JPH11260774A - 張り合わせ基板の製造方法 - Google Patents
張り合わせ基板の製造方法Info
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- JPH11260774A JPH11260774A JP8292398A JP8292398A JPH11260774A JP H11260774 A JPH11260774 A JP H11260774A JP 8292398 A JP8292398 A JP 8292398A JP 8292398 A JP8292398 A JP 8292398A JP H11260774 A JPH11260774 A JP H11260774A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性層用ウェーハの外周部の面取りエッチ
ング時に、活性層用ウェーハの外周形状が滑らかになる
張り合わせ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層用ウェーハ１の外周部の研削後の
残部１ａを、過酸化水素を含むアルカリ性エッチング液
を用いてアルカリエッチングする。この結果、活性層用
ウェーハ１の外周形状を滑らかにできる。エッチピット
形状が小さくなると考えられるからである。よって、そ
の後、ウェーハ１の外周部の欠けや、フォトレジスト膜
の除去漏れを原因としたパーティクルの発生を低減でき
る。また、この過酸化水素の添加により、Ｓｉ／ＳｉＯ
2のエッチレート比が３００以上となるので、アルカリ
エッチング時、ＳＯＩ基板での支持基板用ウェーハ２の
埋め込み酸化膜および裏面酸化膜を溶損しにくくするこ
とができる。
ング時に、活性層用ウェーハの外周形状が滑らかになる
張り合わせ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層用ウェーハ１の外周部の研削後の
残部１ａを、過酸化水素を含むアルカリ性エッチング液
を用いてアルカリエッチングする。この結果、活性層用
ウェーハ１の外周形状を滑らかにできる。エッチピット
形状が小さくなると考えられるからである。よって、そ
の後、ウェーハ１の外周部の欠けや、フォトレジスト膜
の除去漏れを原因としたパーティクルの発生を低減でき
る。また、この過酸化水素の添加により、Ｓｉ／ＳｉＯ
2のエッチレート比が３００以上となるので、アルカリ
エッチング時、ＳＯＩ基板での支持基板用ウェーハ２の
埋め込み酸化膜および裏面酸化膜を溶損しにくくするこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は張り合わせ基板の
製造方法、例えばシリコン基板の間に絶縁層を介在させ
たＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）基板などの張り合わせ基板の製造方法に関する。
製造方法、例えばシリコン基板の間に絶縁層を介在させ
たＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）基板などの張り合わせ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ基板の製造では、絶縁膜（ＳｉＯ
2）を挟んで互いにシリコン製の支持基板用ウェーハと
活性層用ウェーハとを室温で重ね合わせ、その後、所定
の張り合わせ熱処理を行っている。さらに、張り合わせ
不良領域を除去するため、活性層用ウェーハの外周部を
面取りしている。その後、活性層用ウェーハの表面を研
削し、研磨している。
2）を挟んで互いにシリコン製の支持基板用ウェーハと
活性層用ウェーハとを室温で重ね合わせ、その後、所定
の張り合わせ熱処理を行っている。さらに、張り合わせ
不良領域を除去するため、活性層用ウェーハの外周部を
面取りしている。その後、活性層用ウェーハの表面を研
削し、研磨している。
【０００３】この張り合わせ後の面取りは、具体的に
は、活性層用ウェーハの外周部を面取り用ホイールによ
り、若干の削り残しを設けて研削し、その後、残った部
分をエッチング液にディッピングして溶かし、ホイール
を用いた研削での面取りによる加工ダメージを除去する
のが通常である。従前まで、この面取り残部のエッチン
グ除去は、ＨＦ（還元剤），ＨＮＯ3（酸化剤），ＣＨ3
ＣＯＯＨ（混和剤）の混酸溶液、アミン系溶液などの酸
性溶液を使用した酸系エッチングがほどんどであった。
は、活性層用ウェーハの外周部を面取り用ホイールによ
り、若干の削り残しを設けて研削し、その後、残った部
分をエッチング液にディッピングして溶かし、ホイール
を用いた研削での面取りによる加工ダメージを除去する
のが通常である。従前まで、この面取り残部のエッチン
グ除去は、ＨＦ（還元剤），ＨＮＯ3（酸化剤），ＣＨ3
ＣＯＯＨ（混和剤）の混酸溶液、アミン系溶液などの酸
性溶液を使用した酸系エッチングがほどんどであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の方法では、以下の不都合があった。すなわち、酸系
のエッチャントではエッチング速度のＳｉ／ＳｉＯ2比
が小さい。よって、アルカリ系エッチング液を用いて、
シリコンＳｉと酸化膜ＳｉＯ2とのエッチング比を大き
くとることとなる。ところが、このエッチャントとして
ＮａＯＨ、ＫＯＨだけを使用すると、以下のように鋸歯
状となった。つまり、活性層用ウェーハの外周部をホイ
ールにより面取りした後、このウェーハの外周部をＮａ
ＯＨ、ＫＯＨだけのアルカリ溶液によってアルカリエッ
チングすると、シリコンウェーハでの面方位によるエッ
チング異方性、エッチピットの形状などを原因として、
活性層用ウェーハの外周形状が粗くなって鋸歯状になり
やすかった。この結果、その後のウェーハ製造工程にお
いて、この鋸歯状のウェーハ外周部に欠けが生じ、これ
がウェーハ表面にパーティクルを発生させる原因となっ
ていた。また、出荷先のデバイス工場では、ウェーハ表
面に回路を焼き付けた後、フォトレジスト膜をウェーハ
表面から溶失・除去する工程が行われるが、この際に、
フォトレジスト膜の一部が鋸歯状のウェーハ外周部に引
っかかって残存し、これを原因として上記パーティクル
が生じるおそれがあった。なお、この活性層用ウェーハ
の外周部のエッチングに異方性が起きる原因としては、
ダングリングボンドの数に違いが生じるシリコン単結晶
の面方位によって、このウェーハ外周部の部分的なエッ
チング速度が異なることなどによる。
来の方法では、以下の不都合があった。すなわち、酸系
のエッチャントではエッチング速度のＳｉ／ＳｉＯ2比
が小さい。よって、アルカリ系エッチング液を用いて、
シリコンＳｉと酸化膜ＳｉＯ2とのエッチング比を大き
くとることとなる。ところが、このエッチャントとして
ＮａＯＨ、ＫＯＨだけを使用すると、以下のように鋸歯
状となった。つまり、活性層用ウェーハの外周部をホイ
ールにより面取りした後、このウェーハの外周部をＮａ
ＯＨ、ＫＯＨだけのアルカリ溶液によってアルカリエッ
チングすると、シリコンウェーハでの面方位によるエッ
チング異方性、エッチピットの形状などを原因として、
活性層用ウェーハの外周形状が粗くなって鋸歯状になり
やすかった。この結果、その後のウェーハ製造工程にお
いて、この鋸歯状のウェーハ外周部に欠けが生じ、これ
がウェーハ表面にパーティクルを発生させる原因となっ
ていた。また、出荷先のデバイス工場では、ウェーハ表
面に回路を焼き付けた後、フォトレジスト膜をウェーハ
表面から溶失・除去する工程が行われるが、この際に、
フォトレジスト膜の一部が鋸歯状のウェーハ外周部に引
っかかって残存し、これを原因として上記パーティクル
が生じるおそれがあった。なお、この活性層用ウェーハ
の外周部のエッチングに異方性が起きる原因としては、
ダングリングボンドの数に違いが生じるシリコン単結晶
の面方位によって、このウェーハ外周部の部分的なエッ
チング速度が異なることなどによる。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明は、活性層用ウェーハ
の外周部のアルカリエッチング時に、活性層用ウェーハ
の外周形状を滑らかにすることができ、この結果、ウェ
ーハ外周部の欠けおよびフォトレジスト膜の除去漏れを
原因としたパーティクルの発生を低減することができ、
なおかつ、アルカリエッチング時に、支持基板用ウェー
ハの埋め込み酸化膜および裏面酸化膜が溶損しにくい張
り合わせ基板の製造方法を提供することを、その目的と
している。そして、この発明は、ＳｉとＳｉＯ2とのエ
ッチレート比を３００以上とすることができるととも
に、エッチング後の活性層外周形状を平滑に形成するこ
とができる張り合わせ基板の製造方法を提供すること
を、その目的としている。さらに、この発明は、Ｓｉの
エッチレートを１μｍ／分以上とすることができる張り
合わせ基板の製造方法を提供することを、その目的とし
ている。
の外周部のアルカリエッチング時に、活性層用ウェーハ
の外周形状を滑らかにすることができ、この結果、ウェ
ーハ外周部の欠けおよびフォトレジスト膜の除去漏れを
原因としたパーティクルの発生を低減することができ、
なおかつ、アルカリエッチング時に、支持基板用ウェー
ハの埋め込み酸化膜および裏面酸化膜が溶損しにくい張
り合わせ基板の製造方法を提供することを、その目的と
している。そして、この発明は、ＳｉとＳｉＯ2とのエ
ッチレート比を３００以上とすることができるととも
に、エッチング後の活性層外周形状を平滑に形成するこ
とができる張り合わせ基板の製造方法を提供すること
を、その目的としている。さらに、この発明は、Ｓｉの
エッチレートを１μｍ／分以上とすることができる張り
合わせ基板の製造方法を提供することを、その目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合
わせた張り合わせ基板の製造方法において、上記支持基
板用ウェーハと上記活性層用ウェーハとを張り合わせ、
その後に熱処理する工程と、上記張り合わせ後の活性層
用ウェーハの外周部を表面側から一部を残して研削によ
り面取りする工程と、この研削面取り後、上記活性層用
ウェーハの外周部の残部を過酸化水素を含むＮａＯＨ，
ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液によりエッチング
除去する工程と、このエッチング除去後、上記活性層用
ウェーハの表面を研削・研磨する工程とを備えた張り合
わせ基板の製造方法である。
は、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合
わせた張り合わせ基板の製造方法において、上記支持基
板用ウェーハと上記活性層用ウェーハとを張り合わせ、
その後に熱処理する工程と、上記張り合わせ後の活性層
用ウェーハの外周部を表面側から一部を残して研削によ
り面取りする工程と、この研削面取り後、上記活性層用
ウェーハの外周部の残部を過酸化水素を含むＮａＯＨ，
ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液によりエッチング
除去する工程と、このエッチング除去後、上記活性層用
ウェーハの表面を研削・研磨する工程とを備えた張り合
わせ基板の製造方法である。
【０００７】張り合わせ基板としては、ＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉ，ＳｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ2／ポリシリコンの
うちのどの組み合わせでもよい。アルカリエッチングに
よる面取りとは、例えばＮａＯＨまたはＫＯＨなどのア
ルカリ性エッチング液の中に、例えば活性層用ウェーハ
のあらかじめ研削面取りされた外周部を活性層残留層が
完全に除去されるまで浸漬し、この研削後の残存部分を
溶失させることをいう。
ｉ，ＳｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ2／ポリシリコンの
うちのどの組み合わせでもよい。アルカリエッチングに
よる面取りとは、例えばＮａＯＨまたはＫＯＨなどのア
ルカリ性エッチング液の中に、例えば活性層用ウェーハ
のあらかじめ研削面取りされた外周部を活性層残留層が
完全に除去されるまで浸漬し、この研削後の残存部分を
溶失させることをいう。
【０００８】なお、ここでいう研削面取り後に残る活性
層用ウェーハの外周部の一部とは、この外周部全体にわ
たって厚さが略等しくなるような一部分である。アルカ
リ性エッチング液のエッチング温度は８０〜９５℃、特
に８３〜８７℃が好ましい。８０℃未満ではＳｉのエッ
チレートが小さくなるという不都合が生じる。また、９
５℃を超えると薬液の濃度の管理が困難となり、高温の
アルカリ液が取扱上危険である。
層用ウェーハの外周部の一部とは、この外周部全体にわ
たって厚さが略等しくなるような一部分である。アルカ
リ性エッチング液のエッチング温度は８０〜９５℃、特
に８３〜８７℃が好ましい。８０℃未満ではＳｉのエッ
チレートが小さくなるという不都合が生じる。また、９
５℃を超えると薬液の濃度の管理が困難となり、高温の
アルカリ液が取扱上危険である。
【０００９】請求項２に記載の発明は、上記過酸化水素
は、上記アルカリ性エッチング液に対して、０．０５〜
０．２重量％添加されている請求項１に記載の張り合わ
せ基板の製造方法である。この過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の
特に好ましい濃度は、アルカリ性エッチング液に対して
０．１〜０．１５重量％である。０．０５重量％未満で
は添加効果が得られない（鋸歯形状が改善されない）と
いう不都合が生じる。また、０．２重量％を超えるとＳ
ｉのエッチングレートが小さくなりすぎるという不都合
が生じる。
は、上記アルカリ性エッチング液に対して、０．０５〜
０．２重量％添加されている請求項１に記載の張り合わ
せ基板の製造方法である。この過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の
特に好ましい濃度は、アルカリ性エッチング液に対して
０．１〜０．１５重量％である。０．０５重量％未満で
は添加効果が得られない（鋸歯形状が改善されない）と
いう不都合が生じる。また、０．２重量％を超えるとＳ
ｉのエッチングレートが小さくなりすぎるという不都合
が生じる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、上記アルカリ性
エッチング液は、３〜２０重量％のアルカリ分を含む溶
液である請求項１または請求項２に記載の張り合わせ基
板の製造方法である。この場合のアルカリ分とは、Ｎａ
ＯＨ、ＫＯＨ、ＬｉＯＨなどのアルカリ金属元素、アル
カリ土類金属元素の水酸化物を示す。このアルカリ性エ
ッチング液の特に好ましい濃度は１０〜１５重量％であ
る。３重量％未満ではＳｉのエッチングレートが小さい
という不都合が生じる。また、２０重量％を超えるとＳ
ｉＯ2のエッチレートが大きくなり十分なＳｉ／ＳｉＯ2
比が得られない（Ｓｉ／ＳｉＯ2＜３００）という不都
合が生じる。
エッチング液は、３〜２０重量％のアルカリ分を含む溶
液である請求項１または請求項２に記載の張り合わせ基
板の製造方法である。この場合のアルカリ分とは、Ｎａ
ＯＨ、ＫＯＨ、ＬｉＯＨなどのアルカリ金属元素、アル
カリ土類金属元素の水酸化物を示す。このアルカリ性エ
ッチング液の特に好ましい濃度は１０〜１５重量％であ
る。３重量％未満ではＳｉのエッチングレートが小さい
という不都合が生じる。また、２０重量％を超えるとＳ
ｉＯ2のエッチレートが大きくなり十分なＳｉ／ＳｉＯ2
比が得られない（Ｓｉ／ＳｉＯ2＜３００）という不都
合が生じる。
【００１１】
【作用】この発明によれば、支持基板用ウェーハの片面
に活性層用ウェーハを張り合わせ、その後、熱処理して
両者を堅固に接合する。次いで、張り合わせ後の活性層
用ウェーハの外周部を表面側から研削により面取りす
る。この際、ウェーハ外周部にはその一部が所定の厚さ
で残される。それから、この残部を、過酸化水素を含む
ＮａＯＨ，ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液によっ
てエッチング除去する。
に活性層用ウェーハを張り合わせ、その後、熱処理して
両者を堅固に接合する。次いで、張り合わせ後の活性層
用ウェーハの外周部を表面側から研削により面取りす
る。この際、ウェーハ外周部にはその一部が所定の厚さ
で残される。それから、この残部を、過酸化水素を含む
ＮａＯＨ，ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液によっ
てエッチング除去する。
【００１２】一般的に、アルカリエッチングは酸系エッ
チングに比べてエッチング速度が遅い。単結晶シリコン
ウェーハに於いては面方位によりエッチレートが異なる
ことから鋸歯状の外周形状になりやすい。しかしなが
ら、この発明では、過酸化水素を添加したアルカリ性エ
ッチング液を用いてエッチングするので、全体視すれ
ば、鋸歯状に荒れる原因となるミクロ的なエッチピット
のサイズが大幅に縮小する。これにより、活性層用ウェ
ーハの外周形状が、従来に比較して滑らかになる。した
がって、ウェーハ外周部の欠けや、デバイス製造工程に
おけるフォトレジスト膜の除去時に、この膜が鋸歯状の
ウェーハ外周部に引っかかって、ウェーハ上に残ってし
まうことを防止することができる。
チングに比べてエッチング速度が遅い。単結晶シリコン
ウェーハに於いては面方位によりエッチレートが異なる
ことから鋸歯状の外周形状になりやすい。しかしなが
ら、この発明では、過酸化水素を添加したアルカリ性エ
ッチング液を用いてエッチングするので、全体視すれ
ば、鋸歯状に荒れる原因となるミクロ的なエッチピット
のサイズが大幅に縮小する。これにより、活性層用ウェ
ーハの外周形状が、従来に比較して滑らかになる。した
がって、ウェーハ外周部の欠けや、デバイス製造工程に
おけるフォトレジスト膜の除去時に、この膜が鋸歯状の
ウェーハ外周部に引っかかって、ウェーハ上に残ってし
まうことを防止することができる。
【００１３】Ｓｉ／ＳｉＯ2のエッチレート比を３００
以上とすることができるので、アルカリエッチング時
に、埋め込み酸化膜を溶損しにくくなる。また、支持基
板側に酸化膜がある場合には、その裏面側の酸化膜が溶
損し難くなる。その後、活性層用ウェーハが所定厚さに
なるまで、このウェーハを表面研削し、さらにこの表面
を研磨する。
以上とすることができるので、アルカリエッチング時
に、埋め込み酸化膜を溶損しにくくなる。また、支持基
板側に酸化膜がある場合には、その裏面側の酸化膜が溶
損し難くなる。その後、活性層用ウェーハが所定厚さに
なるまで、このウェーハを表面研削し、さらにこの表面
を研磨する。
【００１４】特に、請求項２に記載の発明においては、
過酸化水素の濃度を、アルカリ性エッチング液に対して
０．０５〜０．２重量％だけ添加した値としたので、活
性層ウェーハの外周形状を平滑化することができる。ま
た、シリコンと酸化膜とのエッチレート比を大きくする
ことができる（Ｓｉ／ＳｉＯ2≧３００）。
過酸化水素の濃度を、アルカリ性エッチング液に対して
０．０５〜０．２重量％だけ添加した値としたので、活
性層ウェーハの外周形状を平滑化することができる。ま
た、シリコンと酸化膜とのエッチレート比を大きくする
ことができる（Ｓｉ／ＳｉＯ2≧３００）。
【００１５】また、請求項３に記載の発明においては、
アルカリ性エッチング液として、３〜２０重量％のアル
カリ分を含む溶液を採用したので、Ｓｉエッチレートを
１μｍ／分以上とすることができる。
アルカリ性エッチング液として、３〜２０重量％のアル
カリ分を含む溶液を採用したので、Ｓｉエッチレートを
１μｍ／分以上とすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。なお、ここでは張り合わせ基板とし
て、ＳＯＩ基板を例に説明する。図１は、この発明の一
実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシ
ートである。この実施例によれば、図１に示すように、
あらかじめ厚さ６００μｍのシリコン製の活性層用ウェ
ーハ１（鏡面研磨ウェーハ）を用意する。また、活性層
用ウェーハ１と同一素材，同一口径，同一厚さの支持基
板用ウェーハ２（鏡面研磨ウェーハ）の表面に、絶縁膜
である酸化膜（ＳｉＯ2）２ａを形成しておく。次い
で、活性層用ウェーハ１と支持基板用ウェーハ２とを室
温で張り合わせる。さらに、この後、所定の張り合わせ
熱処理を行う（例えば１１００℃、２時間）。この結
果、支持基板用ウェーハ２に活性層用ウェーハ１が酸化
膜２ａを介して張り合わされることとなる。
参照して説明する。なお、ここでは張り合わせ基板とし
て、ＳＯＩ基板を例に説明する。図１は、この発明の一
実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシ
ートである。この実施例によれば、図１に示すように、
あらかじめ厚さ６００μｍのシリコン製の活性層用ウェ
ーハ１（鏡面研磨ウェーハ）を用意する。また、活性層
用ウェーハ１と同一素材，同一口径，同一厚さの支持基
板用ウェーハ２（鏡面研磨ウェーハ）の表面に、絶縁膜
である酸化膜（ＳｉＯ2）２ａを形成しておく。次い
で、活性層用ウェーハ１と支持基板用ウェーハ２とを室
温で張り合わせる。さらに、この後、所定の張り合わせ
熱処理を行う（例えば１１００℃、２時間）。この結
果、支持基板用ウェーハ２に活性層用ウェーハ１が酸化
膜２ａを介して張り合わされることとなる。
【００１７】それから、張り合わせ後の活性層用ウェー
ハ１の外周部を表面側から、その厚さ方向に一部を残し
て研削する。この際、＃８００の砥粒を有する研削用の
ホイール（図外）を用い、研削後のウェーハ外周部の厚
さは６２０μｍとする。活性層用ウェーハ１の外周部が
厚さ２０μｍ残ることとなる。その後、活性層用ウェー
ハ１の外周部の残部１ａを、ＫＯＨを純水（ＤＩＷ）に
溶かしたアルカリ性エッチング液（液温８５℃）にディ
ップして、この残部１ａ（２０μｍ）を選択的にエッチ
ング除去する。なお、このアルカリ性エッチング液は１
０重量％のＫＯＨを含んでいる。また、このエッチング
液中には０．１重量％の過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）が添加さ
れている。
ハ１の外周部を表面側から、その厚さ方向に一部を残し
て研削する。この際、＃８００の砥粒を有する研削用の
ホイール（図外）を用い、研削後のウェーハ外周部の厚
さは６２０μｍとする。活性層用ウェーハ１の外周部が
厚さ２０μｍ残ることとなる。その後、活性層用ウェー
ハ１の外周部の残部１ａを、ＫＯＨを純水（ＤＩＷ）に
溶かしたアルカリ性エッチング液（液温８５℃）にディ
ップして、この残部１ａ（２０μｍ）を選択的にエッチ
ング除去する。なお、このアルカリ性エッチング液は１
０重量％のＫＯＨを含んでいる。また、このエッチング
液中には０．１重量％の過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）が添加さ
れている。
【００１８】このように、アルカリ性エッチング液中に
過酸化水素を添加したので、従来の無添加のものに比べ
て、活性層用ウェーハ１の外周部の外周形状が、この外
周部全域にわたって円滑になる。すなわち、エッチピッ
トの形状が小さくなるため、ウェーハ外周部が鋸歯状に
形成されることを防ぐことができるものと考えられる。
この結果、活性層用ウェーハ１の外周部の欠けを防ぐこ
とができる。また、デバイス製造工程におけるフォトレ
ジスト膜の除去時に、フォトレジスト膜が、この鋸歯状
の活性層用ウェーハ１の外周部に引っかかって、除去が
不十分となることを防ぐことができる。したがって、こ
れらを原因としたウェーハ表面のパーティクルの発生を
抑制することができる。しかも、過酸化水素を添加する
と、ベアウェーハである活性層用ウェーハ１と、シリコ
ン酸化膜２ａで覆われた支持基板用ウェーハ２との、Ｓ
ｉ／ＳｉＯ2のエッチレート比が３００以上となる。こ
の結果、アルカリエッチング時に、支持基板用ウェーハ
２の埋め込み酸化膜およびその裏面酸化膜が溶損しにく
くなる。
過酸化水素を添加したので、従来の無添加のものに比べ
て、活性層用ウェーハ１の外周部の外周形状が、この外
周部全域にわたって円滑になる。すなわち、エッチピッ
トの形状が小さくなるため、ウェーハ外周部が鋸歯状に
形成されることを防ぐことができるものと考えられる。
この結果、活性層用ウェーハ１の外周部の欠けを防ぐこ
とができる。また、デバイス製造工程におけるフォトレ
ジスト膜の除去時に、フォトレジスト膜が、この鋸歯状
の活性層用ウェーハ１の外周部に引っかかって、除去が
不十分となることを防ぐことができる。したがって、こ
れらを原因としたウェーハ表面のパーティクルの発生を
抑制することができる。しかも、過酸化水素を添加する
と、ベアウェーハである活性層用ウェーハ１と、シリコ
ン酸化膜２ａで覆われた支持基板用ウェーハ２との、Ｓ
ｉ／ＳｉＯ2のエッチレート比が３００以上となる。こ
の結果、アルカリエッチング時に、支持基板用ウェーハ
２の埋め込み酸化膜およびその裏面酸化膜が溶損しにく
くなる。
【００１９】次に、活性層用ウェーハ１の表面を研削
し、支持側ウェーハを含んだ厚さを６１５μｍとする。
その後、この活性層側ウェーハ１の表面を５μｍだけ研
磨し、活性層ウェーハ１を厚さ１０μｍだけ残す。研磨
後は、この活性層用ウェーハ１の表面を洗浄してもよ
い。通常、ＳＣ１洗浄、ＳＣ１洗浄＋希塩酸洗浄、ＳＣ
１洗浄＋ＨＦ洗浄、または、ＳＣ１洗浄＋ＨＣｌ／ＨＦ
洗浄による。こうして、所定厚さ（例えば１０μｍ）の
活性層１が支持基板用ウェーハ２上に絶縁膜２ａを介し
て配設されたＳＯＩ基板が得られる。
し、支持側ウェーハを含んだ厚さを６１５μｍとする。
その後、この活性層側ウェーハ１の表面を５μｍだけ研
磨し、活性層ウェーハ１を厚さ１０μｍだけ残す。研磨
後は、この活性層用ウェーハ１の表面を洗浄してもよ
い。通常、ＳＣ１洗浄、ＳＣ１洗浄＋希塩酸洗浄、ＳＣ
１洗浄＋ＨＦ洗浄、または、ＳＣ１洗浄＋ＨＣｌ／ＨＦ
洗浄による。こうして、所定厚さ（例えば１０μｍ）の
活性層１が支持基板用ウェーハ２上に絶縁膜２ａを介し
て配設されたＳＯＩ基板が得られる。
【００２０】
【発明の効果】この発明によれば、活性層用ウェーハの
外周部の研削残部を、過酸化水素を含むアルカリ性エッ
チング液を用いてアルカリエッチングしたので、活性層
用ウェーハの外周形状を滑らかにすることができる。こ
の結果、ウェーハ外周部の欠けおよびフォトレジスト膜
の除去漏れを原因としたパーティクルの発生を低減する
ことができる。また、アルカリ性エッチング液中に過酸
化水素を添加しているので、Ｓｉ／ＳｉＯ2のエッチレ
ート比が３００以上となる。この結果、アルカリエッチ
ング時に、支持基板用ウェーハの埋め込み酸化膜および
裏面酸化膜が溶損しにくくなる。
外周部の研削残部を、過酸化水素を含むアルカリ性エッ
チング液を用いてアルカリエッチングしたので、活性層
用ウェーハの外周形状を滑らかにすることができる。こ
の結果、ウェーハ外周部の欠けおよびフォトレジスト膜
の除去漏れを原因としたパーティクルの発生を低減する
ことができる。また、アルカリ性エッチング液中に過酸
化水素を添加しているので、Ｓｉ／ＳｉＯ2のエッチレ
ート比が３００以上となる。この結果、アルカリエッチ
ング時に、支持基板用ウェーハの埋め込み酸化膜および
裏面酸化膜が溶損しにくくなる。
【００２１】特に、請求項２に記載の発明によれば、請
求項１に記載の効果に加えて、過酸化水素の添加量を、
アルカリ性エッチング液に対して、０．０５〜０．２重
量％としたので、エッチング後の活性層外周形状を平滑
化できる。また、Ｓｉ／ＳｉＯ2比を３００以上とれ
る。
求項１に記載の効果に加えて、過酸化水素の添加量を、
アルカリ性エッチング液に対して、０．０５〜０．２重
量％としたので、エッチング後の活性層外周形状を平滑
化できる。また、Ｓｉ／ＳｉＯ2比を３００以上とれ
る。
【００２２】また、請求項３に記載の発明によれば、請
求項１または請求項２に記載の効果加えて、アルカリ性
エッチング液を３〜２０重量％のアルカリ分を含む溶液
としたので、Ｓｉのエッチレートを１μｍ／分以上とす
ることができる。
求項１または請求項２に記載の効果加えて、アルカリ性
エッチング液を３〜２０重量％のアルカリ分を含む溶液
としたので、Ｓｉのエッチレートを１μｍ／分以上とす
ることができる。
【図１】この発明の一実施例に係る張り合わせ基板の製
造方法の概略を示すフローシートである。
造方法の概略を示すフローシートである。
１ 活性層用ウェーハ、 １ａ 研削面取り後のウェーハ外周部の残部、 ２ 支持基板用ウェーハ、 ２ａ 酸化膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハ
とを張り合わせた張り合わせ基板の製造方法において、 上記支持基板用ウェーハと上記活性層用ウェーハとを張
り合わせ、その後に熱処理する工程と、 上記張り合わせ後の活性層用ウェーハの外周部を表面側
から一部を残して、研削により面取りする工程と、 この研削面取り後、上記活性層用ウェーハの外周部の残
部を過酸化水素を含むＮａＯＨ，ＫＯＨなどのアルカリ
性エッチング液によりエッチング除去する工程と、 このエッチング除去後、上記活性層用ウェーハの表面を
研削・研磨する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方
法。 - 【請求項２】 上記過酸化水素は、上記アルカリ性エッ
チング液に対して、０．０５〜０．２重量％添加されて
いる請求項１に記載の張り合わせ基板の製造方法。 - 【請求項３】 上記アルカリ性エッチング液は、３〜２
０重量％のアルカリ分を含む溶液である請求項１または
請求項２に記載の張り合わせ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292398A JPH11260774A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 張り合わせ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292398A JPH11260774A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 張り合わせ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260774A true JPH11260774A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13787767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8292398A Pending JPH11260774A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 張り合わせ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260774A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010064043A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터 및 액정표시장치용 어레이기판제조방법 |
| JP2005116614A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP2009164634A (ja) * | 2001-06-08 | 2009-07-23 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
| JP2011181919A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | 熱−機械的効果を使用したトリミングにより多層構造を製造するための方法 |
| JP2013008814A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
| JP2017004989A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの製造方法及びウエーハ製造装置 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP8292398A patent/JPH11260774A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014042067A (ja) * | 2001-06-08 | 2014-03-06 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
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