CN106298982B - 一种n型双面电池的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种N型双面电池的制作方法，包括：步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层。通过将完成正面硼扩散和背面磷扩散的N型硅片进行热氧化，再背面PECVD镀SiNx层，使得背面的总的钝化层为SiOx层加SiNx层，优化太阳能电池的背面钝化效果,增大开压和短路电流,使得电池的转换效率有所提升。

Description

一种N型双面电池的制作方法
技术领域
本发明涉及光伏电池制造领域，特别是涉及一种N型双面电池的制作方法。
背景技术
光伏技术路线图(ITRPV2015)预测：随着太阳能电池结构(背接触，异质结)的增多，以及新技术诸如离子注入、激光之类技术的引进，N型单晶电池的效率优势会越来越明显，且N型单晶电池市场份额预计到2025年占三分之一左右。
而如何增大光伏电池的开路电压、短路电流，提高转换效率，是业界一直关心的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种N型双面电池的制作方法，增大了开路电压和短路电流。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种N型双面电池的制作方法，包括：
步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；
步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；
步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；
步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；
步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；
步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层；
所述去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层，包括：
将热氧化后的所述N型硅片浸泡在体积比为10％的HF中浸泡1min～1.5min，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层。
其中，所述对所述N型硅片进行热氧化，包括：
在750℃～900℃下对所述N型硅片进行热氧化30min。
其中，所述正面钝化层为从上到下的SiNx层和AlOx层。
其中，在所述步骤7之后，还包括：
步骤8，对具有所述正面钝化层的N型硅片进行双面电极印刷。
其中，在所述步骤8之后，还包括：
步骤9，对具有双面电极的所述N型硅片进行电测试。
本发明实施例所提供的N型双面电池的制作方法，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法，包括：
步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；
步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；
步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；
步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；
步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；
步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层；所述去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层，包括：
将热氧化后的所述N型硅片浸泡在体积比为10％的HF中浸泡1min～1.5min，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层。
所述N型双面电池的制作方法，通过将完成正面硼扩散和背面磷扩散的N型硅片进行热氧化，再进行背面PECVD镀SiNx层，使得背面的总的钝化层为SiOx层加SiNx层，优化太阳能电池的背面钝化效果,增大开压和短路电流,使得电池的转换效率有所提升。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；
图2为本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法的另一种具体实施方式的步骤流程示意图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述，如何增大双面电池的开路电压、短路电流，提高转换效率，是业界一直关心的问题。
基于此，本发明实施例所提供了步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；
步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；
步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；
步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；
步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；
步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层；所述去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层，包括：
将热氧化后的所述N型硅片浸泡在体积比为10％的HF中浸泡1min～1.5min，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层。
综上所述，本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法，通过将完成正面硼扩散和背面磷扩散的N型硅片进行热氧化，再进行背面PECVD镀SiNx层，使得背面的总的钝化层为SiOx层加SiNx层，优化太阳能电池的背面钝化效果,增大开压和短路电流,使得电池
的转换效率有所提升。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参考图1-2，图1为本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；图2为本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法的另一种具体实施方式的步骤流程示意图。
在一种具体实施方式中，所述N型双面电池的制作方法，包括：
步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；
步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；
步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；
步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；
步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；
步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层。
通过将完成正面硼扩散和背面磷扩散的N型硅片进行热氧化，再进行背面PECVD镀SiNx层，使得背面的总的钝化层为SiOx层加SiNx层，优化太阳能电池的背面钝化效果,增大开压和短路电流,使得电池的转换效率有所提升。
在本发明中，在正面进行硼扩散之后，形成硼硅玻璃，利用硼硅玻璃作为掩膜，进行背面磷扩散，然后再去除硼硅玻璃掩膜和临桂玻璃层。
其中，所述去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层，包括：
将热氧化后的所述N型硅片浸泡在体积比为10％的HF中浸泡1min～1.5min，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层。
其中，所述对所述N型硅片进行热氧化，包括：
在750℃～900℃下对所述N型硅片进行热氧化30min。
需要说明的是，本发明对热氧化的其它工艺条件不做具体限定，可以采用注入水浴加热，通N2等方法。
本发明中，在进行热氧化后，在N型硅片的正面和背面均形成氧化硅层，然后再背面通过PECVD法沉积SiNx层，在后续的去除正面氧化硅层的过程中，背面的SiNx层作为掩膜将背面的氧化硅层进行了保护。
所述正面钝化层为从上到下的SiNx层和AlOx层，当然正面钝化层的沉积方式为先沉积AlOx层，然后沉积SiNx层，本发明对SiNx层和AlOx层的具体的工艺参数条件以及沉积厚度不做具体限定，需根据世界的需求设定。
在完成正面和背面的钝化层后进行电极制作，包括：
步骤8，对具有所述正面钝化层的N型硅片进行双面电极印刷。
需要指出的是，本发明对正面电极以及背面电极的类型、形状和厚度不做具体限定。
在所述步骤8之后，基本完成了电池的制备，为检验制备的电池是否合格，还包括：
步骤9，对具有双面电极的所述N型硅片进行电测试。
在一具体的实施方式中，通过对传统的没有热氧化的N型双面电池和采用本发明中的采用热氧化制备的N型双面电池进行测试，测试的结果如下：
类型对比 VOC(mV) Isc(A) FF(％) Ncell(％)
无热氧氧化 639.9 9.64 79.01 20.24
有热氧氧化 641.8 9.66 79.02 20.34
通过对比可以看出，在使用发明的热氧化之后，N型双面电池的各项参数均有一定的提升。
综上所述，本发明实施例提供的N型双面电池的制作方法，通过将完成正面磷扩散和背面磷扩散的N型硅片进行热氧化，再背面PECVD镀SiNx层，使得背面的总的钝化层为SiOx层加SiNx层，优化太阳能电池的背面钝化效果，增大开压和短路电流,使得电池的转换效率有所提升。
以上对本发明所提供的N型双面电池的制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (5)

1.一种N型双面电池的制作方法，其特征在于，包括：
步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；
步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；
步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；
步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；
步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；
步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层；
所述去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层，包括：
将热氧化后的所述N型硅片浸泡在体积比为10％的HF中浸泡1min～1.5min，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层。
2.如权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述对所述N型硅片进行热氧化，包括：
在750℃～900℃下对所述N型硅片进行热氧化30min。
3.如权利要求2所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述正面钝化层为从上到下的SiNx层和AlOx层。
4.如权利要求3所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，在所述步骤7之后，还包括：
步骤8，对具有所述正面钝化层的N型硅片进行双面电极印刷。
5.如权利要求4所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，在所述步骤8之后，还包括：
步骤9，对具有双面电极的所述N型硅片进行电测试。
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CN107393976B (zh) * 2017-08-02 2019-05-10 浙江晶科能源有限公司 一种n型双面太阳能电池片及其制作方法
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CN102315284A (zh) * 2011-07-04 2012-01-11 常州天合光能有限公司 用叠层膜同时钝化p型和n型掺杂层的电池结构及其方法
CN103383975A (zh) * 2013-06-20 2013-11-06 国电光伏有限公司 一种双面钝化高效异质结电池及其制作方法
CN104733555B (zh) * 2014-12-31 2017-01-11 江苏顺风光电科技有限公司 一种n型双面太阳电池及其制备方法
CN104701424A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 基于丝网印刷的硅太阳能电池制备方法

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