KR970063441A - 반도체 웨이퍼 재생방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 재생방법 Download PDF

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Abstract

초기 산화막 및 질화막 형성공정에서 발생된 불량박막을 제거하여 웨이퍼를 재생하는 반도체 웨이퍼 재생방법에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 표면 위에 박막을 형성하는 공정에서 상기 박막에 불량이 발생하면 상기 박막을 제거하는 불량박막 제거공정, 웨이퍼 표면처리공정 및 웨이퍼 표면검사공정을 순차적으로 수행하여 이루어진다.
따라서, 불량박막이 형성된 웨이퍼를 재가공하여 불량을 최소화시킴으로서 수율의 극대화를 이루고, 리젝트(Reject)시키던 웨이퍼를 재생하여 다시 정상적으로 사용함으로서 제조원가의 절감을 가져오는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 재생방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) 내지 (d)는 본 발명의 실시예에 따라 형성되는 웨이퍼의 단면구조를 나타내는 단면도이다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼 표면 위에 박막을 형성하는 공정에서 상기 박막에 불량이 발생하면 상기 박막을 제거하는 불량박막 제거공정, 웨이퍼 표면처리공정 및 웨이퍼 표면검사공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막은 산화막 및 질화막이 순차적으로 형성된 이중막으로서 상기 불량박막 제거공정은 질화막 제거공정 및 산화막 제거공정이 순차적으로 수행되도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 질화막 제거공정은 상기 질화막이 H3PO4로 식각되도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면처리공정은 NH4OH, H2O2및 순수(De Ionized Water)를 포함한 표면처리제로 식각되도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 표면처리제는 NH4OH, H2O2및 순수가 0.5∼1.5 : 1.5∼2.5 : 6.5∼7.5로 혼합되어 상기 웨이퍼 표면처리공정에 사용되도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면검사공정에서 웨이퍼 표면에 파티클이 발견되면 상기 웨이퍼 표면처리 공정 및 상기 웨이퍼 표면검사공정을 반복수행하도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 박막은 산화막으로서 상기 불량박막 제거공정은 산화막 제거공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
  8. 제2항 또는 제7항에 있어서, 상기 산화막 제거공정은 NH4F와 HF를 포함하는 버퍼 산화 식각액으로 식각하도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 재생방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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