alkanolamin oder einem Polyalkylenpolyamin. eine Sulfonverbindung und einen Glykolmonoalkylether umfasst (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 49355/1987) und ein Entfernungsmittel, welches Dimethylsulfoxid als Hauptkomponente, einen Diethylenglykolmonoalkylether und eine stickstoffhaltige organische Hydroxyverbindung umfasst (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 42653/1989), ein.
  • Allerdings dissoziiert jedes der oben genannten alkalischen Entfernungsmittel durch während der Anwendung absorbierte Feuchtigkeit unter Bildung eines Amins, welches Alkalinität annimmt. Wenn daher ein Waschen mit Wasser durchgeführt wird nach der Entfernung eines Photoresists ohne ein Waschen mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol, wird die Alkalinität zum Zeitpunkt des Waschens mit Wasser angenommen. Zudem hat das alkalische Entfernungsmittel eine stark korrosive Funktion bei Aluminium, Kupfer und dergleichen, die häufig als Verdrahtungsmaterialien zur Bildung eines feinen Musters verwendet wurden, und daher eignet sich das alkalische Entfernungsmittel nicht für die Arbeit mit extrem feinem Muster, bei welcher die Abmessungsgenauigkeit in den letzten Jahren strengen Anforderungen unterlag. Ausserdem ist, wenn das alkalische Entfernungsmittel verwendet wird, das Spülen mit einem organischen Lösungsmittel, wie einem Alkohol, nach der Entfernung des Photoresist notwendig. Demzufolge ist das alkalische Entfernungsmittel mit dem Problem behaftet, dass ein Verfahren kompliziert ist, wie im Falle der sauren Entfernungsflüssigkeit.
  • In den letzten Jahren wurden die Ätzbedingungen des Verdrahtungsmaterials immer strenger, mit der Tendenz, dass der Verdrahtungsvorgang extrem fein wird, so dass das verwendete Photoresist dazu tendiert, eine Veränderung der Qualität zu bewirken. Damit sind die Ablösungseigenschaften der oben genannten sauren Entfernungsflüssigkeit und der alkalischen Entfernungsflüssigkeit unzureichend, mit dem Ergebnis, dass das Problem besteht, dass das Photoresist in störender Weise auf dem anorganischen Substrat zurückbleibt.
  • Die JP-A-4080271 beschreibt Lösungsmittelzusammensetzungen zum Entfernen von Acrylpolymerfilmen von Kraftfahrzeugkarosserien, wobei solche Zusammensetzungen Metallsequestriermittel enthalten und frei von Korrosion verhindernden Zuckern und Zuckeralkoholen sind, oder zur Entfernung von geschwindigkeitsregelnden quaternären Ammoniumhydroxiden.
  • Daher ist, um den oben genannten Problemen vorzubeugen, ein Entfernungsmittel erforderlich, welches einen Resistfilm, eine Resistschicht, einen Resistrest und dergleichen leicht entfernen kann und welches ein Verdrahtungsmaterial bei der Resist-Entfernung nicht korrodiert.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist, welche die oben genannten Probleme von Entfernungsmitteln lösen kann, was herkömmliche Techniken angeht, leicht bei einer niedrigen Temperatur in kurzer Zeit einen auf ein anorganisches Substrat aufgebrachten Photoresistfilm, eine verbleibende Photoresistschicht nach dem Trockenätzen des auf das anorganische Substrat aufgebrachten Photoresistfilms oder einen verbleibenden Photoresistrest nach dem Trockenätzen und Veraschen entfernen kann, eine extrem feine Arbeit ohne ein Korrodieren von Verdrahtungsmaterial bei dem Ablösungsvorgang ermöglicht, mit Wasser alleine abgespült werden kann, ohne die Verwendung eines organischen Lösungsmittels, wie eines Alkohols als Abspülmittel, zu erfordern, und die Herstellung von hochgenauen Drahtmustern ermöglicht.
  • Die Anmelder der vorliegenden Erfindung führten intensive Untersuchungen durch, um die obenstehenden Probleme zu lösen, und als eine Folge fand, man heraus, das eine Entfernungsmittelzusammensetzung, umfassend eine wässrige Lösung, die ein Alkanolamin, ein Alkoxyalkylamin oder ein Alkoxyalkanolamin, einen Glykolalkylether und einen Zucker oder einen Zuckeralkohol enthält, leicht ein Photoresist bei einer niedrigen Temperatur in kurzer Zeit in einem Herstellungsprozess von integrierten Halbleitermustern entfernen kann und ausgezeichnete Charakteristika, wie Nicht-Korrosions-Eigenschaften, aufgrund derer ein Verdrahtungsmaterial überhaupt nicht korrodiert, und die Einfachheit/Leichtigkeit einer Entfernungsoperation, aufweist. Folglich wurde die vorliegende Erfindung realisiert.
  • Darüberhinaus fanden die Anmelder der vorliegenden Erfindung ebenfalls heraus, dass eine Entfernungsmittelzusammensetzung, umfassend eine wässrige Lösung, die ein Alkanolamin, ein Alkoxyalkylamin oder ein Alkoxyalkanolamin enthält, einen Glykolether, einen Zucker oder einen Zuckeralkohol und ein quaternäres Ammoniumhydroxid, ebenfalls die oben genannten Probleme lösen kann, und folglich wurde die vorliegende Erfindung realisiert.
  • Das heißt, der erste Aspekt der vorliegenden Erfindung richtet sich auf eine Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist, umfassend:
  • (1) 5 bis 50 Gew.-% eines Alkanolamins, eines Alkoxyalkylamins, eines Alkoxyalkanolamins, angegeben durch die allgemeine Formel R¹R²-NCmH2mOR³, worin R¹ und R² jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxyethylgruppe ist; R³ ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Hydroxyethylgruppe, eine Methoxyethylgruppe oder eine Ethoxyethylgruppe ist, und m eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, oder 2-(2-Aminoethoxy)propanol ist;
  • (2) 1 bis 30 Gew.-% einer Verbindung, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, Ethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykolmonomethylether, Diethylenglykolmonoethylether, Diethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykoldimethylether; Propylenglykolmonomethylether, Propylenglykolmonoethylether, Dipropylenglykolmonomethylether, Dipropylenglykolmonomethylether und Dipropylenglykoldimethylether,
  • (3) 0,5 bis 15 Gew.-% eines Zuckers oder eines Zuckeralkohols,
  • und Wässer als Rest.
  • Der zweite Aspekt der vorliegenden Erfindung richtet sich auf eine Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist, umfassend:
  • (1) 5 bis 45 Gew.-% eines Alkanolamins, eines Alkoxyalkylamins, eines Alkoxyalkanolamins, angegeben durch die allgemeine Formel R¹R²-NCmH2mOR³, worin R¹ und R² jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxyethylgruppe ist; R³ ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Hydroxyethylgruppe, eine Methoxyethylgruppe oder eine Ethoxyethylgruppe ist, und m eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, oder 2-(2-Aminoethoxy)propanol ist;
  • (2) 1 bis 30 Gew.-% einer Verbindung, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, Ethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykolmonomethylether, Diethylenglykolmonoethylether, Diethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykoldimethylether, Propylenglykolmonomethylether, Propylenglykolmonoethylether, Dipropylenglykolmonomethylether, Dipropylenglykolmonomethylether und Dipropylenglykoldimethylether,
  • (3) 0,5 bis 15 Gew.-% eines Zuckers oder eines Zuckeralkohols;
  • (4) 0,01 bis 10 Gew.-% eines quaternären Ammoniumhydroxids, angegeben durch die allgemeine Formel [(R&sup5;)&sub3;N-R&sup6;]&spplus;OH&supmin;, worin R&sup5; eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist, R&sup6; eine Alkylgruppe oder eine Hydroxyalkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist;
  • und Wasser als Rest.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Fig. 1 zeigt einen Querschnitt einer Halbleitervorrichtung, bei welcher ein Aluminiumdraht 3 durch Trockenätzen durch einen Resistfilm 4 als Maske gebildet wird.
  • Die Fig. 2 zeigt einen Querschnitt einer Halbleitervorrichtung, bei welcher der Resistfilm 4 durch Resist-Veraschen der Halbleitervorrichtung in Fig. 1 mit einem Sauerstoffplasma entfernt wurde.
    • Ausführliche Beschreibung der Erfindung
  • In der vorliegenden Erfindung schliessen Beispiele für Alkanolamine, Alkoxyalkylamine und Alkoxyalkanolamine, angegeben durch die allgemeine Formel R¹R²-NCmH2mOR³, Ethanolamin, N-Methylethanolamin, N,N-Dimethylethanolamin, N-Ethylethanolamin, N,N-Diethylethanolamin, Propanolamin, N-Methylpropanolamin, N,N-Dimethylpropanolamin, N-Ethylpropanolamin, N,N-Diethylpropanolamin, 2-Methoxyethylamin, 2-Ethoxyethylamin, 3-Methoxypropylamin, 3-Ethoxypropylamin, 2-(2-Aminoethoxy)ethanol, 2-Amino-1-propanol und 1-Amino-2- propanol ein.
  • Von den obenstehend genannten Alkanolaminen können Alkoxyalkylamine und Alkoxyalkanolamine, Ethanolamin, N-Methylethanolamin und 2-(2-Aminoethoxy)ethanol in geeigneter Weise verwendet werden.
  • Die Konzentration des Alkanolamins, des Alkoxyalkylamins oder des Alkoxyalkanolamins liegt im Bereich von 5 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 5 bis 45 Gew.-%, weiter bevorzugt 10 bis 40 Gew.-% in der gesamten Lösung. Wenn die Konzentration des Alkanolamins, des Alkoxyalkylamins oder des Alkoxyalkanolamins weniger als der oben genannte Bereich beträgt ist die Entfernungsgeschwindigkeit eines Photoresist niedrig, und wenn diese höher als der oben genannte Bereich ist, kann die Korrosion des Verdrahtungsmaterials nicht mehr verhindert werden.
  • Die Konzentration der Komponente (2) liegt im Bereich von 1 bis 30 Gew.-%, vorzugsweise 5 bis 30 Gew.-%, weiter bevorzugt 5 bis 20 Gew.-% in der gesamten Lösung. Wenn die Konzentration der Komponente (2) weniger als der oben genannte Konzentrationsbereich beträgt, schreitet die Korrosion des Verdrahtungsmaterials voran, und wenn dieser mehr als der oben genannte Konzentrationsbereich beträgt, ist die Entfernungsgeschwindigkeit des Photoresists niedrig.
  • Beispiele für einen Zucker, welcher in der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, schliessen Monosaccharide und Polysaccharide ein, und typische Beispiele für diese Zucker schliessen Glycerinaldehyde mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen, Threose, Arabinose, Xylose, Ribose, Ribulose, Xylulose, Glukose, Mannose, Galactose, Tagatose, Allose, Altrose, Gulose, Idose, Talose, Sorbose, Psicose und Fruchtzucker ein.
  • Beispiele für einen Zuckeralkohol, der in der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, schliessen Threitol, Erythritol, Adonitol, Arabitol, Xylitol, Talitol; Sorbitol, Mannitol, Iditol und Dulcitol ein.
  • Von diesen Zuckern und Zuckeralkoholen sind Glukose, Mannose, Galactose, Sorbitol, Mannitol und Xylitol vom Standpunkt der Löslichkeit, Zersetzbarkeit und dergleichen bevorzugt.
  • Der Zucker oder Zuckeralkohol kann in einem Konzentrationsbereich von 0,1 bis 15 Gew.-%, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-% in der Gesamtlösung verwendet werden. Wenn die Konzentration des Zuckers oder Zuckeralkohols geringer ist als der oben genannte Konzentrationsbereich, kann die Korrosion des Verdrahtungsmaterials nicht in ausreichender Weise verhindert werden, und umgekehrt, wenn diese höher ist als der oben genannte Konzentrationsbereich, lässt sich kein weiterer Vorteil erzielen, welcher nicht ein ökonomischer ist.
  • In der vorliegenden Erfindung kann ein quaternäres Ammoniumhydroxid, angegeben durch die Formel [(R&sup5;)&sub3;N-R&sup6;]&spplus;OH&supmin;, bei Bedarf verwendet werden. Beispiele für das quaternäre Ammoniumhydroxid schliessen Tetramethylammoniumhydroxid, Tetraethylammoniumhydroxid, Tetrapropylammoniumhydroxid, Tetrabutylammoniumhydroxid, Trimethylethylammoniumhydroxid; , Dimethyldiethylammoniumhydroxid, Trimethyl-(2-hydroxyethyl)-ammoniumhydroxid und Triethyl-(2-hydroxyethyl)-ammoniumhydroxid ein.
  • Von diesen quaternären Ammoniumhydroxiden sind Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) und Trimethyl-(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxid besonders bevorzugt.
  • Die Konzentration des verwendeten quaternären Ammoniumhydroxids liegt vorzugsweise im Bereich von 0,01 bis 10 Gew.-%, weiter bevorzugt 0,1 bis 5 Gew.-% in der gesamten Lösung. Wenn die Konzentration des quaternären Ammoniumhydroxids innerhalb dieses Konzentrationsbereichs liegt, verschlechtert sich die Entfernungsgeschwindigkeit des Photoresist zweckmässigerweise nicht.
  • Beispiele für ein anorganisches Substrat, auf welches der Photoresistfilm aufgebracht wird, schliessen Halbleiterverdrahtungsmaterialien, wie Silicium, Polysilicium, Siliciumoxidfilme, Aluminium, Aluminiumlegierungen, Titan, Titan-Wolfram, Titannitrid und Wolfram, Verbindungshalbleiter, wie Gallium-Arsen, Gallium-Phosphor und Indium-Phosphor, sowie Glassubstrate von LCD ein.
  • Das Entfernungsmittel für das Photoresist der vorliegenden Erfindung kann zur Entfernung eines auf ein anorganisches Substrat aufgebrachten Photoresistfilms, einer verbleibenden Photoresistschicht nach dem Trockenätzen des auf das anorganische Substrat aufgebrachten Photoresistfilms oder eines verbleibenden Photoresistrests nach dem Trockenätzen und Veraschen verwendet werden, und bei der Durchführung dieser Entfernungsoperation, können zusammen in geeigneter Weise ein Erwärmen, Ultraschallwellen oder dergleichen angewandt werden, falls erforderlich.
  • Ein Behandlungsverfahren, welches das Entfernungsmittel der vorliegenden Erfindung verwendet, ist in der Regel ein Eintauchverfahren, doch kann auch ein anderes Verfahren, wie ein Spray nutzendes Verfahren, angewandt werden.
  • Nach der Behandlung unter Verwendung des Entfernungsmittels der vorliegenden Erfindung kann ein Spülschritt in ausreichender Weise mit Wasser bewerkstelligt werden, und daher ist ein organisches Lösungsmittel, wie ein Alkohol, nicht erforderlich.
  • Wenn eine Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist gemäss der vorliegenden Erfindung zum Einsatz kommt, kann ein auf ein anorganisches Substrat aufgebrachter Photoresistfilm, eine verbleibende Photoresistschicht nach dem Trockenätzen des auf das anorganische Substrat aufgebrachten Photoresistfilms oder ein verbleibender Photoresistrest nach dem Trockenätzen und Veraschen leicht bei einer niedrigen Temperatur in kurzer Zeit entfernt werden, und zu diesem Zeitpunkt ist eine extrem feine Arbeit möglich ohne ein Korrodieren von Verdrahtungsmaterial. Ferner kann ein Spülschritt mit Wasser allein durchgeführt werden, und auf diese Weise muss kein organisches Lösungsmittel, wie ein Akohol, angewandt werden, wodurch hochgenaue Drahtmuster angefertigt werden können.
  • Als nächstes wird die vorliegende Erfindung noch ausführlicher unter Bezugnahme auf Beispiele und Vergleichsbeispiele beschrieben. Jedoch sollte der Umfang der vorliegenden Erfindung keineswegs auf diese Beispiele beschränkt werden.
    • Beispiele 1 bis 9, Vergleichsbeispiele 1 bis 4
  • Die Fig. 1 zeigt einen Querschnitt einer Halbleitervorrichtung, in welcher ein Aluminiumdraht 3 durch Trockenätzen durch einen Resistfilm 4 als Maske gebildet wird. In Fig. 1 ist ein Substrat einer Halbleitervorrichtung 1 mit einem Oxidfilm 2 überzogen, und durch das Trockenätzen wird ein Seitenwand-Schutzfilm 5 gebildet.
  • Die Halbleitervorrichtung in Fig. 1 wurde in jedes der Entfernungsmittel mit den in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzungen für eine vorbestimmte Zeit eingetaucht und anschliessend mit hochreinem Wasser gespült, gefolgt von einem Trocknen. Als nächstes erfolgte eine Beobachtung mittels eines Elektronenmikroskops (SEM). Die Entfernungseigenschaften eines Resistfilms 4 und eines Restes 5 und die Korrosionseigenschaften des Aluminium-(Al-)Drahtes 3 wurden bewertet und die Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Die Bewertung der Entfernungseigenschaften und der Korrosionseigenschaften durch die SEM- Beobachtung erfolgte auf Basis der nachstehenden Bewertungskriterien:
    • Entfernungseigenschaften:
  • O: Der Resistfilm oder der Rest wurde vollständig entfernt.
  • Δ: Der Resistfilm oder der Rest war teilweise festzustellen.
  • X: Der grösste Teil des Resistfilms oder des Restes blieb zurück.
    • Korrosionseigenschaften:
  • O: Es war keine Korrosion festzustellen.
  • Δ: Der Resistfilm war teilweise festzustellen.
  • X: Es war eine merkliche Korrosion festzustellen.
    • Beispiele 10 bis 18, Vergleichsbeispiele 5 bis 8
  • Es wurde dieselbe Verfahrensweise wie in den Beispielen 1 bis 9 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 4 wiederholt, mit der Ausnahme, dass die Entfernungsmittel mit den in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzungen durch die Entfernungsmittel mit den in Tabelle 2 gezeigten Zusammensetzungen ersetzt wurden, und es wurden die Entfernungseigenschaften und Korrosionseigenschaften anschliessend bewertet. Die Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
    • Beispiele 19 bis 24, Vergleichsbeispiele 9 bis 12
  • Die Fig. 2 zeigt einen Querschnitt einer Halbleitervorrichtung, in welcher ein Resistfilm 4 in Fig. 1 durch Resist-Veraschung einer in Beispiel 1 verwendeten Halbleitervorrichtung mit einem Sauerstoffplasma entfernt wurde. In Fig. 2 wurde ein Rest 5 (ein auf die Seitenwand abgeschiedener Schutzfilm) nicht durch das Sauerstoffplasma entfernt, und der obere Bereich des Restes 5 wurde nur verformt, um sich um einen Aluminiumdraht 3 zu verteilen.
  • Nach der Resist-Veraschung wurde die Halbleitervorrichtung in Fig. 2 in jedes der Entfernungsmittel mit den in Tabelle 3 gezeigten Zusammensetzungen für eine vorbestimmte Zeit eingetaucht und danach mit hochreinem Wasser gespült, gefolgt von einem Trocknen. Als nächstes wurden die Korrosionseigenschaften des Aluminiumdrahtes 3 anschliessend durch ein Elektronenmikroskop (SEM) bewertet und die Resultate sind in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 1 (I) Tabelle 1 (II) Tabelle 1 (III) Tabelle 2 (I) Tabelle 2 (II) Tabelle 2 (III) Tabelle 2 (IV) Tabelle 3 (I) Tabelle 3 (II) Tabelle 3 (III)

Claims (10)

1. Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist, umfassend:
(1) 5 bis 50 Gew.-% eines Alkanolamins, eines Alkoxyalkylamins, eines Alkoxyalkanolamins, angegeben durch die allgemeine Formel R¹R²-NCmH2mOR³, worin R¹ und R² jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxyethylgruppe ist; R³ ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Hydroxyethylgruppe, eine Methoxyethylgruppe oder eine Ethoxyethylgruppe ist, und m eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, oder 2-(2-Aminoethoxy)propanol ist;
(2) 1 bis 30 Gew.-% einer Verbindung, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, Ethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykolmonomethylether, Diethylenglykolmonoethylether, Diethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykoldimethylether, Propylenglykolmonomethylether, Propylenglykolmonoethylether, Dipropylenglykolmonomethylether, Dipropylenglykolmonomethylether und Dipropylenglykoldimethylether,
(3) 0,5 bis 15 Gew.-% eines Zuckers oder eines Zuckeralkohols,
und Wasser als Rest.
2. Verfahren zur Ablösung eines Photoresists, welches den Sehritt des Ablösens des Photoresists unter Verwendung einer Entfernungsmittelszusammensetzung für ein Photoresist gemäss Anspruch 1 umfasst.
3. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists gemäss Anspruch 2, wobei ein auf einem anorganischen Substrat aufgebrachter Photoresistfilm entfernt wird.
4. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists gemäss Anspruch 2, wobei eine Maske aus einem Photoresistfilm auf einem anorganischen Substrat gebildet wird, die unmaskierten Bereiche des Substrats trockengeätzt werden und die zu der Maske geformte Photoresistschicht anschliessend entfernt wird.
5. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists gemäss Anspruch 2, wobei eine Maske aus einem Photoresistfilm auf einem anorganischen Substrat gebildet wird die unmaskierten Bereiche des Substrats trockengeätzt werden, die zu der Maske geformte Photoresistschicht weiter verascht wird und der verbleibende Photoresistrest anschliessend entfernt wird.
6. Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist, umfassend:
(1) 5 bis 45 Gew.-% eines Alkanolamins, eines Alkoxyalkylamins, eines Alkoxyalkanolamins, angegeben durch die allgemeine Formel R¹R²-NCmH2mOR³, worin R¹ und R² jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxyethylgruppe ist; R³ ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Hydroxyethylgruppe, eine Methoxyethylgruppe oder eine Ethoxyethylgruppe ist, und m eine ganze Zahl von 2 bis 4 ist, oder 2-(2-Aminoethoxy)propanol ist;
(2) 1 bis 30 Gew.-% einer Verbindung, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, Ethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykolmonomethylether, Diethylenglykolmonoethylether, Diethylenglykolmonobutylether, Diethylenglykoldimethylether, Propylenglykolmonomethylether, Propylenglykolmonoethylether, Dipropylenglykolmonomethylether, Dipropylenglykolmonomethylether und Dipropylenglykoldimethylether,
(3) 0,5 bis 15 Gew.-% eines Zuckers oder eines Zuckeralkohols,
(4) 0,01 bis 10 Gew.-% eines quaternären Ammoniumhydroxids, angegeben durch die allgemeine Formel [(R&sup5;)&sub3;N-R&sup6;]&spplus;OH&supmin;, worin R&sup5; eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist, R&sup6; eine Alkylgruppe oder eine Hydroxyalkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist,
und Wasser als Rest.
7. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists, welches den Schritt des Ablösens des Photoresists unter, Verwendung einer Entfernungsmittelzusammensetzung für ein Photoresist gemäss Anspruch 6 umfasst.
8. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists gemäss Anspruch 7, wobei ein auf einem anorganischen Substrat aufgebrachter Photoresistfilm entfernt wird.
9. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists gemäss Anspruch 7, wobei eine Maske aus einem Photoresistfilm auf einem anorganischen Substrat gebildet wird, die unmaskierten Bereiche des Substrats trockengeätzt werden und die zu der Maske geformte Photoresistschicht anschliessend entfernt wird.
10. Verfahren zum Ablösen eines Photoresists gemäss Anspruch 7, wobei eine Maske aus einem Photoresistfilm auf einem anorganischen Substrat gebildet wird, die unmaskierten Bereiche des Substrats trockengeätzt werden, die zu der Maske geformte Photoresistschicht weiter verascht wird und der verbleibende Photoresistrest anschliessend entfernt wird.
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