JP3550507B2 - 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 - Google Patents
被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3550507B2 JP3550507B2 JP08250499A JP8250499A JP3550507B2 JP 3550507 B2 JP3550507 B2 JP 3550507B2 JP 08250499 A JP08250499 A JP 08250499A JP 8250499 A JP8250499 A JP 8250499A JP 3550507 B2 JP3550507 B2 JP 3550507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- rinsing
- neutralizing
- solution
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薬液洗浄後の半導体ウェーハやLCD用ガラスなどの被洗浄体のすすぎ方法とその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4に、従来の薬液洗浄とそのすすぎ装置を示す。
洗浄対象となる半導体ウェーハやLCD用ガラスなどの被洗浄物Wを洗浄薬液11で満たされた薬液槽12内に浸漬するとともに、薬液槽12から溢れ出て薬液回収槽13に貯溜されている洗浄薬液11を循環ポンプ14、循環フィルタ15によって循環し、噴流パイプ15から被洗浄物Wに向けて噴射することにより被洗浄物Wの表面に付着した薬液の洗浄を行なう。次いで、薬液洗浄の終了した被洗浄物Wをすすぎ用の純水21で満たされた連続注水式のすすぎ槽22内に運び込んで浸漬した後、純水循環路29を介して噴流パイプ23からすすぎ用の純水を被洗浄物Wに向けて噴射することにより、被洗浄物Wに付着している洗浄薬液をすすぎ落とすものである。なお、すすぎ槽22から溢れ出るすすぎ後の純水は純水回収槽24で回収され、槽外へ排出される。
【0003】
上記洗浄薬液11としては種々のものが知られているが、例えば、酸系の洗浄薬液としては下記組成になるSPM液やHPM液が、また、アルカリ系の洗浄薬液としては下記組成になるAPM液などがそれぞれ広く用いられている。
SPM液:硫酸と過酸化水素水の混合液
(Sulfuric acid−Hydrogen Peroxide Mixture)
HPM液:塩酸と過酸化水素水の混合液
(Hydrochloric acid−Hydrogen Peroxide Mixture)
APM液:アンモニアと過酸化水素水の混合液
(Ammonia−Hydrogen Peroxide Mixture)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のすすぎ方法の場合、次のような問題があった。
(1)純水に溶けにくい洗浄薬液では多量の純水を必要とする。
(2)被洗浄体の大口径化に伴ってすすぎ槽に持ち込まれる洗浄薬液の量が増加し、さらに多量の純水を必要とする傾向にある。
(3)純水だけでは被洗浄体に付着した洗浄薬液を完全に除去できない。
【0005】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、純水の使用量を大幅に低減できるとともに、付着した洗浄薬液もほぼ完全に除去することのできる被洗浄体のすすぎ方法と装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明方法は、酸またはアルカリ性の洗浄薬液で洗浄した後の被洗浄体を純水を満たしたすすぎ槽中に浸漬し、純水を連続注水しながら被洗浄体表面に付着した洗浄薬液をすすぎ落とすようにした被洗浄体のすすぎ方法であって、前記純水によるすすぎ開始後において、前記洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するようにしたものである。
【0007】
また、本発明装置は、すすぎ用の純水を満たした連続注水式のすすぎ槽と、
洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を貯蔵した中和薬液槽と、該中和薬液槽に貯蔵された中和薬液を前記すすぎ槽内の純水中に注入添加する中和薬液注入手段と、純水によるすすぎ開始後に中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するように前記中和薬液注入手段の動作を制御する制御手段とを備えることにより構成したものである。
【0008】
本発明の場合、中和薬液槽に貯蔵されている中和薬液を中和薬液注入手段,制御手段を用いてすすぎ槽の純水中に注入添加する。これによって、被洗浄体に付着してすすぎ槽内に持ち込まれた洗浄薬液は中和され、純水に溶けやすい塩となってオバーフローする純水とともに外部へ排出される。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1に本発明の一実施形態を示す。なお、図中、前述した従来例(図4)と同一もしくは相当部分には同一の符号を付して示した。
【0010】
本発明は、図示するように、前述した従来例と同一の構成において、すすぎ槽22側に洗浄薬液11を中和するための中和薬液26を貯蔵した中和薬液槽25を付設し、この中和薬液26をポンプコントローラ27の制御の下に中和薬液注入ポンプ28から純水供給路29に注入し、すすぎ槽22内の純水21に添加するように構成したものである。このように洗浄薬液11とは反対のアルカリまたは酸性の中和薬液2を添加してやることにより、被洗浄体Wに付着してすすぎ槽22内に持ち込まれた洗浄薬液を中和し、純水21に溶けやすい塩に変えてオバーフローする純水21とともに外部へ排出するようにしたものである。
【0011】
例えばいま、洗浄薬液11として硫酸(H2 SO4 )を主成分とする酸系のSPM液を用いた場合を例に採ると、中和薬液26としてはアルカリ性のアンモニア水溶液(NH4 OH)を用い、このアンモニア水溶液をすすぎ槽22内の純水21中に適量添加してやる。これによって、すすぎ槽22内では、
H2 SO4 +2NH4 OH → (NH4)2 SO4 +2H2 O
のような中和反応が起こり、硫酸は硫酸アンモニウム((NH4)2 SO4 )に変わり、すすぎ槽22からオーバーフローする純水21と一緒になって純水回収槽24へ排出される。
【0012】
また、洗浄薬液11としてアンモニア水溶液(NH4 OH)を主成分とするアルカリ系のAPM液を用いた場合には、中和薬液26としては酸性の硫酸(H2 SO4 )を用いればよい。この硫酸をすすぎ槽22内の純水21中に適量添加してやることによって、すすぎ槽22内では、
2NH4 OH+H2 SO4 → (NH4)2 SO4 +2H2O
のような中和反応が起こり、アンモニアは硫酸アンモニウム((NH4)2 SO4 )に変わり、純水回収槽24へオーバーフローする純水21と一緒になって外部へ排出される。
【0013】
上記のようにして、すすぎ槽22内の純水21に洗浄薬液11とは反対のアルカリまたは酸性の中和薬液26を添加してやることにより、被洗浄物に付着してすすぎ槽22内に持ち込まれた洗浄薬液を確実かつ容易に取り除くことができる。このため、すすぎに使用する純水21の量を大幅に低減することができるとともに、被洗浄体Wに付着している洗浄薬液11もより完全に取り除くことができる。
【0014】
なお、前記中和薬液26の注入量と注入タイミングは、薬液槽12およびすすぎ槽22の容積、被洗浄体Wの大きさと表面性状、洗浄薬液11の種類、純水21の注水流量などによって異なり、例えば、すすぎ開始時に中和薬液を1回で全量投入する方法、時間経過に従って分割投入する方法、時間経過に従って一定流量または所定流量曲線に沿って連続投入する方法など、種々の方法を採用することができる。最も簡単には、予め実験などによって、使用する洗浄・すすぎ装置にとって最良の注入量と注入タイミングを求めておき、それに従ってポンプコントローラ27により中和薬液注入ポンプ28を制御すればよい。
【0015】
【実施例】
図1の構成になる洗浄・すすぎ装置を用い、口径12インチ(約30cm)のシリコンウェーハの洗浄とすすぎを行なった場合のすすぎ槽22内の純水21の比抵抗値の変化の測定結果を図2に示す。比抵抗値が大きい程、より純水に近いことを示している。ちなみに、理論的超純水では比抵抗値約18.25MΩ・cmである。なお、洗浄薬液11としてはSPM液(硫酸:過酸化水素水の容積配合比=1:5)を用い、中和薬液26としてはアンモニア水溶液(NH4 OH)を用いた。また、中和薬液26はその全量を一回で純水中に注入添加した。
【0016】
この図2から明らかなように、中和薬液を添加した場合(曲線b,c)、添加しない場合(曲線a)に比べて純水中の洗浄薬液が格段に早く除去されていることが分かる。なお、すすぎ開始から10分経過後に中和薬液を添加した方(曲線c)がすすぎ開始と同時に添加する場合(曲線b)よりも洗浄薬液の除去効果が高いが、これはすすぎ開始と同時に中和薬液を添加した場合には、被洗浄体Wの表面に付着した洗浄薬液が純水によってすすぎ落とされる前に、添加した中和薬液がオーバーフローする純水と一緒に流れ出ていってしまうことによるものと考えられる。
【0017】
シリコンウェーハのすすぎ終了の判定は、すすぎ槽内の純水の比抵抗値が10MΩ・cm程度まで回復したか否かで行なっているのが一般的である。図2において、この比抵抗値10MΩ・cm位置ですすぎ終了を判定した場合、中和薬液を添加しないときは約25分、すすぎ開始と同時に中和薬液を添加したときは約21分、すすぎ開始から10分経過後に中和薬液を添加したときは約17分となる。したがって、すすぎ開始から10分経過後に中和薬液を添加した場合(曲線c)には、中和薬液を添加しない場合(曲線a)に比べてすすぎ時間を約30%短縮することができる。したがってまた、純水の使用量も30%低減することができる。
【0018】
図3に、シリコンウェーハ表面の薬液残留量の測定結果を示す。なお、薬液残留量は硫酸イオン(SO4 −2)の量で測定した。この図3から明らかなように、中和薬液を添加してやることにより、シリコンウェーハ表面の薬液残留量も格段に低下していることが分かる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る被洗浄体のすすぎ方法によるときは、純水によるすすぎ開始後において、洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するようにしたので、被洗浄体に付着してすすぎ槽内に持ち込まれた洗浄薬液を中和し、純水に溶けやすい塩に変えてオーバーフローする純水とともに外部へ排出することができる。このため、すすぎ用の純水の使用量を大幅に低減できるとともに、付着した洗浄薬液もほぼ完全に除去することができ、優れたすすぎ効果を発揮することができる。
【0020】
また、本発明に係る被洗浄体のすすぎ装置によるときは、すすぎ用の純水を満たした連続注水式のすすぎ槽と、洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を貯蔵した中和薬液槽と、該中和薬液槽に貯蔵された中和薬液を前記すすぎ槽内の純水中に注入添加する中和薬液注入手段と、純水によるすすぎ開始後に中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するように前記中和薬液注入手段の動作を制御する制御手段とを備えることにより構成したので、従来の装置に比べて純水の使用量が格段に少なく、しかもすすぎ時間も格段に短いすすぎ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の説明図である。
【図2】本発明によってシリコンウェーハのすすぎを行なった時の純水の比抵抗値の変化の測定結果を示す図である。
【図3】本発明によってシリコンウェーハのすすぎを行なった時のウェーハ表面の硫酸イオンの残留量の測定結果を示す図である。
【図4】従来例の説明図である。
【符号の説明】
11 洗浄薬液
12 薬液槽
13 薬液回収槽
14 循環ポンプ
15 循環フィルタ
16 噴流パイプ
21 純水
22 すすぎ槽
23 噴流パイプ
24 純水回収槽
25 中和薬液槽
26 中和薬液
27 ポンプコントローラ(制御手段)
28 中和薬液注入ポンプ(中和薬液注入手段)
29 純水供給路
W 被洗浄体
【発明の属する技術分野】
本発明は、薬液洗浄後の半導体ウェーハやLCD用ガラスなどの被洗浄体のすすぎ方法とその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4に、従来の薬液洗浄とそのすすぎ装置を示す。
洗浄対象となる半導体ウェーハやLCD用ガラスなどの被洗浄物Wを洗浄薬液11で満たされた薬液槽12内に浸漬するとともに、薬液槽12から溢れ出て薬液回収槽13に貯溜されている洗浄薬液11を循環ポンプ14、循環フィルタ15によって循環し、噴流パイプ15から被洗浄物Wに向けて噴射することにより被洗浄物Wの表面に付着した薬液の洗浄を行なう。次いで、薬液洗浄の終了した被洗浄物Wをすすぎ用の純水21で満たされた連続注水式のすすぎ槽22内に運び込んで浸漬した後、純水循環路29を介して噴流パイプ23からすすぎ用の純水を被洗浄物Wに向けて噴射することにより、被洗浄物Wに付着している洗浄薬液をすすぎ落とすものである。なお、すすぎ槽22から溢れ出るすすぎ後の純水は純水回収槽24で回収され、槽外へ排出される。
【0003】
上記洗浄薬液11としては種々のものが知られているが、例えば、酸系の洗浄薬液としては下記組成になるSPM液やHPM液が、また、アルカリ系の洗浄薬液としては下記組成になるAPM液などがそれぞれ広く用いられている。
SPM液:硫酸と過酸化水素水の混合液
(Sulfuric acid−Hydrogen Peroxide Mixture)
HPM液:塩酸と過酸化水素水の混合液
(Hydrochloric acid−Hydrogen Peroxide Mixture)
APM液:アンモニアと過酸化水素水の混合液
(Ammonia−Hydrogen Peroxide Mixture)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のすすぎ方法の場合、次のような問題があった。
(1)純水に溶けにくい洗浄薬液では多量の純水を必要とする。
(2)被洗浄体の大口径化に伴ってすすぎ槽に持ち込まれる洗浄薬液の量が増加し、さらに多量の純水を必要とする傾向にある。
(3)純水だけでは被洗浄体に付着した洗浄薬液を完全に除去できない。
【0005】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、純水の使用量を大幅に低減できるとともに、付着した洗浄薬液もほぼ完全に除去することのできる被洗浄体のすすぎ方法と装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明方法は、酸またはアルカリ性の洗浄薬液で洗浄した後の被洗浄体を純水を満たしたすすぎ槽中に浸漬し、純水を連続注水しながら被洗浄体表面に付着した洗浄薬液をすすぎ落とすようにした被洗浄体のすすぎ方法であって、前記純水によるすすぎ開始後において、前記洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するようにしたものである。
【0007】
また、本発明装置は、すすぎ用の純水を満たした連続注水式のすすぎ槽と、
洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を貯蔵した中和薬液槽と、該中和薬液槽に貯蔵された中和薬液を前記すすぎ槽内の純水中に注入添加する中和薬液注入手段と、純水によるすすぎ開始後に中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するように前記中和薬液注入手段の動作を制御する制御手段とを備えることにより構成したものである。
【0008】
本発明の場合、中和薬液槽に貯蔵されている中和薬液を中和薬液注入手段,制御手段を用いてすすぎ槽の純水中に注入添加する。これによって、被洗浄体に付着してすすぎ槽内に持ち込まれた洗浄薬液は中和され、純水に溶けやすい塩となってオバーフローする純水とともに外部へ排出される。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1に本発明の一実施形態を示す。なお、図中、前述した従来例(図4)と同一もしくは相当部分には同一の符号を付して示した。
【0010】
本発明は、図示するように、前述した従来例と同一の構成において、すすぎ槽22側に洗浄薬液11を中和するための中和薬液26を貯蔵した中和薬液槽25を付設し、この中和薬液26をポンプコントローラ27の制御の下に中和薬液注入ポンプ28から純水供給路29に注入し、すすぎ槽22内の純水21に添加するように構成したものである。このように洗浄薬液11とは反対のアルカリまたは酸性の中和薬液2を添加してやることにより、被洗浄体Wに付着してすすぎ槽22内に持ち込まれた洗浄薬液を中和し、純水21に溶けやすい塩に変えてオバーフローする純水21とともに外部へ排出するようにしたものである。
【0011】
例えばいま、洗浄薬液11として硫酸(H2 SO4 )を主成分とする酸系のSPM液を用いた場合を例に採ると、中和薬液26としてはアルカリ性のアンモニア水溶液(NH4 OH)を用い、このアンモニア水溶液をすすぎ槽22内の純水21中に適量添加してやる。これによって、すすぎ槽22内では、
H2 SO4 +2NH4 OH → (NH4)2 SO4 +2H2 O
のような中和反応が起こり、硫酸は硫酸アンモニウム((NH4)2 SO4 )に変わり、すすぎ槽22からオーバーフローする純水21と一緒になって純水回収槽24へ排出される。
【0012】
また、洗浄薬液11としてアンモニア水溶液(NH4 OH)を主成分とするアルカリ系のAPM液を用いた場合には、中和薬液26としては酸性の硫酸(H2 SO4 )を用いればよい。この硫酸をすすぎ槽22内の純水21中に適量添加してやることによって、すすぎ槽22内では、
2NH4 OH+H2 SO4 → (NH4)2 SO4 +2H2O
のような中和反応が起こり、アンモニアは硫酸アンモニウム((NH4)2 SO4 )に変わり、純水回収槽24へオーバーフローする純水21と一緒になって外部へ排出される。
【0013】
上記のようにして、すすぎ槽22内の純水21に洗浄薬液11とは反対のアルカリまたは酸性の中和薬液26を添加してやることにより、被洗浄物に付着してすすぎ槽22内に持ち込まれた洗浄薬液を確実かつ容易に取り除くことができる。このため、すすぎに使用する純水21の量を大幅に低減することができるとともに、被洗浄体Wに付着している洗浄薬液11もより完全に取り除くことができる。
【0014】
なお、前記中和薬液26の注入量と注入タイミングは、薬液槽12およびすすぎ槽22の容積、被洗浄体Wの大きさと表面性状、洗浄薬液11の種類、純水21の注水流量などによって異なり、例えば、すすぎ開始時に中和薬液を1回で全量投入する方法、時間経過に従って分割投入する方法、時間経過に従って一定流量または所定流量曲線に沿って連続投入する方法など、種々の方法を採用することができる。最も簡単には、予め実験などによって、使用する洗浄・すすぎ装置にとって最良の注入量と注入タイミングを求めておき、それに従ってポンプコントローラ27により中和薬液注入ポンプ28を制御すればよい。
【0015】
【実施例】
図1の構成になる洗浄・すすぎ装置を用い、口径12インチ(約30cm)のシリコンウェーハの洗浄とすすぎを行なった場合のすすぎ槽22内の純水21の比抵抗値の変化の測定結果を図2に示す。比抵抗値が大きい程、より純水に近いことを示している。ちなみに、理論的超純水では比抵抗値約18.25MΩ・cmである。なお、洗浄薬液11としてはSPM液(硫酸:過酸化水素水の容積配合比=1:5)を用い、中和薬液26としてはアンモニア水溶液(NH4 OH)を用いた。また、中和薬液26はその全量を一回で純水中に注入添加した。
【0016】
この図2から明らかなように、中和薬液を添加した場合(曲線b,c)、添加しない場合(曲線a)に比べて純水中の洗浄薬液が格段に早く除去されていることが分かる。なお、すすぎ開始から10分経過後に中和薬液を添加した方(曲線c)がすすぎ開始と同時に添加する場合(曲線b)よりも洗浄薬液の除去効果が高いが、これはすすぎ開始と同時に中和薬液を添加した場合には、被洗浄体Wの表面に付着した洗浄薬液が純水によってすすぎ落とされる前に、添加した中和薬液がオーバーフローする純水と一緒に流れ出ていってしまうことによるものと考えられる。
【0017】
シリコンウェーハのすすぎ終了の判定は、すすぎ槽内の純水の比抵抗値が10MΩ・cm程度まで回復したか否かで行なっているのが一般的である。図2において、この比抵抗値10MΩ・cm位置ですすぎ終了を判定した場合、中和薬液を添加しないときは約25分、すすぎ開始と同時に中和薬液を添加したときは約21分、すすぎ開始から10分経過後に中和薬液を添加したときは約17分となる。したがって、すすぎ開始から10分経過後に中和薬液を添加した場合(曲線c)には、中和薬液を添加しない場合(曲線a)に比べてすすぎ時間を約30%短縮することができる。したがってまた、純水の使用量も30%低減することができる。
【0018】
図3に、シリコンウェーハ表面の薬液残留量の測定結果を示す。なお、薬液残留量は硫酸イオン(SO4 −2)の量で測定した。この図3から明らかなように、中和薬液を添加してやることにより、シリコンウェーハ表面の薬液残留量も格段に低下していることが分かる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る被洗浄体のすすぎ方法によるときは、純水によるすすぎ開始後において、洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するようにしたので、被洗浄体に付着してすすぎ槽内に持ち込まれた洗浄薬液を中和し、純水に溶けやすい塩に変えてオーバーフローする純水とともに外部へ排出することができる。このため、すすぎ用の純水の使用量を大幅に低減できるとともに、付着した洗浄薬液もほぼ完全に除去することができ、優れたすすぎ効果を発揮することができる。
【0020】
また、本発明に係る被洗浄体のすすぎ装置によるときは、すすぎ用の純水を満たした連続注水式のすすぎ槽と、洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を貯蔵した中和薬液槽と、該中和薬液槽に貯蔵された中和薬液を前記すすぎ槽内の純水中に注入添加する中和薬液注入手段と、純水によるすすぎ開始後に中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するように前記中和薬液注入手段の動作を制御する制御手段とを備えることにより構成したので、従来の装置に比べて純水の使用量が格段に少なく、しかもすすぎ時間も格段に短いすすぎ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の説明図である。
【図2】本発明によってシリコンウェーハのすすぎを行なった時の純水の比抵抗値の変化の測定結果を示す図である。
【図3】本発明によってシリコンウェーハのすすぎを行なった時のウェーハ表面の硫酸イオンの残留量の測定結果を示す図である。
【図4】従来例の説明図である。
【符号の説明】
11 洗浄薬液
12 薬液槽
13 薬液回収槽
14 循環ポンプ
15 循環フィルタ
16 噴流パイプ
21 純水
22 すすぎ槽
23 噴流パイプ
24 純水回収槽
25 中和薬液槽
26 中和薬液
27 ポンプコントローラ(制御手段)
28 中和薬液注入ポンプ(中和薬液注入手段)
29 純水供給路
W 被洗浄体
Claims (2)
- 酸またはアルカリ性の洗浄薬液で洗浄した後の被洗浄体を純水を満たしたすすぎ槽中に浸漬し、純水を連続注水しながら被洗浄体表面に付着した洗浄薬液をすすぎ落とすようにした被洗浄体のすすぎ方法であって、
前記純水によるすすぎ開始後において、前記洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加することを特徴とする被洗浄体のすすぎ方法。 - すすぎ用の純水を満たした連続注水式のすすぎ槽と、
洗浄薬液とは反対のアルカリまたは酸性からなる中和薬液を貯蔵した中和薬液槽と、
該中和薬液槽に貯蔵された中和薬液を前記すすぎ槽内の純水中に注入添加する中和薬液注入手段と、
純水によるすすぎ開始後に中和薬液を所定のタイミングで純水中に添加するように前記中和薬液注入手段の動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする被洗浄体のすすぎ装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08250499A JP3550507B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 |
TW089104682A TW457577B (en) | 1999-03-25 | 2000-03-15 | Method for rinsing cleaned object and apparatus therefor |
GB0006847A GB2348120B (en) | 1999-03-25 | 2000-03-21 | Method for rinsing clean object and apparatus therefor |
KR10-2000-0015042A KR100479310B1 (ko) | 1999-03-25 | 2000-03-24 | 피세정체의 헹굼 방법 및 그 장치 |
US10/645,773 US20040099289A1 (en) | 1999-03-25 | 2003-08-21 | Method for rinsing cleaned objects |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08250499A JP3550507B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000277474A JP2000277474A (ja) | 2000-10-06 |
JP3550507B2 true JP3550507B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=13776344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08250499A Expired - Fee Related JP3550507B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040099289A1 (ja) |
JP (1) | JP3550507B2 (ja) |
KR (1) | KR100479310B1 (ja) |
GB (1) | GB2348120B (ja) |
TW (1) | TW457577B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060043073A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
US7402553B1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-22 | Perry Stephen C | Method for preparing a buffered acid composition |
JP5484966B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-05-07 | 三菱重工食品包装機械株式会社 | 資源並びにエネルギー消費節約の洗壜機およびその使用方法 |
JP6507433B2 (ja) * | 2015-06-19 | 2019-05-08 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
JP7252003B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2023-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3898351A (en) * | 1972-05-26 | 1975-08-05 | Ibm | Substrate cleaning process |
US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
US4599116A (en) * | 1984-11-08 | 1986-07-08 | Parker Chemical Company | Alkaline cleaning process |
IL78694A0 (en) * | 1985-06-24 | 1986-08-31 | Usm Corp | Harmonic drive assembly |
US4713119A (en) * | 1986-03-20 | 1987-12-15 | Stauffer Chemical Company | Process for removing alkali metal aluminum silicate scale deposits from surfaces of chemical process equipment |
JPS62288700A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | 山崎 博 | 漬け込み、漬け置き洗浄に好適な洗剤と洗浄方法 |
US5269850A (en) * | 1989-12-20 | 1993-12-14 | Hughes Aircraft Company | Method of removing organic flux using peroxide composition |
US5645649A (en) * | 1992-02-05 | 1997-07-08 | Cole, Jr.; Howard W. | Method for proportioning the flow of foaming and defoaming agents and controlling foam formation |
JPH06181196A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの水洗装置 |
US5336371A (en) * | 1993-03-18 | 1994-08-09 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow |
US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
AU7221294A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-28 | Semitool, Inc. | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles |
US5656097A (en) * | 1993-10-20 | 1997-08-12 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
JP3326644B2 (ja) * | 1993-11-16 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | シリコン系材料層の加工方法 |
US5853491A (en) * | 1994-06-27 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
US5885901A (en) * | 1994-08-11 | 1999-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Rinsing solution after resist stripping process and method for manufacturing semiconductor device |
JP3311203B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法 |
KR100429440B1 (ko) * | 1995-07-27 | 2004-07-15 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 기체의표면처리방법및그에사용되는표면처리조성물 |
JP3755776B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2006-03-15 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
DE69613476T2 (de) * | 1996-12-09 | 2002-04-18 | Imec Inter Uni Micro Electr | Metallspülungsverfahren mit kontrollierter Metallmikrokorrosionsreduktion |
US5968848A (en) * | 1996-12-27 | 1999-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment |
US6074935A (en) * | 1997-06-25 | 2000-06-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of reducing the formation of watermarks on semiconductor wafers |
JP3036478B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | ウェハの洗浄及び乾燥方法 |
DE19738147C2 (de) * | 1997-09-01 | 2002-04-18 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren zum Behandeln von Substraten |
US6319331B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-11-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for processing semiconductor substrate |
JP3920429B2 (ja) * | 1997-12-02 | 2007-05-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
US5913981A (en) * | 1998-03-05 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall |
US6162302A (en) * | 1999-11-16 | 2000-12-19 | Agilent Technologies | Method of cleaning quartz substrates using conductive solutions |
FR2801815B1 (fr) * | 1999-12-07 | 2002-02-15 | St Microelectronics Sa | Dispositif de rincage de plaquettes semiconductrices |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP08250499A patent/JP3550507B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-15 TW TW089104682A patent/TW457577B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-21 GB GB0006847A patent/GB2348120B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-24 KR KR10-2000-0015042A patent/KR100479310B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-08-21 US US10/645,773 patent/US20040099289A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000063013A (ko) | 2000-10-25 |
KR100479310B1 (ko) | 2005-03-25 |
TW457577B (en) | 2001-10-01 |
GB2348120A (en) | 2000-09-27 |
JP2000277474A (ja) | 2000-10-06 |
GB0006847D0 (en) | 2000-05-10 |
GB2348120B (en) | 2002-12-31 |
US20040099289A1 (en) | 2004-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001015474A (ja) | 半導体ウエハの超音波洗浄用脱イオン水の脱ガス処理方法及びそのための装置 | |
JPH08187474A (ja) | 洗浄方法 | |
EP1181112B1 (en) | Temperature controlled gassification of deionized water for megasonic cleaning of semiconductor wafers | |
KR20110007092A (ko) | 전자 재료용 세정수, 전자 재료의 세정 방법 및 가스 용해수의 공급 시스템 | |
JP3550507B2 (ja) | 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 | |
KR101484078B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 | |
TWI249766B (en) | Wafer cleaning method and equipment | |
CN109604238A (zh) | 一种多晶硅清洗方法及清洗装置 | |
CN207993803U (zh) | 用于化学处理带有被锯割形成的表面结构的半导体衬底的设备 | |
JPH10303171A (ja) | 半導体ウェーハのウエット処理方法及びウエット処理装置 | |
JPH01135024A (ja) | 洗浄方法 | |
TWI244134B (en) | Device and method for removing metal in etchant, device and method for etching semiconductor substrate, and etchant for semiconductor substrate | |
JP4752117B2 (ja) | 半導体ウェハ上の粒子を除去する方法 | |
JP4475781B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH08168729A (ja) | 新規な洗浄方法 | |
JP3473662B2 (ja) | ウェット式洗浄装置 | |
JP2002001243A (ja) | 電子材料の洗浄方法 | |
JP3136606B2 (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
JP2000164547A (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP3454302B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPH11265867A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR100478289B1 (ko) | 개선된 기체혼합수단을 갖는 습식처리장치 | |
JP4227694B2 (ja) | ウエハーの表面処理装置 | |
JP2001185521A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPH07321080A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |