CN104570211A - 一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法，其特征在于：将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸与双氧水的混合溶液中，用来去除表面残留的有机物；将晶圆放入去离子水中冲洗，随后用甩干机就行甩干处理；将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；将监控硅片放入配比好的氢氟酸中，取出并测量氧化层厚度；计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，如厚度差范围在500A-700A之间，将晶圆放入氢氟酸中，持续2-10分钟后取出；将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。本发明杜绝了离子损伤带来的不稳定因素，从而提高工艺稳定性和产品的合格率。

Description

一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种去除光波导分路器在生产过程中引入的清洗工艺，尤其是涉及一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法。
背景技术
平面波导型光分路器(PLC Splitter)是一种基于石英基板的集成波导光功率分配器件，具有体积小，工作波长范围宽，可靠性高，分光均匀性好等特点，特别适用于无源光网络(EPON，BPON，GPON等)中连接局端和终端设备并实现光信号的分路。
现阶段的光波导分路器生产工艺，是生产光波导器件的核心技术之一。在生产过程中需要用到干法等离子体刻蚀技术。但在这些技术引入的同时，也对光波导器件造成了不同程度上的损伤，称为等离子体损伤。这种损伤会造成器件的不稳定性，而最终导致器件性能的下降。
发明内容
本发明的目的就是为了解决干法等离子体刻蚀带来的波导层的损伤的现状，提供的一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法。
一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法，其特征在于：其特征在于：包括以下步骤：
101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的后的晶圆放入硫酸与双氧水的混合溶液中，其中硫酸与双氧水的混合比例大于3比1，然后加热到100-150度，持续时间为1-10分钟，用来去除表面残留的有机物；
102、将晶圆放入去离子水中反复冲洗2次以上，随后用甩干机就行甩干处理，来去除表面可能残留的酸液；
103、将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；
104、将监控硅片放入配比好的氢氟酸中，氟化氢与氟化铵的比例为1：40到1:60之间，持续2-10分钟，取出并测量氧化层厚度；
105、计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，如厚度差范围在500A-700A之间，执行步骤106，如厚度差范围不在500A-700A之间，重新调配氢氟酸，并执行104；
106、将晶圆放入氢氟酸中，持续2-10分钟后取出；
107、将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。   
与现有技术相比，本发明的效果是积极明显的。本发明利用氢氟酸对二氧化硅的腐蚀作用，将表面有损伤的波导层除去，这样根本上杜绝了离子损伤带来的不稳定因素，从而提高工艺稳定性和产品的合格率。
附图说明
图1为本发明的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸+双氧水（3：1）的混合溶液中并加热到120度，持续时间为10分钟，用来去除表面残留的有机物；
102、将晶圆放入去离子水中反复冲洗3次，每次充洗时间为1分30秒；随后用甩干机就行甩干处理，去除表面可能残留的酸液；
103、将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；
104、将监控硅片放入配比好的氢氟酸中（氟化氢：氟化铵=1：40），持续3分钟后取出，并测量氧化层厚度；
105、计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，厚度差为550A；
106、将产晶圆放入氢氟酸中，持续3分钟后取出；
107、将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。
实施例2
101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸+双氧水（4：1）的混合溶液中并加热到120度，持续时间为8分钟，用来去除表面残留的有机物；
102、将晶圆放入去离子水中反复冲洗3次，每次冲洗时间为2分钟；随后用甩干机就行甩干处理，去除表面可能残留的酸液；
103、将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；
104、将监控硅片放入配比好的氢氟酸中（氟化氢：氟化铵=1：50），持续5分钟后取出，并测量氧化层厚度；
105、计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，厚度差为800A，从新调配氢氟酸，再次测量氧化层厚度，厚度差为600A；
106、将产晶圆放入氢氟酸中，持续5分钟后取出；
107、将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。
实施例3
101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸+双氧水（5：1）的混合溶液中并加热到120度，持续时间为6分钟，用来去除表面残留的有机物；
102、将晶圆放入去离子水中反复冲洗3次，每次充洗时间为2分40秒；随后用甩干机就行甩干处理，去除表面可能残留的酸液；
103、将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；
104、将监控硅片放入配比好的氢氟酸中（氟化氢：氟化铵=1：60），持续7分钟后取出，并测量氧化层厚度；
105、计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，厚度差为700A；
106、将产晶圆放入氢氟酸中，持续7分钟后取出；
107、将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。
当然，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：
101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸与双氧水的混合溶液中，其中硫酸与双氧水的混合比例大于3比1，然后加热到100-150度，持续时间为1-10分钟，用来去除表面残留的有机物；
102、将晶圆放入去离子水中反复冲洗2次以上，随后用甩干机就行甩干处理，来去除表面可能残留的酸液；
103、将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；
104、将监控硅片放入配比好的氢氟酸中，氟化氢与氟化铵的比例为1：40到1:60之间，持续2-10分钟，取出并测量氧化层厚度；
105、计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，如厚度差范围在500A-700A之间，执行步骤106，如厚度差范围不在500A-700A之间，重新调配氢氟酸，并执行104；
106、将晶圆放入氢氟酸中，持续2-10分钟后取出；
107、将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。
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