KR101981954B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 처리 용기; 상기 처리 용기를 수용하고 상부에 개구가 형성된 하우징; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛; 상기 처리 공간 방향으로 건조 가스와 외기를 공급하는 기류 공급 유닛; 및 상기 처리 용기와 상기 지지 유닛 간에 상대 높이가 변경되도록 상기 처리 용기 또는 상기 지지 유닛을 승하강 시키는 승강 유닛을 포함하되, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 하우징에 결합되며, 상기 하우징의 개구에 대응되도록 하부가 개방되고, 상부에 외기의 유입을 조절 가능한 공급홀이 형성된 팬 하우징; 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고 팬 하우징의 상하방향을 축으로 회전하도록 제공되는 팬; 내부에 유로가 형성된 링 형상으로 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고, 상기 팬을 감싸도록 제공되며, 상기 유로와 연결되는 다수개의 분사홀들이 형성된 가스 노즐; 및 상기 가스 노즐에 연결되어 상기 건조 가스를 공급하는 공급관을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPRATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 처리 용기; 상기 처리 용기를 수용하고 상부에 개구가 형성된 하우징; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛; 상기 처리 공간 방향으로 건조 가스와 외기를 공급하는 기류 공급 유닛; 및 상기 처리 용기와 상기 지지 유닛 간에 상대 높이가 변경되도록 상기 처리 용기 또는 상기 지지 유닛을 승하강 시키는 승강 유닛을 포함하되, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 하우징에 결합되며, 상기 하우징의 개구에 대응되도록 하부가 개방되고, 상부에 외기의 유입을 조절 가능한 공급홀이 형성된 팬 하우징; 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고 팬 하우징의 상하방향을 축으로 회전하도록 제공되는 팬; 내부에 유로가 형성된 링 형상으로 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고, 상기 팬을 감싸도록 제공되며, 상기 유로와 연결되는 다수개의 분사홀들이 형성된 가스 노즐; 및 상기 가스 노즐에 연결되어 상기 건조 가스를 공급하는 공급관을 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 가스 노즐의 분사홀은 하방을 향하도록 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 분사홀은 균일한 간격으로 제공 될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 가스 노즐에 위치되어, 상기 가스 노즐과 열 교환 가능하게 제공되는 온도 조절기를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은 상기 공급홀을 개폐하는 도어를 더 포함 할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 도어가 슬라이딩 운동하도록 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함하고, 상기 도어에는 상기 팬 하우징의 상기 공급홀에 대응되는 홀이 형성되며, 상기 도어를 슬라이딩 이동시켜 상기 공급홀과 상기 홀의 위치를 상대 이동시켜 외기의 유입을 조절 할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는, 상기 처리 용기에 연결되는 배기관; 상기 배기관에 배기 압력을 제공하는 배기 부재; 및 일 예에 의하면, 상기 배기 부재와 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함 할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 기류 공급 유닛에서 공급되는 상기 건조 가스 또는 상기 외기의 양에 대응되는 양의 기체가 상기 처리 공간에서 배출되도록 상기 배기 부재를 제어하 할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방을 연장된 영역 내에 상기 팬이 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방을 연장된 영역 바깥에 상기 가스 노즐이 위치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판이 효율적으로 처리 될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 기류 공급 유닛의 저면도이다.
도 4는 기류 공급 유닛 및 배기 부재의 제어 관계를 나타내는 블록도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다.
도 2는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 처리 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 처리액 공급 유닛(370), 기류 공급 유닛(400)을 포함한다. 하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 유닛(340)은 처리 용기(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 포함한다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
처리액 공급 유닛(370)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(370)은 노즐 지지대(372), 노즐(374), 지지축(376), 그리고 구동기(378)를 가진다. 지지축(376)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(376)의 하단에는 구동기(378)가 결합된다. 구동기(378)는 지지축(376)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(372)는 구동기(378)와 결합된 지지축(376)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(374)은 노즐 지지대(372)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(374)은 구동기(378)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(374)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(374)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 처리액 공급 유닛(370)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 처리액 공급 유닛(370)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 처리액 공급 유닛(370)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
도 3은 기류 공급 유닛(400)의 저면도이다.
기류 공급 유닛(400)은 처리 공간에 하강 기류를 형성하도록 기류를 제공한다. 기류 공급 유닛(400)은 처리 공간과 대향되게 하우징(310)의 상부에 위치될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기류 공급 유닛(400)은 팬 하우징(410), 가스 노즐(420) 및 팬(480)을 포함한다.
팬 하우징(410)은 기류 공급 유닛(400)의 골격을 제공한다. 팬 하우징(410)은 하부가 개방되게 제공되어, 처리 공간과 연결되게 하우징(310)의 상부에 고정될 수 있다. 팬 하우징(410)의 둘레 형상은 원형, 타원형, 다각형 등으로 형성될 수 있다. 팬 하우징(410)의 상부에는 공급홀(411)이 하나 이상 형성되어 있을 수 있다. 공급홀(411)은 원형, 타원형, 다각형, 슬릿 모양 등으로 형성될 수 있다. 공급홀(411)을 통해 팬 하우징(410)의 내측으로 외기가 공급된다. 공급홀(411)은 개폐 가능하게 제공된다. 일 예로, 공급홀(411)에는 도어(440)가 제공될 수 있다. 도어(440)에는 공급홀(411)에 대응되는 홀이 형성되어 있을 수 있다. 그리고, 도어(440)는 구동기(450)에 의해 팬 하우징(410)에 대해 슬라이딩 되어, 공급홀(411)이 홀과 정렬되면 공급홀(411)은 개방될 수 있다. 도어(440) 및 구동기(450)는 팬 하우징(410)의 외측 또는 팬 하우징(410)의 내측에 위치될 수 있다.
가스 노즐(420)은 팬 하우징(410)의 내측에 위치된다. 가스 노즐(420)은 내측에 유로가 형성 링 형상으로 제공된다. 가스 노즐(420)은 다각형 또는 원형으로 제공될 수 있다. 가스 노즐(420)은 공급관(430)과 연결된다. 공급관(430)은 1개 또는 복수개가 연결될 수 있다. 공급관(430)은 가스 노즐(420)로 습도가 낮게 형성된 건조 가스를 공급한다. 그리고, 가스 노즐(420)의 하면에는 분사홀(421)들이 형성되어, 공급관(430)을 통해 가스 노즐(420)의 내측으로 공급된 건조 가스를 처리 공간으로 공급한다. 따라서, 건조 가스는 가스 노즐(420)의 내측에서 분배된 후, 분사홀(421)을 통해 균일하게 분사될 수 있다.
가스 노즐(420)에는 온도 조절기(425)가 제공된다. 온도 조절기(425)는 가스 노즐(420)과 열 교환 가능하게 제공되어, 가스 노즐(420)을 가열 또는 냉각할 수 있다. 또한, 온도 조절기(425)는 팬 하우징(410)의 내측 공간과도 열교환 가능하게 제공되어, 공급홀(411)을 통해 공급된 외기와도 열교환 할 수 있다. 일 예로, 온도 조절기(425)는 내측에 유체를 수용 가능한 형상으로 제공되어, 내측을 유동하는 유체를 통해 주위와 열 교환 가능할 수 있다. 또한, 온도 조절기(425)는 온도가 전기적으로 조절되어 가열 또는 냉각 시킬 수 있는 열전 소자일 수 있다. 또한, 온도 조절기(425)는 전기 저항열을 통해 주위를 가열하는 형태로 제공될 수 도 있다.
팬 하우징(410)의 내측에는 팬(480)이 위치된다. 팬(480)은 하강 기류를 형성하여, 가스 노즐(420)에서 분사되는 건조 가스 또는 외기를 하우징(310)의 내측 공간에 균일하게 공급할 수 있다.
처리 용기(320)는 배기관(390)에 연결된다. 그리고, 배기관(390)에는 배기 부재(391)가 위치된다. 배기 부재(391)는 배기관(390)의 배기 압력을 제공하여 처리 공간을 배기 시킨다. 따라서, 기판 처리 공정에서 발생하는 흄이 외부로 배출될 수 있다. 배기 부재(391)는 배기관(390)에 배기압을 제공하는 펌프일 수 있다. 또한, 배기 부재(391)는 펌프 및 배기관(390)을 개폐하는 밸브를 포함할 수 있다.
도 4는 기류 공급 유닛 및 배기 부재의 제어 관계를 나타내는 블록도이다.
도 4를 참조하면, 기류 공급 유닛(400) 및 배기 부재(391)는 제어기(500)에 의해 제어된다.
제어기(500)는 건조 가스의 공급이 차단된 상태에서, 외기만이 처리 공간으로 공급되도록 기류 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 이때, 기판은 제1처리액으로 처리되는 상태일 수 있다. 제1처리액에 의한 기판의 처리 정도는 기판 주위의 온도에 의해 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 제1처리액이 불화수소와 같은 산(acid)를 포함하여 산성을 띄는 경우, 기판의 처리 정도는 온도에 민감할 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(300)는 내부 공간으로 공급되는 외기의 온도가 온도 조절기(425)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절될 수 있다. 따라서, 처리액에 의한 기판 처리의 정도가 균일하게 유지될 수 있다.
또한, 제어기(500)는 건조 가스 및 외기가 함께 내부 공간으로 공급되도록 기류 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 이 때, 건조 가스 및 외기는 하나의 기류 공급 유닛(400)에 의해 동일 위치에서 내부 공간으로 공급된다. 이 때, 건조 가스는 가스 노즐(420)에 의해 균일하게 분포된 상태로 분사된다. 따라서, 외기 및 건조 가스는 팬 하우징(410)의 내측 공간 및 내부 공간으로 공급되는 과정에서 균일하게 혼합된 후 기판의 주위 공간으로 공급될 수 있다. 또한, 건조 가스와 외기는 온도 조절기(425)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태로 공급될 수 있다.
또한, 제어기(500)는 외기의 공급이 차단된 상태로 건조 가스만이 내부 공간으로 공급되도록 기류 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 또한, 건조 가스는 온도 조절기(425)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태로 공급될 수 있다.
또한, 제어기(500)는 기류 공급 유닛(400)과 연동하여 배기 부재(391)를 제어할 수 있다. 기류 공급 유닛(400)에 의해 공급되는 기체의 양은 상황에 따라 상이할 수 있다. 일 경우로, 건조 가스와 외기 가운데 하나만 공급되는 경우에 비해 건조 가스 및 외기가 혼합되어 공급되는 경우가 처리 공간에 공급되는 기체의 양이 많을 수 있다. 또 다른 경우로, 건조 가스는 가스에서 수분을 저감시키는 공정이 필요하여, 외기에 비해 공급되는 양이 적을 수 있다. 따라서, 외기만 공급되는 경우에 비해 건조 가스만 공급되는 경욱 처리 공간으로 공급되는 기체의 양이 적을 수 있다. 이와 같이 처리 공간으로 공급되는 기체의 양 변화는 처리 공간의 압력 변화를 야기할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 제어기(500)는 기류 공급 유닛(400)에 의해 공급되는 기체의 양에 따라 배기 부재(391)를 제어하여, 처리 공간의 압력이 설정 압력 또는 설정 범위의 압력을 유지하게 할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 인덱스 모듈 200: 공정 처리 모듈
300 : 기판 처리 장치 320 : 처리 용기
340 : 지지 유닛 360 : 승강 유닛
370 : 처리액 공급 유닛 400 : 기류 공급 유닛

Claims (10)

  1. 처리 공간을 가지는 처리 용기;
    상기 처리 용기를 수용하고 상부에 개구가 형성된 하우징;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛;
    상기 처리 공간 방향으로 건조 가스와 외기를 공급하는 기류 공급 유닛; 및
    상기 처리 용기와 상기 지지 유닛 간에 상대 높이가 변경되도록 상기 처리 용기 또는 상기 지지 유닛을 승하강 시키는 승강 유닛을 포함하되,
    상기 기류 공급 유닛은,
    상기 하우징에 결합되며, 상기 하우징의 개구에 대응되도록 하부가 개방되고, 상부에 외기의 유입을 조절 가능한 공급홀이 형성된 팬 하우징;
    상기 팬 하우징의 상기 공급홀에 대응되는 홀이 형성되며, 상기 공급홀과 상기 홀의 위치를 상대 이동시켜 상기 공급홀을 개폐하여 외기의 유입을 조절하는 도어;
    상기 도어에 구동력을 제공하는 구동기;
    상기 팬 하우징의 내측에 상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역의 하방에 위치되고 팬 하우징의 상하방향을 축으로 회전하도록 제공되는 팬;
    내부에 유로가 형성된 링 형상으로 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고, 상기 팬을 감싸도록 제공되며, 상기 유로와 연결되는 다수개의 분사홀들이 하방을 향해 형성된 가스 노즐;
    상기 가스 노즐에 위치되어, 상기 가스 노즐과 열 교환 가능하게 제공되는 온도 조절기;
    상기 가스 노즐에 연결되어 상기 건조 가스를 공급하는 공급관;
    상기 처리 용기에 연결되는 배기관;
    상기 배기관에 배기 압력을 제공하는 배기 부재; 및
    상기 배기 부재와 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    일정 수준 이상의 건조 환경이 필요한 경우에 상기 도어를 상기 공급홀을 폐쇄하는 방향으로 제어하여 상기 외기의 공급을 차단하고, 상기 건조 가스만을 공급하며,
    상기 기류 공급 유닛에서 공급되는 상기 건조 가스 또는 상기 외기의 양에 대응되는 양의 기체가 상기 처리 공간에서 배출되도록 상기 배기 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 분사홀은 균일한 간격으로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도어는 슬라이딩 이동되어 상기 공급홀과 상기 홀의 위치를 상대 이동되는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방으로 연장된 영역 바깥에 상기 가스 노즐이 위치되는 기판 처리 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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