KR20140046527A - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 세정 및 건조 처리하는 장치 및 방법를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 공정이 진행되는 처리공간을 제공하는 챔버 및 상기 처리공간에 온도 또는 습도가 조절된 에어를 공급하는 기체공급유닛을 포함하되, 상기 기체공급유닛은 내부에 버퍼공간이 제공되는 버퍼부, 상기 버퍼공간에 청정에어를 유입하는 유입포트, 상기 버퍼공간에 제공된 청정에어의 습도를 조절하는 습도조절부재, 그리고 상기 버퍼공간에서 습도가 조절된 청정에어를 상기 챔버에 송풍하는 팬을 포함하되, 상기 습도조절부재는 상기 버퍼공간에 건조에어를 공급하는 건조에어공급부 및 상기 버퍼공간에 공급되는 건조에어의 유량을 조절하는 조절밸브를 포함한다. 이로 인해 챔버 내에 온도 또는 습도가 조절된 에어를 제공하여 기판에 워터마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판을 세정 및 건조 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 사진, 식각, 애싱, 그리고 박막 증착 등 다양한 공정들이 수행된다. 이 같은 공정들은 기판 상의 회로 패턴이 미세화됨에 따라, 소자의 특성 및 생산수율이 파티클 및 오염물질에 더욱 민감하게 작용한다. 이로 인해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 파티클 및 오염물을 제거하기 위한 세정공정이 진행된다.
일반적으로 세정공정은 챔버 내에서 복수의 케미칼 공정, 린스공정, 그리고 건조공정이 순차적으로 진행된다. 도1은 일반적인 세정공정을 수행하는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도1과 같이 세정공정이 진행되는 중에는 챔버(310) 내에 청정공기를 다운플로우 시켜 공정 진행 시 발생되는 오염물질 및 퓸을 외부로 배기시킨다.
건조공정은 기판 상에 유기용제를 공급하는 공정을 수행한다. 이때 유기용제의 증발 시 기판으로부터 열을 뺏어가므로, 기판의 온도는 순간적으로 낮아지게 된다. 챔버(310) 내에 수분(H2O)은 낮아진 기판의 표면온도로 인해 응축되고, 기판의 표면에 이슬 형태로 맺히게 된다. 이로 인해 기판 상에는 워터마크를 형성되고, 패턴의 리닝현상을 발생된다.
한국 공개 특허 번호 제2007-0116598호
본 발명은 건조공정 시 기판 상에 워터마크가 발생되는 것을 방지하고자 한다.
또한 본 발명은 건조공정 시 기판 상에 형성된 패턴의 리닝현상을 최소화하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 세정 및 건조 처리하는 장치 및 방법를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 공정이 진행되는 처리공간을 제공하는 챔버 및 상기 처리공간에 온도 또는 습도가 조절된 에어를 공급하는 기체공급유닛을 포함하되, 상기 기체공급유닛은 내부에 버퍼공간이 제공되는 버퍼부, 상기 버퍼공간에 청정에어를 유입하는 유입포트, 상기 버퍼공간에 제공된 청정에어의 습도를 조절하는 습도조절부재, 그리고 상기 버퍼공간에서 습도가 조절된 청정에어를 상기 챔버에 송풍하는 팬을 포함하되, 상기 습도조절부재는 상기 버퍼공간에 건조에어를 공급하는 건조에어공급부 및 상기 버퍼공간에 공급되는 건조에어의 유량을 조절하는 조절밸브를 포함한다.
기판처리장치는 상기 처리공간의 습도를 측정하는 습도센서 및 상기 습도센서로부터 상기 처리공간의 습도 측정값을 제공받아 상기 조절밸브를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. 상기 기체공급유닛은 상기 버퍼공간에서 상기 챔버로 공급되는 상기 습도가 조절된 청정에어의 온도를 조절하는 온도조절부재를 더 포함할 수 있다.
또한 기판처리장치는 상기 처리공간의 온도를 측정하는 온도센서 및 상기 온도센서로부터 상기 처리공간의 온도 측정값을 제공받아 상기 온도조절부재를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 스핀헤드 및 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 액상의 유기용제를 공급하는 건조노즐을 포함할 수 있다.
기판으로 액상의 유기용제를 공급하여 상기 기판을 건조하는 기판처리방법은 청정에어에 건조에어를 혼합하여 습도가 조절된 혼합에어를 챔버 내에 위치된 상기 기판으로 공급한 상태에서 상기 기판으로 상기 액상의 유기용제를 공급한다.
상기 챔버 내에 습도를 측정하고, 측정된 습도값과 기설정된 습도값을 비교하여 상기 청정에어에 혼합되는 상기 건조에어의 유량을 조절할 수 있다. 상기 챔버 내에 온도를 측정하고, 측정된 온도값과 기설정된 온도값을 비교하여 상기 혼합에어의 온도를 조절할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내에 온도 또는 습도가 조절된 에어를 제공하여 기판에 워터마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내에 온도 또는 습도가 조절된 에어를 제공하여 패턴의 리닝현상을 최소화하고자 한다.
도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도2의 기체공급유닛에서 에어가 공급되는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도5는 도3의 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도2 내지 도5를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 기판처리부(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 기판처리부(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 기판처리부(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(260)들이 제공된다. 기판처리부(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판처리부(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 기판처리부(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 기판처리부(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 기판처리부(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 기판처리부(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판처리부(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 기판처리부(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판처리부(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 기판처리부(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 기판처리부(260) 간에, 그리고 기판처리부(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
기판처리부(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판처리부(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판처리부(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판처리부(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판처리부(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치는 기판에 대해 케미칼공정, 린스액공정, 그리고 건조공정을 순차적으로 수행한다. 기판처리장치(300)는 챔버(310), 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 분사유닛(380), 기체공급유닛(400), 센서유닛(510), 그리고 제어부(530)를 포함한다. 챔버(310)는 내부에 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(310)는 사각의 통 형상으로 제공되며, 상부면에는 홀이 형성된다. 홀은 하우징(320)과 대응되는 크기를 가지거나 이보다 크게 제공된다. 챔버(310)는 이송챔버(240)와 마주보는 일 면에 개구(312)가 형성된다. 개구(312)는 도어(314)에 의해 개폐된다. 개구(312)는 기판(W)이 반입 가능한 입구로서 기능한다.
하우징(320)은 챔버(310) 내에서 위치된다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 중간회수통(324)과 내부회수통(322)의 사이공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 약액을 배출한다. 배출된 약액은 외부의 약액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 액의 종류에 따라 액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사유닛(380)은 기판 상으로 복수의 액들을 분사한다. 분사유닛(380)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 분사유닛(380)은 지지축(386), 지지대(382), 그리고 노즐(384)을 포함한다. 지지축(386)은 하우징의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 지지대(382)는 노즐(384)을 지지한다. 지지대(382)는 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 노즐(384)이 고정 결합된다. 노즐(384)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 액은 케미칼, 린스액, 그리고 액상의 유기용제일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 그리고 암모니아(NH3) 등 강산의 액일 수 있다. 린스액은 탈이온수일 수 있다. 그리고 유기용제는 린스액에 비해 표면장력이 낮은 액일 수 있다. 유기용제는 이소프로필 알코올(IPA)일 수 있다.
기체공급유닛(400)은 챔버(310)의 내부에 온도 및 습도가 조절된 에어를 제공한다. 기체공급유닛(400)은 유입포트(420), 버퍼부(440), 습도조절부재(460), 온도조절부재(460), 팬(480), 그리고 판 플레이트를 포함한다. 유입포트(420), 습도조절부재(460), 버퍼부(440), 온도조절부재(460), 그리고 팬(480)은 덕트에 의해 서로 연결된다. 유입포트(420)에 의해 유입된 청정에어는 버퍼부(440), 온도조절부재(460), 그리고 팬(480)을 따라 순차적으로 흐른다. 습도조절부재(460)에서 공급된 건조에어는 버퍼부(440), 온도조절부재(460), 그리고 팬(480)을 따라 순차적으로 흐른다.
유입포트(420)는 챔버 외부에 위치한 대기 중의 에어를 기체공급유닛으로 유입한다. 유입포트(420)에는 필터가 제공되고, 필터는 대기 중의 에어에 불순물을 제거한다. 유입포트(420)를 통해 유입된 에어는 청정에어로 제공된다.
습도조절부재(460)는 수분이 제거된 건조에어를 버퍼부(440)에 공급한다. 습도조절부재(460)는 건조에어공급부(432) 및 조절밸브(434)를 포함한다. 건조에어공급부(432)는 내부에 건조에어를 저장한다. 조절밸브(434)는 건조에어공급부(432)와 버퍼부(440)를 연결하는 덕트를 개폐한다. 조절밸브(434)는 덕트를 개폐하여 건조에어의 유량을 조절할 수 있다.
유입포트(420)와 습도조절부재(460)는 버퍼부(440)에 연결된다. 버퍼부(440)는 유입포트(420)로부터 청정에어를 공급받고, 건조에어공급부(432)로부터 건조에어를 공급받는다. 버퍼부(440)는 내부에 버퍼공간을 제공한다. 버퍼공간은 유입포트(420)로부터 공급된 청정에어와 건조에어공급부(432)로부터 건조에어가 서로 혼합되는 공간으로 제공된다.
온도조절부재(460)는 청정에어와 건조에어가 혼합된 혼합에어를 가열 또는 냉각한다. 온도조절부재(460)는 버퍼부(440)와 챔버 사이에서 챔버로 공급되는 혼합에어를 가열 또는 냉각한다. 온도조절부재(460)는 가열부(460a) 및 냉각부(460b)를 포함한다. 가열부(460a)는 혼합에어를 가열하고, 냉각부(460b)는 혼합에어를 냉각시킨다.
팬(480)은 온도 및 습도가 조절된 혼합에어를 챔버(310) 내에 송풍한다. 팬(480)은 챔버(310)의 상단에 위치된다. 팬(480)은 하우징(320)의 직경과 대응되는 크기를 가진다. 팬(480)의 아래에는 판플레이트(490)가 위치된다. 판플레이트(490)는 상부가 개방된 원통 형상을 가진다. 판플레이트(490)는 팬(480)과 대응되는 직경을 가진다. 판플레이트(490)의 저면에는 복수의 타공들이 형성된다. 타공들은 혼합에어가 챔버(310) 내에 균일하게 공급되도록 일정 간격으로 형성될 수 있다.
센서유닛(510)은 챔버(310)의 내부 상태를 측정한다. 센서유닛(510)은 챔버의 내측벽에 위치된다. 센서유닛(510)은 온도센서(510b) 및 습도센서(510a)를 포함한다. 온도센서(510b)는 챔버의 내부 온도를 측정한다. 습도센서(510a)는 챔버(310)의 내부 습도를 측정한다.
제어부(530)는 센서유닛(510)으로부터 챔버(310)의 내부 상태에 대한 측정값을 제공받아 조절밸브(434) 및 온도조절부재(460)를 제어한다. 제어부(530)는 챔버의 내부 습도가 기설정습도로 유지되거나, 그 이하로 유지되도록 조절밸브(434)를 제어한다. 제어부(530)는 습도센서(510a)로부터 챔버의 습도 측정값을 제공받고, 습도 측정값을 기설정 습도값과 비교한다. 제어부(530)는 습도측정값이 기설정 습도값에 비해 높다고 판단되면, 조절밸브(434)의 개방률을 높혀 건조에어의 유량을 증가시킨다. 또한 제어부(530)는 챔버의 내부 온도가 기설정온도로 유지되거나, 그 이상으로 유지되도록 온도조절부재(460)를 제어한다. 제어부(530)는 온도센서(510b)로부터 챔버(310)의 온도 측정값을 제공받고, 온도 측정값을 기설정 온도값과 비교한다. 제어부(530)는 온도측정값이 기설정 온도값에 비해 낮다고 판단되면, 가열부(460a)에서 혼합에어에 제공되는 가열량을 증가시킨다.
챔버(310)의 내부 습도가 기설정 습도 이하로 내려감에 따라 챔버(310)에 제공된 수분(H2O)이 기판(W)과 접촉하여 응결되는 것을 최소화할 수 있다. 또한 챔버(310)의 내부 온도가 기설정 온도 이상으로 높아짐에 따라 기판(W)의 온도가 이슬점 이하로 낮아지는 것을 방지할 수 있다. 이는 건조공정 시 기판(W) 상에 제공된 유기용제가 증발되는 중에 기판(W)의 표면열을 빼앗을 수 있다. 이때 챔버(310)의 내부 온도를 기설정온도 또는 그 이상으로 유지함으로써, 기판(W)의 온도가 이슬점 이하로 낮아지는 것을 방지할 수 있다.
다음은 상술한 기판처리장치(300)를 이용하여 기판(W)을 세정하는 과정을 설명한다. 도4는 도2의 기체공급유닛에서 에어가 공급되는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도4를 참조하면, 인덱스로봇은 풉에 수납된 기판(W)을 반출하여 버퍼부(440)로 이송한다. 메인이송로봇(144)은 버퍼유닛(220)에 적재된 기판(W)을 챔버(310)로 이송한다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩되면, 하우징(320)은 내부회수통(322)의 유입구(322a)가 기판(W)에 대응되도록 높이를 조절한다. 기체공급유닛(400)은 챔버(310) 내에 혼합에어를 다운플로우시킨다. 케미칼공정이 진행되면, 스핀헤드(340)는 회전하고, 노즐(384)은 공정위치로 이동된다. 노즐(384)은 공정위치에서 기판(W)으로 약액을 분사한다. 케미칼공정이 완료되면, 기판(W) 상에 잔류하는 약액을 제거하기 위한 린스액공정이 진행된다. 하우징(320)은 중간회수통(324)의 유입구(324a) 또는 외부회수통(326)의 유입구(326a)가 기판(W)에 대응되도록 높이를 조절한다. 노즐(384)은 기판(W)으로 린스액을 분사한다. 린스액공정이 완료되면. 기판(W) 상에 잔류하는 린스액을 건조하기 위한 건조공정이 진행된다. 센서유닛(510)은 챔버(310)의 내부 온도 및 습도를 측정하고 그 측정값을 제어부(530)로 전송한다. 제어부(530)는 챔버(310)의 내부 온도 및 습도를 기설정 온도 및 습도와 비교하고, 온도조절부재(460) 및 조절밸브(434)를 제어한다. 챔버(310)의 내부에는 그 온도 및 습도가 기설정 온도 및 습도로 유지될 수 있는 혼합에어가 제공된다. 혼합에어가 챔버(310)에 공급되는 상태에서 노즐(384)은 기판(W)으로 유기용제를 분사한다. 기판(W)의 건조공정이 완료되면, 메인이송로봇(244)은 기판(W)을 언로딩하여 버퍼유닛(220)로 이송한다. 인덱스로봇(144)은 버퍼유닛(220)에 적재된 기판(W)을 풉(18)으로 이송한다.
도5는 도3의 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 도5에 의하면, 가열부(460a)는 버퍼부(440)에 설치되어 버퍼공간을 가열할 수 있다. 가열부(460a)는 버퍼부(440)에 설치된 히터(460a)로 제공될 수 있다. 이로 인해 버퍼공간에서 혼합되는 청정에어와 건조에어는 그 혼합되는 속도가 향상될 수 있다.
310: 챔버 400: 기체공급유닛
420: 유입포트 430: 습도조절부재
432: 건조에어공급부 434: 조절밸브
440: 버퍼부 480: 팬

Claims (2)

  1. 내부에 공정이 진행되는 처리공간을 제공하는 챔버와;
    상기 처리공간에 온도 또는 습도가 조절된 에어를 공급하는 기체공급유닛을 포함하되,
    상기 기체공급유닛은,
    내부에 버퍼공간이 제공되는 버퍼부와;
    상기 버퍼공간에 청정에어를 유입하는 유입포트와;
    상기 버퍼공간에 제공된 청정에어의 습도를 조절하는 습도조절부재와;
    상기 버퍼공간에서 습도가 조절된 청정에어를 상기 챔버에 송풍하는 팬을 포함하되,
    상기 습도조절부재는,
    상기 버퍼공간에 건조에어를 공급하는 건조에어공급부와;
    상기 버퍼공간에 공급되는 건조에어의 유량을 조절하는 조절밸브를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리공간의 습도를 측정하는 습도센서와;
    상기 습도센서로부터 상기 처리공간의 습도 측정값을 제공받아 상기 조절밸브를 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판처리장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170056967A (ko) * 2015-11-16 2017-05-24 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치
KR20180033848A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 멜콘 주식회사 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템
KR20180081700A (ko) * 2018-07-09 2018-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20190024676A (ko) * 2017-08-31 2019-03-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20210047448A (ko) 2019-10-22 2021-04-30 무진전자 주식회사 반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템
KR102267012B1 (ko) * 2020-07-20 2021-06-17 김현일 디스플레이 진공 열 증착용 유기물 분말 토출장치 및 토출장치를 구비한 토출 시스템
KR20230097311A (ko) 2021-12-24 2023-07-03 엘에스이 주식회사 광원을 이용한 챔버 내부 온도 및 조명 모드 관리 시스템

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200193A (ja) 2008-02-21 2009-09-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170056967A (ko) * 2015-11-16 2017-05-24 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치
KR20180033848A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 멜콘 주식회사 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템
KR20190024676A (ko) * 2017-08-31 2019-03-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN109599322A (zh) * 2017-08-31 2019-04-09 株式会社斯库林集团 基板处理方法及基板处理装置
US10784126B2 (en) 2017-08-31 2020-09-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20180081700A (ko) * 2018-07-09 2018-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20210047448A (ko) 2019-10-22 2021-04-30 무진전자 주식회사 반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템
KR102267012B1 (ko) * 2020-07-20 2021-06-17 김현일 디스플레이 진공 열 증착용 유기물 분말 토출장치 및 토출장치를 구비한 토출 시스템
KR20230097311A (ko) 2021-12-24 2023-07-03 엘에스이 주식회사 광원을 이용한 챔버 내부 온도 및 조명 모드 관리 시스템

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