JP2000164547A

JP2000164547A - 基板洗浄方法

Info

Publication number: JP2000164547A
Application number: JP10339261A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Uchida; 博章内田; Shinria Araki; 真理亜荒木; Takuya Yasui; 拓也安井
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-11-30
Filing date: 1998-11-30
Publication date: 2000-06-16
Anticipated expiration: 2018-11-30
Also published as: JP3615951B2

Abstract

(57)【要約】【課題】アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶
液を用いメガヘルツの超音波を混合溶液に付与して基板
の洗浄を行う場合に、基板の表面に極く微小な凹凸が発
生することを防止できる方法を提供する。【手段】基板Ｗが収容される処理槽１０内へアンモニ
ア水および過酸化水素水を供給し、超音波振動子４２に
より処理槽内の処理液に対しメガヘルツの超音波を付与
して基板を洗浄する場合に、処理槽内への過酸化水素水
の供給開始後か、処理槽内への過酸化水素水の供給開始
と同時でかつ処理槽内へのアンモニア水の供給開始前
に、処理液に対する超音波の付与を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、処
理槽内に収容された２種類もしくはそれ以上の種類の薬
液の混合溶液からなる処理液中に浸漬させ、処理液に対
し超音波、例えば振動周波数がメガヘルツ帯域の超音波
を付与して基板を洗浄する基板洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいて、基板、例えばシリコンウエハの表面に付着した
パーティクルや有機物といった不要物をウエハ表面から
除去する場合には、アンモニア水と過酸化水素水と純水
との混合溶液を用いてウエハを洗浄し、その洗浄後にウ
エハを純水で水洗して、ウエハ上に残存している薬液や
分解生成物等の不要物をウエハ表面から除去するように
している。そして、これらの薬液による洗浄や純水によ
る水洗を１つの処理槽内において行う、いわゆるワンバ
ス方式では、１つの処理槽内へ薬液や純水を順次供給し
て処理槽内を薬液や純水で順番に満たすようにし、処理
槽内に収容されたウエハを薬液中や純水中に順次浸漬さ
せて、ウエハの洗浄および水洗がそれぞれ行われる。

【０００３】このようなウエハの洗浄工程において、前
工程から持ち込まれたパーティクルをウエハの表面から
効果的に除去するために、８００ｋＨｚから１ＭＨｚ程
度の周波数帯域の超音波を利用したメガヘルツ超音波洗
浄（以下、「メガソニック洗浄」という）を併用するこ
とが行われている。

【０００４】このメガソニック洗浄を併用したウエハ洗
浄方法では、内部にウエハが収容され純水が満たされた
処理槽内へ、純水にアンモニア水と過酸化水素水とを混
合させて所定濃度に調整した混合溶液を供給し、処理槽
内へその底部から流入する混合溶液により処理槽の上部
の溢流部から純水を押し出して、処理槽の内部を、所定
濃度に調整された混合溶液で置換し、その所定濃度の混
合溶液中にウエハが浸漬されるようにする。このとき、
純水にアンモニア水と過酸化水素水とを混合させて所定
濃度に調整された混合溶液を処理槽内へ供給するのと同
時に、処理槽内の液体に対しメガヘルツレベルの超音波
を付与する。また、通常は、薬液を節約するために、処
理槽の内部が所定濃度の混合溶液で完全に置換される
と、処理槽内への混合溶液の供給を停止する。そして、
混合溶液の供給停止後もメガソニック洗浄を継続する。
メガソニック洗浄を併用した薬液による洗浄が終了する
と、処理槽内の液体に対するメガヘルツ超音波の付与を
止め、処理槽内へ純水を供給し、処理槽の底部から流入
する純水により処理槽の上部の溢流部から混合溶液を押
し出して、処理槽の内部を純水で置換し、純水中にウエ
ハが浸漬されるようにして、ウエハを水洗する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る半導体デバイスの高集積度化に伴い、粒径が０．１μ
ｍといったようなパーティクルについても、ウエハへの
付着を抑制する必要があり、その必要性からＡｒレーザ
等を使用した異物・欠陥検査装置が開発されている。こ
の検査装置を使用することにより、メガソニック洗浄を
併用した従来の上記洗浄方法では、ウエハの表面に極く
微小な凹凸（以下、「表面荒れ」という）が発生するこ
とが分かってきた。

【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、アンモニア水と過酸化水素水といっ
たように２種類もしくはそれ以上の種類の薬液の混合溶
液を用いメガソニック洗浄を併用して基板の洗浄を行う
場合において、基板の表面に表面荒れが発生することを
防止することができる基板洗浄方法を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
基板が収容される処理槽内へ、アルカリ性の第１薬液お
よび酸化作用をもつ第２薬液をそれぞれ供給し、処理槽
内に貯留された第１薬液および第２薬液を含む処理液に
対し超音波を付与して基板を洗浄する基板洗浄方法にお
いて、前記処理槽内への前記第２薬液の供給開始後、ま
たは、前記処理槽内への前記第２薬液の供給開始と同時
でかつ処理槽内への前記第１薬液の供給開始前に、処理
液に対する超音波の付与を行うことを特徴とする。

【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板洗浄方法において、前記第１薬液としてアンモニア水
を用い、前記第２薬液として過酸化水素水を用いること
を特徴とする。

【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板洗浄方法において、前記処理槽内への
前記第１薬液および第２薬液の供給を同時に開始し、そ
の後に処理液に対する超音波の付与を行うことを特徴と
する。

【００１０】請求項４に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板洗浄方法において、前記処理槽内への
前記第２薬液の供給開始後に処理槽内への前記第１薬液
の供給を開始し、その処理槽内への第１薬液の供給開始
と同時もしくはその前後に処理液に対する超音波の付与
を行うことを特徴とする。

【００１１】ここで、アルカリ性の第１薬液および酸化
作用をもつ第２薬液として、例えば、請求項２に係る発
明の方法におけるようにそれぞれアンモニア水および過
酸化水素水を用い、基板、例えばシリコンウエハを洗浄
する場合において、その洗浄工程の前工程では、フッ酸
やバッファードフッ酸（フッ化水素とフッ化アンモニウ
ムと水との混合溶液）を用いてウエハを洗浄もしくはエ
ッチングする処理が行われる。この処理後のシリコンウ
エハは、ウエハ素材面であるシリコン面が露出した表面
（ベアシリコン面）を有しているが、洗浄工程におい
て、メガソニックの洗浄を併用しないときには、ウエハ
に表面荒れは発生しない。このことから、表面荒れの発
生原因として、未だシリコン面が露出した表面状態にあ
るシリコンウエハに対しメガソニック洗浄を施すことに
より、アンモニア水によるシリコン面のエッチング作用
が優先的に生じたのではないか、といったことが考えら
れる。

【００１２】そこで、請求項１に係る発明の洗浄方法で
は、処理槽内への第２薬液（過酸化水素水）の供給開始
後に、処理液に対する超音波の付与を行うようにしてお
り、このため、処理液に対する超音波の付与を行う際に
は、第２薬液による酸化作用により、ウエハの表面に酸
化膜が形成されている。したがって、ウエハに対しメガ
ソニック洗浄を施しても、第１薬液（アンモニア水）に
よるシリコン面のエッチング作用が抑制され、ウエハに
表面荒れが発生することが防止される。あるいは、処理
槽内への第２薬液（過酸化水素水）の供給開始と同時に
処理液に対する超音波の付与を行うときは、処理槽内へ
の第１薬液（アンモニア水）の供給は、処理液に対する
超音波の付与後に開始されるようにしており、このた
め、第１薬液の供給開始の際には、第２薬液による酸化
作用により、ウエハの表面に酸化膜が形成されている。
したがって、ウエハに対し、例えばメガソニック洗浄等
の超音波洗浄を施しても、第１薬液によるシリコン面の
エッチング作用が抑制され、ウエハに表面荒れが発生す
ることが防止される。

【００１３】請求項３に係る発明の洗浄方法では、処理
槽内への第２薬液の供給開始後に処理液に対する超音波
の付与が行われるので、処理液に対する超音波の付与を
行う際には、第２薬液による酸化作用により、ウエハの
表面に酸化膜が形成されており、このため、処理槽内へ
の第１薬液および第２薬液の供給を同時に開始しても、
第１薬液によるシリコン面のエッチング作用は抑制され
る。

【００１４】請求項４に係る発明の洗浄方法では、処理
槽内への第２薬液の供給開始後に処理槽内への第１薬液
の供給が開始されるので、処理槽内への第１薬液の供給
を開始する際には、第２薬液による酸化作用により、ウ
エハの表面に酸化膜が形成されており、このため、処理
槽内の処理液に対する超音波の付与を行っても、第１薬
液によるシリコン面のエッチング作用は抑制される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１および図２を参照しながら説明する。

【００１６】図１は、この発明に係る基板洗浄方法を実
施するのに使用される基板洗浄装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板洗浄装置は、下部に液体供
給口１２が形設され、上部から溢れ出た液体が流入する
溢流液受け部１４が付設された処理槽１０を備え、この
処理槽１０内に基板、例えばシリコンウエハＷが搬入さ
れて収容され、この１つの処理槽１０内でウエハＷの薬
液洗浄および水洗が行われる。

【００１７】処理槽１０の下部の液体供給口１２には、
液体供給管１６が連通して接続されており、液体供給管
１６は、ミキシングバルブ１８の液体出口に接続されて
いる。ミキシングバルブ１８には、純水供給源に接続し
た純水供給管２０、アルカリ性の第１薬液、例えばアン
モニア水の供給源に接続した薬液供給管２２、および、
酸化作用をもつ第２薬液、例えば過酸化水素水の供給源
に接続した薬液供給管２４がそれぞれ接続されている。
純水供給管２０および薬液供給管２２、２４には、それ
ぞれ開閉制御弁２６、２８、３０が介在して設けられて
おり、純水供給管２０には、さらに流量調整弁３２が介
在して設けられている。なお、図示はしないが、薬液供
給管２２、２４の各々にも、流量調整弁が介在して設け
られている。そして、開閉制御弁２６を開いて開閉制御
弁２８、３０を閉じた状態では、ミキシングバルブ１８
の液体出口から液体供給管１６を通して処理槽１０内へ
純水が供給され、開閉制御弁２６、２８、３０を全て開
いた状態では、ミキシングバルブ１８で純水にアンモニ
ア水および過酸化水素水が混合されて一定濃度に調製さ
れた混合溶液が、ミキシングバルブ１８の液体出口から
液体供給管１６を通して処理槽１０内へ供給されるよう
になっている。さらに、開閉制御弁２６、２８を開いて
開閉制御弁３０を閉じた状態では、ミキシングバルブ１
８で純水にアンモニア水が混合されて一定濃度に調製さ
れたアンモニア水が、ミキシングバルブ１８の液体出口
から液体供給管１６を通して処理槽１０内へ供給され、
開閉制御弁２６、３０を開いて開閉制御弁２８を閉じた
状態では、ミキシングバルブ１８で純水に過酸化水素水
が混合されて一定濃度に調製された過酸化水素水が、ミ
キシングバルブ１８の液体出口から液体供給管１６を通
して処理槽１０内へ供給されるようになっている。

【００１８】また、処理槽１０の底部には排液口３４が
形設されており、その排液口３４に、開閉弁３８が介挿
された排液管３６が連通している。そして、開閉弁３８
を開くことにより、処理槽１０内から急速に液体を排出
させて、処理槽１０内を空の状態にすることが可能にな
っている。また、溢流液受け部１４の底部には排液管４
０が連通しており、溢流液受け部１４内へ流入した液体
が、排液管４０を通って排出され、必要により循環使用
されたりする。

【００１９】また、処理槽１０には、その内部に収容さ
れた液体に対し８００ｋＨｚから１ＭＨｚ程度の周波数
帯域の超音波を付与する超音波振動子４２が併設されて
いる。超音波振動子４２は、高周波発信器４４によって
駆動され、高周波発信器４４は、コントローラ４６に接
続されて、その駆動および停止が制御されるようになっ
ている。また、コントローラ４６には、開閉制御弁２
６、２８、３０が接続されていて、コントローラ４６に
より各開閉制御弁２６、２８、３０の開閉動作がそれぞ
れ制御される。

【００２０】次に、図１に示した基板洗浄装置を使用し
て行われる基板洗浄操作の１例について、図２を参照し
ながら説明する。

【００２１】例えば、前の工程では、フッ酸を使用して
シリコンウエハＷを洗浄もしくはエッチングした後、ウ
エハＷを超純水で水洗する、といった処理が行われてお
り、処理槽１０内には、純水供給管２０および液体供給
管１６を通って液体供給口１２から純水が供給され、処
理槽１０の内部が純水で満たされて処理槽１０の上部か
ら溢流液受け部１４へ純水が溢れ出る状態とされ、処理
槽１０内の純水中にウエハＷが浸漬させられている。こ
の状態において、開閉制御弁２６、２８、３０を全て開
き、ミキシングバルブ１８で純水にアンモニア水および
過酸化水素水が混合されて一定濃度に調製された混合溶
液が、ミキシングバルブ１８の液体出口から液体供給管
１６を通して処理槽１０内へ供給されるようにする。こ
れにより、処理槽１０内へその底部から流入する混合溶
液で処理槽１０の上部から純水が押し出されて、図２に
示すように、処理槽１０内の液体の薬液（アンモニア水
および過酸化水素水）の濃度が次第に上昇していく。

【００２２】処理槽１０内の液体の薬液濃度がほぼ一定
濃度になると、すなわち、ミキシングバルブ１８で調整
された所定濃度になると、コントローラ４６により、開
閉制御弁２６、２８、３０を全て閉じる。これと同時
に、コントローラ４６により、高周波発信器４４を駆動
制御し、超音波振動子４２から処理槽１０の内部に収容
された混合溶液に対し８００ｋＨｚから１ＭＨｚ程度の
周波数帯域の超音波を付与して、メガソニック洗浄を行
う。メガソニック洗浄を併用した薬液によるウエハＷの
洗浄が終了すると、コントローラ４６により、高周波発
信器４４を停止させて処理槽１０内の液体に対する超音
波の付与を止めるとともに、開閉制御弁２８、３０を閉
じたままで開閉制御弁２６だけを開き、処理槽１０内へ
純水供給管２０および液体供給管１６を通って純水が供
給されるようにする。これにより、処理槽１０内へその
底部から流入する純水で処理槽１０の上部から混合溶液
が押し出されて、処理槽１０内の液体の薬液濃度が次第
に低下していく。そして、処理槽１０の内部を純水で完
全に置換させ、純水中にウエハＷが浸漬されるようにし
て、ウエハＷを水洗する。ウエハＷの水洗が終了する
と、処理槽１０内への純水の供給を停止して、ウエハＷ
を処理槽１０内から搬出し、一連の処理が完了する。

【００２３】上記した洗浄操作では、処理槽１０内へ薬
液（アンモニア水および過酸化水素水）を供給して、両
薬液が充分に混合され処理槽１０内の液体の薬液濃度が
ほぼ一定濃度になった後に、処理槽１０内の液体に対し
メガヘルツ超音波を付与してメガソニック洗浄を行うよ
うにしている。このため、メガソニック洗浄を開始する
際には、過酸化水素水による酸化作用により、ウエハＷ
の表面に酸化膜が形成されている。したがって、ウエハ
Ｗに対しメガソニック洗浄を施しても、アンモニア水に
よるシリコン面のエッチング作用は抑制され、ウエハＷ
に表面荒れが発生することが防止される。

【００２４】上記した洗浄操作例では、処理槽１０内へ
アンモニア水および過酸化水素水を同時に供給し、その
後に処理槽１０内の液体に対しメガヘルツ超音波を付与
してメガソニック洗浄を行うようにしているが、それ以
外の洗浄操作でも、ウエハＷに対しメガソニック洗浄を
施したときにアンモニア水によるシリコン面のエッチン
グ作用が抑制されればよい。したがって、処理槽１０内
へのアンモニア水の供給開始時点の如何を問わず、メガ
ソニック洗浄の開始前に、処理槽１０内へ過酸化水素水
が供給されてウエハＷの表面に酸化膜が形成されておれ
ばよく、あるいは、メガソニック洗浄の開始時点の如何
を問わず、処理槽１０内へのアンモニア水の供給開始前
に、処理槽１０内へ過酸化水素水が供給されてウエハＷ
の表面に酸化膜が形成されておればよいことになる。こ
の観点からすると、処理槽１０内への過酸化水素水の供
給を先に開始して、その後に処理槽１０内へのアンモニ
ア水の供給を開始するようにすることが、アンモニア水
によるシリコン面のエッチング作用を抑制するために
は、より効果的である。

【００２５】なお、上記した実施形態では、処理槽１０
内への薬液の供給を停止した状態でメガソニック洗浄を
行うようにしているが、これは薬液の節約のためであ
り、処理槽１０内へ薬液を供給しながらメガソニック洗
浄を行うようにしても差し支えない。

【００２６】また、上記した実施形態では、メガソニッ
ク洗浄を終えるに際して、超音波の付与を止めるととも
に、純水の供給を開始したが、必ずしも超音波の付与を
止めるのと純水供給の開始とを同時にする必要はなく、
超音波の付与を止めて暫くしてから純水供給を開始して
もよい。

【００２７】また、基板を洗浄するために処理液に付与
する超音波は、メガヘルツ帯域ないしメガヘルツ帯域近
辺の周波数を含む超音波とするのが、最も効果的に基板
を洗浄できるので、上記した実施形態では、超音波を付
与することをメガソニック洗浄としたが、本発明におい
て、超音波の付与は、メガヘルツ帯域ないしメガヘルツ
帯域近辺の周波数を含まない帯域の超音波を付与するも
のであってもよい。

【００２８】また、上記した実施形態は、前の工程とし
てフッ酸を使用して洗浄もしくはエッチングしてから、
超純水でフッ酸除去のための水洗を施したウエハＷに関
するものであるが、かかるフッ酸を使用して洗浄もしく
はエッチングを行う処理槽や、また、超純水でのフッ酸
除去のための水洗を行う処理槽は、本発明に係る基板洗
浄方法を行う処理槽すなわち上記した実施形態における
処理槽１０とは、別の処理槽でもよく、同じ処理槽でも
よい。

【００２９】

【実施例】次に、この発明のより具体的な実施例を、実
験例およびその結果を示して説明する。

【００３０】〔実施例Ａ〕処理槽内へ純水を供給して、
処理槽（内容積：１１リットル）の内部に純水を満た
し、その純水中にシリコンウエハを浸漬させる。引き続
き処理槽内へ純水を供給し、処理槽の上部から純水が溢
れ出る状態にして、ウエハを６０秒間水洗する。次に、
フッ酸と純水との混合溶液を処理槽内へ２０リットル／
分の流量で１２０秒間供給して、処理槽の内部を混合溶
液で置換した後、混合溶液の供給を停止して、混合溶液
中にウエハを３９０秒間浸漬させる。そして、温純水
（６５℃）を処理槽内へ２０リットル／分の流量で１２
０秒間供給して、処理槽の内部を温純水で置換する。以
下の説明において、以上の操作を前工程操作という。

【００３１】前工程操作が終了すると、アンモニア水と
過酸化水素水と温純水（６５℃）との混合溶液（ＮＨ_４
ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：５０。以下、「ＡＰ
Ｍ」という）を処理槽内へ２０リットル／分の流量で１
２０秒間供給して、処理槽の内部をＡＰＭで置換する。
処理槽内へのＡＰＭの供給を停止した後、ＡＰＭ中にウ
エハを浸漬させた状態で４８０秒間メガソニック洗浄を
行う。このときのメガソニック出力は、４５０Ｗ×２と
する（以下の実験においても同じ）。

【００３２】メガソニック洗浄が終了すると、処理槽内
へ純水を２０リットル／分の流量で６０秒間供給した
後、３５秒間、シャワーノズルから処理槽内のウエハの
表面に向けて純水を噴射させながら処理槽内から急速排
水し、次いで、２５秒間、シャワーノズルから処理槽内
のウエハの表面に向けて純水を噴射させながら処理槽内
へ純水を２０リットル／分の流量で供給する。これらの
急速排水および純水供給を合計で６回繰り返した後、処
理槽内からウエハを搬出して、ウエハを乾燥させる。以
下の説明において、メガソニック洗浄以後の前記操作を
後工程操作という。

【００３３】〔実施例Ｂ〕前工程操作を行った後、過酸
化水素水と温純水（６５℃）との混合溶液（Ｈ_２Ｏ_２：
Ｈ_２Ｏ＝１：５０）を処理槽内へ２０リットル／分の流
量で３０秒間供給する。その後に、ＡＰＭを処理槽内へ
２０リットル／分の流量で１２０秒間供給して、処理槽
の内部をＡＰＭで置換する。このとき、処理槽内へのＡ
ＰＭの供給開始と同時に、処理槽内の液体に対するメガ
ヘルツ超音波の付与を開始する。そして、処理槽内への
ＡＰＭの供給を停止した後、ＡＰＭ中にウエハを浸漬さ
せた状態で４８０秒間メガソニック洗浄を行い、その終
了後に後工程操作を行う。

【００３４】〔実施例Ｃ〕前工程操作を行った後、過酸
化水素水と温純水（６５℃）との混合溶液（Ｈ_２Ｏ_２：
Ｈ_２Ｏ＝１：５０）を処理槽内へ２０リットル／分の流
量で３０秒間供給する。このとき、処理槽内への混合溶
液の供給開始と同時に、処理槽内の液体に対するメガヘ
ルツ超音波の付与を開始する。その後に、ＡＰＭを処理
槽内へ２０リットル／分の流量で１２０秒間供給して、
処理槽の内部をＡＰＭで置換し、処理槽内へのＡＰＭの
供給を停止した後、ＡＰＭ中にウエハを浸漬させた状態
で４８０秒間メガソニック洗浄を行い、その終了後に後
工程操作を行う。

【００３５】〔比較例〕前工程操作を行った後、ＡＰＭ
を処理槽内へ２０リットル／分の流量で１２０秒間供給
して、処理槽の内部をＡＰＭで置換する。このとき、処
理槽内へのＡＰＭの供給開始と同時に、処理槽内の液体
に対するメガヘルツ超音波の付与を開始する。そして、
処理槽内へのＡＰＭの供給を停止した後、ＡＰＭ中にウ
エハを浸漬させた状態で４８０秒間メガソニック洗浄を
行い、その終了後に後工程操作を行う。

【００３６】〔評価〕上記した本発明の実施例Ａ〜Ｃお
よび比較例（従来方法によった場合）について、乾燥後
のウエハの表面に残留しているパーティクルの個数をチ
ェックするとともに、ウエハの表面荒れの有無を調べる
ことにより、洗浄効果の評価を行った。パーティクルの
個数は、日立電子エンジニアリング（株）製のＬＳ−６
５００を使用して測定した。また、ＬＳ−６５００に
は、ウエハの表面に対して光（Ａｒレーザ）を垂直に当
てると異物（パーティクル）および欠陥の全てをカウン
トし、ウエハの表面に対して光を斜め方向から当てると
シリコンの結晶欠陥を無視してパーティクルのみをカウ
ントする機能があることを利用して、ウエハ表面へ光を
垂直に当てたときのカウント数に対し、ウエハ表面へ光
を斜め方向から当てたときのカウント数が少ないと、そ
の差は結晶欠陥によって生じるものであるから、ウエハ
に結晶欠陥すなわち表面荒れが発生していると認定し
た。測定結果を表１に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】表１に示した結果から分かるように、実施
例Ａ、Ｂについては、ウエハに表面荒れは発生しておら
ず、パーティクルの除去効果も充分に認められた。ま
た、実施例Ｃについては、ウエハに僅かに表面荒れが生
じていることが認められたが、比較例に比べると、表面
荒れの進行は抑えられていた。

【００３９】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板洗浄方法によ
ると、アルカリ性の薬液と酸化作用をもつ薬液との混合
溶液もしくはさらに別の種類の薬液を含む混合溶液を用
いメガソニック洗浄を併用して基板の洗浄を行う場合
に、基板の表面に表面荒れが発生することを防止するこ
とができる。

【００４０】請求項２に係る発明の基板洗浄方法では、
アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液を用いメ
ガソニック洗浄を併用して基板の洗浄を行う場合に、基
板の表面に表面荒れが発生することが防止される。

【００４１】請求項３に係る発明の洗浄方法では、処理
液に対する超音波の付与を行う際には、第２薬液による
酸化作用により、ウエハの表面に酸化膜が形成されてい
るので、処理槽内への第１薬液および第２薬液の供給を
同時に開始しても、第１薬液によるシリコン面のエッチ
ング作用が抑制され、基板の表面に表面荒れが発生する
ことが防止される。

【００４２】請求項４に係る発明の洗浄方法では、処理
槽内への第１薬液の供給を開始する際には、第２薬液に
よる酸化作用により、ウエハの表面に酸化膜が形成され
ているので、処理槽内の処理液に対する超音波の付与を
行っても、第１薬液によるシリコン面のエッチング作用
が抑制され、基板の表面に表面荒れが発生することが防
止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板洗浄方法を実施するのに使
用される基板洗浄装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。

【図２】図１に示した基板洗浄装置を使用して行われる
基板洗浄操作の１例を説明するための図である。

【符号の説明】

Ｗ基板１０処理槽１２処理槽の液体供給口１４溢流液受け部１６液体供給管１８ミキシングバルブ２０純水供給管２２、２４薬液供給管２６、２８、３０開閉制御弁３２流量調整弁３４処理槽の排液口３６排液管３８開閉弁４０排液管４２超音波振動子４４高周波発信器４６コントローラ

フロントページの続き (72)発明者荒木真理亜京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者安井拓也京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板が収容される処理槽内へ、アルカリ
性の第１薬液および酸化作用をもつ第２薬液をそれぞれ
供給し、処理槽内に貯留された第１薬液および第２薬液
を含む処理液に対し超音波を付与して基板を洗浄する基
板洗浄方法において、前記処理槽内への前記第２薬液の供給開始後、または、
前記処理槽内への前記第２薬液の供給開始と同時でかつ
処理槽内への前記第１薬液の供給開始前に、処理液に対
する超音波の付与を行うことを特徴とする基板洗浄方
法。
【請求項２】前記第１薬液がアンモニア水であり前記
第２薬液が過酸化水素水である請求項１記載の基板洗浄
方法。
【請求項３】前記処理槽内への前記第１薬液および第
２薬液の供給を同時に開始し、その後に処理液に対する
超音波の付与を行う請求項１または請求項２記載の基板
洗浄方法。
【請求項４】前記処理槽内への前記第２薬液の供給開
始後に処理槽内への前記第１薬液の供給を開始し、その
処理槽内への第１薬液の供給開始と同時もしくはその前
後に処理液に対する超音波の付与を行う請求項１または
請求項２記載の基板洗浄方法。