KR101955597B1 - 세정액 제조 장치 및 방법 - Google Patents
세정액 제조 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101955597B1 KR101955597B1 KR1020170060916A KR20170060916A KR101955597B1 KR 101955597 B1 KR101955597 B1 KR 101955597B1 KR 1020170060916 A KR1020170060916 A KR 1020170060916A KR 20170060916 A KR20170060916 A KR 20170060916A KR 101955597 B1 KR101955597 B1 KR 101955597B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- pure water
- mixing
- substrate
- liquid
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 48
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 27
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
-
- C11D11/0047—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D11/00—Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
- C11D11/0094—Process for making liquid detergent compositions, e.g. slurries, pastes or gels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
- C11D17/04—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties combined with or containing other objects
- C11D17/041—Compositions releasably affixed on a substrate or incorporated into a dispensing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
- C11D17/06—Powder; Flakes; Free-flowing mixtures; Sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판을 세정하는 세정액을 제조하는 세정액 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 방법은, 제 1 온도에서 계면활성제 약액 및 순수를 혼합하고, 이 후에 상기 계면활성제 및 순수를 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 냉각시키면서 혼합하여 상기 세정액을 제조한다.
Description
본 발명은 기판을 세정하는 세정액을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 세정액을 이용하여 기판상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 세정액 처리 공정, 순수를 이용하여 기판상에 잔류하는 세정액을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.
상술한 세정액 처리 공정에서 사용되는 세정액은 계면활성제가 포함된 계면활성제 약액을 순수와 혼합하여 제조된다. 이러한 계면활성제 약액을 순수와 혼합하여 세정액을 제조하는 경우 세정액에는 입자가 형성된다. 생성된 입자는 기판 세정 시 파티클 제거를 용이하게 한다. 일반적으로 계면활성제 약액 및 순수는 상온에서 혼합된다.
본 발명은 세정액 내의 입자의 크기를 증가시킬 수 있는 세정액 제조 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 세정액 제조 시간을 단축시킬 수 있는 세정액 제조 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 세정하는 세정액을 제조하는 세정액 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 방법은, 제 1 온도에서 계면활성제 약액 및 순수를 혼합하고, 이 후에 상기 계면활성제 및 순수를 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 냉각시키면서 혼합하여 상기 세정액을 제조한다.
상기 제 1 온도는 상온보다 높은 온도이고, 상기 제 2 온도는 상온보다 낮은 온도이다.
상기 제 1 온도는 30℃ 보다 낮은 온도이다.
상기 제 1 온도는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이고, 상기 제 2 온도는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도일 수 있다.
상기 제 1 온도는 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 유지될 수 있다.
상기 세정액 내에 형성되는 입자의 길이는 30㎛ 이상일 수 있다.
또한, 본 발명은 세정액을 제조하는 세정액 제조 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치는, 내부에 액 혼합 공간을 가지는 하우징과; 상기 하우징 내로 계면활성제 약액을 공급하는 제 1 공급 부재와; 상기 하우징 내로 순수를 공급하는 제 2 공급 부재와; 상기 하우징 내에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 혼합시키는 혼합 유닛과; 상기 하우징 내에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수의 온도를 조절하는 온도 조절 부재와; 상기 제 1 공급 부재, 상기 제 2 공급 부재, 상기 혼합 유닛 및 상기 온도 조절 부재를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 액 혼합 공간 내에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 제 1 온도에서 혼합하는 제 1 단계와, 상기 제 1 단계에서 혼합된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 냉각시키는 제 2 단계를 수행하도록 상기 제 1 공급 부재, 상기 제 2 공급 부재, 상기 혼합 유닛 및 상기 온도 조절 부재를 제어한다.
상기 제 1 온도는 상온보다 높은 온도이고, 상기 제 2 온도는 상온보다 낮은 온도이다.
상기 제 1 온도는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이고, 상기 제 2 온도는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도일 수 있다.
상기 제어기는 상기 제 1 온도가 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 유지되도록 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
상기 제 1 단계는, 상기 액 혼합 공간에 상기 순수를 공급하는 순수 공급 단계와; 이 후, 상기 액 혼합 공간에 공급된 순수를 제 1 온도로 가열하는 순수 가열 단계와; 이 후, 상기 액 혼합 공간에 계면활성제 약액을 공급하는 계면활성제 약액 공급 단계와; 이 후, 상기 액 혼합 공간에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 상기 제 1 온도를 유지하면서 혼합시키는 혼합 단계를 포함할 수 있다.
상기 혼합 유닛은, 상기 액 혼합 공간에 공급된 액이 흐르고, 양 끝단이 상기 액 혼합 공간에 연결된 순환 라인과; 상기 순환 라인 내로 상기 액이 순환되도록 동력을 제공하는 펌프를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 세정액 제조 방법은, 제 1 온도에서 계면활성제 약액 및 순수를 혼합시키는 제 1 단계를 포함하되, 상기 제 1 온도는 상온보다 높고 30℃보다 낮은 온도이다.
상기 제 1 단계에서 혼합된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 제 2 온도로 냉각시키면서 혼합하는 제 2 단계를 더 포함하되, 상기 제 2 온도는 상기 제 1 온도보다 낮은 온도이다.
상기 제 2 온도는 상온보다 낮은 온도이다.
상기 제 1 온도는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이고, 상기 제 2 온도는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도일 수 있다.
상기 제 1 온도는 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 유지될 수 있다.
상기 세정액 내에 형성되는 입자의 길이는 30㎛ 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치 및 방법은 세정액 내의 입자의 크기를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치 및 방법은 세정액 제조 시간을 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 세정액을 사용하는 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시 예에서는 기판을 세정하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 세정액을 제조하는 세정액 제조 장치의 일 예에 대해서 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 세정액을 사용하여 기판을 세정하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 세정액을 사용하는 기판 처리 설비(1)의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(320), 지지 유닛, 승강유닛(360), 분사 부재(380)를 포함한다.
하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 유닛은 하우징 내에 제공된다. 지지 유닛에는 기판(W)이 놓인다. 지지 유닛은 스핀헤드(340)로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 스핀헤드(340)는 하우징(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(334), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 기판에 서로 상이한 제1처리액, 제2처리액 및 제3처리액이 공급되는 경우, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 하우징(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사부재(380)는 기판처리공정 시 기판(W)으로 액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 서로 상이한 액들을 분사할 수 있다.
노즐(384)은 스핀 헤드(340)에 놓인 기판(W)에 기판 처리 장치(300)에서 사용되는 처리액 중 하나인 세정액을 공급한다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 세정액은 계면활성제가 포함된 계면활성제 약액 및 순수를 혼합하여 제조된다. 계면활성제 약액은 “동우화인켐(주)”사의 “SAP 1.0” 약액으로 제공된다. 이와 달리, 계면활성제 약액은 계면활성제를 포함하고 순수와 혼합되면 입자가 형성되는 다양한 종류의 약액으로 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치를 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 장치(400)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 세정액 제조 장치(400)는 기판을 세정하는 세정액을 제조한다. 세정액 제조 장치(400)는 하우징(410), 제 1 공급 부재(420), 제 2 공급 부재(430), 혼합 유닛(440), 온도 조절 부재(450) 및 제어기(460)를 포함한다.
하우징(410)은 내부에 공급된 액들이 서로 혼합되는 액 혼합 공간을 가진다. 액 혼합 공간 내에 공급된 액의 온도 조절이 용이하도록 외부와의 열교환을 최소화 하기 위해 하우징(410)의 벽은 단열처리 될 수 있다. 하우징(410)에는 액 혼합 공간 내의 액의 온도를 측정하는 온도 센서가 제공될 수 있다. 온도 센서에서 측정된 액의 온도는 제어기(460)로 전달된다.
제 1 공급 부재(420)는 액 혼합 공간 내로 계면활성제 약액을 공급하고, 제 2 공급 부재(430)는 액 혼합 공간 내로 순수를 공급한다.
혼합 유닛(440)은 액 혼합 공간 내에 공급된 계면활성제 약액 및 순수를 혼합한다. 일 실시 예에 따르면, 혼합 유닛(440)은 순환 라인(441) 및 펌프(442)를 포함한다.
순환 라인(441)은 양 끝단이 액 혼합 공간에 연결되고, 내부로 액 혼합 공간에 공급된 액이 흐르도록 제공된다. 순환 라인(441)은 내부와 외부 간의 열교환을 최소화하도록 단열 처리되어 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 순환 라인(441)에는 노즐(384)에 연결된 공급 라인(470)이 연결된다. 순환 라인(441)에는 개폐 밸브(471)가 제공된다.
펌프(442)는 순환 라인(441) 내로 액 혼합 공간 내의 액이 순환되도록 동력을 제공한다.
혼합 유닛(440)은 액 혼합 공간 내로 공급된 계면활성제 약액 및 순수를 순환 라인(441)을 지나 다시 액 혼합 공간 내로 순환시킴으로써 혼합시킨다.
온도 조절 부재(450)는 액 혼합 공간에 공급된 계면활성제 약액 및 순수의 온도를 조절한다. 일 실시 예에 따르면, 온도 조절 부재(450)는 하우징(410)의 외부에 제공될 수 있다. 예를 들면, 온도 조절 부재(450)는 순환 라인(441) 내를 흐르는 액의 온도를 조절할 수 있도록 순환 라인(441)에 연결되어 제공될 수 있다. 이와 달리, 온도 조절 부재(450)는 하우징(410)에 설치되어 액 혼합 공간 내에 머무는 액의 온도를 직접적으로 조절할 수 있도록 제공될 수 있다. 온도 조절 부재(450)는 액 혼합 공간에 공급된 계면활성제 약액 및 순수를 가열하고, 냉각시킬 수 있는 다양한 종류의 부재를 포함할 수 있다. 예를 들면, 온도 조절 부재(450)는 계면활성제 약액 및 순수를 가열하기 위해 공급된 전류에 의해 열을 발생시키는 열선 또는 열 유체가 흐르는 열유체 유로를 포함할 수 있다. 또한, 온도 조절 부재(450)는 계면활성제 약액 및 순수를 냉각시키기 위해 열전소자 또는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 포함할 수 있다. 온도 조절 부재(450)에는 내부를 지나는 계면활성제 약액 및 순수의 온도를 측정하는 온도 센서가 제공될 수 있다. 온도 센서에서 측정된 온도는 제어기(460)로 전달된다.
제어기(460)는 이하 설명될 세정액 제조 방법에 따라 세정액을 제조하도록 제 1 공급 부재(420), 제 2 공급 부재(430), 혼합 유닛(440), 온도 조절 부재(450) 및 개폐 밸브(471)를 제어한다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 방법을 도 3의 세정액 제조 장치(400)를 이용하여 설명한다. 세정액 제조 방법은 기판을 세정하는 세정액을 제조한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정액 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 세정액 제조 방법은 제 1 단계(S10) 및 제 2 단계(S20)를 포함한다.
제 1 단계(S10)에서는 제 1 온도에서 계면활성제 약액 및 순수를 혼합한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 단계(S10)에서 제어기(460)는 하우징(410)의 액 혼합 공간 내에 공급된 계면활성제 약액 및 순수를 제 1 온도에서 혼합시키도록 제 1 공급 부재(420), 제 2 공급 부재(430), 혼합 유닛(440) 및 온도 조절 부재(450)를 제어한다. 제 1 온도는 상온보다 높고 30℃보다 낮은 온도이다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 온도는 바람직하게는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이다. 예를 들면, 제 1 온도는 26.5℃이다. 계면활성제 약액 및 순수를 상온보다 높은 온도에서 혼합함으로써 상온에서 혼합하는 일반적인 혼합 방법에 비해 세정액 내에서 형성되는 입자의 크기를 더 크게 형성시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 1 단계(S10)는 순수 공급 단계(S11), 순수 가열 단계(S12), 계면활성제 약액 공급 단계(S13) 및 혼합 단계(S14)를 포함한다.
순수 공급 단계(S11)에서, 제어기(460)는 하우징(410)의 액 혼합 공간에 순수를 공급하도록 제 2 공급 부재(430)를 제어한다.
이 후, 순수 가열 단계(S12)가 수행된다. 순수 가열 단계(S12)에서는 액 혼합 공간에 공급된 순수를 제 1 온도로 가열한다. 일 실시 예에 따르면, 순수 가열 단계(S12)에서, 제어기(460)는 액 혼합 공간에 공급된 순수가 순환 라인(441) 내로 순환되면서 제 1 온도로 가열되도록 펌프(442) 및 온도 조절 부재(450)를 제어한다.
이 후, 계면활성제 약액 공급 단계(S13)가 수행된다. 계면활성제 약액 공급 단계(S13)에서는 하우징(410)의 액 혼합 공간에 계면활성제 약액을 공급한다. 일 실시 예에 따르면, 계면활성제 약액 공급 단계(S13)에서, 제어기(460)는 하우징(410)의 액 혼합 공간에 계면활성제 약액을 공급하도록 제 1 공급 부재(420)를 제어한다. 순수가 액 혼합 공간에 공급되는 동안, 제어기(460)는 하우징(410)의 계면활성제 약액 및 순수가 제 1 온도로 유지되면서 순환 라인(441) 내에서 순환되도록 온도 조절 부재(450) 및 펌프(442)를 제어한다.
이 후, 혼합 단계(S14)가 수행된다. 혼합 단계(S14)에서는 하우징(410)의 액 혼합 공간에 공급된 계면활성제 약액 및 순수를 제 1 온도를 유지하면서 혼합시킨다. 일 실시 예에 따르면, 혼합 단계(S14)에서, 제어기(460)는 액 혼합 공간 내의 계면활성제 약액 및 순수가 제 1 온도로 유지되면서 순환 라인(441) 내를 순환하도록 온도 조절 부재(450) 및 펌프(442)를 제어한다. 계면활성제 약액 및 순수는 순환 라인(441) 내를 순환함으로써 서로 혼합된다. 혼합 단계(S14)는 일정 시간 동안 수행된다. 일 실시 예에 따르면, 혼합 단계(S14)는 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 수행된다.
제 2 단계(S20)에서는 제 1 단계에서 혼합된 계면활성제 약액 및 순수를 제 2 온도를 냉각시키면서 혼합한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 단계(S20)에서는 제어기(460)는, 제 1 단계(S10)에서 혼합된 계면활성제 약액 및 순수가 상온보다 낮은 제 2 온도로 냉각되면서 순환 라인(441) 내로 순환되도록 온도 조절 부재(450) 및 펌프(442)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 온도는 바람직하게는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도이다. 예를 들면, 제 2 온도는 18℃이다.
제 2 단계(S20)가 완료되어 세정액의 제조가 완료된 경우, 제어기(460)는 순환 라인(441) 내의 세정액이 노즐(384)로 공급되도록 개폐 밸브(471)가 열리도록 제어한다. 상기 제 1 단계(S10) 및 제 2 단계(S20)가 수행되는 동안 제어기(460)는 개폐 밸브(471)가 닫히도록 제어한다. 상술한 바와 같이, 제 1 온도에서의 혼합 후, 제 2 온도에서의 혼합이 수행됨으로써, 제 1 온도에서의 혼합만이 수행되는 경우에 비해, 세정액 내의 입자의 크기가 크게 형성되고, 입자가 동일한 크기로 형성되기까지의 시간이 단축된다. 예를 들면, 본 발명의 장치 및 방법에 의해 세정액 내의 입자는 길이가 30㎛ 이상으로 형성될 수 있다. 즉, 입자가 사각 판 형상으로 제공되는 경우, 긴 변의 길이가 30㎛ 이상으로 제공될 수 있다.
400: 세정액 제조 장치 410: 하우징
420: 제 1 공급 부재 430: 제 2 공급 부재
440: 혼합 유닛 441: 순환 라인
442: 펌프 450: 온도 조절 부재
460: 제어기 470: 공급 라인
471: 개폐 밸브
420: 제 1 공급 부재 430: 제 2 공급 부재
440: 혼합 유닛 441: 순환 라인
442: 펌프 450: 온도 조절 부재
460: 제어기 470: 공급 라인
471: 개폐 밸브
Claims (20)
- 기판을 세정하는 세정액을 제조하는 방법에 있어서,
제 1 온도에서 계면활성제 약액 및 순수를 혼합하고, 이 후에 상기 계면활성제 약액 및 순수를 상기 제 1 온도보다 6℃ 내지 13℃ 낮은 제 2 온도로 냉각시키면서 혼합하여 상기 세정액을 제조하는 기판 세정액 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 상온보다 높은 온도이고, 상기 제 2 온도는 상온보다 낮은 온도인 기판 세정액 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 30℃ 보다 낮은 온도인 기판 세정액 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이고,
상기 제 2 온도는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도인 기판 세정액 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 유지되는 기판 세정액 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 세정액 내에 형성되는 입자의 길이는 30㎛ 이상인 기판 세정액 제조 방법. - 기판을 세정하는 세정액을 제조하는 장치에 있어서,
내부에 액 혼합 공간을 가지는 하우징과;
상기 하우징 내로 계면활성제 약액을 공급하는 제 1 공급 부재와;
상기 하우징 내로 순수를 공급하는 제 2 공급 부재와;
상기 하우징 내에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 혼합시키는 혼합 유닛과;
상기 하우징 내에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수의 온도를 조절하는 온도 조절 부재와;
상기 제 1 공급 부재, 상기 제 2 공급 부재, 상기 혼합 유닛 및 상기 온도 조절 부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는, 상기 액 혼합 공간 내에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 제 1 온도에서 혼합하는 제 1 단계와, 상기 제 1 단계에서 혼합된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 상기 제 1 온도보다 6℃ 내지 13℃ 낮은 제 2 온도로 냉각시키는 제 2 단계를 수행하도록 상기 제 1 공급 부재, 상기 제 2 공급 부재, 상기 혼합 유닛 및 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 세정액 제조 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 상온보다 높은 온도이고, 상기 제 2 온도는 상온보다 낮은 온도인 기판 세정액 제조 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이고,
상기 제 2 온도는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도인 기판 세정액 제조 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제 1 온도가 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 유지되도록 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 세정액 제조 장치. - 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 단계는,
상기 액 혼합 공간에 상기 순수를 공급하는 순수 공급 단계와;
이 후, 상기 액 혼합 공간에 공급된 순수를 제 1 온도로 가열하는 순수 가열 단계와;
이 후, 상기 액 혼합 공간에 계면활성제 약액을 공급하는 계면활성제 약액 공급 단계와;
이 후, 상기 액 혼합 공간에 공급된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 상기 제 1 온도를 유지하면서 혼합시키는 혼합 단계를 포함하는 기판 세정액 제조 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 혼합 유닛은,
상기 액 혼합 공간에 공급된 액이 흐르고, 양 끝단이 상기 액 혼합 공간에 연결된 순환 라인과;
상기 순환 라인 내로 상기 액이 순환되도록 동력을 제공하는 펌프를 포함하는 기판 세정액 제조 장치. - 기판을 세정하는 세정액을 제조하는 방법에 있어서,
제 1 온도에서 계면활성제 약액 및 순수를 혼합시키는 제 1 단계와;
상기 제 1 단계에서 혼합된 상기 계면활성제 약액 및 상기 순수를 제 2 온도로 냉각시키면서 혼합하는 제 2 단계를 포함하되,
상기 제 1 온도는 상온보다 높고, 상기 제 2 온도는 상기 제 1 온도보다 6℃ 내지 13℃ 낮은 기판 세정액 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 30℃보다 낮은 기판 세정액 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 온도는 상온보다 낮은 기판 세정액 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 온도는 25℃보다 높고 27℃보다 낮은 온도이고,
상기 제 2 온도는 17℃보다 높고 19℃보다 낮은 온도인 기판 세정액 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 제 1 온도는 25분보다 길고 35분보다 짧은 시간 동안 유지되는 기판 세정액 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 세정액 내에 형성되는 입자의 길이는 30㎛ 이상인 기판 세정액 제조 방법. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 제1 항 내지 제6 항 및 제13 항 내지 제 18항 중 어느 하나에 의해 제조된 기판 세정액을 공급하는 분사 부재를 포함하는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판에 대하여 제1 항 내지 제6 항 및 제13 항 내지 제 18항 중 어느 하나에 의해 제조된 기판 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170060916A KR101955597B1 (ko) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 세정액 제조 장치 및 방법 |
JP2018090436A JP6605655B2 (ja) | 2017-05-17 | 2018-05-09 | 洗浄溶液を製造するための装置及び方法 |
US15/980,807 US20180335661A1 (en) | 2017-05-17 | 2018-05-16 | Apparatus and method for manufacturing cleaning solution |
CN201810472674.XA CN108962785B (zh) | 2017-05-17 | 2018-05-17 | 用于制造清洗液的设备和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170060916A KR101955597B1 (ko) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 세정액 제조 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180126643A KR20180126643A (ko) | 2018-11-28 |
KR101955597B1 true KR101955597B1 (ko) | 2019-05-31 |
Family
ID=64269635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170060916A KR101955597B1 (ko) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 세정액 제조 장치 및 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180335661A1 (ko) |
JP (1) | JP6605655B2 (ko) |
KR (1) | KR101955597B1 (ko) |
CN (1) | CN108962785B (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001172695A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-26 | Lion Corp | 界面活性剤を含有する粒状物の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08231991A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-09-10 | Hitachi Ltd | 洗浄用組成物、洗浄方法および洗浄液の製造方法 |
GB2335661A (en) * | 1998-03-26 | 1999-09-29 | Reckitt & Colman Inc | Hard surface cleaners comprising amphoteric surfactant |
KR20000067410A (ko) * | 1999-04-28 | 2000-11-15 | 윤종용 | 오존수로 이루어지는 반도체소자 제조용 세정액 및 그 세정액 제조장치 |
CN101010421B (zh) * | 2004-08-31 | 2011-08-03 | 三洋化成工业株式会社 | 表面活性剂 |
KR100639615B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2006-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 세정액 및 그를 이용한 반도체소자의 세정 방법 |
EP2428557A1 (en) * | 2005-12-30 | 2012-03-14 | LAM Research Corporation | Cleaning solution |
JP2008182221A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 半導体基板用洗浄剤 |
WO2009078123A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法 |
JP2009194049A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅配線半導体用洗浄剤 |
KR101049441B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2011-07-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US8105997B2 (en) * | 2008-11-07 | 2012-01-31 | Lam Research Corporation | Composition and application of a two-phase contaminant removal medium |
KR101116653B1 (ko) * | 2010-01-08 | 2012-03-07 | 세메스 주식회사 | 세정액 공급 장치 |
KR102098599B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2020-04-09 | 세메스 주식회사 | 약액공급유닛 |
JP5792094B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
JP6422673B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-11-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US10553421B2 (en) * | 2015-05-15 | 2020-02-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
-
2017
- 2017-05-17 KR KR1020170060916A patent/KR101955597B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-09 JP JP2018090436A patent/JP6605655B2/ja active Active
- 2018-05-16 US US15/980,807 patent/US20180335661A1/en not_active Abandoned
- 2018-05-17 CN CN201810472674.XA patent/CN108962785B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001172695A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-26 | Lion Corp | 界面活性剤を含有する粒状物の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018195815A (ja) | 2018-12-06 |
JP6605655B2 (ja) | 2019-11-13 |
CN108962785B (zh) | 2022-07-05 |
CN108962785A (zh) | 2018-12-07 |
US20180335661A1 (en) | 2018-11-22 |
KR20180126643A (ko) | 2018-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101491055B1 (ko) | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 | |
KR101994422B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102616246B1 (ko) | 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 | |
US20190006213A1 (en) | Chemical supplying unit, substrate treatment apparatus, and method of treating substrate using the substrate treatment apparatus | |
KR101329319B1 (ko) | 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치 | |
KR101910803B1 (ko) | 기판처리장치 | |
CN109411389B (zh) | 清洁液供应单元、基板处理装置及基板处理方法 | |
KR101981954B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20120023296A (ko) | 기판처리장치 | |
KR102098599B1 (ko) | 약액공급유닛 | |
KR101955597B1 (ko) | 세정액 제조 장치 및 방법 | |
KR102117353B1 (ko) | 약액공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치 | |
KR101817211B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101471540B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
KR101909189B1 (ko) | 세정액 제조 장치 및 방법 | |
KR20190089801A (ko) | 세정액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 세정액 공급 방법 | |
KR102188352B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20110045570A (ko) | 열교환용 플레이트가 구비된 트랜스퍼 챔버 및 이를 구비한 반도체 제조장비 | |
KR102010262B1 (ko) | 세정액 제조 장치 및 방법 | |
KR20170046490A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101757821B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101909191B1 (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR101935949B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101885565B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102219880B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |