JP4375991B2 - 半導体基板洗浄液組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板の洗浄に用いられる洗浄液組成物に関するものであって、特にベアシリコンや低誘電率(Low−K)膜のような疎水性の基板表面に吸着した粒子汚染や金属汚染を除去するのに適した洗浄液組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICの高集積化に伴い、微量の不純物がデバイスの性能、歩留まりに大きく影響を及ぼすため、厳しいコンタミネーションコントロールが要求されている。すなわち、基板の粒子汚染や金属汚染を厳しくコントロールすることが要求されており、そのため半導体製造の各工程で各種洗浄液による洗浄が行われている。
一般に、半導体用基板洗浄液として粒子汚染除去のためにはアルカリ性洗浄液であるアンモニア水−過酸化水素水−水(SC−1)が用いられ、金属汚染除去のためには酸性洗浄液である硫酸−過酸化水素水、塩酸−過酸化水素水−水(SC−2)、希フッ酸などが用いられ、目的に応じて各洗浄液が単独または組み合わせて使用されている。
一方、デバイスの微細化および多層配線構造化が進むに伴い、各工程において基板表面のより厳密な平坦化が求められ、半導体製造工程に新たな技術として研磨粒子と化学薬品の混合物スラリーを供給しながらバフを回転させることにより基板表面を研磨し平坦化する化学的機械研磨(以下CMPと呼ぶ)技術が導入された。また同時に、平坦化する基板表面を構成する物質も変遷してきた。そのため、CMP後の基板表面には研磨剤に含まれるアルミナやシリカに基づく粒子汚染および研磨される表面の構成物質やスラリーに含まれる化学薬品などに基づく種々の金属汚染が生じることとなった。これら汚染を除去するための一般的なCMP後の洗浄としては、洗浄液の化学作用とブラシによる物理的作用を併用したブラシ洗浄が行われ、用いる洗浄液は基板表面の構成物質並びに汚染物質の性質を考慮し、各種洗浄液の中から適切な洗浄液が選択される。
CMPを施す基板表面が従来のSiO2系の層間絶縁膜である場合、粒子汚染の洗浄には前記アルカリ性洗浄液、金属汚染の洗浄には前記酸性洗浄液を使用する2段階洗浄が行われていた。
しかし、近年使用されるようになったCuあるいはW等の金属材料が接続孔や配線材料として露出している層間絶縁膜である場合、前記酸性洗浄液は金属材料を腐食するか、あるいは腐食させない時間内では充分に金属汚染を除去することはできない。また前記アルカリ性洗浄液においてもCuの腐食等の問題が生じている。これらを解決する方法として、金属汚染の洗浄液として有機酸と錯化剤を含む水溶液(特許文献1および2参照)、また、金属汚染と粒子汚染を同時に除去する技術として有機酸と錯化剤を含む洗浄液が提案されている(特許文献3参照)。
【0003】
また、さらに近年、従来のSiO2系と比べ、より低誘電率な芳香族アリールポリマーのような有機膜や、MSQ(Methyl Silsesquioxane)やHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)などのシリコン系の膜、さらに誘電率の低い多孔質シリカ膜などの層間絶縁膜が用いられようとしている。これらのLow−K膜材料は疎水性が強いことが判っており、ブラシ洗浄においても膜表面に対する洗浄液のぬれ性が悪いと、ブラシ洗浄が有効に働かず、粒子汚染の除去性が不十分であることが最近の研究で報告されており、前記洗浄液ではLow−K膜に対するぬれ性が悪いため充分に洗浄することができない。このことから、本発明者らは、Low−K膜からなる層間絶縁膜等に対するぬれ性が良く、粒子汚染および金属汚染の除去に使用できるCMP後洗浄液組成物として、脂肪族ポリカルボン酸と界面活性剤を含む水溶液を提案した(特許文献4参照)。
しかしながらその後の研究により、界面活性剤とLow−K膜との組み合わせによっては、界面活性剤がLow−K膜の表面に吸着したり内部に浸透し、屈折率を変化させるなどのダメージをLow−K膜に与えるという欠点を有することが判った。
また、有機酸を含む類似組成物として、有機酸、水、有機溶剤を含む組成物が開示され(特許文献5参照)、また、本願の出願後に、有機酸、水、有機溶剤、防食剤を含む組成物が開示されているが(特許文献6参照)、当該技術はレジスト剥離剤であり、CMP後の粒子汚染や金属汚染の除去について、何ら開示するものではない。
また、本願出願後に低誘電率膜を有する半導体基板洗浄液組成物であって、有機酸、水、エチレンオキサイド型の界面活性剤を必須成分とし、さらにアルキルアルコールを含有してよい組成物が開示されているが(特許文献7参照)、実施例は全て、有機酸、水、界面活性剤を含む化合物であって、特許文献4と同様に、Low−K膜にダメージを与える可能性がある。
【0004】
【特許文献1】
特開平10−72594号公報
【特許文献2】
特開平11−131093号公報
【特許文献3】
特開2001−7071号公報
【特許文献4】
特願2002−41393号明細書
【特許文献5】
特開2000−206709号公報
【特許文献6】
US2003/0130147A1
【特許文献7】
WO03/065433A1
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明が解決しようとする課題は、半導体基板の洗浄において、ベアシリコンやLow−K膜のような疎水性基板であっても該基板にダメージを与えることなく、半導体基板表面の粒子汚染および金属汚染を除去することができる洗浄液組成物および該組成物による洗浄方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねる中で、一般的にCMP後の洗浄にブラシ洗浄が行われるが、膜表面に対する液のぬれ性が悪いと、ブラシが有効に働かず、粒子の除去性が不十分であること、また、ブラシの効果を働かせるためには洗浄液と膜との接触角は所定の角度以下にする必要があることなどの知見を得た。この知見に基づきさらに研究を進めた結果、シュウ酸などの脂肪族ポリカルボン酸の水溶液からなる洗浄液組成物は、一般式[1]で表される特定の有機溶剤をさらに組み合わせることにより、疎水性基板に対する接触角を有機溶剤を含まないものと比較し、大幅に低下させ、良好なぬれ性を示し、結果として金属不純物と粒子の除去性を大幅に改善することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
即ち本発明は、低誘電率(Low−K)膜を有する半導体基板またはベアシリコンの洗浄に用いられる洗浄液組成物であって、前記洗浄液組成物が、一般式[1]
R1−O−(−R2−O−)n−R3 [1]
(R1は炭素数4〜6のアルキル基、
R2はエチレン基またはプロピレン基、
nは2〜3、
R3は水素である)
で表される化合物からなる群から選択される1種以上の有機溶剤、シュウ酸、および水からなる洗浄液組成物であって、
シュウ酸を0.01〜30重量%含み、
有機溶剤を0.01〜50.0重量%含む、前記洗浄液組成物に関する。
【0008】
また本発明は、低誘電率(Low−K)膜を有する半導体基板またはベアシリコンの洗浄方法であって、一般式[1]
R1−O−(−R2−O−)n−R3 [1]
(R1は炭素数4〜6のアルキル基、
R2はエチレン基またはプロピレン基、
nは2〜3、
R3は水素である)
で表される化合物からなる群から選択される1種以上の有機溶剤、シュウ酸、および水からなる洗浄液組成物であって、
シュウ酸を0.01〜30重量%含み、
有機溶剤を0.01〜50.0重量%含む、前記洗浄液組成物により洗浄する、前記洗浄方法に関する。
【0009】
本発明の洗浄液組成物は、水を滴下したときの表面の接触角が70度以上である疎水性の半導体基板表面に対し、CMP後のベアシリコンやLow−K膜のような疎水性基板表面に対し何らダメージを与えることなく、該表面の粒子汚染ならびに金属汚染を除去するための洗浄液として使用できるものである。なお、ベアシリコンやLow−K膜のような疎水性基板表面に対するぬれ性が良好であることは当然であるが、従来の半導体基板表面に対するぬれ性はさらに良好であり、従来の半導体基板のCMP後の洗浄剤に使用できることはいうまでもない。
さらに本発明の洗浄液組成物をブラシ洗浄に用いれば、粒子汚染の除去に特に有効である。
以下に本発明の実施の形態について説明する。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は典型的にはCMP後の粒子汚染に対し優れた洗浄能力を持つ洗浄液を提供するものである。すなわち本発明は、脂肪族ポリカルボン酸と水酸基および/またはエーテル基を有する有機溶剤を含有せしめたことを特徴とする洗浄液に関するものである。
【0011】
具体的には、本発明の洗浄液組成物は、溶媒としての水に脂肪族ポリカルボン酸と水酸基および/またはエーテル基を有する有機溶剤とを添加することにより調製する水溶液である。
本発明に用いられる脂肪族ポリカルボン酸とは、シュウ酸、マロン酸等のジカルボン酸や酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等のオキシポリカルボン酸である。なかでもシュウ酸は金属不純物の除去能力が高く本発明に用いるポリカルボン酸として好ましいものである。
洗浄液中の脂肪族ポリカルボン酸類の濃度は、0.001〜30wt%、特に好ましくは0.03〜10wt%である。
脂肪族ポリカルボン酸類の濃度が低すぎては洗浄効果は十分に発揮されず、高濃度にした場合、濃度に見合う効果が期待できず、更に結晶が析出する恐れがあり、脂肪族ポリカルボン酸類の溶解度も考慮して適宜決定される。
【0012】
また、本発明に使用する水酸基および/またはエーテル基を有する有機溶剤として優れた効果を発揮するものは、一般式[1]で表され、
R1−O−(−R2−O−)n−R3 [1]
(R1は炭素数1〜6のアルキル基、
R2はエチレン基またはプロピレン基、
nは0〜4、
R3は水素または炭素数1〜6のアルキル基)
具体的には1−プロパノール、2−プロパノール、1―ブタノールなどの脂肪族低級アルコールや、エチレングリコール モノエチル エーテル、エチレングリコール モノ−n−プロピル エーテル、エチレングリコール モノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコール モノメチル エーテル、ジエチレングリコール モノエチル エーテル、ジエチレングリコール モノ−n−ブチル エーテル、ジエチレングリコール モノイソブチル エーテル、ジエチレングリコール モノ−n−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコール ジメチル エーテル、ジエチレングリコール ジエチル エーテル、プロピレングリコール モノメチル エーテル、プロピレングリコール モノエチル エーテル、プロピレングリコール モノ−n−プロピル エーテル、プロピレングリコール モノ−n−ブチル エーテル、エチレングリコール モノ−n−ヘキシル エーテル、トリエチレングリコール モノ−n−ヘキシル エーテル、トリエチレングリコール モノ−n−ブチル エーテル、トリエチレングリコール モノイソブチル エーテルなどの多価アルコールの誘導体がある。
また、このほかトリエチレングリコール ジアルキル エーテル、テトラエチレングリコール モノまたはジアルキル エーテル、ジプロピレングリコール モノまたはジアルキルエーテル、トリプロピレングリコール モノまたはジアルキル エーテル、テトラプロピレングリコール モノまたはジアルキル エーテルなどの化合物も例示される。
【0013】
なかでも、一般式[1]において、nが2〜3、R1の炭素数が4〜6、R3が水素のものは低濃度で効果があり、特に好ましいものである。
また、特に好ましい有機溶剤同士を、または、特に好ましい有機溶剤と、一般式[1]で表されるが特に好ましい有機溶剤には含まれない有機溶剤を組み合わせることにより、単一種類の特に好ましい有機溶剤のみを含む洗浄液組成物より優れた効果をもつ洗浄液組成物を得ることができる。
例えば、R1の炭素数が6のジエチレングリコール モノ−n−ヘキシル エーテルはアルキル基R1が大きいため研磨粒子の除去性に優れるが、単独ではそのアルキル基R1の大きさのため、水に対する溶解性が悪く、1.0重量%までしか溶解しないために接触角の低下に限界がある。しかし、ジエチレングリコール モノ−n−ブチル エーテルやエチレングリコール モノ−n−ブチルエーテルと組み合わせることにより、有機溶剤の濃度が低い場合でも、研磨粒子の優れた除去性を維持しながら接触角をさらに低下させることができる。
また一般式[1]の有機溶剤は互いに二種以上のものを組み合わせて使用することができ、一般式[1]の有機溶剤と、一般式[1]に含まれない有機溶剤とを、それぞれ1種以上組み合わせて使用することもできる。
【0014】
水酸基および/またはエーテル基を有する有機溶剤の濃度は、0.01〜50.0wt%、特に好ましくは0.1〜30.0wt%である。水酸基および/またはエーテル基を有する有機溶剤の濃度が低い場合は、接触角が40゜以下にならず、粒子の除去能力も十分でなく、また高すぎてもそれに見合う効果が期待できなく、Low−K膜にダメージを与える恐れがある。
【0015】
以下に本発明の実施例と参考例および比較例とを共に示し、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0016】
【実施例】
溶媒として水を用い、表1ないし表3に示す組成の洗浄液組成物を調製し、接触角、洗浄力および屈折率の測定に用いた。
(疎水性基板表面に対する接触角1:ベアシリコン)
ベアリシコン基板表面に滴下したときの接触角を接触角測定装置で測定し、基板に対するぬれ性を評価した結果を表1に示す。
【表1】
【0017】
(疎水性基板表面に対する接触角2:有機膜(SiLk))
有機Low−K膜であるSiLk(ダウケミカル製)の表面に滴下したときの接触角を接触角測定装置で測定し、基板に対するぬれ性を評価した結果を表2に示す。
【表2】
【0018】
(疎水性基板表面に対する接触角3:SiOCを組成としたLow−K膜)
SiOCを組成としたLow−K膜表面に滴下したときの接触角を接触角測定装置で測定し、基板に対するぬれ性を評価した結果を表3に示す。
【表3】
以上のように、本発明の洗浄液組成物は各種疎水性表面に対し濡れ性が改善されている。
【0019】
(粒子除去能力)
ベアシリコンウェハをシリカ粒子を含むスラリーに浸漬し、シリカ粒子で汚染したウェハを洗浄して、粒子除去能力を評価した。粒子は0.13μm以上の粒子を測定した。
スラリー浸漬時間:30sec
洗浄条件:25℃、20sec(ブラシ洗浄)
シリカ粒子初期汚染量:30000個/ウェハ
【表4】
【0020】
(金属不純物除去能力)
シリコンウェハをアンモニア水(29重量%)−過酸化水素水(30重量%)−水混合液(体積比1:1:6)で洗浄後、回転塗布法で鉄、銅、亜鉛、ニッケルを1013atoms/cm2の表面濃度になるように汚染した。比較例、参考例、実施例の洗浄液で25℃、3分洗浄し、超純水で3分流水リンス後、乾燥し全反射蛍光X線装置でウェハ表面の金属濃度を測定し、金属不純物除去能力を評価した。
【表5】
【0021】
(Low−K膜へのダメージ)
Low−K膜としてポーラス状のMSQを付けたシリコンウェハを比較例、参考例、実施例の洗浄液に25℃、10分間浸漬し、超純水で流水リンス(3分)後乾燥し、浸漬前後のLow−K膜の屈折率をナノメトリックス社のNanospec 210で測定した。屈折率と誘電率は相関があり、屈折率が上がると誘電率も上昇する。
【0022】
【表6】
以上のように本発明の洗浄液はLow−K膜にダメージを与えることなく、疎水性基板表面への濡れ性を改善し、表面に吸着した粒子、金属不純物に対して優れた除去性能をもつ。
Claims (2)
- 低誘電率(Low−K)膜を有する半導体基板またはベアシリコンの洗浄に用いられる洗浄液組成物であって、前記洗浄液組成物が、一般式[1]
R1−O−(−R2−O−)n−R3 [1]
(R1は炭素数4〜6のアルキル基、
R2はエチレン基またはプロピレン基、
nは2〜3、
R3は水素である)
で表される化合物からなる群から選択される1種以上の有機溶剤、シュウ酸、および水からなる洗浄液組成物であって、
シュウ酸を0.01〜30重量%含み、
有機溶剤を0.01〜50.0重量%含む、前記洗浄液組成物。 - 低誘電率(Low−K)膜を有する半導体基板またはベアシリコンの洗浄方法であって、一般式[1]
R1−O−(−R2−O−)n−R3 [1]
(R1は炭素数4〜6のアルキル基、
R2はエチレン基またはプロピレン基、
nは2〜3、
R3は水素である)
で表される化合物からなる群から選択される1種以上の有機溶剤、シュウ酸、および水からなる洗浄液組成物であって、
シュウ酸を0.01〜30重量%含み、
有機溶剤を0.01〜50.0重量%含む、前記洗浄液組成物により洗浄する、前記洗浄方法。
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KR101232249B1 (ko) * | 2004-08-10 | 2013-02-12 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 반도체 기판 세정액 및 반도체 기판 세정방법 |
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KR100630737B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 금속 cmp 후 세정액 및 이를 이용한 반도체 소자의금속 배선 형성 방법 |
US9058975B2 (en) * | 2006-06-09 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | Cleaning solution formulations for substrates |
US8623236B2 (en) * | 2007-07-13 | 2014-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Titanium nitride-stripping liquid, and method for stripping titanium nitride coating film |
JP5561914B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-07-30 | 関東化学株式会社 | 半導体基板洗浄液組成物 |
JP5515588B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2014-06-11 | 栗田工業株式会社 | ウエハ用洗浄水及びウエハの洗浄方法 |
US8128755B2 (en) * | 2010-03-03 | 2012-03-06 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound |
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CN108611199A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-10-02 | 段钰 | 一种高效强力清洗剂及其环保清洗工艺 |
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Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH122023A (de) | 1926-12-27 | 1927-08-16 | Richter Gutzwiller & Cie | Verfahren zur Herstellung einer Parkettreinigungsmasse. |
DE2155849C3 (de) * | 1971-11-10 | 1979-07-26 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg | Verfahren zur Herstellung eines stabilisierenden und/oder isolierenden Überzuges auf Halbleiteroberflächen |
JPS5832669A (ja) * | 1981-08-22 | 1983-02-25 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | インク消去液 |
JPH02310092A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-25 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 平版印刷用湿し水組成物 |
US5503681A (en) * | 1990-03-16 | 1996-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning an object |
US6825156B2 (en) * | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Ekc Technology, Inc. | Semiconductor process residue removal composition and process |
US7144848B2 (en) * | 1992-07-09 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal |
US6640816B2 (en) * | 1999-01-22 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Method for post chemical-mechanical planarization cleaning of semiconductor wafers |
US6410494B2 (en) * | 1996-06-05 | 2002-06-25 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
JP3219020B2 (ja) | 1996-06-05 | 2001-10-15 | 和光純薬工業株式会社 | 洗浄処理剤 |
EP0839898A1 (en) * | 1996-11-04 | 1998-05-06 | The Procter & Gamble Company | Self-thickened cleaning compositions |
TW387936B (en) * | 1997-08-12 | 2000-04-21 | Kanto Kagaku | Washing solution |
JP3165801B2 (ja) | 1997-08-12 | 2001-05-14 | 関東化学株式会社 | 洗浄液 |
CA2330279C (en) * | 1998-05-22 | 2003-06-10 | The Procter & Gamble Company | Acidic cleaning compositions with c10 alkyl sulfate detergent surfactant |
US5928435A (en) * | 1998-11-11 | 1999-07-27 | Enthone-Omi, Inc. | Method for removing organic coatings from substrates using carboxylic acids, organic solvents, and corrosion inhibitors |
JP3474127B2 (ja) | 1998-11-13 | 2003-12-08 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
US6310020B1 (en) * | 1998-11-13 | 2001-10-30 | Kao Corporation | Stripping composition for resist |
JP4516176B2 (ja) * | 1999-04-20 | 2010-08-04 | 関東化学株式会社 | 電子材料用基板洗浄液 |
ID29396A (id) * | 1999-08-19 | 2001-08-30 | Ashland Inc | Komposisi pengupasan dan pembersihan |
JP2002041393A (ja) | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 通信ネットワークシステムを用いた情報配信方法 |
DE60124473T2 (de) * | 2000-09-08 | 2007-09-06 | Kanto Kagaku K.K. | Ätzflüssigkeitszusammensetzung |
US6699825B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-03-02 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Acidic hard-surface antimicrobial cleaner |
TWI297102B (en) * | 2001-08-03 | 2008-05-21 | Nec Electronics Corp | Removing composition |
KR100913557B1 (ko) | 2002-01-28 | 2009-08-21 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 디바이스용 기판의 세정액 및 세정방법 |
TWI339680B (en) * | 2002-02-19 | 2011-04-01 | Kanto Kagaku | Washing liquid composition for semiconductor substrate |
US7098181B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-08-29 | Kao Corporation | Liquid detergent composition |
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