JPH08213356A - ウェーハの洗浄方法 - Google Patents
ウェーハの洗浄方法Info
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- JPH08213356A JPH08213356A JP5028695A JP5028695A JPH08213356A JP H08213356 A JPH08213356 A JP H08213356A JP 5028695 A JP5028695 A JP 5028695A JP 5028695 A JP5028695 A JP 5028695A JP H08213356 A JPH08213356 A JP H08213356A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 鏡面仕上げ工程でシリコンウェーハの裏面に
付着したワックスを除去する際、シリコンが過剰な食刻
を受けるのを抑制する。 【構成】 研磨仕上げをする際、シリコンウェーハ１の
裏面にワックス２が付着する。このウェーハ１を酸化剤
で処理して、ウェーハ１の上面に酸化膜３を形成し、次
いで強塩基溶液で処理してワックス２を除去する。また
酸化剤を含む強塩基溶液で同時処理してもよい。酸化膜
（ＳｉＯ２）はシリコン（Ｓｉ）と違って腐食され難
く、強塩基溶液による過剰な食刻が抑制される。酸化剤
には、過酸化水素水、オゾンなどを使用する。強塩基溶
液には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を用い
る。またアミノアルコール等の有機塩基も使用できる。
付着したワックスを除去する際、シリコンが過剰な食刻
を受けるのを抑制する。 【構成】 研磨仕上げをする際、シリコンウェーハ１の
裏面にワックス２が付着する。このウェーハ１を酸化剤
で処理して、ウェーハ１の上面に酸化膜３を形成し、次
いで強塩基溶液で処理してワックス２を除去する。また
酸化剤を含む強塩基溶液で同時処理してもよい。酸化膜
（ＳｉＯ２）はシリコン（Ｓｉ）と違って腐食され難
く、強塩基溶液による過剰な食刻が抑制される。酸化剤
には、過酸化水素水、オゾンなどを使用する。強塩基溶
液には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を用い
る。またアミノアルコール等の有機塩基も使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの洗浄方法、
特に鏡面仕上げ工程でウェーハの裏面に付着するワック
スを除去するウェーハの洗浄方法に関するものである。
特に鏡面仕上げ工程でウェーハの裏面に付着するワック
スを除去するウェーハの洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にシリコンウェーハを研磨仕上げす
るには、ウェーハをターンテーブルに載置して行う。こ
の時、図１（ａ）に示すように、ウェーハ１の裏面にワ
ックス２が付着する。このワックス２の除去には、小さ
な有機物パーティクルと違って塩基溶液によるケン化反
応を用いる方法が効果的である。これまでこの塩基溶液
としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムのような
アルカリ金属水酸化物が使用されていた。しかしなが
ら、アルカリ金属水酸化物のような強い塩基では、ワッ
クスは除去されるが、鏡面研磨されたシリコン層が過剰
に食刻される欠点があった。
るには、ウェーハをターンテーブルに載置して行う。こ
の時、図１（ａ）に示すように、ウェーハ１の裏面にワ
ックス２が付着する。このワックス２の除去には、小さ
な有機物パーティクルと違って塩基溶液によるケン化反
応を用いる方法が効果的である。これまでこの塩基溶液
としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムのような
アルカリ金属水酸化物が使用されていた。しかしなが
ら、アルカリ金属水酸化物のような強い塩基では、ワッ
クスは除去されるが、鏡面研磨されたシリコン層が過剰
に食刻される欠点があった。
【０００３】従来、自然酸化膜層をフッ化水素で除去し
た後、ウェーハの疎水化した露出シリコン表面に有機物
パーティクルが静電気的に付着するのを防止するため、
過酸化水素水で強制的に酸化して親水化する技術は知ら
れている（特開平４−１６５６２０号公報）。また有機
物パーティクルの除去工程で、有機物パーティクルを酸
化して除去しやすくするために、過酸化水素水とアンモ
ニア水を併用することは広く知られているが、この処理
の前あるいは前後に、過酸化水素水を用いて酸化処理
し、高い処理温度で処理時間の短縮化をはかる方法も知
られている（特開平４−７１９号）。
た後、ウェーハの疎水化した露出シリコン表面に有機物
パーティクルが静電気的に付着するのを防止するため、
過酸化水素水で強制的に酸化して親水化する技術は知ら
れている（特開平４−１６５６２０号公報）。また有機
物パーティクルの除去工程で、有機物パーティクルを酸
化して除去しやすくするために、過酸化水素水とアンモ
ニア水を併用することは広く知られているが、この処理
の前あるいは前後に、過酸化水素水を用いて酸化処理
し、高い処理温度で処理時間の短縮化をはかる方法も知
られている（特開平４−７１９号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、過酸化
水素水は前者ではシリコン表面の酸化による親水化で、
有機物パーティクルの静電気的付着を防止するものであ
り、後者では有機物パーティクルを酸化して除去を容易
にするもので、いずれもウェーハに付着したワックスを
強い塩基溶液で除去する工程固有の課題、即ち鏡面研磨
されたシリコン層の過剰な食刻による荒れ抑制を解決す
るものではない。
水素水は前者ではシリコン表面の酸化による親水化で、
有機物パーティクルの静電気的付着を防止するものであ
り、後者では有機物パーティクルを酸化して除去を容易
にするもので、いずれもウェーハに付着したワックスを
強い塩基溶液で除去する工程固有の課題、即ち鏡面研磨
されたシリコン層の過剰な食刻による荒れ抑制を解決す
るものではない。
【０００５】本発明は、鏡面仕上げ工程で付着したワッ
クスを塩基溶液で除去する際、過剰な食刻による表面荒
れを抑制するウェーハの洗浄方法を提供することを目的
としている。
クスを塩基溶液で除去する際、過剰な食刻による表面荒
れを抑制するウェーハの洗浄方法を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成した第１
の発明に係わるウェーハの洗浄方法は、鏡面仕上げ後の
ウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸
化剤で処理し、次いで無機強塩基溶液及び有機塩基溶液
からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理するこ
とを特徴としている。
の発明に係わるウェーハの洗浄方法は、鏡面仕上げ後の
ウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸
化剤で処理し、次いで無機強塩基溶液及び有機塩基溶液
からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理するこ
とを特徴としている。
【０００７】また、第２の発明に係わるウェーハの洗浄
方法は、鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを除去す
るに際し、ウェーハを酸化剤を含む無機強塩基溶液及び
有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつ
で処理することを特徴としている。
方法は、鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを除去す
るに際し、ウェーハを酸化剤を含む無機強塩基溶液及び
有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつ
で処理することを特徴としている。
【０００８】本発明の洗浄方法における処理対象物は、
図１（ａ）に示すように、研磨仕上げ時裏面にワックス
２が付着したシリコンウェーハ１である。このウェーハ
１のワックス２を無機強塩基溶液または有機塩基溶液で
除去するに当たり、事前あるいは同時に酸化剤で処理し
て、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の上面に強制
的に酸化膜３を形成する。この状態で、前記塩基溶液が
作用し、図１（ｃ）の点線で示すように、ワックス２を
除去する。このとき、酸化膜３はわずかに食刻されるだ
けですむ。処理後のウェーハ１は、図１（ｄ）に示すよ
うに、上面に酸化膜３のみが残った状態である。
図１（ａ）に示すように、研磨仕上げ時裏面にワックス
２が付着したシリコンウェーハ１である。このウェーハ
１のワックス２を無機強塩基溶液または有機塩基溶液で
除去するに当たり、事前あるいは同時に酸化剤で処理し
て、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の上面に強制
的に酸化膜３を形成する。この状態で、前記塩基溶液が
作用し、図１（ｃ）の点線で示すように、ワックス２を
除去する。このとき、酸化膜３はわずかに食刻されるだ
けですむ。処理後のウェーハ１は、図１（ｄ）に示すよ
うに、上面に酸化膜３のみが残った状態である。
【００１０】本発明において、酸化剤としては、過酸化
水素水またはオゾンの使用が好適である。また、塩基溶
液としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのよう
なアルカリ金属水酸化物からなる無機強塩基がもっとも
望ましいが、有機塩基でもよい。有機塩基としては、特
にアミノアルコールなどの使用が効果的である。
水素水またはオゾンの使用が好適である。また、塩基溶
液としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのよう
なアルカリ金属水酸化物からなる無機強塩基がもっとも
望ましいが、有機塩基でもよい。有機塩基としては、特
にアミノアルコールなどの使用が効果的である。
【００１１】第１の発明において、酸化剤、例えば過酸
化水素水の濃度は約０．１〜２０％である。塩基溶液の
濃度は、使用塩基または処理対象ワックスの種類によっ
て異なるので特定できないが、例えば水酸化カリウム溶
液の場合では、約０．１〜２０％が好適である。第２の
発明において、塩基溶液に対する酸化剤、例えば過酸化
水素の添加の比率は、処理済みのウェーハの表面平均粗
度（以下マイクロラフネスと呼ぶ）との関係で言えば、
図２に示すように、約０．１以上から有効である。上限
は除去目的物であるワックスの種類に応じて定めればよ
い。両発明を通じて、洗浄温度は、図３に示すように、
約２０〜８０℃、望ましくは洗浄効率とマイクロラフネ
スの両面から約６０〜８０℃である。また洗浄槽及びす
すぎ槽には、超音波発生装置を付設すると、洗浄が一層
効率的になる。
化水素水の濃度は約０．１〜２０％である。塩基溶液の
濃度は、使用塩基または処理対象ワックスの種類によっ
て異なるので特定できないが、例えば水酸化カリウム溶
液の場合では、約０．１〜２０％が好適である。第２の
発明において、塩基溶液に対する酸化剤、例えば過酸化
水素の添加の比率は、処理済みのウェーハの表面平均粗
度（以下マイクロラフネスと呼ぶ）との関係で言えば、
図２に示すように、約０．１以上から有効である。上限
は除去目的物であるワックスの種類に応じて定めればよ
い。両発明を通じて、洗浄温度は、図３に示すように、
約２０〜８０℃、望ましくは洗浄効率とマイクロラフネ
スの両面から約６０〜８０℃である。また洗浄槽及びす
すぎ槽には、超音波発生装置を付設すると、洗浄が一層
効率的になる。
【００１２】
【作用】本発明では、鏡面仕上げ時に付着したワックス
をウェーハから除去する際に、例えば水酸化カリウムの
ような無機の強塩基溶液で処理する前又は同時に、過酸
化水素水のような酸化剤で処理して、ウェーハのシリコ
ン表面に酸化膜を形成しておくと、シリコン（Ｓｉ）と
酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートの違いから、シ
リコン表面の食刻が抑制されるものと思われる。
をウェーハから除去する際に、例えば水酸化カリウムの
ような無機の強塩基溶液で処理する前又は同時に、過酸
化水素水のような酸化剤で処理して、ウェーハのシリコ
ン表面に酸化膜を形成しておくと、シリコン（Ｓｉ）と
酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートの違いから、シ
リコン表面の食刻が抑制されるものと思われる。
【００１３】以下の実施例及び比較例のマイクロラフネ
ス値は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定した。Ａ
ＦＭは、ウェーハ表面の粗さを高さに対して測定し、そ
の大きさを表面平均粗度Ｒａ（ｎｍ）とした。
ス値は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定した。Ａ
ＦＭは、ウェーハ表面の粗さを高さに対して測定し、そ
の大きさを表面平均粗度Ｒａ（ｎｍ）とした。
【００１４】
【実施例１】鏡面仕上げ処理後の裏面にエステル系ワッ
クスが付着したウェーハを用いた。ワックスの付着厚は
約２〜５μｍであった。このウェーハを過酸化水素を５
％含有する純水溶液で処理した。処理温度は６０℃、処
理時間は５分であった。酸化処理後のウェーハ表面の酸
化膜の厚さは１０〜２０Åであった。次いで酸化処理後
のウェーハを水酸化カリウムの５％溶液で処理した。処
理後のウェーハには、ワックスの残存は皆無で、表面の
マイクロラフネスはＲａ＝０．１５０ｎｍであった。
クスが付着したウェーハを用いた。ワックスの付着厚は
約２〜５μｍであった。このウェーハを過酸化水素を５
％含有する純水溶液で処理した。処理温度は６０℃、処
理時間は５分であった。酸化処理後のウェーハ表面の酸
化膜の厚さは１０〜２０Åであった。次いで酸化処理後
のウェーハを水酸化カリウムの５％溶液で処理した。処
理後のウェーハには、ワックスの残存は皆無で、表面の
マイクロラフネスはＲａ＝０．１５０ｎｍであった。
【００１５】
【実施例２】実施例１と同じ鏡面仕上げ処理後のウェー
ハを用いた。このウェーハを過酸化水素含有水酸化カリ
ウム溶液で処理した。この溶液の組成比は、純水９０
％、過酸化水素５％、水酸化カリウム５％であった。処
理温度及び時間は実施例１と同様にした。酸化膜の厚さ
は測定できなかったが、処理後のウェーハには、ワック
スの残存は皆無で、表面のマイクロラフネスはＲａ＝
０．１１０ｎｍであった。
ハを用いた。このウェーハを過酸化水素含有水酸化カリ
ウム溶液で処理した。この溶液の組成比は、純水９０
％、過酸化水素５％、水酸化カリウム５％であった。処
理温度及び時間は実施例１と同様にした。酸化膜の厚さ
は測定できなかったが、処理後のウェーハには、ワック
スの残存は皆無で、表面のマイクロラフネスはＲａ＝
０．１１０ｎｍであった。
【００１６】
【実施例３】実施例１と同じ鏡面仕上げ処理後のウェー
ハを用いた。このウェーハを過酸化水素含有アミノアル
コール溶液で処理した。混合比は、純水９０％、過酸化
水素５％、アミノアルコール５％であった。処理温度及
び時間は実施例１と同様にした。酸化膜の厚さは測定で
きなかったが、処理後のウェーハには、ワックスの残存
は皆無で、表面のマイクロラフネスはＲａ＝０．１００
ｎｍであった。
ハを用いた。このウェーハを過酸化水素含有アミノアル
コール溶液で処理した。混合比は、純水９０％、過酸化
水素５％、アミノアルコール５％であった。処理温度及
び時間は実施例１と同様にした。酸化膜の厚さは測定で
きなかったが、処理後のウェーハには、ワックスの残存
は皆無で、表面のマイクロラフネスはＲａ＝０．１００
ｎｍであった。
【００１７】
【比較例１】実施例１と同じ鏡面仕上げ処理後のウェー
ハを水酸化カリウム５％溶液のみで処理した。処理温度
及び時間は実施例１と同様にした。処理後のウェーハに
は、ワックスの残存は皆無であったが、表面のマイクロ
ラフネスはＲａ＝０．２２７ｎｍであった。
ハを水酸化カリウム５％溶液のみで処理した。処理温度
及び時間は実施例１と同様にした。処理後のウェーハに
は、ワックスの残存は皆無であったが、表面のマイクロ
ラフネスはＲａ＝０．２２７ｎｍであった。
【００１８】
【発明の効果】本発明のシリコンウェーハの洗浄方法に
よれば以下のごとき利点が得られる。 （イ）酸化剤の使用により、ウェーハ表面の食刻による
荒れが約半分以下に抑制できる。その結果、良品率が向
上する。 （ロ）強い塩基溶液の使用が可能となり、処理時間が短
縮化される。 （ハ）ウェーハ表面に付着している有機物パーティクル
も、酸化されて除去される。
よれば以下のごとき利点が得られる。 （イ）酸化剤の使用により、ウェーハ表面の食刻による
荒れが約半分以下に抑制できる。その結果、良品率が向
上する。 （ロ）強い塩基溶液の使用が可能となり、処理時間が短
縮化される。 （ハ）ウェーハ表面に付着している有機物パーティクル
も、酸化されて除去される。
【図１】本発明のシリコンウェーハ洗浄方法におけるウ
ェーハの変化を模式的に示す側面図である。
ェーハの変化を模式的に示す側面図である。
【図２】第２発明における水酸化カリウムに対する過酸
化水素の添加量と、処理済みウェーハの表面粗度との関
係を示すグラフである。
化水素の添加量と、処理済みウェーハの表面粗度との関
係を示すグラフである。
【図３】第２発明における洗浄温度とウェーハの表面粗
度の関係を示すグラフである。
度の関係を示すグラフである。
１ シリコンウェーハ ２ ワックス ３ 酸化膜
Claims (6)
- 【請求項１】 鏡面仕上げ後めウェーハからワックスを
除去するに際し、ウェーハを酸化剤で処理し、次いで無
機強塩基溶液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた
少なくともひとつで処理することを特徴とするウェーハ
の洗浄方法。 - 【請求項２】 鏡面仕上げ後のウェーハからワックスを
除去するに際し、ウェーハを酸化剤を含む無機強塩基溶
液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくとも
ひとつで処理することを特徴とするウェーハの洗浄方
法。 - 【請求項３】 酸化剤が、過酸化水素水及びオゾンから
なる群から選ばれた少なくともひとつであることを特徴
とする請求項１または請求項２記載のウェーハの洗浄方
法。 - 【請求項４】 無機強塩基が、アルカリ金属水酸化物で
あることを特徴とする請求項１または請求項２記載のウ
ェーハの洗浄方法。 - 【請求項５】 アルカリ金属水酸化物が、水酸化カリウ
ムまたは水酸化ナトリウムであることを特徴とする請求
項４記載のウェーハの洗浄方法。 - 【請求項６】 有機塩基が、アミノアルコールであるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載のウェーハ
の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05028695A JP3771294B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | ウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05028695A JP3771294B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | ウェーハの洗浄方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004174531A Division JP2004289178A (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | ウェーハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213356A true JPH08213356A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3771294B2 JP3771294B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=12854684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05028695A Expired - Lifetime JP3771294B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | ウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3771294B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007049435A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハの洗浄方法 |
| EP2194567A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-09 | Siltronic AG | Cleaning method of semiconductor wafer |
| JP2014031470A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Sustainable Titania Technology Inc | 基体表面の親水性維持方法 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP05028695A patent/JP3771294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007049435A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハの洗浄方法 |
| JP2007123383A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハの洗浄方法 |
| EP2194567A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-09 | Siltronic AG | Cleaning method of semiconductor wafer |
| US10121649B2 (en) | 2008-12-04 | 2018-11-06 | Siltronic Ag | Cleaning method of semiconductor wafer |
| JP2014031470A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Sustainable Titania Technology Inc | 基体表面の親水性維持方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3771294B2 (ja) | 2006-04-26 |
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