KR960039212A - 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 관한 것으로, 특히 NH4OH용액을 이용한 세정시 성장된 화학적산화막(Chemical Oxide)을 제거하기 위하여 NH4OH용액처리 후 HF 및 H2O용액을 이용하여 세정시키므로써 산화막의 특성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 있어서, 소자분리공정에 의해 실리콘기판상에 필드산화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판상에 잔류되는 유기물질을 제거하기 위하여 H2SO4/H2O2/H2O용액을 이용하여 상기 실리콘기판을 1차 세정한 후 1차 헹굼을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 잔류되는 유기물 및 무기물을 제거하기 위하여 HF:H2O용액으로 2차 세정하고 2차 헹굼을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 HF용액에 의해 생성된 파티클을 제거하기 위하여 NH4OH/H2O2/H2O용액으로 3차 세정한 후 3차 헹굼을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 NH4OH용액에 의해 성장된 화학적산화막을 제거하기 위하여 HF:H2O용액으로 4차 세정한 후 4차 및 5차 헹굼을 순차적으로 실시하고 건조시키는 단계와, 상기 단계로부터 열산화공정을 실시하여 상기 실리콘기판상에 게이트산화막을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 내지 5차 헹굼공정시 DI수를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 2차 세정공정시 HF:H2O용액의 혼합비는 1:40 내지 60인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 4차 세정공정시 HF:H2O용액의 혼합비는 1:90 내지 110인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007848A KR960039212A (ko) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007848A KR960039212A (ko) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039212A true KR960039212A (ko) | 1996-11-21 |
Family
ID=66552889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950007848A KR960039212A (ko) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039212A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417646B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-04-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 층간 절연막 세정방법 |
| KR100702126B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
-
1995
- 1995-04-04 KR KR1019950007848A patent/KR960039212A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417646B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-04-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 층간 절연막 세정방법 |
| KR100702126B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
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