KR20060039314A - 세정액 및 그를 이용한 반도체소자의 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 게이트전극으로 사용되는 텅스텐막이 세정액에 의해 어택받는 것을 방지하면서 파티클을 제거할 수 있는 세정액 및 그를 이용한 반도체소자의 세정 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 세정 방법은 적어도 텅스텐막을 포함하는 도전층이 형성된 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계, 상기 감광막을 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 도전층패턴이 형성된 반도체 기판에 대해 세정공정을 진행하되, 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 진행하는 단계를 포함한다.
세정, 세정액, 암모니아용액, 파티클, 킬레이트제, 계면활성제

Description

세정액 및 그를 이용한 반도체소자의 세정 방법{CLEANING SOLUTION AND METHOD FOR CLEANING IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
도 1은 종래기술에 따른 반도체소자의 세정 방법을 도시한 공정 흐름도,
도 2는 종래기술에 따른 텅스텐막의 침식현상을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 세정 방법을 도시한 공정 흐름도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자의 세정 방법을 도시한 공정 흐름도.
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 세정액 및 그를 이용한 반도체소자의 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 웨이퍼의 오염물은 유기물, 무기물, 금속이온 및 자연산화막 등 그 종류도 다양하고, 상기한 오염물로부터 발생되는 불량의 종류도 결정 결함으로부터 패턴 불량에 이르기까지 다양하다.
따라서, 신뢰성이 높은 소자를 제조하기 위해서 상기한 오염물들을 효과적으로 제거할 수 있는 세정(Cleaning) 기술이 필요하다.
일반적으로 세정 공정에 사용되는 세정액은 산성 및 알칼리성 케미컬을 이용하는데, 이러한 세정액들은 메탈(Metal)에 적용하기 어렵다. 특히, 다층 배선 공정(MLM 공정이라 함)에 알루미늄(Al)이 적용될 경우, 알루미늄은 산(Acid)과 알칼리(Alkali)에 매우 취약하므로 상기 세정액을 그대로 적용하기 어렵다.
따라서, 메탈이 적용되는 공정후의 세정 공정에서는 솔벤트 케미컬(Solvent chemical)을 적용하는데, 특히 아민계 유기 케미컬(Amine based organic chemical)을 사용한다.
그러나, 잘 알려진 바와 같이, 아민계 유기 케미컬은 파티클 제거 기능이 없다.
따라서, 메탈이 적용되는 공정의 파티클 제거는 물리적 방법인 스크러빙(Scrubbing)을 적용할 수밖에 없으나, 이러한 스크러빙은 물리적으로 진행함에 따라 패턴에 손상을 주는 문제가 있다.
최근에는, 저저항 및 신호처리 속도 개선을 위해 게이트전극으로 텅스텐(W)을 사용하는 공정이 도입됨에 따라 텅스텐 식각 공정과 더불어 텅스텐식각후 세정 공정이 매우 중요하다. 텅스텐을 이용하는 공정에서 세정 공정시에 사용하는 케미컬은 황산(H2SO4)과 과수(H2O2)로 구성된 혼합용액을 이용하거나, 또는 수산화암모늄 (NH4OH)과 과수(H2O2)로 구성된 혼합용액을 이용한다.
도 1은 종래기술에 따른 세정액을 이용한 반도체소자의 게이트전극 제조 방법을 도시한 공정 흐름도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 게이트전극 제조 방법은 크게 게이트절연막 형성 단계(11), 게이트도전층(텅스텐막 포함) 형성 단계(12), 감광막 도포 단계(13), 감광막패턴 형성 단계(14), 게이트도전층 식각 단계(15), 감광막패턴 제거 단계(16), 황산(H2SO4)과 과수(H2O2)가 혼합된 세정액을 이용한 1차 세정 단계(17), BOE(Buffered oxide etchant, NH4F:HF) 용액을 이용한 2차 세정 단계(18), 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 과수(H2O2)가 첨가된 세정액을 이용한 3차 세정 단계(19)로 구성된다.
위와 같이, 종래기술은 게이트전극이 텅스텐막을 사용하고, 텅스텐막 식각후세정 공정의 마지막 공정시에 수산화암모늄(NH4OH), 과수(H2O2) 및 탈이온수(DI Water, H2O)가 혼합된 세정액을 이용하여 파티클을 제거하고 있다.
그러나, 종래기술과 같이, 텅스텐막을 게이트전극으로 사용하는 경우에는 세정 공정시 사용하는 세정액에 의해 텅스텐막이 어택받는 문제가 있다. 특히, 2차 세정 공정에 사용되는 세정액 중의 과수(H2O2)에 의해 텅스텐막이 녹게 되어 게이트전극으로 텅스텐막을 사용하는 것이 불가능해진다.
도 2는 종래기술에 따른 텅스텐막의 침식 현상을 도시한 도면으로서, 세정액 에 의해 텅스텐막이 녹아 게이트전극의 침식 현상이 발생하는 문제가 있다.
이렇듯, 텅스텐막이 녹게 되면, 텅스텐막 식각후 노출되는 표면에 잔류하는 파티클을 제거할 수 없다.
위와 같은 문제점은 텅스텐막을 적용하는 모든 반도체소자의 제조 공정중에 발생할 수 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 게이트전극으로 사용되는 텅스텐막이 세정액에 의해 어택받는 것을 방지하면서 파티클을 제거할 수 있는 세정액 및 그를 이용한 반도체소자의 세정 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 세정액은 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 킬레이트제와 계면활성제가 첨가된 것을 특징으로 하며, 상기 킬레이트제는 EDTA를 사용하며, 상기 킬레이트제의 첨가 농도는 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%인 것을 특징으로 하고, 상기 계면활성제는 폴리에틸렌글리콜을 사용하며, 상기 계면활성제의 첨가 농도는 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%인 것을 특징으로 하고, 상기 암모니아용액은 수산화암모늄과 탈이온수가 150∼200:1의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명의 세정 방법은 적어도 텅스텐막을 포함하는 도전층이 형성된 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계, 상기 감광막을 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 도전층패턴이 형성된 반도체 기판에 대해 세정공정을 진행하되, 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 진행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 세정 공정은 싱글웨이퍼 스핀 장비에서 진행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 세정 방법은 적어도 텅스텐막을 포함하는 도전층이 형성된 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계, 상기 감광막을 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 상기 도전층패턴이 형성된 반도체 기판에 대해 황산과 과수가 혼합된 용액을 이용하여 1차 세정하는 단계, 상기 1차 세정된 반도체 기판에 대해 BOE 용액을 이용하여 2차 세정하는 단계, 및 상기 2차 세정된 반도체 기판에 대해 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 3차 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 1차 세정 단계 및 2차 세정 단계는 습식용기에서 진행하고, 상기 3차 세정 단계는 싱글웨이퍼 스핀 장비에서 진행하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의한 세정액은 수산화암모늄(NH4OH), 탈이온수(DI water, H2O), 계면활성제(Surfactant) 및 킬레이트제(Chelate)로 구성된다.
먼저, 수산화암모늄과 탈이온수는 세정용액이 알카리 특성을 유지하도록 하여 웨이퍼와 파티클간의 제타포텐셜(Zeta potential)을 모두 네가티브(Negative)로 유지시켜 전기적 더블층 반발력(electric double layer repulsion force)에 의한 파티클 반발로 파티클이 부착되지 않도록 하는 역할을 한다.
그리고, 계면활성제는 파티클 반발 기능을 강화하기 위하여 웨이퍼 및 파티클을 모두 표면 네가티브 차아지(Surface negative charge)로 유지시키기 위한 것이며, 킬레이트제는 메탈인 텅스텐막을 세정액으로부터 보호하기 위하여 보호막을 형성시키는 역할을 한다.
위와 같은 세정액에서, 암모니아용액을 구성하는 수산화암모늄(NH4OH)과 탈이온수(H2O)는 150∼200:1의 비율로 혼합되고, 이때 pH는 10∼11을 유지한다. 그리고, 계면활성제는 세정액에 대해 0.01∼0.05 체적%(volume %)로 혼합되며, 킬레이트제는 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%(volume %)로 혼합된다. 결국, 세정액의 혼합비율, 즉 NH4OH:H2O:계면활성제:킬레이트제의 비율이 150∼200:1:0.01∼0.05:0.01 ∼0.05이 되고, 이러한 세정액은 40℃∼70℃의 온도를 유지한다.
한편, 세정액에서 계면활성제로는 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol)을 사용하고, 킬레이트제로는 EDTA(Ethylene diamine tetraacetic acid)를 사용한다.
위와 같이, 본 발명의 세정액을 이용한 파티클의 제거는 웨이퍼 세정에 사용되는 세정액의 수소이온지수 즉, pH와 제타포텐셜과의 관계로 설명된다. 세정액이 산성용액인 경우 금속오염원들을 포함한 파티클들은 주로 파지티브 제타 포텐셜을 나타낸다. 그리고, 세정액이 알칼리성으로 갈수록 네가티브 제타 포텐셜로 쉬프트되어 웨이퍼 표면과 파티클간에 상호 반발이 있게 되어 오염을 최소화하는 것이다. 따라서 본 발명의 실시예에 의한 탈이온수를 베이스로 하는 세정용액에는 수산화암모늄(NH4OH)이 포함되는 것이다.
위와 같은 세정액을 이용한 본 발명의 세정 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 세정 방법을 도시한 공정 흐름도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 적어도 텅스텐막을 포함하는 도전층이 형성된 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계(31), 감광막패턴을 형성하는 단계(32), 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 단계(33), 감광막패턴을 제거하는 단계(34), 및 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 세정하는 단계(35)를 포함한다.
먼저, 감광막을 도포하는 단계(31)는, 반도체 기판 상부에 적어도 텅스텐막 을 포함하는 도전층(예, 폴리실리콘막과 텅스텐막의 적층)을 형성한 후 도전층 상부에 감광막을 도포하는 단계이다.
그리고, 감광막패턴을 형성하는 단계(32)는, 도포된 감광막에 대해 노광 및 현상 공정을 진행하여 마스크 역할을 하는 감광막패턴을 형성하는 단계이다.
그리고, 도전층패턴을 형성하는 단계(33)는 감광막패턴을 식각마스크로 이용하여 도전층을 식각하는 단계이며, 감광막패턴을 제거하는 단계(34)는 도전층 식각후 잔류하는 감광막패턴을 스트립하는 단계이다. 여기서, 감광막패턴을 잘 알려진 바와 같이, 산소 플라즈마를 이용하여 스트립한다.
그리고, 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 세정하는 단계(35)는 감광막패턴 제거후 도전층패턴이 형성된 반도체 기판에 대해 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액(NH4OH:H2O)에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 세정하는 단계이다.
도 3에서, 세정 단계(35)는 싱글웨이퍼툴(Single wafer tool)에서 진행한다. 싱글웨이퍼툴이라 함은 용기에 담그는 세정방식이 아니라, 회전시키면서 세정액을 분사하는 세정 방식을 의미한다.
위와 같은 세정 공정에서 사용하는 세정액 중 암모니아용액을 구성하는 수산화암모늄(NH4OH)과 탈이온수(H2O)는 150∼200:1의 비율로 혼합되고, 이때 pH는 10∼11을 유지한다. 그리고, 계면활성제는 세정액에 대해 0.01∼0.05 체적%(volume %) 로 혼합되며, 킬레이트제는 0.01∼0.05체적%로 혼합된다. 결국, 세정액의 혼합비율, 즉 NH4OH:H2O:계면활성제:킬레이트제의 비율이 150∼200:1:0.01∼0.05:0.01∼0.05이 되고, 이러한 세정액은 40℃∼70℃의 온도를 유지한다.
그리고, 세정액에서 계면활성제로는 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol)을 사용하고, 킬레이트제로는 EDTA(Ethylene diamine tetraacetic acid)를 사용한다.
그리고, 싱글웨이퍼툴(또는 싱글 웨이퍼 스핀 장비라고 함)에서 진행할 때, 회전속도를 800rpm∼1000rpm으로 설정하고, 세정 시간은 30초∼120초로 설정한다.
상기한 조성을 갖는 세정액을 이용한 세정 공정의 메카니즘을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 도전층패턴을 형성하고 감광막패턴을 제거한 후에 도전층패턴 중의 텅스텐막이 노출되고 다량의 파티클이 발생된 반도체 기판을 싱글웨이퍼 스핀 장비에 장착시킨 후, 수산화암모늄(NH4OH), 탈이온수(H2O), 폴리에틸렌글리콜 및 EDTA가 혼합된 세정액을 반도체 기판 방향으로 분사시켜 세정 공정을 진행한다.
여기서, 수산화암모늄과 탈이온수는 다음과 같은 반응을 통해 NH4 +, OH-, H+, OH-로 분해되어 세정액 중에 잔류한다.
NH4OH+H2O->NH4 + + OH- + H+ + OH -
이와 같이, 식각공정이 완료된 결과물을 세정액에 노출시키면, 세정용액 중의 킬레이트제인 EDTA가 노출된 도전층패턴의 텅스텐막 표면의 파티클과 반응하여 착화합물을 형성한다. 이때, 착화합물은 텅스텐막을 세정액의 어택으로부터 보호하는 역할을 한다.
그리고, 세정용액 중의 계면활성제인 폴리에틸렌글리콜이 텅스텐막 표면의 착화합물을 분리시키어 파티클을 제거하는 것이다. 자세히 살펴보면, 착화합물과 세정액중의 수산화기(OH-), 그리고 폴레에틸렌글리콜이 서로 반응하여 텅스텐막 어택없이 텅스텐 표면으로부터 착화합물이 제거된다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 도전층패턴 형성후 세정 공정시에 세정액에 주로 사용되던 과수(H2O2)를 사용하지 않으므로써 과수에 의한 텅스텐막의 어택을 방지한다. 아울러, 계면활성제와 킬레이트제를 첨가하므로써 파티클을 용이하게 제거할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자의 세정 방법을 도시한 공정 흐름도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 반도체소자의 세정 방법은 크게 게이트절연막 형성 단계(41), 적어도 텅스텐막을 포함하는 게이트도전층 형성 단계(42), 감광막 도포 단계(43), 감광막패턴 형성 단계(44), 게이트도전층 식각 단계(45), 감광막패턴 제거 단계(46), 황산(H2SO4)과 과수(H2O2)가 혼합된 세정액을 이용한 1차 세정 단계(47), BOE(Buffered oxide etchant, NH4F:HF) 용액을 이용한 2차 세정 단계(48), 탈 이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용한 3차 세정 단계(49)로 구성된다.
먼저, 게이트절연막 형성 단계(41)는 반도체 기판 상부에 열산화공정을 이용하여 게이트절연막을 형성하는 단계이며, 게이트도전층 형성 단계(42)는 게이트절연막 상에 폴리실리콘막과 텅스텐막을 적층하는 단계이다. 여기서, 폴리실리콘막과 텅스텐막 사이에 확산배리어 물질인 텅스텐질화막이 삽입될 수도 있으며, 텅스텐막 상에 게이트하드마스크 물질인 실리콘질화막이 적층될 수 있다.
그리고, 감광막 도포 단계(43) 및 감광막패턴 형성 단계(44)는 게이트도전층 상에 감광막을 도포하고 노광 및 현상으로 패터닝하여 게이트전극 형성시 식각마스크 역할을 하는 감광막패턴을 형성하는 단계이다.
그리고, 게이트도전층 식각 단계(45)는 감광막패턴을 식각마스크로 이용하여 게이트도전층을 식각하여 게이트전극을 형성하는 단계로서, 이러한 식각공정을 통해 텅스텐막이 노출되며 텅스텐막 표면에 다량의 파티클이 부착된다.
그리고, 감광막패턴 제거 단계(46)는 게이트도전층 식각후 잔류하는 감광막패턴을 산소플라즈마를 이용하여 스트립하는 단계이다.
그리고, 1차 세정 단계(47)는 여러 공정을 통해 반도체 기판에 부착된 오염원들(예, 구리)을 제거하기 위한 것으로 황산(H2SO4)과 과수(H2O2 )가 혼합된 세정액을 이용하여 진행한다.
그리고, 2차 세정 단계(48)는, 자연산화막을 제거하기 위한 것으로 산화막 식각 용액인 BOE(Buffered oxide etchant, NH4F:HF) 용액을 이용하여 진행한다.
마지막으로, 3차 세정 단계(49)는 1,2차 세정공정후에 제거되지 않고 게이트전극(특히 텅스텐막) 표면에 부착되어 있는 파티클을 제거하기 위한 것으로, 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액(NH4OH:H2O)에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 진행한다.
상기한 1차 세정 단계(47)와 2차 세정 단계(48)는 담금 형태의 습식용기(Immersion type wet bath)에서 진행하고, 3차 세정 단계(49)는 싱글웨이퍼툴(Single wafer tool)에서 진행한다. 싱글웨이퍼툴이라 함은 용기에 담그는 1,2차 세정 단계와 다르게 회전시키면서 세정액을 분사하는 세정 방식을 의미한다.
3차 세정 단계(49)는 도 3의 세정 단계와 동일한 것으로, 세정액 중 암모니아용액을 구성하는 수산화암모늄(NH4OH)과 탈이온수(H2O)는 150∼200:1의 비율로 혼합되고, 이때 pH는 10∼11을 유지한다. 그리고, 계면활성제는 세정액에 대해 0.01∼0.05 체적%로 혼합되며, 킬레이트제는 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%로 혼합된다. 결국, 세정액의 혼합비율, 즉 NH4OH:H2O:계면활성제:킬레이트제의 비율이 150∼200:1:0.01∼0.05:0.01∼0.05이 되고, 이러한 세정액은 40℃∼70℃의 온도를 유지한다. 그리고, 세정액에서 계면활성제로는 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol)을 사용하고, 킬레이트제로는 EDTA(Ethylene diamine tetraacetic acid)를 사용한다. 그리고, 싱글웨이퍼툴(또는 싱글 웨이퍼 스핀 장비라고 함)에서 진행할 때, 회전속도를 800rpm∼1000rpm으로 설정하고, 세정 시간은 30초∼120초로 설정한다.
상기한 조성을 갖는 세정액을 이용한 세정 공정의 메카니즘은 도 3에서 살펴본 바와 같다.
도 3 및 도 4에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 텅스텐막을 포함하는 도전층의 식각후 세정 공정시에 암모니아 용액(NH4OH:H2O)에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하므로써, 도전층에 포함된 텅스텐막의 어택없이 파티클을 용이하게 제거한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 게이트전극 제조시에 수산화암모늄(NH4OH), 과수(H2O2), 계면활성제 및 킬레이트제가 혼합된 세정액을 이용하여 세정공정을 진행하므로써 텅스텐막 어택없이 파티클을 용이하게 제거하여 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (26)

  1. 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 킬레이트제와 계면활성제가 첨가된 것을 특징으로 하는 세정액.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 EDTA를 사용하는 것을 특징으로 하는 세정액
  3. 제1항에 있어서,
    상기 킬레이트제의 첨가 농도는,
    상기 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%인 것을 특징으로 하는 세정액.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 계면활성제는 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것을 특징으로 하는 세정액.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 계면활성제의 첨가 농도는,
    상기 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%인 것을 특징으로 하는 세정액.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 암모니아용액은 수산화암모늄과 탈이온수가 150∼200:1의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 세정액.
  7. 적어도 텅스텐막을 포함하는 도전층이 형성된 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계;
    상기 감광막을 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막패턴을 제거하는 단계; 및
    상기 도전층패턴이 형성된 반도체 기판에 대해 세정공정을 진행하되, 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 진행하는 단계
    를 포함하는 반도체소자의 세정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 킬레이트제는, 상기 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 킬레이트제는, EDTA를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 계면활성제는, 상기 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 계면활성제는, 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 세정액 중 암모니아용액은 수산화암모늄과 탈이온수가 150∼200:1의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 세정 공정은,
    싱글웨이퍼 스핀 장비에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 싱글웨이퍼 스핀 장비의 회전속도를 800rpm∼1000rpm으로 설정하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 세정 공정은, 30초∼120초 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  16. 제7항에 있어서,
    상기 세정액의 온도는 40℃∼70℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  17. 적어도 텅스텐막을 포함하는 도전층이 형성된 반도체 기판 상부에 감광막을 도포하는 단계;
    상기 감광막을 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막패턴을 제거하는 단계;
    상기 도전층패턴이 형성된 반도체 기판에 대해 황산과 과수가 혼합된 용액을 이용하여 1차 세정하는 단계;
    상기 1차 세정된 반도체 기판에 대해 BOE 용액을 이용하여 2차 세정하는 단계; 및
    상기 2차 세정된 반도체 기판에 대해 탈이온수를 베이스로 하는 암모니아 용액에 계면활성제와 킬레이트제가 첨가된 세정액을 이용하여 3차 세정하는 단계
    를 포함하는 반도체소자의 세정 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 3차 세정 단계에서,
    상기 킬레이트제는 상기 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 킬레이트제는, EDTA를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 3차 세정 단계에서,
    상기 계면활성제는 상기 세정액에 대해 0.01∼0.05체적%으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 계면활성제는, 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도 체소자의 세정 방법.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 3차 세정 단계에서,
    상기 세정액 중 암모니아용액은 수산화암모늄과 탈이온수가 150∼200:1의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  23. 제17항에 있어서,
    상기 1차 세정 단계 및 2차 세정 단계는 습식용기에서 진행하고, 상기 3차 세정 단계는 싱글웨이퍼 스핀 장비에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 3차 세정 단계에서, 상기 싱글웨이퍼 스핀 장비의 회전속도를 800rpm∼1000rpm으로 설정하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 3차 세정 단계는, 30초∼120초 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
  26. 제17항에 있어서,
    상기 3차 세정 단계에서,
    상기 세정액의 온도는 40℃∼70℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정 방법.
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