JPH1174246A - 半導体ウエハ上のウオータマーク形成を減らす方法 - Google Patents
半導体ウエハ上のウオータマーク形成を減らす方法Info
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- JPH1174246A JPH1174246A JP10177545A JP17754598A JPH1174246A JP H1174246 A JPH1174246 A JP H1174246A JP 10177545 A JP10177545 A JP 10177545A JP 17754598 A JP17754598 A JP 17754598A JP H1174246 A JPH1174246 A JP H1174246A
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- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ上のウオータマーク形成を減ず
る方法を提供すること。 【解決手段】 半導体ウエハを提供する工程と、ウオー
タマークを減ずる量の少なくとも一つの陽イオン界面活
性剤を含む溶液に該半導体ウエハを接触させる工程を含
む。
る方法を提供すること。 【解決手段】 半導体ウエハを提供する工程と、ウオー
タマークを減ずる量の少なくとも一つの陽イオン界面活
性剤を含む溶液に該半導体ウエハを接触させる工程を含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
生ずるウオータマークの形成を減らすための方法に関す
る。とりわけ、半導体ウエハ上に生ずるウオータマーク
の形成を、陽イオン界面活性剤を含む溶液にウエハを接
触させることによって減らす方法に関する。
生ずるウオータマークの形成を減らすための方法に関す
る。とりわけ、半導体ウエハ上に生ずるウオータマーク
の形成を、陽イオン界面活性剤を含む溶液にウエハを接
触させることによって減らす方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップ製造中、半導体ウエハ上に
意図的でなく発生する表面欠陥の形成は望ましいもので
はない。ウオータマークとは、このようなウエハプロセ
ス中にに意図的でなく形成される欠陥を言う。
意図的でなく発生する表面欠陥の形成は望ましいもので
はない。ウオータマークとは、このようなウエハプロセ
ス中にに意図的でなく形成される欠陥を言う。
【０００３】一般的に、半導体ウエハはシリコン表面を
有し、このシリコン表面には薄い酸化物の膜が被覆され
ている。この酸化膜は、半導体ウエハに湿式化学処理工
程、例えば希釈フッ化水素酸浸漬、を行なうことによっ
て除去される。このような処理を施した後、化学処理工
程で使われた化学物質を除去するために半導体ウエハは
通常脱イオン水で洗浄される。しかしながら、半導体ウ
エハ表面のシリコンは、脱イオン水との接触で溶解を起
こし、溶液中に反応生成物Si(0H)4（水酸化珪素）を形
成する。洗浄された半導体ウエハがその後乾燥される
と、溶液中のシリコン化合物が半導体ウエハの表面に堆
積し、ウエハ表面にウオータマークを生ずる。
有し、このシリコン表面には薄い酸化物の膜が被覆され
ている。この酸化膜は、半導体ウエハに湿式化学処理工
程、例えば希釈フッ化水素酸浸漬、を行なうことによっ
て除去される。このような処理を施した後、化学処理工
程で使われた化学物質を除去するために半導体ウエハは
通常脱イオン水で洗浄される。しかしながら、半導体ウ
エハ表面のシリコンは、脱イオン水との接触で溶解を起
こし、溶液中に反応生成物Si(0H)4（水酸化珪素）を形
成する。洗浄された半導体ウエハがその後乾燥される
と、溶液中のシリコン化合物が半導体ウエハの表面に堆
積し、ウエハ表面にウオータマークを生ずる。
【０００４】溶解した酸素を含む水でのシリコンのエッ
チングは、アイゼンバーグその他による「半導体処理の
ための表面化学洗浄と不活性化（パッシベーション）」
材料研究会シンポジウム、Proc. No.315、ピッツバー
グ、pp.485-490 （１９９３）に於て次のように説明さ
れている。先ず最初に、Si-Si後方結合が酸素と反応す
る。次にシリコン原子が、Si-Si後方結合とOH-（水酸
基）の反応を引き起こす酸素の高い電気陰性度の為に陽
電荷を得る。更に次の過程で、SixOyHzが溶液中に放出
され、表面のシリコン原子は水素によって終端される。
チングは、アイゼンバーグその他による「半導体処理の
ための表面化学洗浄と不活性化（パッシベーション）」
材料研究会シンポジウム、Proc. No.315、ピッツバー
グ、pp.485-490 （１９９３）に於て次のように説明さ
れている。先ず最初に、Si-Si後方結合が酸素と反応す
る。次にシリコン原子が、Si-Si後方結合とOH-（水酸
基）の反応を引き起こす酸素の高い電気陰性度の為に陽
電荷を得る。更に次の過程で、SixOyHzが溶液中に放出
され、表面のシリコン原子は水素によって終端される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】シリコンをエッチング
する際に意図的でなく生ずるウオータマークの形成は、
水溶液がむき出しの、すなわち保護されていないシリコ
ン表面と接触するときに常に起こる潜在的問題である。
する際に意図的でなく生ずるウオータマークの形成は、
水溶液がむき出しの、すなわち保護されていないシリコ
ン表面と接触するときに常に起こる潜在的問題である。
【０００６】ウエハプロセス中のウオータマークの形成
を減らし、これによって半導体チップの歩留まりを高め
る為に、シリコン溶解を抑制するための実施しやすい方
法を提供することが望まれる。
を減らし、これによって半導体チップの歩留まりを高め
る為に、シリコン溶解を抑制するための実施しやすい方
法を提供することが望まれる。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題を解決する
ための方法を提供することである。
ための方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】半導体ウエハ上のウオー
タマークの形成を減らすため新規な方法が発明された。
本発明の方法は、半導体ウエハを提供する工程と、半導
体ウエハをウオータマークを減らす量の陽イオン界面活
性剤を含む溶液に接触させる工程を含んでいる。陽イオ
ン界面活性剤は、ウエハ表面上（特にむき出しのシリコ
ン表面上）に吸着し、ウエハ表面と相互作用する水の量
を最小限に抑え、かつシリコン溶解を減らすのを助ける
ので、ウオータマークの形成を最小限に抑制する。
タマークの形成を減らすため新規な方法が発明された。
本発明の方法は、半導体ウエハを提供する工程と、半導
体ウエハをウオータマークを減らす量の陽イオン界面活
性剤を含む溶液に接触させる工程を含んでいる。陽イオ
ン界面活性剤は、ウエハ表面上（特にむき出しのシリコ
ン表面上）に吸着し、ウエハ表面と相互作用する水の量
を最小限に抑え、かつシリコン溶解を減らすのを助ける
ので、ウオータマークの形成を最小限に抑制する。
【０００９】特に有効な実施態様では、酸化物領域と裸
のシリコン領域を含む表面を有する半導体ウエハを提供
する工程と、ウオータマークを減らす量の陽イオン界面
活性剤を少なくとも一種類含む溶液に半導体ウエハ表面
を接触させることによって、ウエハ表面の疎水性を増す
工程を含んでいる。陽イオン界面活性剤は酸化物領域を
疎水性にするのみならず、裸のシリコン領域上に吸着
し、ウエハ表面と水との相互作用を減らすことができ
る。ウオータマークを減らす量の陽イオン界面活性剤は
半導体ウエハの表面を有機溶媒と接触させることによっ
て除去することができる。
のシリコン領域を含む表面を有する半導体ウエハを提供
する工程と、ウオータマークを減らす量の陽イオン界面
活性剤を少なくとも一種類含む溶液に半導体ウエハ表面
を接触させることによって、ウエハ表面の疎水性を増す
工程を含んでいる。陽イオン界面活性剤は酸化物領域を
疎水性にするのみならず、裸のシリコン領域上に吸着
し、ウエハ表面と水との相互作用を減らすことができ
る。ウオータマークを減らす量の陽イオン界面活性剤は
半導体ウエハの表面を有機溶媒と接触させることによっ
て除去することができる。
【００１０】本発明は、ランダムアクセスメモリ（RA
M）、ダイナミックRAM（DRAM）、同期DRAM（SDRAM）及
び論理素子を含む集積回路（IC）の製造中、基板上に生
ずるウオータマークの形成を実質的に減らすことに関す
る。通常、複数の集積回路（IC）がウエハのような半導
体基板上に並列的に作られる。ウエハプロセスが終了す
ると、ウエハはさいの目に切り離され、集積回路（IC）
は個々のチップに分けられ、パッケージに収容される。
M）、ダイナミックRAM（DRAM）、同期DRAM（SDRAM）及
び論理素子を含む集積回路（IC）の製造中、基板上に生
ずるウオータマークの形成を実質的に減らすことに関す
る。通常、複数の集積回路（IC）がウエハのような半導
体基板上に並列的に作られる。ウエハプロセスが終了す
ると、ウエハはさいの目に切り離され、集積回路（IC）
は個々のチップに分けられ、パッケージに収容される。
【００１１】本発明によると、陽イオン界面活性剤はウ
エハの表面の疎水性を高めるために用いられる。陽イオ
ン界面活性剤は、先の処理で使われた化学物質を除去す
るため、ウエハを洗浄するのに使われる脱イオン水中へ
のシリコン溶解量を減らすか、或は最小限に抑える。そ
の結果として、ウエハを乾燥したとき生ずる恐れのある
ウオータマークが減少する。陽イオン界面活性剤は、そ
の後シリコンを殆ど溶解しない有機溶媒を使って洗浄さ
れ、これによってウオータマーク形成の恐れを無くする
ことができる。
エハの表面の疎水性を高めるために用いられる。陽イオ
ン界面活性剤は、先の処理で使われた化学物質を除去す
るため、ウエハを洗浄するのに使われる脱イオン水中へ
のシリコン溶解量を減らすか、或は最小限に抑える。そ
の結果として、ウエハを乾燥したとき生ずる恐れのある
ウオータマークが減少する。陽イオン界面活性剤は、そ
の後シリコンを殆ど溶解しない有機溶媒を使って洗浄さ
れ、これによってウオータマーク形成の恐れを無くする
ことができる。
【００１２】本発明のひとつの実施態様では、半導体ウ
エハは例えばシリコンよりなる。その他のタイプの半導
体ウエハ、例えば、シリコンーゲルマニウムウエハやシ
リコンオンインシュレータ（SOI）ウエハにも同じく有
用である。ウエハはその上に複数の集積回路（IC）が作
製されている。本発明はICがどのような処理段階にある
ウエハに対しても適用でき、そのためにウエハは様々な
タイプの領域を含む。例えば、ウエハは、集積回路作製
処理中、複数の酸化物領域と裸のシリコン領域を含んで
いる。酸化物領域は親水性を有し、裸のシリコン領域は
一般的に疎水性を有する。
エハは例えばシリコンよりなる。その他のタイプの半導
体ウエハ、例えば、シリコンーゲルマニウムウエハやシ
リコンオンインシュレータ（SOI）ウエハにも同じく有
用である。ウエハはその上に複数の集積回路（IC）が作
製されている。本発明はICがどのような処理段階にある
ウエハに対しても適用でき、そのためにウエハは様々な
タイプの領域を含む。例えば、ウエハは、集積回路作製
処理中、複数の酸化物領域と裸のシリコン領域を含んで
いる。酸化物領域は親水性を有し、裸のシリコン領域は
一般的に疎水性を有する。
【００１３】半導体装置や集積回路（IC）の製造は、通
常は連続する工程で行なわれ、一つ以上の工程がリソグ
ラフィ技術によってウエハ表面上にパターンを形成する
ことを含みうる。通常、パターンを形成することは、基
板の少なくとも一部分をレジスト材料でコーティングす
ること、適切なパターンを通して露光すること、及びレ
ジスト膜を現像することを含む。レジストが現像される
と、この後に続く処理過程、例えばエッチングが行われ
て半導体材料に局所的に物理的特徴を与えて望みの構造
を作り出す。
常は連続する工程で行なわれ、一つ以上の工程がリソグ
ラフィ技術によってウエハ表面上にパターンを形成する
ことを含みうる。通常、パターンを形成することは、基
板の少なくとも一部分をレジスト材料でコーティングす
ること、適切なパターンを通して露光すること、及びレ
ジスト膜を現像することを含む。レジストが現像される
と、この後に続く処理過程、例えばエッチングが行われ
て半導体材料に局所的に物理的特徴を与えて望みの構造
を作り出す。
【００１４】エッチングは、例えば湿式化学処理によっ
てなされる。一般的には、そのような湿式化学処理中、
半導体ウエハの表面は、酸、例えば希釈フッ化水素酸と
接触する。パターニングや湿式化学処理に最適なパラメ
ータ（例えばエッチャントの選択、エッチャントの濃
度、エッチング時間、エッチング温度、その他）はすで
によく知られている。
てなされる。一般的には、そのような湿式化学処理中、
半導体ウエハの表面は、酸、例えば希釈フッ化水素酸と
接触する。パターニングや湿式化学処理に最適なパラメ
ータ（例えばエッチャントの選択、エッチャントの濃
度、エッチング時間、エッチング温度、その他）はすで
によく知られている。
【００１５】化学処理工程に引き続いて、化学処理を停
止させるために、ウエハのエッチングされた表面は、洗
浄され、エッチング液は除去、希釈及び/或は中和され
る。最適な洗浄液のひとつが脱イオン水である。しかし
ながら、脱イオン水はウエハと接触した時、シリコン、
特に裸のシリコン領域に於て、シリコン溶解を起こす。
ウエハを乾燥させるとシリコン溶解物がウエハ表面にウ
オータマークを形成する結果となる。
止させるために、ウエハのエッチングされた表面は、洗
浄され、エッチング液は除去、希釈及び/或は中和され
る。最適な洗浄液のひとつが脱イオン水である。しかし
ながら、脱イオン水はウエハと接触した時、シリコン、
特に裸のシリコン領域に於て、シリコン溶解を起こす。
ウエハを乾燥させるとシリコン溶解物がウエハ表面にウ
オータマークを形成する結果となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の一つの実施態様は、ウオ
ータマークを減らすか或はその形成を阻害するために、
陽イオン界面活性剤を含む水溶液をウエハと接触させ
る。その水溶液は、溶液中の界面活性剤の調整を促進す
るために、例えば有機物を含んでいてもよい。溶液中の
陽イオン界面活性剤の量は、その後のウエハ乾燥中に生
ずるウオータマークの形成を効果的に減ずるに十分な量
である。この溶液は、エッチング液の一部に加えてエッ
チング中に用いることもできる。更にこの溶液は、脱イ
オン水でウエハを洗浄する前に独立の工程としてウエハ
に接触させるか、洗浄液に混ぜて洗浄と同時にこの溶液
にウエハを接触させることも可能である。
ータマークを減らすか或はその形成を阻害するために、
陽イオン界面活性剤を含む水溶液をウエハと接触させ
る。その水溶液は、溶液中の界面活性剤の調整を促進す
るために、例えば有機物を含んでいてもよい。溶液中の
陽イオン界面活性剤の量は、その後のウエハ乾燥中に生
ずるウオータマークの形成を効果的に減ずるに十分な量
である。この溶液は、エッチング液の一部に加えてエッ
チング中に用いることもできる。更にこの溶液は、脱イ
オン水でウエハを洗浄する前に独立の工程としてウエハ
に接触させるか、洗浄液に混ぜて洗浄と同時にこの溶液
にウエハを接触させることも可能である。
【００１７】本発明で有用な陽イオン界面活性剤にはよ
く知られた任意の陽イオン界面活性剤が含まれる。本発
明の実施例で使われる陽イオン界面活性剤はアルキルア
ミンを含む。適当なアルキルアミン類には、４から２
０、好ましくは６から１８、より好ましくは８から１６
の炭素原子よりなるアルキル鎖を有するものがあるが、
これらに限定されるものではない。そのようなアルキル
アミン類の例として、ブチルアミン、ペンチルアミン、
ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクテルアミン、ノ
ニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン等がある。
さらに好ましいアルキルアミン類は、１０、１２或は１
４の炭素原子を含むアルキル鎖を持つものであり、例え
ば、デシルアミンやドデシルアミンである。これら複数
の陽イオン界面活性剤を組み合わせたものも又有効であ
る。
く知られた任意の陽イオン界面活性剤が含まれる。本発
明の実施例で使われる陽イオン界面活性剤はアルキルア
ミンを含む。適当なアルキルアミン類には、４から２
０、好ましくは６から１８、より好ましくは８から１６
の炭素原子よりなるアルキル鎖を有するものがあるが、
これらに限定されるものではない。そのようなアルキル
アミン類の例として、ブチルアミン、ペンチルアミン、
ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクテルアミン、ノ
ニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン等がある。
さらに好ましいアルキルアミン類は、１０、１２或は１
４の炭素原子を含むアルキル鎖を持つものであり、例え
ば、デシルアミンやドデシルアミンである。これら複数
の陽イオン界面活性剤を組み合わせたものも又有効であ
る。
【００１８】本発明のある実施態様では、ウエハと接触
する陽イオン界面活性剤の量は、ウオータマーク形成を
効果的に減ずるのに十分な量である。十分な量の界面活
性剤が具体的にどれだけかということは、多くのファク
ターに依存する。このようなファクターは例えば、用い
られる界面活性剤の種類、ウエハのサイズ、及びウエハ
の表面の特質などである。一応の基準としては、ウオー
タマークを減らすのに必要な陽イオン界面活性剤量の量
は、通常約0.002mMから約40mMの範囲であり、好ましく
は好ましくは約0.05mMから約20mM、更に好ましくは約0.
5mMから約2mMである。一般的に、アルキルアミン類の場
合は、アルキル基の連鎖の長さが長ければ長い程、界面
活性剤の濃度はより低くてもよい。決定的な時間ではな
いが、ウエハを約２秒から６０秒の範囲で、好ましくは
約５秒から４５秒の範囲で、更に好ましくは約１０秒か
ら約３０秒の範囲で陽イオン界面活性剤に接触させるべ
きである。ウエハと接触中の陽イオン界面活性剤温度を
正確に制御する必要はないが、しかし通常は、約５℃か
ら約５０℃、より好ましくは約１５℃から約３０℃の範
囲である。
する陽イオン界面活性剤の量は、ウオータマーク形成を
効果的に減ずるのに十分な量である。十分な量の界面活
性剤が具体的にどれだけかということは、多くのファク
ターに依存する。このようなファクターは例えば、用い
られる界面活性剤の種類、ウエハのサイズ、及びウエハ
の表面の特質などである。一応の基準としては、ウオー
タマークを減らすのに必要な陽イオン界面活性剤量の量
は、通常約0.002mMから約40mMの範囲であり、好ましく
は好ましくは約0.05mMから約20mM、更に好ましくは約0.
5mMから約2mMである。一般的に、アルキルアミン類の場
合は、アルキル基の連鎖の長さが長ければ長い程、界面
活性剤の濃度はより低くてもよい。決定的な時間ではな
いが、ウエハを約２秒から６０秒の範囲で、好ましくは
約５秒から４５秒の範囲で、更に好ましくは約１０秒か
ら約３０秒の範囲で陽イオン界面活性剤に接触させるべ
きである。ウエハと接触中の陽イオン界面活性剤温度を
正確に制御する必要はないが、しかし通常は、約５℃か
ら約５０℃、より好ましくは約１５℃から約３０℃の範
囲である。
【００１９】ウエハを陽イオン界面活性剤と接触させた
後、もし陽イオン界面活性剤がウエハから除去されなか
ったならば、その後のいかなる洗浄も脱イオン水だけで
行なうことができる。
後、もし陽イオン界面活性剤がウエハから除去されなか
ったならば、その後のいかなる洗浄も脱イオン水だけで
行なうことができる。
【００２０】所望により、陽イオン界面活性剤は洗浄さ
れたウエハ表面から実質的に取り除くことができる。こ
れは、半導体ウエハの表面に有機溶媒を接触させること
によってなされる。有用な有機溶媒にはメタノール、エ
タノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブ
タノール、イソブチルアルコール等のアルコール類があ
る。好ましくはエタノールとイソプロピルアルコールが
陽イオン界面活性剤を取り除くのに使われる。有機溶媒
としてのアルコールの使用は、界面活性剤がアルコール
溶液に完全に溶解するので、除去工程に有利であり、残
留炭素や汚染の問題を制限する。
れたウエハ表面から実質的に取り除くことができる。こ
れは、半導体ウエハの表面に有機溶媒を接触させること
によってなされる。有用な有機溶媒にはメタノール、エ
タノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブ
タノール、イソブチルアルコール等のアルコール類があ
る。好ましくはエタノールとイソプロピルアルコールが
陽イオン界面活性剤を取り除くのに使われる。有機溶媒
としてのアルコールの使用は、界面活性剤がアルコール
溶液に完全に溶解するので、除去工程に有利であり、残
留炭素や汚染の問題を制限する。
【００２１】洗浄液のpHレベルで（即ちpH２以上で）、
ウエハの酸化物領域は、マイナスに帯電し、酸化物領域
に親水性を与えるといわれている。一方、陽イオン界面
活性剤は一般的にプラスに帯電した頭部と疎水性の尾部
を持つ。いかなる理論にも拘束されないようにはしたい
が、いったん界面活性剤がウエハの酸化物領域と接触し
たならば、界面活性剤は酸化物によって強力に吸着され
ると思われる。特に、陽イオン界面活性剤のプラスに帯
電した頭部が酸化物表面に吸着されると考えられる。こ
のようにして、酸化物領域は今や疎水性を示ようにな
る。半導体ウエハの表面の裸のシリコン領域上に、界面
活性剤が吸着されると、裸のシリコン領域の疎水性を一
層増大させ、水による溶解をさらに受け難くすると考え
られる。従って、陽イオン界面活性剤の付加は半導体ウ
エハの表面全体にわたって疎水性を与えることになると
推定される。このようにして、水がウエハの表面から排
除され、それによって、シリコンの溶解を最小限に抑え
る。これは、ウエハを乾燥させた時に溶解したシリコン
の再沈澱によって引き起こされるウオータマークの形成
を阻害する。
ウエハの酸化物領域は、マイナスに帯電し、酸化物領域
に親水性を与えるといわれている。一方、陽イオン界面
活性剤は一般的にプラスに帯電した頭部と疎水性の尾部
を持つ。いかなる理論にも拘束されないようにはしたい
が、いったん界面活性剤がウエハの酸化物領域と接触し
たならば、界面活性剤は酸化物によって強力に吸着され
ると思われる。特に、陽イオン界面活性剤のプラスに帯
電した頭部が酸化物表面に吸着されると考えられる。こ
のようにして、酸化物領域は今や疎水性を示ようにな
る。半導体ウエハの表面の裸のシリコン領域上に、界面
活性剤が吸着されると、裸のシリコン領域の疎水性を一
層増大させ、水による溶解をさらに受け難くすると考え
られる。従って、陽イオン界面活性剤の付加は半導体ウ
エハの表面全体にわたって疎水性を与えることになると
推定される。このようにして、水がウエハの表面から排
除され、それによって、シリコンの溶解を最小限に抑え
る。これは、ウエハを乾燥させた時に溶解したシリコン
の再沈澱によって引き起こされるウオータマークの形成
を阻害する。
【００２２】本発明を様々な実証具体例に関して記載し
てきたが、この分野の技術者には、本発明の技術範囲や
意図から逸脱することなく多くの変更や多用な修正が可
能であるのは明らかであろう。 それ故、本発明の範囲
は上記の発明の詳細な説明に限定されるべきではなく、
添付のクレームとその十分に広い範囲の等価物によって
決定されるべきである。
てきたが、この分野の技術者には、本発明の技術範囲や
意図から逸脱することなく多くの変更や多用な修正が可
能であるのは明らかであろう。 それ故、本発明の範囲
は上記の発明の詳細な説明に限定されるべきではなく、
添付のクレームとその十分に広い範囲の等価物によって
決定されるべきである。
Claims (21)
- 【請求項１】 （ａ）親水性の領域を有する半導体ウエ
ハを提供する工程と、（ｂ）該半導体ウエハを陽イオン
界面活性剤を含む溶液と接触させる工程、を有すること
を特徴とする半導体ウエハ上のウオータマーク形成を抑
制する方法。 - 【請求項２】 該陽イオン界面活性剤が親水性の領域を
疎水性にすることを特徴とする、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 該陽イオン界面活性剤がアルキルアミン
を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】該陽イオン界面活性剤がアルキル基に４か
ら２０の間の炭素原子を有するアルキルアミン類からな
るグループから選ばれることを特徴とする、請求項３に
記載の方法。 - 【請求項５】 該アルキルアミンはデシルアミン及びド
デシルアミンよりなるグループから選ばれることを特徴
とする、請求項３に記載の方法。 - 【請求項６】 該溶液が約0.002mMから約40mMの量の陽
イオン界面活性剤を含むことを特徴とする、請求項２に
記載の方法。 - 【請求項７】 該溶液は洗浄工程中にウエハと接触する
ことを特徴とする、請求項２に記載の方法。 - 【請求項８】 陽イオン界面活性剤を該半導体ウエハ表
面から取り除く工程を更に含むことを特徴とする、請求
項２に記載の方法。 - 【請求項９】 該陽イオン界面活性剤は該ウエハを有機
溶媒と接触させることによって取り除かれることを特徴
とする、請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 該有機溶媒はアルコールであることを
特徴とする、請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 該アルコールはエタノール及びイソプ
ロピルアルコールよりなるグループから選ばれることを
特徴とする、請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 工程（a）は半導体ウエハを湿式化学
処理する段階を含むことを特徴とする、請求項２に記載
の方法。 - 【請求項１３】 該半導体ウエハの表面は酸化物よりな
る親水性領域を持つことを特徴とする、請求項２に記載
の方法。 - 【請求項１４】 該酸化物はシリコン二酸化物を含むこ
とを特徴とする、請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 （a）酸化物領域と裸のシリコン領域
を含む表面を有する半導体ウエハを提供する工程と、
（b）該半導体ウエハの表面をウオータマークを減ずる
量の少なくとも一種類の陽イオン界面活性剤を含む溶液
に接触させることによって該ウエハ表面への疎水性を増
す工程を有することを特徴とする、半導体ウエハ上のウ
オータマーク形成を減らす方法。 - 【請求項１６】 該陽イオン界面活性剤はアルキルアミ
ン類よりなるグループから選ばれることを特徴とする、
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 該アルキルアミンはデシルアミン及び
ドデシルアミンよりなるグループから選ばれることを特
徴とする、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 該溶液は約0.002mMから約40mMの量の
陽イオン界面活性剤を含むことを特徴とする、請求項１
５に記載の方法。 - 【請求項１９】 該ウエハ表面を有機溶媒と接触させる
ことによってウエハから該陽イオン界面活性剤を取り除
く工程を更に含むことを特徴とする、請求項１５に記載
の方法。 - 【請求項２０】 該有機溶媒はアルコールであることを
特徴とする、請求項１９に記載の方法。 - 【請求項２１】 該アルコールはエタノール及びイソプ
ロピルアルコールよりなるグループから選ばれることを
特徴とする、請求項２０に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/882,057 US6074935A (en) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | Method of reducing the formation of watermarks on semiconductor wafers |
| US08/882057 | 1997-06-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174246A true JPH1174246A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=25379798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10177545A Withdrawn JPH1174246A (ja) | 1997-06-25 | 1998-06-24 | 半導体ウエハ上のウオータマーク形成を減らす方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6074935A (ja) |
| EP (1) | EP0887846A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1174246A (ja) |
| KR (1) | KR19990007314A (ja) |
| CN (1) | CN1203441A (ja) |
| TW (1) | TW383415B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011517328A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-06-02 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3550507B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2004-08-04 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 |
| US6468362B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
| US7456113B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-11-25 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| US6927176B2 (en) * | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
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| JP5152851B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-02-27 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法 |
| CN102969221A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-13 | 上海华力微电子有限公司 | 减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法 |
| US11447876B2 (en) | 2018-08-28 | 2022-09-20 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | High-precision etching method |
| CN116598198A (zh) * | 2018-08-28 | 2023-08-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种选择性刻蚀方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2526052C2 (de) * | 1975-06-11 | 1983-04-21 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum Reinigen polierter Halbleiterscheiben |
| JPS63283028A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-11-18 | Hashimoto Kasei Kogyo Kk | 微細加工表面処理剤 |
| DE3834396A1 (de) * | 1988-10-10 | 1990-04-12 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zum entfernen von oberflaechenschichten |
| US5503681A (en) * | 1990-03-16 | 1996-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning an object |
| US5593507A (en) * | 1990-08-22 | 1997-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method and cleaning apparatus |
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| US5259888A (en) * | 1992-02-03 | 1993-11-09 | Sachem, Inc. | Process for cleaning quartz and silicon surfaces |
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1997
- 1997-06-25 US US08/882,057 patent/US6074935A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-22 TW TW087107947A patent/TW383415B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-02 EP EP98109961A patent/EP0887846A3/en not_active Withdrawn
- 1998-06-19 CN CN98115001A patent/CN1203441A/zh active Pending
- 1998-06-24 JP JP10177545A patent/JPH1174246A/ja not_active Withdrawn
- 1998-06-25 KR KR1019980024019A patent/KR19990007314A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0887846A3 (en) | 1999-09-15 |
| US6074935A (en) | 2000-06-13 |
| EP0887846A2 (en) | 1998-12-30 |
| KR19990007314A (ko) | 1999-01-25 |
| TW383415B (en) | 2000-03-01 |
| CN1203441A (zh) | 1998-12-30 |
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