DE69613476T2 - Metallspülungsverfahren mit kontrollierter Metallmikrokorrosionsreduktion - Google Patents

Metallspülungsverfahren mit kontrollierter Metallmikrokorrosionsreduktion

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Description

    GEGENSTAND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Metallschicht-Spülprozeß für metallisierte Substrate, und bezieht sich insbesondere auf einen Spülprozeß zum Spülen von metallisierten Substraten, die einer Photolackablösung mittels organischer Alkanolamin aufweisenden Ablösebäder unterworfen wurden. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf eine neue Verwendung von Salpetersäure in Spüllösungen und organischen Photolackablösebädern, sowie auf neue Spüllösungen und neue Ablösebäder.
    • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Organische Photolackablösebäder werden gewöhnlich sowohl zur Ablösung von Photolack von metallisierten Wafern, als auch zum Reinigen der Metallschichten während der Herstellung der Bauelemente verwendet. Die wichtigste Anforderung an solche Ablösebäder ist deshalb eine vernachlässigbare Eigenschaft der Metallmikrokorrosion. Moderne organische Ablösebäder bestehen jedoch aus einem Alkanolamin und einem polaren organischen Lösungsmittel. Wenn solche Ablösebäder während der Verarbeitung von der Waferoberfläche gespült werden, reagiert die Amingruppe mit dem Wasser, und es werden Hydroxylionen erzeugt.
  • Die hohe Alkalinität hat eine schädliche Wirkung auf die freigelegten Metallschichten, besonders auf Aluminium und seine Legierungen. Daher ist es sehr wichtig, daß die hohe Alkalinität der Spüllösung, wie sie nach der Lösungsmittelablösung auftritt, so rasch wie möglich verringert wird.
  • Um dieses Problem zu lösen, ist es allgemein üblich, die Wafer in Isopropylalkohol (IPA) oder andere organische Lösungsmittel zu tauchen, um die Amingruppen der organischen Ablösebäder vor dem Wasserkontakt zu entfernen. Oder aber es werden organische saure. Verbindungen als Korrosionsinhibitoren zu der Photolackablöselösung zugegeben (G. Schwartzkopf et al. (1993), Proceedings of the Symposium on Interconnects, Contact Metallization and Multi-level Metallization and Reliability for Semiconductor Devices, Interconnects and Thin Insulator Materials, ECS Proc. 93-25, S. 379, Electrochemical Society, Pennington, NJ).
  • Aus offensichtlichen Umweltschutzgründen, z.B. wegen Abfallbeseitigungsproblemen, ist es wünschenswert, den gesamten Verbrauch organischer Chemikalien zu verringern. Wenn das Eintauchen in ein organisches Lösungsmittel nach dem Ablösen des Photolackes vermieden wird, ist außerdem kein Zwischenbad erforderlich, und es können eindeutige Kosteneinsparungen bei der Raumfläche erzielt werden. Deshalb wurde vorgeschlagen, anorganische Säuren zu verwenden, um die Alkalinität der nach dem Ablösen verwendeten Spüllösung zu verringern. In US 5336371 und US 5175124 wird die Verwendung von Kohlensäure, einer schwachen anorganischen Säure, beschrieben, um das Spülwasser anzusäuern. Dieses wird erreicht, indem man CO&sub2; durch die wässerige Spüllösung sprudeln läßt. Dabei ist es schwierig, die Konzentration der Kohlensäure zu kontrollieren. Insbesondere hängt der pH der mit Kohlendioxid gesättigten Spüllösung von der gesamten CO&sub2;-Menge ab, die sich in dem Wasser löst. Dies wird von der Temperatur, der Aussetzungszeit an der Luft, usw. beeinflußt, und ist daher schwierig zu kontrollieren.
  • In EP 596515 wird beschrieben, wie Metallkorrosion durch Zugabe von schwachen Säuren zu alkalihaltigen Ablösebädern vermieden wird. Dabei wird das nukleophile Amin durch die Bildung eines reversiblen, salzähnlichen Komplexes teilweise neutralisiert. Während der darauffolgenden Spülung reagieren jedoch freie Amingruppen, die sowohl von dem nicht-neutralisierten Bruchteil, als auch möglicherweise von dem dissoziierten komplexen Bruchteil stammen, mit Wasser und führen so zur Bildung von Hydroxylionen. Folglich macht die Verwendung solcher schwacher Säuren eine genaue pH- Kontrolle schwierig, was zu einer unangebrachten Neutralisation der Spüllösung führt, die schädlich für die Metallschicht sein kann.
    • ZIEL DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist daher, einen Spülprozeß für metallisierte Substrate, die anfällig für Metallkorrosion sind, zu verwirklichen, der eine steuerbare Neutralisation der Spüllösung ermöglicht.
  • Dieses Ziel wird durch Zugabe von starken anorganischen Säuren, wie HNO&sub3;, zur Spüllösung erreicht. Außerdem wurde erwiesen, daß bei Verwendung von starken anorganischen Säuren ein viel größerer pH-Bereich (von pH 0 bis 7) erreicht werden kann, und zwar entweder durch Zugabe gesteuerter Mengen der Säure zu der Spüllösung während des Spülschritts, oder bei einer anderen Ausführungsform durch Zugabe der Säure zu dem Ablösebad.
    • KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird bei einem Prozeß zum Spülen eines metallisierten Substrats, das anfällig für Metallmikrokorrosion ist, eine saure, wässerige Spüllösung verwendet, die mindestens eine starke anorganische Säure in einer Menge aufweist, die ausreicht, die Alkalinität der Spüllösung bis auf ein Niveau zu verringern, das niedrig genug ist, um die Mikrokorrosion der Metallschicht während des Spülens zu verringern. Der Spülprozeß kann in jedem Stadium der Herstellung des metallisierten Substrats, wo Mikrokorrosion auftreten kann, verwendet werden.
  • Besonders metallisierte Wafer, die bei einem Halbleitergerät verwendet werden, und die infolge der Photolackablösung mit Alkanolamin aufweisenden Ablösebädern anfällig für Mikrokorrosion sind, können mittels des Prozesses der vorliegenden Erfindung gespült werden.
  • Anorganische Spülungen mit deionisiertem Wasser (DW) sind zwar nicht teuer, aber sie rufen besonders leicht Metallkorrosion hervor. Es wurde festgestellt, daß Spüllösungen mit Wasser und mit einer starken verdünnten Säure, und vorzugsweise Spüllösungen mit deionisiertem Wasser, es besonders ermöglichen, die Ansäuerung besser zu steuern, und die Aluminiumlegierungs-Mikrokorrosion optimal zu beherrschen. Die starke anorganische Säure, die gute Ergebnisse ergibt, ist Salpetersäure, wenn sie mit einer nach dem Photolack-Ablösebad verwendeten Spüllösung benutzt wird, oder bei einer anderen Ausführungsform, wenn sie zu einem Alkanolamin enthaltenden Photolack-Ablösebad zugegeben wird. Andere starke anorganische Säuren, die die gleiche Wirkung haben, können in gleicher Weise zu der Spüllösung zugegeben werden.
    • BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Fig. 1 gibt die Ergebnisse der Rasterelektronenmikroskop (REM)-Inspektion für Korrosion nach der Behandlung von freiliegenden und geschichteten Aluminiumlinien in verschiedenen sauren Gemischen wieder (Tabelle I).
  • Die Fig. 2 gibt die Ergebnisse der Widerstandsmessungen wieder, die für freiliegende und geschichtete Aluminium-Mäanderstrukturen (Länge = 4,63 m) nach Behandlung mit verschiedenen sauren Gemischen gemacht wurden (Tabelle II).
  • Die Fig. 3a gibt die elektrische Ausbeute wieder, die für freiliegende Al-Mäanderstrukturen berechnet wurde.
  • Die Fig. 3b gibt die elektrische Ausbeute wieder, die für geschichtete Al-Mäanderstrukturen berechnet wurde.
  • Die Fig. 4 ist ein Bild von freiliegenden Aluminiumlinien, die in IPA getaucht wurden, um das organische Ablösebad zu entfernen, bevor die Spülung mit deionisiertem Wasser erfolgte.
  • Die Fig. 5 (links) ist ein Bild von freiliegenden Al- Linien nach trockener Ablösung des Photolackes.
  • Die Fig. 5 (rechts) sind freiliegende Al-Linien nach nasser Ablösung des Photolackes und 50 min. Eintauchen in deionisiertes Wasser.
  • Die Fig. 6 ist ein Bild von Al-Linien, die nach nasser Ablösung des Photolackes mit verdünnter HNO&sub3; (verdünnt 1 : 100) behandelt wurden.
  • Die Fig. 7 ist ein Bild von geschichteten Al- Mäanderstrukturen, die nach nasser Ablösung des Photolackes mit HCl 1 : 100 behandelt wurden.
  • Die Fig. 8 ist ein Bild von freiliegenden Al-Mäandern, die nach nasser Ablösung des Photolackes mit HF 1 : 100 behandelt wurden.
    • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Unter starken anorganischen Säuren werden in der vorliegenden Patentanmeldung diejenigen starken anorganischen Säuren verstanden, die zur Spüllösung zugegeben werden können, ohne das metallisierte Substrat auf signifikante Weise zu korrodieren, da sie den passivierenden Oxidfilm, der auf Metallen, wie Aluminium oder Aluminiumlegierungen, immer vorhanden ist, nur auf vernachlässigende Weise angreifen, wodurch die Korrosion des darunter liegenden Metalls gehemmt wird. Solche starken anorganischen Säuren können aus der Gruppe gewählt werden, die aus HNO&sub3;, H&sub2;SO&sub4;, HI, H&sub3;PO&sub4;, H&sub3;CrO&sub4; oder einem Gemisch davon besteht. Vorzugsweise ist die starke anorganische Säure HNO&sub3;.
  • Die Mengen der starken anorganischen Säure» die in den Spüllösungen der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind offensichtlich abhängig von der Anzahl der metallisierten Substrate und der Art des verwendeten Ablösebades. Bei HNO&sub3; werden mit einer 1 : 80 bis 1 : 1200 verdünnten Salpetersäurelösung gute Ergebnisse erhalten, vorzugsweise mit einer Verdünnung von 1 : 100 bis 1 : 1000, und noch besser mit einer Verdünnung von 1 : 100.
  • Die Metallschichten der metallisierten Substrate, die gemäß der vorliegenden Erfindung gespült werden können, sind zum Beispiel Al-Legierungen. AlSiCu-Legierungen und besonders Al/1% Si/0,5% Cu-Legierungen sind besonders geeignet zum Spülen gemäß der Erfindung. Besonders die Mikrokorrosion von Aluminiumlegierungen wird während des Spülens vorzugsweise verringert, wenn verdünnte Salpetersäure mit einer Verdünnung von 1 : 100 bis 1 : 1000 verwendet wird.
  • Die Spüllösungen der vorliegenden Erfindung wirken beim Spülen von metallisierten Wafern, die einer großen Auswahl von organischen Alkanolamin aufweisenden Photolack- Ablösebädern unterworfen wurden. Es wäre günstig, MS-2001 (OLIN HTJNT®), ein bekanntes Lösungsmittel-Ablösebad, mit den erfindungsgemäßen Spüllösungen abzuspülen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung können die Spüllösungen auch zum Spülen von metallisierten Wafern in anderen Stadien der Herstellung als nach der Lösungsmittelablösung des Photolackes verwendet werden. Dabei können metallisierte Wafer gespült werden, von denen der Photolack durch trockene Ablösung entfernt wurde.
  • Trockene Ablösung (gewöhnlich als Sauerstoffveraschung bezeichnet) wird mittels Sauerstoffplasmen in Plasmaätzgeräten ausgeführt. Plasmen, die Sauerstoff enthalten, erzeugen Spezies, die den Photolack angreifen und CO&sub2;, H&sub2;O, N&sub2;O und SO&sub2; als Endprodukte bilden. Solche Sauerstoffplasmen ergeben eine hochselektive Methode zum Entfernen von organischem Material wie Photolack, da O&sub2;- Plasmen Si, SiO&sub2; und Al oder Al-Legierungen nicht ätzen. Eine Übersicht über verschiedene Ausführungen von Plasmaveraschungsgeräten wird von Skidmore (Semiconductor International, August 1988, S. 54) diskutiert. Wenn trocken abgelöste metallisierte Substrate gespült oder in Berührung mit Wasser gebracht werden müssen, haben die. Spüllösungen der vorliegenden Erfindung nur eine, geringe oder keine korrosive Wirkung auf die Substrate, besonders nicht auf trocken abgelöste Photolacke mit einer Aluminiumlegierungsschicht.
    • BEISPIELE
  • Die Korrosion von Aluminiumlegierungen wird in einem Quarztank ohne Umwälzung oder Filtration beurteilt, und zwar auf Siliziumwafern, CZ-Wachstum < 100> , n-leitend, 1-30 Ohm, 150 mm Durchmesser, mit freiliegenden Aluminium-Mäandern (700 nm Al/1% Si/0,5% Cu), und geschichteten Mäanderstrukturen (Ti, TiN, Al/1% Si/0,5% Cu, Ti und TiN mit einer Dicke von 30, 80, 700, 20 und 80 nm). Nach dem Photoschritt und dem Ätzen (LAM-TCP® 9600) wird bei den Wafern der Photolack während 60 min bei 90ºC in MS-2001 (OLIN HUNT®) abgelöst, und dann werden die Wafer während 50 min in einen stagnierenden Tank gegeben, zu dem verdünnte Salpetersäure (HNO&sub3;) mit zwei verschiedenen Mischverhältnissen (1 : 100 und 1 : 1000) zugegeben wird. Schließlich werden die Wafer während 10 min mit deionisiertem Wasser (DW) gespült und schleudergetrocknet. Alle Spülbehandlungen werden bei Raumtemperatur ausgeführt.
  • Um die Wirkung der verschiedenen Säurelösungen auf die Korrosionsrate von Aluminium bei Abwesenheit des organischen Ablösebades zu beurteilen, wird bei einigen Wafern der Photolack während 45 min mittels des, Trommelreaktor- Ätzgerätes PRS800 (Plasma Technology) trocken abgelöst, und dann werden die Wafer auf die gleiche Weise wie die Wafer, bei denen der Photolack naß abgelöst wurde, in die verschiedenen sauren Lösungsgemische getaucht. Die verarbeiteten Wafer wurden als Vergleichswafer mit einer Wafer verglichen, bei der der Photolack mittels eines organischen Ablösebades abgelöst wurde, und die danach während 2 min in Isopropylalkohol (IPA) getaucht wurde und mit deionisiertem Wasser (DW) abgespült wurde. Für die Statistik wurden zwei Wafer in jedem Zustand genommen.
  • Ein Rasterelektronenmikroskop (Hitachi 4500®) wird vorgegeben für die Rückstandsinspektion und die Beurteilung des Linienbreitenverlustes der Aluminiumlinien nach der Behandlung in den verschiedenen Gemischen. Die Korrosion des Aluminiums wird auch elektrisch durch Messung des Widerstandes R der Metallinien beurteilt, da der Widerstand in Beziehung zum Querschnitt der Metallinien gemäß folgendes steht
  • R = L&rho;/&omega;t
  • wobei L die Länge (4,63 m oder 4,51 m), &rho; der spezifische Widerstand (3 · 10&supmin;&sup8; &Omega;m), w die Breite (0,8 um), und t die Dicke (0,7 um) der Mäanderlinien ist. Die Messungen wurden bei 11 bzw. 84 verschiedenen Chips für die freiliegenden und die geschichteten Al-Wafer ausgeführt. Bei jedem Chip werden 4 Mäanderstrukturen (zwei mit der Länge 4,63 m, und zwei mit der Länge 4,51 m) gemessen. Aus den gemessenen Widerständen kann die Ausbeute gemäß folgendes berechnet werden:
  • Ausbeute (%) = (Anzahl der nicht-korrodierten Mäander/gesamte Anzahl der Mäander) · 100
  • Alle Mäandertypen werden in die Datenanalyse eingeschlossen.
    • ERGEBNISSE
  • Der Korrosionsgrad von Metallinien, der durch visuelle Inspektion mit dem REM, nach den verschiedenen auf die Ablösung des Photolackes folgenden Behandlungen bestimmt wird, ist in der Tabelle I (Fig. 1) zusammengefaßt. Der für die Mäanderstruktur von 4,63 m gemessene, mittlere Widerstand ist in der Tabelle II (Fig. 2) sowohl für die freiliegenden, als auch die geschichteten Wafer wiedergegeben. Die elektrische Ausbeute wird mit dem folgenden Auswahlkriterium berechnet: ein freiliegender Al- Mäander wird als "gut" angesehen, wenn sein Widerstand in den Intervallen 270-300 k&Omega; bzw. 260-290 k&Omega; für die Länge 4,63 m und 4,51 m liegt. Als Auswahlkriterium für die geschichteten Mäander werden die Intervalle 260-290 k&Omega; bzw. 250-280 k&Omega; für die langen und die kurzen Strukturen genommen. Auf diese Weise werden alle Kurzschlüsse sowie alle Unterbrechungen ausgeschlossen. Die Ergebnisse sind in der Fig. 3a bzw. 3b für die freiliegenden und die geschichteten Mäanderstrukturen wiedergegeben.
  • Die Fig. 4 gibt die Aluminiumschicht wieder, nachdem gemäß dem Stand der Technik der Photolack mit MS-2001 abgelöst wurde, und danach die Wafer in IPA getaucht wurde, bevor sie mit deionisiertem Wasser abgespült wurde.
  • Nach der trockenen Ablösung sind noch Photolack- Rückstände auf der Waferoberfläche vorhanden (siehe Fig. 5). Der Mäanderwiderstand kann jedoch genau bestimmt werden, und die Ausbeute hat sich, verglichen mit den Vergleichswafern, nicht wesentlich verringert. Bei den Vergleichswafern wird der Photolack naß abgelöst, und dann werden die Wafer in IPA getaucht und mit deionisiertem Wasser gespült. Wenn die Wafer, bei denen der Photolack trocken abgelöst wurde, in reines deionisiertes Wasser getaucht werden, beginnen die Metallinien zu korrodieren, und eine Erhöhung des Widerstandes wird beobachtet. Wenn bei den Wafern der Photolack mit dem organischen Ablösebad abgelöst wird, und nach dem Ablösen die Wafer nicht in IPA getaucht werden, ist die nach der Spülung in deionisiertem Wasser beobachtete Korrosion sogar noch ausgeprägter, wie sich aus den elektrischen Messungen und den REM-Bildern (siehe Fig. 5) ergibt.
  • Wenn die Spülung in deionisiertem Wasser durch eine Spülung in einer 1 : 100 verdünnten HNO&sub3;-Lösung ersetzt wird, werden bessere Ergebnisse erhalten. Bei Vergleich mit dem REM-Bild von nicht-korrodierten Aluminiumlinien, bei denen der Photolack gemäß dem Bezugsprozeß abgelöst wurde (siehe Fig. 4), kann nur eine geringe Erniedrigung der Oberflächen des Aluminiums beobachtet werden (siehe Fig. 6). Diese Oberflächenerniedrigung hat eine ziemlich geringe Wirkung auf die elektrischen Eigenschaften der Mäanderlinien: der Widerstand ist vergleichbar mit dem Widerstand der Bezugswafer, während die Fig. 3 zeigt, daß die Ausbeute nahe bei der Ausbeute der Wafer liegt, die gemäß den Bezugsbedingungen verarbeitet wurden.
  • Die beobachtete Oberflächenerniedrigung kann wahrscheinlich auf die extremen Testbedingungen zurückgeführt werden, und sie ist auf signifikante Weise verringert, wenn die Standardspülbedingungen verwendet werden, hauptsächlich, weil unter normalen Umständen die Kontaktzeit mit der Spüllösung wesentlich kürzer ist. Dabei ergibt eine Eintauchzeit von 5 min im stagnierenden Tank gemäß dem Beispiel 1 eine nicht-verringerte Waferoberfläche.
  • Zwei weitere Säuren werden beurteilt und mit HNO&sub3; verglichen.
  • Wenn das organische Ablösebad in verdünnter HCl abgespült wird, ergibt sich eine örtlich sehr beschränkte Linienverschlechterung (siehe Fig. 7), die starke Änderungen bei dem gemessenen Widerstand und folglich eine Abnahme der Ausbeute hervorruft. Das gleiche Phänomen wird bei den Wafern beobachtet, deren Photolack trocken abgelöst wurde und die in verdünnte HCl getaucht wurden.
  • Wenn die Wafer nach der Lösungsmittel-Ablösung des Photolackes mit verdünnter HF gespült werden, ergibt sich eine sehr starke Korrosion: die Metallinien werden vollständig weggeätzt, wie in der Fig. 8 zu sehen ist.
  • Zum Abschluß ist zu sagen, daß eine Spüllösung mit verdünnter HNO&sub3; nach Ablösung des Photolackes als wirksam zur Vorbeugung der Korrosion von Aluminiumlegierungen, die durch das Abspülen des organischen Ablösebades hervorgerufen werden, erfunden wurde. Wir können daher schlußfolgern, daß verdünnte HNO&sub3;-Lösungen interessante Perspektiven bieten, um das gewöhnlich verwendete Eintauchen in IPA nach dem Ablösen des Photolackes zu ersetzen und im Vergleich zu Spüllösungen, die Kohlensäure aufweisen, eine wirksamere pH- Steuerung ermöglichen.

Claims (14)

1. Prozeß zum Spülen eines metallisierten Substrats, das mit einem organischen Photolack-Ablösebad behandelt wurde und anfällig für Metallmikrokorrosion ist, mittels einer Spüllösung, dadurch gekennzeichnet, daß die Spüllösung im wesentlichen Wasser aufweist und mindestens eine starke anorganische Säure in einer Menge aufweist, die zu einem Mikrokorrosionsniveau der Substratmetalle führt, das vernachlässigbar ist oder vergleichbar mit den Niveaus ist, die mit den Prozessen des Standes der Technik erhalten werden, bei denen das metallisierte Substrat nach der Ablösung des Photolacks einer Zwischenbehandlung mit einem organischen Lösungsmittel, und einer abschließenden Wasserspülung unterworfen wird.
2. Prozeß gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Photolack-Ablösebad mit organischen Lösungsmitteln kombiniert ist.
3. Prozeß gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Photolack-Ablösebad mindestens' ein Alkanolamin aufweist.
4. Prozeß gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Mikrokorrosionsniveau nach der Behandlung entweder durch visuelle Inspektion mittels Rasterelektronenmikroskopie, oder elektrisch durch Messen des Widerstandes der Wafer-Metallinien beurteilt wird.
5. Prozeß gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spüllösung andere korrodierende Mittel als Hydroxylionen aufweist.
6. Prozeß gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die starke anorganische Säure aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus HNO&sub3;, H&sub2;SO&sub4;, HI, H&sub3;PO&sub4;, H&sub3;CrO&sub4; oder einem Gemisch davon besteht.
7. Prozeß gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die starke anorganische Säure HNO&sub3; ist.
8. Prozeß gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spüllösung eine 180 bis 1 1200 verdünnte Salpetersäureläsung ist.
9. Prozeß gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Spüllösung eine 1. 100 verdünnte Salpetersäurelösung ist.
10. Prozeß gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht des metallisierten Substrats Aluminium oder eine Aluminiumlegierung aufweist.
11. Prozeß gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das metallisierte Substrat, das für Metallmikrokorrosion anfällig ist, eine metallisierte Wafer ist, die einer trockenen Photolackablösung unterworfen wird.
12. Verwendung von Salpetersäure in einer sauren wässerigen Spüllösung für metallisierte Substrate, die anfällig für Metallkorrosion sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Salpetersäure verwendet wird, um die Korrosion infolge der Spülung zu verringern.
13. Verwendung von Salpetersäure in einer sauren wässerigen Spüllösung für metallisierte Substrate, die anfällig für Metallkorrosion sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Salpetersäure anwesend ist, um die Alkalinität der Spüllösung zu verringern.
14. Verwendung einer Halbleiter-Spüllösung, die deionisiertes Wasser und Salpetersäure aufweist.
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