JPH10303171A - 半導体ウェーハのウエット処理方法及びウエット処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハのウエット処理方法及びウエット処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエット処理された半導体ウェーハへのパー
ティクルを防止する。 【解決手段】 半導体ウェーハを薬液処理し、純水で水
洗を行ない、その後にアルコールを含む蒸気雰囲気中に
直接移して乾燥を行う半導体ウェーハのウエット処理方
法において、薬液処理と乾燥との間で半導体ウェーハを
半導体パーティクル除去剤を含む溶液により処理する。
半導体パーティクル除去剤としては、パーティクルのゼ
ータ電位を調整してパーティクルの付着防止をはかる半
導体パーティクル付着防止剤を用いる。また、半導体コ
ロイドの凝集を図りパーティクルの形成を阻止する半導
体コロイド凝集剤を用いる。
ティクルを防止する。 【解決手段】 半導体ウェーハを薬液処理し、純水で水
洗を行ない、その後にアルコールを含む蒸気雰囲気中に
直接移して乾燥を行う半導体ウェーハのウエット処理方
法において、薬液処理と乾燥との間で半導体ウェーハを
半導体パーティクル除去剤を含む溶液により処理する。
半導体パーティクル除去剤としては、パーティクルのゼ
ータ電位を調整してパーティクルの付着防止をはかる半
導体パーティクル付着防止剤を用いる。また、半導体コ
ロイドの凝集を図りパーティクルの形成を阻止する半導
体コロイド凝集剤を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造プロ
セスに使用する半導体ウェーハのウエット処理方法及び
ウエット処理装置に関するものである。
セスに使用する半導体ウェーハのウエット処理方法及び
ウエット処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスのウエット処理工程
においては、半導体ウェーハにウオーターマークの発生
しない乾燥方法が必須となっている。従来の乾燥技術に
は、ウェーハを回転させて振り切り乾燥を行う「スピン
乾燥」や、ＩＰＡ蒸気雰囲気中にウェーハを移動させて
乾燥を行う「ＩＰＡ蒸気乾燥」があった。これらの方法
では、最終水洗から乾燥までの搬送時にウォーターマー
クが発生するという問題がある。そこで、これらに代わ
って、ウェーハを水中からＩＰＡ蒸気雰囲気中に移動さ
せることで乾燥を行う「マランゴーニ乾燥」や、水の表
面にＩＰＡの層を形成して水をＩＰＡで直接置換する
「ＩＰＡ直接置換乾燥」方法が注目されつつある。
においては、半導体ウェーハにウオーターマークの発生
しない乾燥方法が必須となっている。従来の乾燥技術に
は、ウェーハを回転させて振り切り乾燥を行う「スピン
乾燥」や、ＩＰＡ蒸気雰囲気中にウェーハを移動させて
乾燥を行う「ＩＰＡ蒸気乾燥」があった。これらの方法
では、最終水洗から乾燥までの搬送時にウォーターマー
クが発生するという問題がある。そこで、これらに代わ
って、ウェーハを水中からＩＰＡ蒸気雰囲気中に移動さ
せることで乾燥を行う「マランゴーニ乾燥」や、水の表
面にＩＰＡの層を形成して水をＩＰＡで直接置換する
「ＩＰＡ直接置換乾燥」方法が注目されつつある。
【０００３】さらに、ウエット処理においては、処理装
置の大型化が問題になっている。薬液槽と水洗槽を複数
備えた装置においては装置の専有面積は大きくならざる
を得ない。その対策としては、一つの処理槽に、純水や
複数の薬液を注入することが可能なワンバス型の装置が
有効である。
置の大型化が問題になっている。薬液槽と水洗槽を複数
備えた装置においては装置の専有面積は大きくならざる
を得ない。その対策としては、一つの処理槽に、純水や
複数の薬液を注入することが可能なワンバス型の装置が
有効である。
【０００４】これら二つの問題を同時に解決しようとす
る装置が、ワンバス型のマランゴーニ乾燥またはＩＰＡ
直接置換乾燥を行う装置である。代表的な装置概略を図
１４に示す。図１４において、処理槽（処理チャンバ
ー）１に浸されたウェーハ２に、処理槽１の下部の薬液
の供給口３から薬液を流通させてエッチング処理を行
う。その後、供給口３から純水を流通させて洗浄を行
う。薬液及び純水は処理槽１から溢れて排出口４から排
出される。ウェーハ２の乾燥時には、ＩＰＡ蒸気が供給
口５から、処理槽１の上部空間１ａに導入され、ウェー
ハ２が引き上げられる。この装置は、乾燥時にウェーハ
２が上昇させられるタイプである。
る装置が、ワンバス型のマランゴーニ乾燥またはＩＰＡ
直接置換乾燥を行う装置である。代表的な装置概略を図
１４に示す。図１４において、処理槽（処理チャンバ
ー）１に浸されたウェーハ２に、処理槽１の下部の薬液
の供給口３から薬液を流通させてエッチング処理を行
う。その後、供給口３から純水を流通させて洗浄を行
う。薬液及び純水は処理槽１から溢れて排出口４から排
出される。ウェーハ２の乾燥時には、ＩＰＡ蒸気が供給
口５から、処理槽１の上部空間１ａに導入され、ウェー
ハ２が引き上げられる。この装置は、乾燥時にウェーハ
２が上昇させられるタイプである。
【０００５】図１５は、従来の他のウエット処理装置の
概略を示す図である。この装置では、処理槽１の側面上
部の薬液の供給口３から薬液を流通させてエッチング処
理を行う。その後、供給口３から純水を流通させて洗浄
を行う。薬液及び純水は処理槽１の下部の排出口４から
排出される。ウェーハ２の乾燥時には、処理槽1内の純
水のレベル低下と同時に、ＩＰＡ蒸気が供給口５から処
理槽１の上部空間に導入され、ウェーハ２がＩＰＡ雰囲
気中に移される。この装置は、乾燥時に水面が下降する
タイプである。
概略を示す図である。この装置では、処理槽１の側面上
部の薬液の供給口３から薬液を流通させてエッチング処
理を行う。その後、供給口３から純水を流通させて洗浄
を行う。薬液及び純水は処理槽１の下部の排出口４から
排出される。ウェーハ２の乾燥時には、処理槽1内の純
水のレベル低下と同時に、ＩＰＡ蒸気が供給口５から処
理槽１の上部空間に導入され、ウェーハ２がＩＰＡ雰囲
気中に移される。この装置は、乾燥時に水面が下降する
タイプである。
【０００６】これらの装置でシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）をフッ酸（ＨＦ）処理を行いエッチングを行った
場合、シリコン基板の表面に多数のシリコンパーティク
ルが付着することがわかった。たとえば、ＰＶＣ槽にＳ
ｉウェーハとシリコン酸化膜を同時に浸漬し、ＨＦで酸
化膜を２００Åエッチングしたあと水洗を行い、マラン
ゴーニ乾燥させた場合、Ｓｉウェーハ上には数千個のパ
ーティクルが付着する。このパーティクルの生成メカニ
ズムは以下のように考えられる。シリコン酸化膜をフッ
酸でエッチングした場合、 ＳｉＯ2＋６ＨＦ＝Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ ・・・ の反応が右に進む。ＨＦが存在する場合は、反応は右
に進むが、水洗のシーケンスに移ると、の反応は左に
進む。この逆反応によってＳｉＯ2が発生する。このＳ
ｉＯ2はＳｉ（ＯＨ）4のコロイドとして、処理槽内や処
理槽壁面、ウェーハ表面に存在する。
Ｏ2）をフッ酸（ＨＦ）処理を行いエッチングを行った
場合、シリコン基板の表面に多数のシリコンパーティク
ルが付着することがわかった。たとえば、ＰＶＣ槽にＳ
ｉウェーハとシリコン酸化膜を同時に浸漬し、ＨＦで酸
化膜を２００Åエッチングしたあと水洗を行い、マラン
ゴーニ乾燥させた場合、Ｓｉウェーハ上には数千個のパ
ーティクルが付着する。このパーティクルの生成メカニ
ズムは以下のように考えられる。シリコン酸化膜をフッ
酸でエッチングした場合、 ＳｉＯ2＋６ＨＦ＝Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ ・・・ の反応が右に進む。ＨＦが存在する場合は、反応は右
に進むが、水洗のシーケンスに移ると、の反応は左に
進む。この逆反応によってＳｉＯ2が発生する。このＳ
ｉＯ2はＳｉ（ＯＨ）4のコロイドとして、処理槽内や処
理槽壁面、ウェーハ表面に存在する。
【０００７】「マランゴーニ乾燥」や「ＩＰＡ直接置換
乾燥」では、乾燥シーケンスにおいて、処理槽の表面近
傍にはＩＰＡが溶解し、処理槽内に残留しているコロイ
ド状のＳｉ（ＯＨ）4と反応しパーティクルとなること
がわかった。このパーティクルにより、ワンバス型のマ
ランゴーニ乾燥装置またはＩＰＡ直接置換乾燥装置は用
途を限定されてしまっている。
乾燥」では、乾燥シーケンスにおいて、処理槽の表面近
傍にはＩＰＡが溶解し、処理槽内に残留しているコロイ
ド状のＳｉ（ＯＨ）4と反応しパーティクルとなること
がわかった。このパーティクルにより、ワンバス型のマ
ランゴーニ乾燥装置またはＩＰＡ直接置換乾燥装置は用
途を限定されてしまっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ワンバス型の半導体ウェーハのウエット処理装置では、
乾燥後の半導体ウェーハに半導体パーティクルが付着
し、その後の半導体処理プロセスで問題が生じていた。
この付着するパーティクルをなくすることができれば、
その方法は半導体ウェーハプロセスの洗浄工程すべてに
適用することができ、大きなメリットが得られる。この
発明は、従来のこのような課題を解決し、１つの処理槽
における半導体ウェーハのウエット処理において、特に
その洗浄プロセスにおいて、乾燥後の半導体ウェーハに
半導体パーティクルが付着しない、あるいは付着を大幅
に減少することのできるウエット処理方法及びウエット
処理装置を提供しようとすものである。
ワンバス型の半導体ウェーハのウエット処理装置では、
乾燥後の半導体ウェーハに半導体パーティクルが付着
し、その後の半導体処理プロセスで問題が生じていた。
この付着するパーティクルをなくすることができれば、
その方法は半導体ウェーハプロセスの洗浄工程すべてに
適用することができ、大きなメリットが得られる。この
発明は、従来のこのような課題を解決し、１つの処理槽
における半導体ウェーハのウエット処理において、特に
その洗浄プロセスにおいて、乾燥後の半導体ウェーハに
半導体パーティクルが付着しない、あるいは付着を大幅
に減少することのできるウエット処理方法及びウエット
処理装置を提供しようとすものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体ウェー
ハのウエット処理方法は、１つの処理槽において半導体
ウェーハの薬液処理を行った後に前記半導体ウェーハの
水洗を行ない、その後に前記半導体ウェーハをアルコー
ルを含む蒸気雰囲気中に直接に移して乾燥を行う方法に
おいて、前記薬液処理と乾燥との間に、前記半導体ウェ
ーハを半導体パーティクル除去剤を含む溶液により処理
することを特徴とするものである。
ハのウエット処理方法は、１つの処理槽において半導体
ウェーハの薬液処理を行った後に前記半導体ウェーハの
水洗を行ない、その後に前記半導体ウェーハをアルコー
ルを含む蒸気雰囲気中に直接に移して乾燥を行う方法に
おいて、前記薬液処理と乾燥との間に、前記半導体ウェ
ーハを半導体パーティクル除去剤を含む溶液により処理
することを特徴とするものである。
【００１０】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、前記半導体パーティクル除去剤として、
パーティクルのゼータ電位を調整してパーティクルの付
着防止をはかる半導体パーティクル付着防止剤を用いる
ことを特徴とするものである。また、この発明の半導体
ウェーハのウエット処理方法は、前記半導体パーティク
ル付着防止剤としてアルコール、電界イオン水又は界面
活性剤のいずれかを用いることを特徴とするものであ
る。
ト処理方法は、前記半導体パーティクル除去剤として、
パーティクルのゼータ電位を調整してパーティクルの付
着防止をはかる半導体パーティクル付着防止剤を用いる
ことを特徴とするものである。また、この発明の半導体
ウェーハのウエット処理方法は、前記半導体パーティク
ル付着防止剤としてアルコール、電界イオン水又は界面
活性剤のいずれかを用いることを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、前記半導体パーティクル付着防止剤とし
てイソプロピルアルコールを用いることを特徴とするも
のである。また、この発明の半導体ウェーハのウエット
処理方法は、前記半導体パーティクル付着防止剤として
ＯＨ-イオン水を用いることを特徴とするものである。
また、この発明の半導体ウェーハのウエット処理方法
は、前記半導体パーティクル付着防止剤としてアニオン
系またはカチオン系界面活性剤を用いることを特徴とす
るものである。
ト処理方法は、前記半導体パーティクル付着防止剤とし
てイソプロピルアルコールを用いることを特徴とするも
のである。また、この発明の半導体ウェーハのウエット
処理方法は、前記半導体パーティクル付着防止剤として
ＯＨ-イオン水を用いることを特徴とするものである。
また、この発明の半導体ウェーハのウエット処理方法
は、前記半導体パーティクル付着防止剤としてアニオン
系またはカチオン系界面活性剤を用いることを特徴とす
るものである。
【００１２】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、前記半導体パーティクル除去剤として、
半導体コロイドの凝集を図る半導体コロイド凝集剤を用
いることを特徴とするものである。また、この発明の半
導体ウェーハのウエット処理方法は、前記半導体コロイ
ド凝集剤として硫酸アルミニウム又はポリ塩化アルミニ
ウムを用いることを特徴とするものである。
ト処理方法は、前記半導体パーティクル除去剤として、
半導体コロイドの凝集を図る半導体コロイド凝集剤を用
いることを特徴とするものである。また、この発明の半
導体ウェーハのウエット処理方法は、前記半導体コロイ
ド凝集剤として硫酸アルミニウム又はポリ塩化アルミニ
ウムを用いることを特徴とするものである。
【００１３】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、前記水洗プロセスの少なくとも一部にお
いて前記半導体パーティクル除去剤を水洗用の純水に添
加することを特徴とするものである。また、この発明の
半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェーハ
の処理槽に水洗用の純水を流通させた後、前記半導体ウ
ェーハの処理槽に滞留させた純水に前記半導体パーティ
クル除去剤を添加することを特徴とするものである。
ト処理方法は、前記水洗プロセスの少なくとも一部にお
いて前記半導体パーティクル除去剤を水洗用の純水に添
加することを特徴とするものである。また、この発明の
半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェーハ
の処理槽に水洗用の純水を流通させた後、前記半導体ウ
ェーハの処理槽に滞留させた純水に前記半導体パーティ
クル除去剤を添加することを特徴とするものである。
【００１４】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純水
を流通させる水洗プロセスの少なくとも一部において、
前記流通する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添
加することを特徴とするものである。また、この発明の
半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェーハ
の処理槽に水洗用の純水を流通させた後に、さらにその
後に流通する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添
加することを特徴とするものである。また、この発明の
半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェーハ
の処理槽に前記半導体パーティクル除去剤を添加した水
洗用の純水を流通させた後に、さらに純水のみを流通さ
せることを特徴とするものである。
ト処理方法は、半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純水
を流通させる水洗プロセスの少なくとも一部において、
前記流通する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添
加することを特徴とするものである。また、この発明の
半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェーハ
の処理槽に水洗用の純水を流通させた後に、さらにその
後に流通する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添
加することを特徴とするものである。また、この発明の
半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェーハ
の処理槽に前記半導体パーティクル除去剤を添加した水
洗用の純水を流通させた後に、さらに純水のみを流通さ
せることを特徴とするものである。
【００１５】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純水
を流通させる水洗プロセスの全体にわたって、前記流通
する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添加するこ
とを特徴とするものである。
ト処理方法は、半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純水
を流通させる水洗プロセスの全体にわたって、前記流通
する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添加するこ
とを特徴とするものである。
【００１６】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、１つの処理槽において半導体ウェーハの
薬液処理を行った後に前記半導体ウェーハの水洗を行な
い、その後に前記半導体ウェーハをアルコールを含む蒸
気雰囲気中に直接に移して乾燥を行う方法において、前
記薬液処理と乾燥との間で、前記半導体ウェーハを半導
体パーティクル除去剤により処理することを特徴とする
ものである。また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、半導体ウェーハの前記薬液処理に続いて
前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤により
処理することを特徴とするものである。また、この発明
の半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェー
ハの前記水洗に続いて前記半導体ウェーハを半導体パー
ティクル除去剤により処理することを特徴とするもので
ある。
ト処理方法は、１つの処理槽において半導体ウェーハの
薬液処理を行った後に前記半導体ウェーハの水洗を行な
い、その後に前記半導体ウェーハをアルコールを含む蒸
気雰囲気中に直接に移して乾燥を行う方法において、前
記薬液処理と乾燥との間で、前記半導体ウェーハを半導
体パーティクル除去剤により処理することを特徴とする
ものである。また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法は、半導体ウェーハの前記薬液処理に続いて
前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤により
処理することを特徴とするものである。また、この発明
の半導体ウェーハのウエット処理方法は、半導体ウェー
ハの前記水洗に続いて前記半導体ウェーハを半導体パー
ティクル除去剤により処理することを特徴とするもので
ある。
【００１７】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理装置は、半導体ウェーハのウエット処理を行うウ
エット処理槽と、このウエット処理槽において前記半導
体ウェーハの薬液処理の後に前記半導体ウェーハの水洗
を行なう手段と、前記半導体ウェーハの水洗後に前記半
導体ウェーハをアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接に
移して乾燥を行う手段と、前記薬液処理と乾燥との間で
前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤を含む
溶液により処理する手段を備えたことを特徴とするもの
である。また、この発明の半導体ウェーハのウエット処
理装置は、前記ウエット処理槽の上部から前記半導体パ
ーティクル除去剤を含む溶液を供給する手段を備えたこ
とを特徴とするものである。
ト処理装置は、半導体ウェーハのウエット処理を行うウ
エット処理槽と、このウエット処理槽において前記半導
体ウェーハの薬液処理の後に前記半導体ウェーハの水洗
を行なう手段と、前記半導体ウェーハの水洗後に前記半
導体ウェーハをアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接に
移して乾燥を行う手段と、前記薬液処理と乾燥との間で
前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤を含む
溶液により処理する手段を備えたことを特徴とするもの
である。また、この発明の半導体ウェーハのウエット処
理装置は、前記ウエット処理槽の上部から前記半導体パ
ーティクル除去剤を含む溶液を供給する手段を備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１８】また、この発明の半導体ウェーハのウエッ
ト処理装置は、半導体ウェーハのウエット処理を行うウ
エット処理槽と、このウエット処理槽において前記半導
体ウェーハの薬液処理の後に前記半導体ウェーハの水洗
を行なう手段と、前記半導体ウェーハの水洗後に前記半
導体ウェーハをアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接に
移して乾燥を行う手段と、前記薬液処理と乾燥との間で
前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤に浸漬
させる手段を備えたことを特徴とするものである。ま
た、この発明の半導体ウェーハのウエット処理装置は、
前記ウエット処理槽から排出された前記半導体パーティ
クル除去剤を回収して再利用する手段を備えたことを特
徴とするものである。
ト処理装置は、半導体ウェーハのウエット処理を行うウ
エット処理槽と、このウエット処理槽において前記半導
体ウェーハの薬液処理の後に前記半導体ウェーハの水洗
を行なう手段と、前記半導体ウェーハの水洗後に前記半
導体ウェーハをアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接に
移して乾燥を行う手段と、前記薬液処理と乾燥との間で
前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤に浸漬
させる手段を備えたことを特徴とするものである。ま
た、この発明の半導体ウェーハのウエット処理装置は、
前記ウエット処理槽から排出された前記半導体パーティ
クル除去剤を回収して再利用する手段を備えたことを特
徴とするものである。
【００１９】
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１の半導
体ウェーハのウエット処理装置の概略構成を示す図であ
る。図１において、１は処理槽（処理チャンバー）、１
ａは処理槽１の上部空間、２は処理されるウェーハ、３
は処理槽１に薬液と純水を供給する配管、４は処理槽１
から処理後の薬液と純水を排出する排水管、５は処理槽
１の上部空間１ａに設けられ、ウェーハ２の乾燥に必要
なＩＰＡ蒸気を供給するための配管である。６は、処理
槽1の底部からパーティクル除去剤又はパーティクル除
去剤を含む溶液を導入するための導入口である。このウ
エット処理装置は、処理槽１の底部の供給口３から薬液
及び純水が供給され、処理後の薬液等は処理槽１の上部
から流出させるタイプである。また、ウェーハ２を、処
理後に処理槽１中の純水などから引き上げるタイプであ
る。
体ウェーハのウエット処理装置の概略構成を示す図であ
る。図１において、１は処理槽（処理チャンバー）、１
ａは処理槽１の上部空間、２は処理されるウェーハ、３
は処理槽１に薬液と純水を供給する配管、４は処理槽１
から処理後の薬液と純水を排出する排水管、５は処理槽
１の上部空間１ａに設けられ、ウェーハ２の乾燥に必要
なＩＰＡ蒸気を供給するための配管である。６は、処理
槽1の底部からパーティクル除去剤又はパーティクル除
去剤を含む溶液を導入するための導入口である。このウ
エット処理装置は、処理槽１の底部の供給口３から薬液
及び純水が供給され、処理後の薬液等は処理槽１の上部
から流出させるタイプである。また、ウェーハ２を、処
理後に処理槽１中の純水などから引き上げるタイプであ
る。
【００２０】図２は、この発明の実施の形態１のウエッ
ト処理装置の他の例の概略構成を示す図である。この装
置は、処理槽１の上部の供給口３から薬液及び純水が供
給され、処理後の薬液等は処理槽１の底部の排出口４か
ら流出させるタイプである。パーティクル除去用添加剤
又はパーティクル除去剤を含む溶液は、処理槽1の上部
の導入口６から導入する。また、ウェーハ２の処理後に
は、純水等の水面を下げてウェーハ２を取り出す。
ト処理装置の他の例の概略構成を示す図である。この装
置は、処理槽１の上部の供給口３から薬液及び純水が供
給され、処理後の薬液等は処理槽１の底部の排出口４か
ら流出させるタイプである。パーティクル除去用添加剤
又はパーティクル除去剤を含む溶液は、処理槽1の上部
の導入口６から導入する。また、ウェーハ２の処理後に
は、純水等の水面を下げてウェーハ２を取り出す。
【００２１】この実施の形態１において、通常シリコン
酸化膜のエッチングに使用するフッ酸薬液は、不純物メ
タル濃度は１ｐｐｍ以下、含まれる０．２μｍ以上の微
粒子は１００個／ｃｃ以下とする。また、水洗を行う純
水は１８ＭΩ以上、含まれる０．０５μｍ以上の微粒子
は５個／ｃｃ以下のものを供給する。
酸化膜のエッチングに使用するフッ酸薬液は、不純物メ
タル濃度は１ｐｐｍ以下、含まれる０．２μｍ以上の微
粒子は１００個／ｃｃ以下とする。また、水洗を行う純
水は１８ＭΩ以上、含まれる０．０５μｍ以上の微粒子
は５個／ｃｃ以下のものを供給する。
【００２２】図３は、この実施の形態でのシリコン酸化
膜のエッチング処理のプロセスを示す。具体的なウエッ
ト処理として、図３に示すシーケンスのように、先ず
０．２５ｗｔ％の弗酸（ＨＦ）で３００ｓｅｃエッチン
グ処理を行ったあと、水洗を２２ｌ／ｍｉｎで１５ｍｉ
ｎ行う。純水の供給を止めた後、純水が残っている容量
約２０リットルの処理槽１に、パーティクル除去剤とし
て、３００ｃｃのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ、以
下適宜ＩＰＡと略記する）を添加し、５ｍｉｎ放置し
た。その後、ＩＰＡ雰囲気中にウェーハを５ｍｍ／ｓｅ
ｃで引き上げた場合、ウェーハに付着する０．１７μｍ
以上のパーティクルは５０個以下であった。
膜のエッチング処理のプロセスを示す。具体的なウエッ
ト処理として、図３に示すシーケンスのように、先ず
０．２５ｗｔ％の弗酸（ＨＦ）で３００ｓｅｃエッチン
グ処理を行ったあと、水洗を２２ｌ／ｍｉｎで１５ｍｉ
ｎ行う。純水の供給を止めた後、純水が残っている容量
約２０リットルの処理槽１に、パーティクル除去剤とし
て、３００ｃｃのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ、以
下適宜ＩＰＡと略記する）を添加し、５ｍｉｎ放置し
た。その後、ＩＰＡ雰囲気中にウェーハを５ｍｍ／ｓｅ
ｃで引き上げた場合、ウェーハに付着する０．１７μｍ
以上のパーティクルは５０個以下であった。
【００２３】図４は、シリコン（Ｓｉ），シリコン酸化
膜（ＳｉＯ2），ポリスチレンラテックスの各種のパー
ティクルについて、溶液中のＩＰＡ濃度とゼータ電位と
の関係を示す図である。図４に見るとおり、ＩＰＡ濃度
が上がれば各パーティクルのゼータ電位の絶対値が減少
している。ゼータ電位とは、液中での固体表面の電位で
あり、このゼータ電位が絶対値で減少しているというこ
とは、付着力が小さくなることを示している。
膜（ＳｉＯ2），ポリスチレンラテックスの各種のパー
ティクルについて、溶液中のＩＰＡ濃度とゼータ電位と
の関係を示す図である。図４に見るとおり、ＩＰＡ濃度
が上がれば各パーティクルのゼータ電位の絶対値が減少
している。ゼータ電位とは、液中での固体表面の電位で
あり、このゼータ電位が絶対値で減少しているというこ
とは、付着力が小さくなることを示している。
【００２４】上記の処理において、パーティクルは、処
理槽１内には発生しているが、強制添加したＩＰＡによ
って、図４に示したようにゼータ電位の絶対値が減少す
るため、パーティクルが付着しにくくなる。これにより
ウェーハに付着するパーティクルの数を大幅に減少させ
ることができる。
理槽１内には発生しているが、強制添加したＩＰＡによ
って、図４に示したようにゼータ電位の絶対値が減少す
るため、パーティクルが付着しにくくなる。これにより
ウェーハに付着するパーティクルの数を大幅に減少させ
ることができる。
【００２５】このように一般に、１つの処理槽で薬液処
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置におい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽にアルコールまたは
アルコールを含んだ溶液を添加するシーケンスにするこ
とにより、乾燥後のウェーハへのパーティクルの付着を
顕著に減少させることができる。添加するアルコールと
しては、例えばＩＰＡが特に有効である。また、アルコ
ールを添加するプロセスは、この実施の形態では、水洗
後に溜まった純水の中に加える例を示しているが、後に
説明するように他の添加方法でもよい。
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置におい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽にアルコールまたは
アルコールを含んだ溶液を添加するシーケンスにするこ
とにより、乾燥後のウェーハへのパーティクルの付着を
顕著に減少させることができる。添加するアルコールと
しては、例えばＩＰＡが特に有効である。また、アルコ
ールを添加するプロセスは、この実施の形態では、水洗
後に溜まった純水の中に加える例を示しているが、後に
説明するように他の添加方法でもよい。
【００２６】実施の形態２．この発明の実施の形態２に
おいて、ウエット処理装置とては、図１又は図２に示し
たものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに
使用するフッ酸薬液及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同様の特性のものである。シリコン
酸化膜のエッチング処理のプロセスは、実施の形態１で
図３を参照して説明したものと同様である。ただし、こ
の実施の形態２では、半導体パーティクル除去用の添加
剤として、電解イオン水を添加する。具体的な処理例と
して、電界イオン水として電気分解で生成したＯＨ-イ
オン水を添加し、ＩＰＡ雰囲気中にウェーハを引き上げ
た場合、ウェーハに付着する０．１７μｍ以上のパーテ
ィクルは５０個以下であった。
おいて、ウエット処理装置とては、図１又は図２に示し
たものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに
使用するフッ酸薬液及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同様の特性のものである。シリコン
酸化膜のエッチング処理のプロセスは、実施の形態１で
図３を参照して説明したものと同様である。ただし、こ
の実施の形態２では、半導体パーティクル除去用の添加
剤として、電解イオン水を添加する。具体的な処理例と
して、電界イオン水として電気分解で生成したＯＨ-イ
オン水を添加し、ＩＰＡ雰囲気中にウェーハを引き上げ
た場合、ウェーハに付着する０．１７μｍ以上のパーテ
ィクルは５０個以下であった。
【００２７】図５は、シリコン（Ｓｉ），シリコン酸化
膜（ＳｉＯ2），ポリスチレンラテックスの各種の半導
体パーティクルについて、溶液のｐＨ（ペーハー）とゼ
ータ電位との関係を示す図である。ある程度のｐＨ度が
あると、これらの粒子とＳｉ基板のゼータ電位の極性が
同一になり、しかもその値が近づいてくる。上記の処理
において、パーティクルは、処理槽１内には発生してい
るが、強制添加した電解イオン水はアルカリ性であり、
また、図５に示したように電解イオン水によってゼータ
電位の極性が同一になるため、パーティクルが付着しに
くくなる。これによりウェーハに付着するパーティクル
の数を大幅に減少させることができる。
膜（ＳｉＯ2），ポリスチレンラテックスの各種の半導
体パーティクルについて、溶液のｐＨ（ペーハー）とゼ
ータ電位との関係を示す図である。ある程度のｐＨ度が
あると、これらの粒子とＳｉ基板のゼータ電位の極性が
同一になり、しかもその値が近づいてくる。上記の処理
において、パーティクルは、処理槽１内には発生してい
るが、強制添加した電解イオン水はアルカリ性であり、
また、図５に示したように電解イオン水によってゼータ
電位の極性が同一になるため、パーティクルが付着しに
くくなる。これによりウェーハに付着するパーティクル
の数を大幅に減少させることができる。
【００２８】このように一般に、１つの処理槽で薬液処
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置おい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽に電解イオン水を添
加するシーケンスにすることにより、乾燥後のウェーハ
へのパーティクルの付着を顕著に減少させることができ
る。添加する電解イオン水としては、例えばＯＨ-イオ
ン水が特に有効である。また、電解イオン水を添加する
プロセスは、この実施の形態では、水洗後に溜まった純
水の中に加える例を示しているが、後に説明するように
他の添加方法でもよい。
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置おい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽に電解イオン水を添
加するシーケンスにすることにより、乾燥後のウェーハ
へのパーティクルの付着を顕著に減少させることができ
る。添加する電解イオン水としては、例えばＯＨ-イオ
ン水が特に有効である。また、電解イオン水を添加する
プロセスは、この実施の形態では、水洗後に溜まった純
水の中に加える例を示しているが、後に説明するように
他の添加方法でもよい。
【００２９】実施の形態３．この発明の実施の形態３で
は、ウエット処理装置とては、図１又は図２に示したも
のを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使用
するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態１
で説明したものと同一の特性を持つものである。シリコ
ン酸化膜のエッチング処理のプロセスは、実施の形態１
で図３を参照して説明したものと同様である。ただし、
この実施の形態３では、半導体パーティクル除去剤とし
て、界面活性剤を添加する。
は、ウエット処理装置とては、図１又は図２に示したも
のを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使用
するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態１
で説明したものと同一の特性を持つものである。シリコ
ン酸化膜のエッチング処理のプロセスは、実施の形態１
で図３を参照して説明したものと同様である。ただし、
この実施の形態３では、半導体パーティクル除去剤とし
て、界面活性剤を添加する。
【００３０】具体的な処理例として、水洗用の純水の供
給を止めた後、アニオン系の界面活性剤を１ｐｐｍにな
るように添加し、５ｍｉｎ放置した。その後、ＩＰＡ雰
囲気中にウェーハを引き上げた場合、ウェーハに付着す
る０．１７μｍ以上のパーティクルは５０個以下であっ
た。上記の処理において、パーティクルは、処理槽１内
には発生しているが、強制添加した界面活性剤によっ
て、パーティクルのゼータ電位極性が逆になり、Ｓｉ基
板と電位の極性が同一になり、パーティクルが付着しに
くくなる。
給を止めた後、アニオン系の界面活性剤を１ｐｐｍにな
るように添加し、５ｍｉｎ放置した。その後、ＩＰＡ雰
囲気中にウェーハを引き上げた場合、ウェーハに付着す
る０．１７μｍ以上のパーティクルは５０個以下であっ
た。上記の処理において、パーティクルは、処理槽１内
には発生しているが、強制添加した界面活性剤によっ
て、パーティクルのゼータ電位極性が逆になり、Ｓｉ基
板と電位の極性が同一になり、パーティクルが付着しに
くくなる。
【００３１】このように一般に、１つの処理槽で薬液処
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置におい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽に界面活性剤または
界面活性剤を含んだ溶液を添加するシーケンスにするこ
とにより、乾燥後のウェーハへのパーティクルの付着を
顕著に減少させることができる。添加する界面活性剤と
しては、例えばアニオン系またはカチオン系界面活性剤
が特に有効である。また、界面活性剤を添加するプロセ
スは、この実施の形態では、水洗後に溜まった純水の中
に加える例を示しているが、後に説明するように他の添
加方法でもよい。
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置におい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽に界面活性剤または
界面活性剤を含んだ溶液を添加するシーケンスにするこ
とにより、乾燥後のウェーハへのパーティクルの付着を
顕著に減少させることができる。添加する界面活性剤と
しては、例えばアニオン系またはカチオン系界面活性剤
が特に有効である。また、界面活性剤を添加するプロセ
スは、この実施の形態では、水洗後に溜まった純水の中
に加える例を示しているが、後に説明するように他の添
加方法でもよい。
【００３２】実施の形態４．この発明の実施の形態４で
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
【００３３】シリコン酸化膜のエッチング処理のプロセ
スは、実施の形態１で図３を参照して説明したものと同
様である。ただし、この実施の形態３では、パーティク
ル除去用の添加剤として、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4
を凝集させる凝集剤を添加する。硫酸アルミニウムまた
は電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝集
剤は、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させる効果が
あり、パーティクルの発生源をなくすことができる。上
記の処理において、パーティクルは、処理槽１内には発
生しているが、強制添加した硫酸アルミニウムまたは電
解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝集剤
は、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させる効果があ
り、パーティクルの発生源をなくすことができる。
スは、実施の形態１で図３を参照して説明したものと同
様である。ただし、この実施の形態３では、パーティク
ル除去用の添加剤として、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4
を凝集させる凝集剤を添加する。硫酸アルミニウムまた
は電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝集
剤は、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させる効果が
あり、パーティクルの発生源をなくすことができる。上
記の処理において、パーティクルは、処理槽１内には発
生しているが、強制添加した硫酸アルミニウムまたは電
解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝集剤
は、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させる効果があ
り、パーティクルの発生源をなくすことができる。
【００３４】このように一般に、１つの処理槽で薬液処
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置におい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽に凝集剤または凝集
剤を含んだ溶液を添加するシーケンスにすることによ
り、乾燥後のウェーハへのパーティクルの付着を顕著に
減少させることができる。添加する界面活性剤として
は、例えば硫酸アルミニウムまたは電解アルミニウム、
ポリ塩化アルミニウムが特に有効である。また、凝集剤
を添加するプロセスは、この実施の形態では、水洗後に
溜まった純水の中に加える例を示しているが、後に説明
するように他の添加方法でもよい。
理とそれに続く水洗を行った後、超純水中に浸漬された
半導体ウェーハ表面に存在する水をアルコールを含む蒸
気で直接置換して乾燥を行うプロセス或いは装置におい
て、薬液処理と乾燥の間で、処理槽に凝集剤または凝集
剤を含んだ溶液を添加するシーケンスにすることによ
り、乾燥後のウェーハへのパーティクルの付着を顕著に
減少させることができる。添加する界面活性剤として
は、例えば硫酸アルミニウムまたは電解アルミニウム、
ポリ塩化アルミニウムが特に有効である。また、凝集剤
を添加するプロセスは、この実施の形態では、水洗後に
溜まった純水の中に加える例を示しているが、後に説明
するように他の添加方法でもよい。
【００３５】実施の形態５．この発明の実施の形態５で
は、ウエット処理装置とては、図１又は図２に示したも
のを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使用
するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態１
で説明したものと同一のものを用いる。また、パーティ
クル除去剤としては、上記実施の形態1〜４で説明した
もののいずれをも用いる。
は、ウエット処理装置とては、図１又は図２に示したも
のを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使用
するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態１
で説明したものと同一のものを用いる。また、パーティ
クル除去剤としては、上記実施の形態1〜４で説明した
もののいずれをも用いる。
【００３６】図６は、この実施の形態におけるシリコン
酸化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具
体的な処理例について述べると、図６に示すシーケンス
のように、先ず０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッ
チング処理を行ったあと、水洗を２２ｌ／ｍｉｎで１５
ｍｉｎ行う。水洗のあと、さらに半導体パーティクル除
去剤を添加した純水を供給して洗浄を行う。
酸化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具
体的な処理例について述べると、図６に示すシーケンス
のように、先ず０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッ
チング処理を行ったあと、水洗を２２ｌ／ｍｉｎで１５
ｍｉｎ行う。水洗のあと、さらに半導体パーティクル除
去剤を添加した純水を供給して洗浄を行う。
【００３７】添加する半導体パーティクル除去剤は、実
施の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、
界面活性剤、凝集剤のいずれをも用いる。パーティクル
除去剤としては、アルコール類、電解イオン水、界面活
性剤を用いると、半導体コロイドのゼータ電位を変化さ
せ、吸着コロイドの脱離を促進しパーティクルの発生源
をなくす。パーティクル除去剤を添加した純水を供給し
て洗浄を行うことにより、パーティクル源であるコロイ
ド状のＳｉ（ＯＨ）4を水洗時に完全に排出することが
できる。
施の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、
界面活性剤、凝集剤のいずれをも用いる。パーティクル
除去剤としては、アルコール類、電解イオン水、界面活
性剤を用いると、半導体コロイドのゼータ電位を変化さ
せ、吸着コロイドの脱離を促進しパーティクルの発生源
をなくす。パーティクル除去剤を添加した純水を供給し
て洗浄を行うことにより、パーティクル源であるコロイ
ド状のＳｉ（ＯＨ）4を水洗時に完全に排出することが
できる。
【００３８】また、添加剤として、硫酸アルミニウムま
たは電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝
集剤を用いると、これらはコロイド状のＳｉ（ＯＨ）4
を凝集させる効果があり、パーティクルの発生源をなく
すことができる。パーティクル凝集剤を添加した純水を
供給して洗浄を行うことにより、パーティクル源である
コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させ、水洗時に完全
に排出することができる。
たは電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝
集剤を用いると、これらはコロイド状のＳｉ（ＯＨ）4
を凝集させる効果があり、パーティクルの発生源をなく
すことができる。パーティクル凝集剤を添加した純水を
供給して洗浄を行うことにより、パーティクル源である
コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させ、水洗時に完全
に排出することができる。
【００３９】以上のように、この実施の形態では、ウェ
ーハの薬液処理をした後、水洗を行い、その後さらにパ
ーティクル除去剤を添加した純水で洗浄を行う。これに
より、パーティクル源を洗浄水とともに排出し、ウェー
ハへのパーティクル付着を防止することができる。
ーハの薬液処理をした後、水洗を行い、その後さらにパ
ーティクル除去剤を添加した純水で洗浄を行う。これに
より、パーティクル源を洗浄水とともに排出し、ウェー
ハへのパーティクル付着を防止することができる。
【００４０】実施の形態６．この発明の実施の形態６で
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一のものを用いる。
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一のものを用いる。
【００４１】図７は、この実施の形態６でのシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具体
的な処理例について述べると、図７に示すシーケンスの
ように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチング
処理を行ったあと、半導体パーティクル除去剤を添加し
ながら純水を供給して２２ｌ／ｍｉｎで１５ｍｉｎ洗浄
を行う。その後、ＩＰＡ雰囲気中にウェーハを引き上げ
る。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具体
的な処理例について述べると、図７に示すシーケンスの
ように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチング
処理を行ったあと、半導体パーティクル除去剤を添加し
ながら純水を供給して２２ｌ／ｍｉｎで１５ｍｉｎ洗浄
を行う。その後、ＩＰＡ雰囲気中にウェーハを引き上げ
る。
【００４２】添加する半導体パーティクル除去剤は、実
施の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、
界面活性剤、凝集剤のいずれも用いることができる。パ
ーティクル除去剤としては、アルコール類、電解イオン
水、界面活性剤を用いると、コロイドのゼータ電位を変
化させ、吸着コロイドの脱離を促進しパーティクルの発
生源をなくす。パーティクル源であるコロイド状のＳｉ
（ＯＨ）4を水洗時に完全に排出する。アルコールを添
加する場合は、アルコールの濃度はｐｐｍオーダーから
〜１００ｗｔ％までのどの濃度でもかまわない。水洗時
に常時添加し続けることができる。電解イオン水を使用
する場合は、電解イオン水だけを用いて水洗を行う方法
もある。また、界面活性剤でも、常時界面活性剤を加え
つつ水洗することができる。これらの水洗方法では、パ
ーティクルの付着抑制効果とあわせ、吸着コロイドの脱
離の促進と流水によるコロイドの系外排出促進効果を得
ることができる
施の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、
界面活性剤、凝集剤のいずれも用いることができる。パ
ーティクル除去剤としては、アルコール類、電解イオン
水、界面活性剤を用いると、コロイドのゼータ電位を変
化させ、吸着コロイドの脱離を促進しパーティクルの発
生源をなくす。パーティクル源であるコロイド状のＳｉ
（ＯＨ）4を水洗時に完全に排出する。アルコールを添
加する場合は、アルコールの濃度はｐｐｍオーダーから
〜１００ｗｔ％までのどの濃度でもかまわない。水洗時
に常時添加し続けることができる。電解イオン水を使用
する場合は、電解イオン水だけを用いて水洗を行う方法
もある。また、界面活性剤でも、常時界面活性剤を加え
つつ水洗することができる。これらの水洗方法では、パ
ーティクルの付着抑制効果とあわせ、吸着コロイドの脱
離の促進と流水によるコロイドの系外排出促進効果を得
ることができる
【００４３】また、添加剤として、硫酸アルミニウムま
たは電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝
集剤は、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させる効果
があり、パーティクルの発生源をなくすことができる。
以上のように、この実施の形態では、ウェーハの薬液処
理の後、初めからパーティクル除去剤を添加した純水で
洗浄を行う。これにより、パーティクル源を洗浄水とと
もに排出し、ウェーハへのパーティクル付着を防止する
ことができる。
たは電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニウムなどの凝
集剤は、コロイド状のＳｉ（ＯＨ）4を凝集させる効果
があり、パーティクルの発生源をなくすことができる。
以上のように、この実施の形態では、ウェーハの薬液処
理の後、初めからパーティクル除去剤を添加した純水で
洗浄を行う。これにより、パーティクル源を洗浄水とと
もに排出し、ウェーハへのパーティクル付着を防止する
ことができる。
【００４４】実施の形態７．この発明の実施の形態７で
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
【００４５】図８は、この実施の形態７でのシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具体
的な処理例について述べると、図８に示すシーケンスの
ように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチング
処理を行ったあと、パーティクル除去用の添加剤を添加
しながら純水を供給して２２ｌ／ｍｉｎで１５ｍｉｎ洗
浄を行う。さらにその後、純水のみで水洗を行う。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具体
的な処理例について述べると、図８に示すシーケンスの
ように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチング
処理を行ったあと、パーティクル除去用の添加剤を添加
しながら純水を供給して２２ｌ／ｍｉｎで１５ｍｉｎ洗
浄を行う。さらにその後、純水のみで水洗を行う。
【００４６】添加する添加剤は、実施の形態１〜４で説
明したアルコール、電解イオン水、界面活性剤、凝集剤
のいずれをも用いることができる。その作用、効果は、
実施の形態６と同様であるから、説明を繰り返さない。
明したアルコール、電解イオン水、界面活性剤、凝集剤
のいずれをも用いることができる。その作用、効果は、
実施の形態６と同様であるから、説明を繰り返さない。
【００４７】この実施の形態は、特に凝集剤や界面活性
剤を添加する場合でパーティクル除去剤がウェーハ表面
に残留することが懸念される場合でも、パーティクル除
去剤を含んだ純水で水洗を行った後、純水だけで水洗を
行うシーケンスを行うことにより、除去剤のウェーハへ
の残留を防止することができる。
剤を添加する場合でパーティクル除去剤がウェーハ表面
に残留することが懸念される場合でも、パーティクル除
去剤を含んだ純水で水洗を行った後、純水だけで水洗を
行うシーケンスを行うことにより、除去剤のウェーハへ
の残留を防止することができる。
【００４８】実施の形態８．この発明の実施の形態６で
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
【００４９】図９は、この実施の形態８におけるシリコ
ン酸化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。
具体的な処理例について述べると、図９に示すシーケン
スのように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチ
ング処理を行ったあと、パーティクル除去剤によってＨ
Ｆ水溶液を置換する。その後、純水で水洗したあと、Ｉ
ＰＡ雰囲気中にウェーハを引き上げる。なお、この場
合、パーティクル除去剤による置換は、パーティクル除
去剤を流して処理する場合と、溜まったパーティクル除
去剤中に半導体ウェーハを浸漬する場合とを含む。
ン酸化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。
具体的な処理例について述べると、図９に示すシーケン
スのように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチ
ング処理を行ったあと、パーティクル除去剤によってＨ
Ｆ水溶液を置換する。その後、純水で水洗したあと、Ｉ
ＰＡ雰囲気中にウェーハを引き上げる。なお、この場
合、パーティクル除去剤による置換は、パーティクル除
去剤を流して処理する場合と、溜まったパーティクル除
去剤中に半導体ウェーハを浸漬する場合とを含む。
【００５０】置換に用いるパーティクル除去剤は、実施
の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、界
面活性剤、凝集剤のいずれをも用いることができる。パ
ーティクル除去剤として、アルコール類、電解イオン
水、界面活性剤を用いると、コロイドのゼータ電位を変
化させ、吸着コロイドの脱離を促進しパーティクルの発
生源をなくす。パーティクル源であるコロイド状のＳｉ
（ＯＨ）4を水洗時に完全に排出する。これらの水洗方
法では、パーティクルの付着抑制効果とあわせ、吸着コ
ロイドの脱離の促進と、その後の流水によるコロイドの
系外排出促進効果を得ることができる。
の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、界
面活性剤、凝集剤のいずれをも用いることができる。パ
ーティクル除去剤として、アルコール類、電解イオン
水、界面活性剤を用いると、コロイドのゼータ電位を変
化させ、吸着コロイドの脱離を促進しパーティクルの発
生源をなくす。パーティクル源であるコロイド状のＳｉ
（ＯＨ）4を水洗時に完全に排出する。これらの水洗方
法では、パーティクルの付着抑制効果とあわせ、吸着コ
ロイドの脱離の促進と、その後の流水によるコロイドの
系外排出促進効果を得ることができる。
【００５１】また、パーティクル除去剤として、硫酸ア
ルミニウムまたは電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニ
ウムなどの凝集剤を用いると、コロイド状のＳｉ（Ｏ
Ｈ）4を凝集させる効果があり、パーティクルの発生源
をなくすことができる。パーティクル源であるコロイド
状のＳｉ（ＯＨ）4を、その後の水洗時に完全に排出す
ることができる。
ルミニウムまたは電解アルミニウム、ポリ塩化アルミニ
ウムなどの凝集剤を用いると、コロイド状のＳｉ（Ｏ
Ｈ）4を凝集させる効果があり、パーティクルの発生源
をなくすことができる。パーティクル源であるコロイド
状のＳｉ（ＯＨ）4を、その後の水洗時に完全に排出す
ることができる。
【００５２】以上のように、この実施の形態では、ウェ
ーハの薬液処理の後、薬液をアルコールまたは電解イオ
ン水などのパーティクル除去剤で置換する。その後に、
純水で水洗し、さらにその後にウェーハをアルコール蒸
気雰囲気中に取り出す。これにより、ウェーハへのパー
ティクルの付着を防止することができる。
ーハの薬液処理の後、薬液をアルコールまたは電解イオ
ン水などのパーティクル除去剤で置換する。その後に、
純水で水洗し、さらにその後にウェーハをアルコール蒸
気雰囲気中に取り出す。これにより、ウェーハへのパー
ティクルの付着を防止することができる。
【００５３】実施の形態９．この発明の実施の形態９で
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
は、ウエット処理装置としては、図１又は図２に示した
ものを用いる。また、シリコン酸化膜のエッチングに使
用するフッ酸薬液、及び水洗を行う純水は、実施の形態
１で説明したものと同一の特性を持つものである。
【００５４】図１０は、この実施の形態でのシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具体
的な処理例について述べると、図１０に示すシーケンス
のように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチン
グ処理を行ったあと、水洗する。その後に、純水をパー
ティクル除去剤によって置換する。その後、ＩＰＡ雰囲
気中にウェーハを引き上げる。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図である。具体
的な処理例について述べると、図１０に示すシーケンス
のように、０．２５ｗｔ％ＨＦで３００ｓｅｃエッチン
グ処理を行ったあと、水洗する。その後に、純水をパー
ティクル除去剤によって置換する。その後、ＩＰＡ雰囲
気中にウェーハを引き上げる。
【００５５】置換に用いるパーティクル除去剤は、実施
の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、界
面活性剤、凝集剤のいずれをも用いることができる。そ
の作用、効果は、実施の形態８で説明したことと同様で
あるから、繰り返さない。以上のように、この実施の形
態では、アルコールまたは電解イオン水などのパーティ
クル除去剤で処理槽内の純水を置換し、その後乾燥を行
う。なお、この場合、パーティクル除去剤による置換
は、パーティクル除去剤を流して処理する場合と、溜ま
ったパーティクル除去剤中に半導体ウェーハを浸漬する
場合とを含む。以上のような処理により、ウェーハへの
パーティクル付着を防止することができる。
の形態１〜４で説明したアルコール、電解イオン水、界
面活性剤、凝集剤のいずれをも用いることができる。そ
の作用、効果は、実施の形態８で説明したことと同様で
あるから、繰り返さない。以上のように、この実施の形
態では、アルコールまたは電解イオン水などのパーティ
クル除去剤で処理槽内の純水を置換し、その後乾燥を行
う。なお、この場合、パーティクル除去剤による置換
は、パーティクル除去剤を流して処理する場合と、溜ま
ったパーティクル除去剤中に半導体ウェーハを浸漬する
場合とを含む。以上のような処理により、ウェーハへの
パーティクル付着を防止することができる。
【００５６】実施の形態１０．図１１は、この発明の実
施の形態１０のウエット処理装置の概略構成を示す図で
ある。図１１において、６ａは処理槽１の天井部に設け
られたスプレーであり、パーティクル除去剤を上方から
液相で噴霧する。この処理装置においては、図１の装置
における薬液等の供給口が除かれており、スプレー６ａ
がこれに代わるものである。その他の構造は、図１と同
様であるから、説明を省略する。
施の形態１０のウエット処理装置の概略構成を示す図で
ある。図１１において、６ａは処理槽１の天井部に設け
られたスプレーであり、パーティクル除去剤を上方から
液相で噴霧する。この処理装置においては、図１の装置
における薬液等の供給口が除かれており、スプレー６ａ
がこれに代わるものである。その他の構造は、図１と同
様であるから、説明を省略する。
【００５７】図１２は、この発明の実施の形態１０のウ
エット処理装置の他の概略構成を示す図である。図２の
装置の薬液などの供給口６に代わって、処理槽１の天井
部に薬液等のスプレー６ａが取り付けられている。その
他の構造は、図２と同様であるから、説明は省略する。
エット処理装置の他の概略構成を示す図である。図２の
装置の薬液などの供給口６に代わって、処理槽１の天井
部に薬液等のスプレー６ａが取り付けられている。その
他の構造は、図２と同様であるから、説明は省略する。
【００５８】この実施の形態１０において、シリコン酸
化膜のエッチングに使用するフッ酸薬液、及び水洗を行
う純水は、実施の形態１で説明したものと同一の特性を
持つものである。また、この実施の形態で使用する半導
体パーティクルの除去剤は、実施の形態１〜４で説明し
たアルコール、電解イオン水、界面活性剤、凝集剤のい
ずれをも用いることができる。
化膜のエッチングに使用するフッ酸薬液、及び水洗を行
う純水は、実施の形態１で説明したものと同一の特性を
持つものである。また、この実施の形態で使用する半導
体パーティクルの除去剤は、実施の形態１〜４で説明し
たアルコール、電解イオン水、界面活性剤、凝集剤のい
ずれをも用いることができる。
【００５９】半導体パーティクル除去剤の添加方法とし
ては、処理槽１の上方から水洗用の純水に液相で噴霧す
る。半導体パーティクルは、ＩＰＡ雰囲気から処理槽１
内の水に溶解したＩＰＡと、処理槽１内のコロイド状の
Ｓｉ（ＯＨ）4とが反応して、水の表面近傍で多く発生
する。従って、パーティクル除去剤を、水の表面近傍に
重点的に添加すれば、効率よくパーティクルを除去する
ことができ、除去剤の使用量低減にもなる。
ては、処理槽１の上方から水洗用の純水に液相で噴霧す
る。半導体パーティクルは、ＩＰＡ雰囲気から処理槽１
内の水に溶解したＩＰＡと、処理槽１内のコロイド状の
Ｓｉ（ＯＨ）4とが反応して、水の表面近傍で多く発生
する。従って、パーティクル除去剤を、水の表面近傍に
重点的に添加すれば、効率よくパーティクルを除去する
ことができ、除去剤の使用量低減にもなる。
【００６０】シリコン酸化膜のエッチング処理のプロセ
スは、実施の形態１〜７では、パーティクル除去剤を除
去剤導入口６から純水に添加し、あるいは純水と置換し
ているのに対して、この実施の形態では上記のように処
理槽１の上方から液相でスプレーしている。この点を除
けば、ウェーハ処理のプロセスは実施の形態１〜７と同
様であるから、説明を繰り返さない。以上のように、こ
の実施の形態では、パーティクル除去剤を、水とＩＰＡ
蒸気との境界面に集中して供給するようにしたので、効
率よくパーティクル除去をすることができる。
スは、実施の形態１〜７では、パーティクル除去剤を除
去剤導入口６から純水に添加し、あるいは純水と置換し
ているのに対して、この実施の形態では上記のように処
理槽１の上方から液相でスプレーしている。この点を除
けば、ウェーハ処理のプロセスは実施の形態１〜７と同
様であるから、説明を繰り返さない。以上のように、こ
の実施の形態では、パーティクル除去剤を、水とＩＰＡ
蒸気との境界面に集中して供給するようにしたので、効
率よくパーティクル除去をすることができる。
【００６１】実施の形態１１ ．図１３は、この発明の
実施の形態１１のウエット処理装置の概略構成を示す図
である。図１１において、７はアルコールなどのパーテ
ィクル除去剤の回収・精製手段、８がアルコールなどの
回収・精製したパーティクル除去剤を一時的に保管する
タンク、９は新規のパーティクル除去剤の投入口であ
る。
実施の形態１１のウエット処理装置の概略構成を示す図
である。図１１において、７はアルコールなどのパーテ
ィクル除去剤の回収・精製手段、８がアルコールなどの
回収・精製したパーティクル除去剤を一時的に保管する
タンク、９は新規のパーティクル除去剤の投入口であ
る。
【００６２】処理槽１でのウェーハ処理は、実施の形態
１から１０で説明したものと同様である。この実施の形
態では、処理槽１の排出口４から排出されてくる排出液
の中から、回収・精製手段７によりパーティクル除去剤
を回収・精製して、タンク８に貯留する。貯留したパー
ティクル除去剤は、投入口９から投入される新規のパー
ティクル除去剤とともに、再び除去剤の導入口６から処
理槽１に導入され、再使用される。これによりアルコー
ルなどのパーティクル除去剤を有効に使用することがで
きる。ウェーハの処理プロセス、パーティクル除去剤の
種類、その作用、効果については、実施の形態１〜１０
と同様であるから、その説明は省略する。
１から１０で説明したものと同様である。この実施の形
態では、処理槽１の排出口４から排出されてくる排出液
の中から、回収・精製手段７によりパーティクル除去剤
を回収・精製して、タンク８に貯留する。貯留したパー
ティクル除去剤は、投入口９から投入される新規のパー
ティクル除去剤とともに、再び除去剤の導入口６から処
理槽１に導入され、再使用される。これによりアルコー
ルなどのパーティクル除去剤を有効に使用することがで
きる。ウェーハの処理プロセス、パーティクル除去剤の
種類、その作用、効果については、実施の形態１〜１０
と同様であるから、その説明は省略する。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体ウェーハを薬液処理し、純水で水洗を行な
い、その後にアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接に移
して乾燥を行う半導体ウェーハのウエット処理方法にお
いて、薬液処理と乾燥との間で半導体ウェーハを半導体
パーティクル除去剤を含む溶液により処理するようにし
たので、半導体ウェーハへのパーティクル付着を防止
し、減少させることができる。また、この発明によれ
ば、半導体ウェーハの薬液処理と乾燥との間で、半導体
ウェーハを半導体パーティクル除去剤に浸漬処理するよ
うにしたので、半導体ウェーハへのパーティクル付着を
防止し、減少させることができる。また、この発明によ
れば、上記のようなウエット処理方法によって、半導体
ウェーハを処理するウエット処理装置が得られ、半導体
ウェーハへのパーティクル付着を防止し、減少させるこ
とができる。
ば、半導体ウェーハを薬液処理し、純水で水洗を行な
い、その後にアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接に移
して乾燥を行う半導体ウェーハのウエット処理方法にお
いて、薬液処理と乾燥との間で半導体ウェーハを半導体
パーティクル除去剤を含む溶液により処理するようにし
たので、半導体ウェーハへのパーティクル付着を防止
し、減少させることができる。また、この発明によれ
ば、半導体ウェーハの薬液処理と乾燥との間で、半導体
ウェーハを半導体パーティクル除去剤に浸漬処理するよ
うにしたので、半導体ウェーハへのパーティクル付着を
防止し、減少させることができる。また、この発明によ
れば、上記のようなウエット処理方法によって、半導体
ウェーハを処理するウエット処理装置が得られ、半導体
ウェーハへのパーティクル付着を防止し、減少させるこ
とができる。
【図１】 この発明の実施の形態１の半導体ウェーハの
ウエット処理装置の概略構成を示す図。
ウエット処理装置の概略構成を示す図。
【図２】 この発明の実施の形態１の半導体ウェーハの
ウエット処理装置の他の例の概略構成を示す図。
ウエット処理装置の他の例の概略構成を示す図。
【図３】 この発明の実施の形態１のシリコン酸化膜の
エッチング処理のプロセスを示す図。
エッチング処理のプロセスを示す図。
【図４】 シリコン（Ｓｉ），シリコン酸化膜（ＳｉＯ
2），ポリスチレンラテックスの各パーティクルについ
て、溶液中のＩＰＡ濃度とゼータ電位との関係を示す
図。
2），ポリスチレンラテックスの各パーティクルについ
て、溶液中のＩＰＡ濃度とゼータ電位との関係を示す
図。
【図５】 シリコン（Ｓｉ），シリコン酸化膜（ＳｉＯ
2），ポリスチレンラテックスの各半導体パーティクル
について、溶液のｐＨとゼータ電位との関係を示す図。
2），ポリスチレンラテックスの各半導体パーティクル
について、溶液のｐＨとゼータ電位との関係を示す図。
【図６】 この発明の実施の形態５におけるシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
【図７】 この発明の実施の形態６におけるシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
【図８】 この発明の実施の形態７におけるシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
【図９】 この発明の実施の形態８におけるシリコン酸
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
【図１０】 この発明の実施の形態９におけるシリコン
酸化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
酸化膜のエッチング処理のプロセスを示す図。
【図１１】 この発明の実施の形態１０における半導体
ウェーハのウエット処理装置の概略構成を示す図。
ウェーハのウエット処理装置の概略構成を示す図。
【図１２】 この発明の実施の形態１０における半導体
ウェーハのウエット処理装置の他の概略構成を示す図。
ウェーハのウエット処理装置の他の概略構成を示す図。
【図１３】 この発明の実施の形態１１における半導体
ウェーハのウエット処理装置の概略構成を示す図。
ウェーハのウエット処理装置の概略構成を示す図。
【図１４】 従来の半導体ウェーハのウエット処理装置
の概略構成を示す図。
の概略構成を示す図。
【図１５】 従来の半導体ウェーハのウエット処理装置
の他の概略構成を示す図。
の他の概略構成を示す図。
１ 処理槽（処理チャンバー）、 １ａ 処理槽１の上
部空間、 ２ 半導体ウェーハ、 ３ 薬液及び純水の
供給配管、 ４ 排出管、 ５ ＩＰＡ蒸気の供給配
管、 ６ パーティクル除去剤又はパーティクル除去剤
を含む溶液の導入口、 ７ パーティクル除去剤の回収
・精製手段。
部空間、 ２ 半導体ウェーハ、 ３ 薬液及び純水の
供給配管、 ４ 排出管、 ５ ＩＰＡ蒸気の供給配
管、 ６ パーティクル除去剤又はパーティクル除去剤
を含む溶液の導入口、 ７ パーティクル除去剤の回収
・精製手段。
Claims (21)
- 【請求項１】 １つ処理槽において半導体ウェーハの薬
液処理を行った後に前記半導体ウェーハの水洗を行な
い、その後に前記半導体ウェーハをアルコールを含む蒸
気雰囲気中に直接に移して乾燥を行う方法において、前
記薬液処理と乾燥との間に、前記半導体ウェーハを半導
体パーティクル除去剤を含む溶液により処理することを
特徴とする半導体ウェーハのウエット処理方法。 - 【請求項２】 前記半導体パーティクル除去剤として、
パーティクルのゼータ電位を調整してパーティクルの付
着防止をはかる半導体パーティクル付着防止剤を用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのウ
エット処理方法。 - 【請求項３】 前記半導体パーティクル付着防止剤とし
てアルコール、電界イオン水又は界面活性剤のいずれか
を用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェ
ーハのウエット処理方法。 - 【請求項４】 前記半導体パーティクル付着防止剤とし
てイソプロピルアルコールを用いることを特徴とする請
求項３に記載の半導体ウェーハのウエット処理方法。 - 【請求項５】 前記半導体パーティクル付着防止剤とし
てＯＨ-イオン水を用いることを特徴とする請求項３に
記載の半導体ウェーハのウエット処理方法。 - 【請求項６】 前記半導体パーティクル付着防止剤とし
てアニオン系またはカチオン系界面活性剤を用いること
を特徴とする請求項３に記載の半導体ウェーハのウエッ
ト処理方法。 - 【請求項７】 前記半導体パーティクル除去剤として、
半導体コロイドの凝集を図る半導体コロイド凝集剤を用
いることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ
のウエット処理方法。 - 【請求項８】 前記半導体コロイド凝集剤として硫酸ア
ルミニウム又はポリ塩化アルミニウムを用いることを特
徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハのウエット処
理方法。 - 【請求項９】 前記水洗プロセスの少なくとも一部にお
いて前記半導体パーティクル除去剤を水洗用の純水に添
加することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェー
ハのウエット処理方法。 - 【請求項１０】 半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純
水を流通させた後、前記半導体ウェーハの処理槽に滞留
させた純水に前記半導体パーティクル除去剤を添加する
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体ウェーハのウ
エット処理方法。 - 【請求項１１】 半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純
水を流通させる水洗プロセスの少なくとも一部におい
て、前記流通する純水に前記半導体パーティクル除去剤
を添加することを特徴とする請求項９に記載の半導体ウ
ェーハのウエット処理方法。 - 【請求項１２】 半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純
水を流通させた後に、さらにその後に流通する純水に前
記半導体パーティクル除去剤を添加することを特徴とす
る請求項１１に記載の半導体ウェーハのウエット処理方
法。 - 【請求項１３】 半導体ウェーハの処理槽に前記半導体
パーティクル除去剤を添加した水洗用の純水を流通させ
た後に、さらに純水のみを流通させることを特徴とする
請求項１１に記載の半導体ウェーハのウエット処理方
法。 - 【請求項１４】 半導体ウェーハの処理槽に水洗用の純
水を流通させる水洗プロセスの全体にわたって、前記流
通する純水に前記半導体パーティクル除去剤を添加する
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体ウェーハのウ
エット処理方法。 - 【請求項１５】 １つに処理槽において半導体ウェーハ
の薬液処理を行った後に前記半導体ウェーハの水洗を行
ない、その後に前記半導体ウェーハをアルコールを含む
蒸気雰囲気中に直接に移して乾燥を行う方法において、
前記薬液処理と乾燥との間で、前記半導体ウェーハを半
導体パーティクル除去剤により処理することを特徴とす
る半導体ウェーハのウエット処理方法。 - 【請求項１６】 半導体ウェーハの前記薬液処理に続い
て前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤によ
り処理することを特徴とする請求項１５に記載の半導体
ウェーハのウエット処理方法。 - 【請求項１７】 半導体ウェーハの前記水洗に続いて前
記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤により処
理することを特徴とする請求項１５に記載の半導体ウェ
ーハのウエット処理方法。 - 【請求項１８】 半導体ウェーハのウエット処理を行う
ウエット処理槽と、このウエット処理槽において前記半
導体ウェーハの薬液処理の後に前記半導体ウェーハの水
洗を行なう手段と、前記半導体ウェーハの水洗後に前記
半導体ウェーハをアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接
に移して乾燥を行う手段と、前記薬液処理と乾燥との間
で前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤を含
む溶液により処理する手段を備えたことを特徴とする半
導体ウェーハのウエット処理装置。 - 【請求項１９】 前記ウエット処理槽の上部から前記半
導体パーティクル除去剤を含む溶液を供給する手段を備
えたことを特徴とする請求項１８に記載の半導体ウェー
ハのウエット処理装置。 - 【請求項２０】 半導体ウェーハのウエット処理を行う
ウエット処理槽と、このウエット処理槽において前記半
導体ウェーハの薬液処理の後に前記半導体ウェーハの水
洗を行なう手段と、前記半導体ウェーハの水洗後に前記
半導体ウェーハをアルコールを含む蒸気雰囲気中に直接
に移して乾燥を行う手段と、前記薬液処理と乾燥との間
で前記半導体ウェーハを半導体パーティクル除去剤に浸
漬させる手段を備えたことを特徴とする半導体ウェーハ
のウエット処理装置。 - 【請求項２１】 前記ウエット処理槽から排出された前
記半導体パーティクル除去剤を回収して再利用する手段
を備えたことを特徴とする請求項１８ないし２０のいず
れかに記載の半導体ウェーハのウエット処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP9110589A JPH10303171A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 半導体ウェーハのウエット処理方法及びウエット処理装置 |
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|---|---|---|---|
| JP9110589A JPH10303171A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 半導体ウェーハのウエット処理方法及びウエット処理装置 |
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