KR960026336A - 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 - Google Patents

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Abstract

실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법은 웨이퍼의 소수성 표면을 화학적으로 산화하여 표면을 불균일하게 에칭하는 일없이 표면위에 산화층을 형성한다. 산화층은 표면을 친수성으로 만든다. 그후, 친수성 표면을 부식 에칭 용액으로 세정하여 표면으로부터 파티클을 제거한다.

Description

소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 웨이퍼의 소수성 표면을 화학적으로 산하아여 표면을 불균일하게 에칭하는 일없이 표면을 친수성으로 만드는 산화층을 표면위에 성장시키는 단계와, 친수성 표면을 부식 에칭 용액으로 세정하여 표면으로부터 파티클을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 친수성 표면은 금속의 농도가 1×1010원자/㎠ 미만인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 소수성 표면이 오존화된 물에 의해 산화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 소수성 표면은 과산화수소에 의해 산화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소수성 표면이 에피텍셜, 에칭 또는 연마된 표면인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 부식 에칭 용액이 수산화물과 과산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 부식 에칭 용액은 과산화수소와 수산화암모늄을 함유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 산화층은 이산화규소를 포함하며 0.6nm 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 산화층이 약1∼1.5nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 산화하고 부식 에칭 용액에 노출시킨 후에 헹구는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 표면으로부터 파티클을 세정하는 방법.
  11. 웨이퍼를 세정하기전에 실리콘 웨이퍼의 소수성 에피텍셜 표면을 부동화하는 방법에 있어서, 웨이퍼의 소수성 에피텍셜 표면을 화학적으로 산화하여 표면을 불균일하게 에칭하는 일없이 표면을 친수성으로 만드는 산화층을 성장시키고, 상기 산화층은 1㎛×1㎛의 면적내에서 0.06nm RMS미만의 평균 표면 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 에피텍셜 표면을 부동화하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 친수성 에피텍셜 표면은 금속의 농도가 1×1010원자/㎠미만인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 에피텍셜 표면을 부동화하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상기 소수성 에피텍셜 표면이 오존화된 물에 의해 산화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 에피텍셜 표면을 부동화하는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상기 소수성 에피텍셜 표면은 과산화수소에 의해 산화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 소수성 에피텍셜 표면을 부동화하는 방법.
  15. 에피텍셜 실리콘 표면과 상기 표면과 접촉하는 친수성의 습식화학 산화층을 갖는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼에 있어서, 상기 산화층은 1㎛×1㎛의 면적내에서 0.06nm RMS미만의 평균 표면 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는에피텍셜 실리콘 웨이퍼.
  16. 제15항에 있어서, 상기 산화층은 금속의 농도가 1×1010원자/㎠인 것을 특징으로 하는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼.
  17. 제15항에 있어서, 상기 산화층이 이산화구소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼.
  18. 제15항에 있어서, 상기 산화층이 0.6nm이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼.
  19. 제15항에 있어서, 상기 산화층이 약0.6 내지 2nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 에피텍셜 실리톤 웨이퍼.
  20. 제15항에 있어서, 상기 산화층이 약1내지 1.5nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052825A 1994-12-21 1995-12-20 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 KR100220926B1 (ko)

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