JP2000058493A - シリコンウエハの洗浄装置 - Google Patents
シリコンウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JP2000058493A JP2000058493A JP10219256A JP21925698A JP2000058493A JP 2000058493 A JP2000058493 A JP 2000058493A JP 10219256 A JP10219256 A JP 10219256A JP 21925698 A JP21925698 A JP 21925698A JP 2000058493 A JP2000058493 A JP 2000058493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- cleaning
- silicon wafer
- inner tank
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力
を向上させることができるシリコンウエハの洗浄装置を
提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ５０を収納するウエハカ
セット５２と、シリコンウエハ５０を洗浄する洗浄液が
満たされた内槽２０と、ウエハカセット５２を内槽２０
中で揺動させるウエハカセット揺動手段４０と、内槽２
０の底部に配設され、内槽２０に洗浄液を供給する洗浄
液供給手段６と、内槽２０の下部に配設され、内槽２０
の洗浄液に超音波振動を伝播させる水が満たされた外槽
３２と、外槽３２に水を供給する水供給手段と、外槽３
２に満たされた水に超音波振動を与える超音波発振手段
３０とを備えたシリコンウエハの洗浄装置である。水供
給手段は、少なくとも１つのノズル６０を有するととも
に、外槽３２の水を循環して用いる。
を向上させることができるシリコンウエハの洗浄装置を
提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ５０を収納するウエハカ
セット５２と、シリコンウエハ５０を洗浄する洗浄液が
満たされた内槽２０と、ウエハカセット５２を内槽２０
中で揺動させるウエハカセット揺動手段４０と、内槽２
０の底部に配設され、内槽２０に洗浄液を供給する洗浄
液供給手段６と、内槽２０の下部に配設され、内槽２０
の洗浄液に超音波振動を伝播させる水が満たされた外槽
３２と、外槽３２に水を供給する水供給手段と、外槽３
２に満たされた水に超音波振動を与える超音波発振手段
３０とを備えたシリコンウエハの洗浄装置である。水供
給手段は、少なくとも１つのノズル６０を有するととも
に、外槽３２の水を循環して用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウエハ
表面の清浄度および洗浄能力を向上させるシリコンウエ
ハの洗浄装置に関する。
表面の清浄度および洗浄能力を向上させるシリコンウエ
ハの洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 半導体デバイスの微細化と高集積化が
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、微粒子（パーティク
ル）、有機化合物、金属不純物、バクテリア等の汚染物
を有効に除去するための様々な洗浄法が開発されてい
る。
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、微粒子（パーティク
ル）、有機化合物、金属不純物、バクテリア等の汚染物
を有効に除去するための様々な洗浄法が開発されてい
る。
【０００３】 例えば、図５に示すような、化学的洗浄
と物理的洗浄を組み合わせたシリコンウエハの洗浄装置
が用いられている。これは、内槽（洗浄槽）２０に満た
された洗浄液（ＳＣ−１，ＳＣ−２等）による化学的洗
浄と、洗浄液に２０〜１５００ｋＨｚの超音波振動を与
える物理的洗浄（非接触スクラビング）を同時に行うこ
とにより、シリコンウエハ表面から不純物や微粒子を確
実に除去することができるものである。
と物理的洗浄を組み合わせたシリコンウエハの洗浄装置
が用いられている。これは、内槽（洗浄槽）２０に満た
された洗浄液（ＳＣ−１，ＳＣ−２等）による化学的洗
浄と、洗浄液に２０〜１５００ｋＨｚの超音波振動を与
える物理的洗浄（非接触スクラビング）を同時に行うこ
とにより、シリコンウエハ表面から不純物や微粒子を確
実に除去することができるものである。
【０００４】 また、上記のシリコンウエハの洗浄装置
は、図６に示すように、超音波発振器（図示せず）で発
振した超音波を超音波振動子３４により、外槽３２の水
に伝播させた後、更に外槽３２の水から内槽２０の洗浄
液に超音波を伝播させることにより、シリコンウエハ５
０に超音波の間接照射を行っている。このとき、外槽３
２の水と接する内槽２０の底面外側に気泡が発生し、内
槽２０への超音波の伝播を阻害するため、通常、外槽３
２の水をオーバーフローさせて、気泡を除去するための
水流を発生させていた。
は、図６に示すように、超音波発振器（図示せず）で発
振した超音波を超音波振動子３４により、外槽３２の水
に伝播させた後、更に外槽３２の水から内槽２０の洗浄
液に超音波を伝播させることにより、シリコンウエハ５
０に超音波の間接照射を行っている。このとき、外槽３
２の水と接する内槽２０の底面外側に気泡が発生し、内
槽２０への超音波の伝播を阻害するため、通常、外槽３
２の水をオーバーフローさせて、気泡を除去するための
水流を発生させていた。
【０００５】 しかしながら、上記のシリコンウエハの
洗浄装置の場合、気泡を除去するための水流が強すぎる
ため、内槽２０の洗浄液に超音波が伝播される前に、外
槽３２の水が流されてしまい、内槽２０の洗浄液に伝播
される超音波の音響エネルギーが少なくなるという問題
点があった。
洗浄装置の場合、気泡を除去するための水流が強すぎる
ため、内槽２０の洗浄液に超音波が伝播される前に、外
槽３２の水が流されてしまい、内槽２０の洗浄液に伝播
される超音波の音響エネルギーが少なくなるという問題
点があった。
【０００６】 また、超音波を内槽２０の洗浄液に効率
的に伝播させるためには、外槽３２の水温をできるたけ
上昇させることが好ましい。しかしながら、外槽３２の
水は、常温付近の水でオーバーフローされているため、
外槽３２の水温を上昇させることが困難であった。
的に伝播させるためには、外槽３２の水温をできるたけ
上昇させることが好ましい。しかしながら、外槽３２の
水は、常温付近の水でオーバーフローされているため、
外槽３２の水温を上昇させることが困難であった。
【０００７】 以上のことから、内槽２０の洗浄液に伝
播される超音波の音響エネルギーが大幅に減衰してしま
うため、シリコンウエハ５０を十分に超音波洗浄するこ
とができず、シリコンウエハ表面の清浄度を悪化させて
いた。
播される超音波の音響エネルギーが大幅に減衰してしま
うため、シリコンウエハ５０を十分に超音波洗浄するこ
とができず、シリコンウエハ表面の清浄度を悪化させて
いた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、超音波の音響エネルギーの減衰を低減させる
とともに、シリコンウエハを洗浄するための洗浄液に超
音波の音響エネルギーを効率良く伝播させることによ
り、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上
させることができるシリコンウエハの洗浄装置を提供す
るものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、超音波の音響エネルギーの減衰を低減させる
とともに、シリコンウエハを洗浄するための洗浄液に超
音波の音響エネルギーを効率良く伝播させることによ
り、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上
させることができるシリコンウエハの洗浄装置を提供す
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、シ
リコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、ウ
エハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺動
手段と、内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給す
る洗浄液供給手段と、内槽の下部に配設され、内槽の洗
浄液に超音波振動を伝播させる水が満たされた外槽と、
外槽に水を供給する水供給手段と、外槽に満たされた水
に超音波振動を与える超音波発振手段と、を備えたシリ
コンウエハの洗浄装置であって、前記水供給手段が、少
なくとも１つのノズルを有することを特徴とするシリコ
ンウエハの洗浄装置が提供される。
れば、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、シ
リコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、ウ
エハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺動
手段と、内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給す
る洗浄液供給手段と、内槽の下部に配設され、内槽の洗
浄液に超音波振動を伝播させる水が満たされた外槽と、
外槽に水を供給する水供給手段と、外槽に満たされた水
に超音波振動を与える超音波発振手段と、を備えたシリ
コンウエハの洗浄装置であって、前記水供給手段が、少
なくとも１つのノズルを有することを特徴とするシリコ
ンウエハの洗浄装置が提供される。
【００１０】 また、本発明によれば、シリコンウエハ
を収納するウエハカセットと、シリコンウエハを洗浄す
る洗浄液が満たされた内槽と、ウエハカセットを内槽中
で揺動させるウエハカセット揺動手段と、内槽の底部に
配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、外槽に水を供給する水
供給手段と、外槽に満たされた水に超音波振動を与える
超音波発振手段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置
であって、前記水供給手段が、外槽の水を循環して用い
ることを特徴とするシリコンウエハの洗浄装置が提供さ
れる。
を収納するウエハカセットと、シリコンウエハを洗浄す
る洗浄液が満たされた内槽と、ウエハカセットを内槽中
で揺動させるウエハカセット揺動手段と、内槽の底部に
配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、外槽に水を供給する水
供給手段と、外槽に満たされた水に超音波振動を与える
超音波発振手段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置
であって、前記水供給手段が、外槽の水を循環して用い
ることを特徴とするシリコンウエハの洗浄装置が提供さ
れる。
【００１１】 更に、本発明によれば、シリコンウエハ
を収納するウエハカセットと、シリコンウエハを洗浄す
る洗浄液が満たされた内槽と、ウエハカセットを内槽中
で揺動させるウエハカセット揺動手段と、内槽の底部に
配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、外槽に水を供給する水
供給手段と、外槽に満たされた水に超音波振動を与える
超音波発振手段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置
であって、前記水供給手段が、少なくとも１つのノズル
を有するとともに、外槽の水を循環して用いることを特
徴とするシリコンウエハの洗浄装置が提供される。
を収納するウエハカセットと、シリコンウエハを洗浄す
る洗浄液が満たされた内槽と、ウエハカセットを内槽中
で揺動させるウエハカセット揺動手段と、内槽の底部に
配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、外槽に水を供給する水
供給手段と、外槽に満たされた水に超音波振動を与える
超音波発振手段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置
であって、前記水供給手段が、少なくとも１つのノズル
を有するとともに、外槽の水を循環して用いることを特
徴とするシリコンウエハの洗浄装置が提供される。
【００１２】 尚、本発明のシリコンウエハの洗浄装置
は、次のような形態であることが好ましい。ノズルへの
水の供給量が、１〜２ｌ／ｍｉｎであること。外槽に満
たされた水の温度が、３０〜７４℃であること。
は、次のような形態であることが好ましい。ノズルへの
水の供給量が、１〜２ｌ／ｍｉｎであること。外槽に満
たされた水の温度が、３０〜７４℃であること。
【００１３】
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウエハの洗浄
装置は、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、
シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、
ウエハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺
動手段と、内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給
する洗浄液供給手段と、内槽の下部に配設され、内槽の
洗浄液に超音波振動を伝播させる水が満たされた外槽
と、外槽に水を供給する水供給手段と、外槽に満たされ
た水に超音波振動を与える超音波発振手段を備えたシリ
コンウエハの洗浄装置であって、水供給手段が、少なく
とも１つのノズルを有するとともに、外槽の水を循環し
て用いるものである。尚、上記水供給手段は、少なくと
も１つのノズルを有するのみでもよく、また外槽の水を
循環して用いるのみでもよい。
装置は、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、
シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、
ウエハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺
動手段と、内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給
する洗浄液供給手段と、内槽の下部に配設され、内槽の
洗浄液に超音波振動を伝播させる水が満たされた外槽
と、外槽に水を供給する水供給手段と、外槽に満たされ
た水に超音波振動を与える超音波発振手段を備えたシリ
コンウエハの洗浄装置であって、水供給手段が、少なく
とも１つのノズルを有するとともに、外槽の水を循環し
て用いるものである。尚、上記水供給手段は、少なくと
も１つのノズルを有するのみでもよく、また外槽の水を
循環して用いるのみでもよい。
【００１４】 上記のような洗浄装置は、超音波の音響
エネルギーの減衰を低減させるとともに、シリコンウエ
ハを洗浄するための洗浄液に超音波の音響エネルギーを
効率良く伝播させることができるため、シリコンウエハ
表面の清浄度および洗浄能力を向上させることができ
る。
エネルギーの減衰を低減させるとともに、シリコンウエ
ハを洗浄するための洗浄液に超音波の音響エネルギーを
効率良く伝播させることができるため、シリコンウエハ
表面の清浄度および洗浄能力を向上させることができ
る。
【００１５】 次に、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置について詳細に説明する。図５は、シリコンウエハの
洗浄装置の一例を示すものであり、（ａ）は、概略平面
図、（ｂ）は、概略正面図、（ｃ）は、概略側面図であ
る。本発明のシリコンウエハの洗浄装置は、図５に示す
ように、シリコンウエハ５０を洗浄するための洗浄液が
満たされた内槽（洗浄槽）２０と、オーバーフローした
洗浄液を排水するためのオーバーフロー槽２２と、洗浄
液を供給するための内槽用給水口６から構成され、新鮮
な洗浄液は、内槽用給水口６から導入される一方であ
り、オーバーフロー槽２２に溢れ出た洗浄液は、排水管
２４によって排水される。
置について詳細に説明する。図５は、シリコンウエハの
洗浄装置の一例を示すものであり、（ａ）は、概略平面
図、（ｂ）は、概略正面図、（ｃ）は、概略側面図であ
る。本発明のシリコンウエハの洗浄装置は、図５に示す
ように、シリコンウエハ５０を洗浄するための洗浄液が
満たされた内槽（洗浄槽）２０と、オーバーフローした
洗浄液を排水するためのオーバーフロー槽２２と、洗浄
液を供給するための内槽用給水口６から構成され、新鮮
な洗浄液は、内槽用給水口６から導入される一方であ
り、オーバーフロー槽２２に溢れ出た洗浄液は、排水管
２４によって排水される。
【００１６】 また、超音波発振器（図示せず）で発振
した超音波を超音波振動子３４により、外槽３２の水に
伝播させた後、更に外槽３２の水から内槽２０の洗浄液
に超音波を伝播させることにより、シリコンウエハ５０
に超音波の間接照射を行っている。尚、外槽３２の水の
温度は、超音波の音響エネルギーおよび内槽２０の洗浄
液の熱エネルギーにより上昇する。
した超音波を超音波振動子３４により、外槽３２の水に
伝播させた後、更に外槽３２の水から内槽２０の洗浄液
に超音波を伝播させることにより、シリコンウエハ５０
に超音波の間接照射を行っている。尚、外槽３２の水の
温度は、超音波の音響エネルギーおよび内槽２０の洗浄
液の熱エネルギーにより上昇する。
【００１７】 次に、シリコンウエハ５０を収納したウ
エハカセット５２は、内槽２０に投入され、ウエハカセ
ット５０を揺動しながら洗浄液に浸漬することにより、
シリコンウエハ５０の洗浄が行われる。
エハカセット５２は、内槽２０に投入され、ウエハカセ
ット５０を揺動しながら洗浄液に浸漬することにより、
シリコンウエハ５０の洗浄が行われる。
【００１８】 尚、本発明で用いる洗浄液は、特に限定
されないが、ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合
液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を
用いることが好ましい。これにより、シリコンウエハの
化学的洗浄と超音波による物理的洗浄を同時に行うこと
ができるため、シリコンウエハ表面の汚染微粒子だけで
なく、有機汚染膜や吸着した汚染物を効率良く除去する
ことができる。
されないが、ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合
液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を
用いることが好ましい。これにより、シリコンウエハの
化学的洗浄と超音波による物理的洗浄を同時に行うこと
ができるため、シリコンウエハ表面の汚染微粒子だけで
なく、有機汚染膜や吸着した汚染物を効率良く除去する
ことができる。
【００１９】 ここで、本発明で用いる水供給手段の一
例は、図１に示すように、外槽３２に水を供給する水供
給手段が、少なくとも１つのノズル６０を有することに
ある。これにより、外槽３２の水と接する内槽２０の底
面外側に発生する気泡を除去するために、従来の装置
（図６参照）で用いられる外槽用給水口３６の場合、水
の供給量が５〜１０ｌ／ｍｉｎ必要であったが、ノズル
６０を用いることにより、１〜２ｌ／ｍｉｎというより
少ない水の供給量で実現することができる。
例は、図１に示すように、外槽３２に水を供給する水供
給手段が、少なくとも１つのノズル６０を有することに
ある。これにより、外槽３２の水と接する内槽２０の底
面外側に発生する気泡を除去するために、従来の装置
（図６参照）で用いられる外槽用給水口３６の場合、水
の供給量が５〜１０ｌ／ｍｉｎ必要であったが、ノズル
６０を用いることにより、１〜２ｌ／ｍｉｎというより
少ない水の供給量で実現することができる。
【００２０】 また、上記の効果を発揮するためには、
例えば、図４（ａ）に示すように、内槽２０から所定の
距離ｃになるようにノズル６０を外槽（図示せず）内に
配設し、ノズル６０の噴出孔６１をノズル６０と対角線
上にある内槽２０の底面外側に向くように、ノズル６０
の噴出角θを設定することが好ましい。
例えば、図４（ａ）に示すように、内槽２０から所定の
距離ｃになるようにノズル６０を外槽（図示せず）内に
配設し、ノズル６０の噴出孔６１をノズル６０と対角線
上にある内槽２０の底面外側に向くように、ノズル６０
の噴出角θを設定することが好ましい。
【００２１】 これにより、ノズル６０の噴出孔６１か
ら噴出された局所的な水の流れが、外槽３２の水と接す
る内槽２０の底面外側に発生する気泡を確実に除去する
とともに、外槽３２中に発生する水の流れを最小限にす
ることができるため、内槽２０の洗浄液に超音波が伝播
される前に、外槽３２の水が流されることがなく、内槽
２０の洗浄液に伝播される超音波の音響エネルギーの減
衰を低減することができる。また、外槽３２のオーバー
フローによる水の供給量も少なくすることができるた
め、従来の装置（図６参照）と比較して、外槽３２の水
の温度を比較的容易に上昇させることができる。尚、ノ
ズル６０の個数および形状、内槽２０からのノズル６０
の距離ｃ、ノズル６０の噴出角θ等は、特に限定され
ず、上記の効果が得られるように、適宜選択される。
ら噴出された局所的な水の流れが、外槽３２の水と接す
る内槽２０の底面外側に発生する気泡を確実に除去する
とともに、外槽３２中に発生する水の流れを最小限にす
ることができるため、内槽２０の洗浄液に超音波が伝播
される前に、外槽３２の水が流されることがなく、内槽
２０の洗浄液に伝播される超音波の音響エネルギーの減
衰を低減することができる。また、外槽３２のオーバー
フローによる水の供給量も少なくすることができるた
め、従来の装置（図６参照）と比較して、外槽３２の水
の温度を比較的容易に上昇させることができる。尚、ノ
ズル６０の個数および形状、内槽２０からのノズル６０
の距離ｃ、ノズル６０の噴出角θ等は、特に限定され
ず、上記の効果が得られるように、適宜選択される。
【００２２】 また、本発明で用いる水供給手段の他の
例は、図２に示すように、外槽３２に水を供給する水供
給手段が、外槽の水を循環して用いることにある。これ
により、外槽３２の水の温度と同じオーバーフロー水を
外槽３２に循環して用いることにより、従来の装置（図
６参照）と比較して、外槽３２の水の温度を容易に上昇
させることができるため、内槽２０の洗浄液に超音波の
音響エネルギーを効率良く伝播させることができる。ま
た、従来の装置（図６参照）の場合、オーバーフロー水
は、再利用されることなく排水されていたが、本発明
（図２参照）のようにオーバーフロー水を外槽３２に循
環して用いることにより、排水量を大幅に抑制すること
ができるため、経済的である。
例は、図２に示すように、外槽３２に水を供給する水供
給手段が、外槽の水を循環して用いることにある。これ
により、外槽３２の水の温度と同じオーバーフロー水を
外槽３２に循環して用いることにより、従来の装置（図
６参照）と比較して、外槽３２の水の温度を容易に上昇
させることができるため、内槽２０の洗浄液に超音波の
音響エネルギーを効率良く伝播させることができる。ま
た、従来の装置（図６参照）の場合、オーバーフロー水
は、再利用されることなく排水されていたが、本発明
（図２参照）のようにオーバーフロー水を外槽３２に循
環して用いることにより、排水量を大幅に抑制すること
ができるため、経済的である。
【００２３】 ここで、外槽３２に満たされた水の温度
は、３０〜７４℃であることが好ましい。これは、外槽
３２の水の温度を７４℃に上昇させることにより、単位
時間に伝達される音響エネルギーをより大きくすること
ができ、内槽２０の洗浄液に超音波の音響エネルギーを
効率良く伝播することができるからである。尚、水中を
進行する超音波の音速は、理論的には７４℃に極大値か
つ最大値がある。一方、外槽３２の水の温度は、内槽２
０の洗浄液の温度と同じにすることが好ましいため、洗
浄液の使用温度である３０〜７４℃の範囲でコントロー
ルすることが好ましい。
は、３０〜７４℃であることが好ましい。これは、外槽
３２の水の温度を７４℃に上昇させることにより、単位
時間に伝達される音響エネルギーをより大きくすること
ができ、内槽２０の洗浄液に超音波の音響エネルギーを
効率良く伝播することができるからである。尚、水中を
進行する超音波の音速は、理論的には７４℃に極大値か
つ最大値がある。一方、外槽３２の水の温度は、内槽２
０の洗浄液の温度と同じにすることが好ましいため、洗
浄液の使用温度である３０〜７４℃の範囲でコントロー
ルすることが好ましい。
【００２４】 更に、本発明で用いる水供給手段の別の
例は、図３に示すように、外槽３２に水を供給する水供
給手段が、少なくとも１つのノズル６０を有するととも
に、外槽の水を循環して用いることにある。これによ
り、ノズル６０による内槽２０の洗浄液に伝播される超
音波の音響エネルギーの減衰を低減する効果と、外槽の
水の循環による内槽２０の洗浄液に超音波の音響エネル
ギーを効率良く伝播させる効果との相乗効果により、図
１〜２のシリコンウエハの洗浄装置と比較して、シリコ
ンウエハ表面の清浄度および洗浄能力をより向上させる
ことができる。
例は、図３に示すように、外槽３２に水を供給する水供
給手段が、少なくとも１つのノズル６０を有するととも
に、外槽の水を循環して用いることにある。これによ
り、ノズル６０による内槽２０の洗浄液に伝播される超
音波の音響エネルギーの減衰を低減する効果と、外槽の
水の循環による内槽２０の洗浄液に超音波の音響エネル
ギーを効率良く伝播させる効果との相乗効果により、図
１〜２のシリコンウエハの洗浄装置と比較して、シリコ
ンウエハ表面の清浄度および洗浄能力をより向上させる
ことができる。
【００２５】
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。
【００２６】 （ＬＰＤの測定方法）ＬＰＤ（ライト・
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。
【００２７】 （実施例１〜３、比較例）常法によるポ
リッシング処理後のシリコンウエハを、図１〜３に示す
シリコンウエハの洗浄装置をそれぞれ用いて、表１に示
す条件で、５分間洗浄し、洗浄後のシリコンウエハのＬ
ＰＤを測定した（実施例１〜３）。また、図６に示すシ
リコンウエハの洗浄装置の場合についても、実施例１〜
３と同様に測定を行った（比較例）。尚、その他の諸条
件は、以下に示す通りである。 洗浄液：ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：
５：１００） 超音波発振器：１ＭＨｚ，２０００Ｗ 超音波振動子３４：４．８Ｗ／ｃｍ2 外槽用給水口３６への水の供給量：１０ｌ／ｍｉｎ
（図２，図６参照） ノズル６０への水の供給量：１ｌ／ｍｉｎ（図１，図
３参照） ノズル６０の個数および形状：１個，Ｖ字型［噴出孔
６１×２個］ （図４参照） 内槽（ａ：４００ｍｍ，ｂ：３５０ｍｍ）からのノズ
ル６０の距離ｃ：５０ｍｍ（図４参照） ノズル６０の噴出角：θ＝１０°，δ＝３０°（図４
参照） 以上、得られた結果を表１に示す。
リッシング処理後のシリコンウエハを、図１〜３に示す
シリコンウエハの洗浄装置をそれぞれ用いて、表１に示
す条件で、５分間洗浄し、洗浄後のシリコンウエハのＬ
ＰＤを測定した（実施例１〜３）。また、図６に示すシ
リコンウエハの洗浄装置の場合についても、実施例１〜
３と同様に測定を行った（比較例）。尚、その他の諸条
件は、以下に示す通りである。 洗浄液：ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：
５：１００） 超音波発振器：１ＭＨｚ，２０００Ｗ 超音波振動子３４：４．８Ｗ／ｃｍ2 外槽用給水口３６への水の供給量：１０ｌ／ｍｉｎ
（図２，図６参照） ノズル６０への水の供給量：１ｌ／ｍｉｎ（図１，図
３参照） ノズル６０の個数および形状：１個，Ｖ字型［噴出孔
６１×２個］ （図４参照） 内槽（ａ：４００ｍｍ，ｂ：３５０ｍｍ）からのノズ
ル６０の距離ｃ：５０ｍｍ（図４参照） ノズル６０の噴出角：θ＝１０°，δ＝３０°（図４
参照） 以上、得られた結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】 （考察：実施例１〜３、比較例）表１の
結果から、比較例は、外槽の水温を上昇させようとして
も、ほとんど上昇しなかったが、実施例１〜３は、外槽
の水温を大幅に上昇させることができた。これにより、
実施例１〜３は、比較例よりも超音波の音響エネルギー
を効率良く伝播させることができるため、シリコンウエ
ハ表面の清浄度をより向上させることができた。
結果から、比較例は、外槽の水温を上昇させようとして
も、ほとんど上昇しなかったが、実施例１〜３は、外槽
の水温を大幅に上昇させることができた。これにより、
実施例１〜３は、比較例よりも超音波の音響エネルギー
を効率良く伝播させることができるため、シリコンウエ
ハ表面の清浄度をより向上させることができた。
【００３０】
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウエハの洗浄装置は、シリコンウエハを洗
浄するための洗浄液に超音波の音響エネルギーの減衰を
低減させるとともに、シリコンウエハを洗浄するための
洗浄液に超音波の音響エネルギーを効率良く伝播させる
ことができるため、シリコンウエハ表面の清浄度および
洗浄能力を向上させることができる。
明のシリコンウエハの洗浄装置は、シリコンウエハを洗
浄するための洗浄液に超音波の音響エネルギーの減衰を
低減させるとともに、シリコンウエハを洗浄するための
洗浄液に超音波の音響エネルギーを効率良く伝播させる
ことができるため、シリコンウエハ表面の清浄度および
洗浄能力を向上させることができる。
【図１】 本発明のシリコンウエハの洗浄装置の一例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】 本発明のシリコンウエハの洗浄装置の他の例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】 本発明のシリコンウエハの洗浄装置の別の例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】 本発明で用いるノズルと内槽との配置状態の
一例を示すものであり、（ａ）は、内槽の底面から見た
時のイメージ図であり、（ｂ）は、内槽の側面から見た
時のイメージ図である。
一例を示すものであり、（ａ）は、内槽の底面から見た
時のイメージ図であり、（ｂ）は、内槽の側面から見た
時のイメージ図である。
【図５】 シリコンウエハの洗浄装置の一例を示すもの
であり、（ａ）は、概略平面図、（ｂ）は、概略正面
図、（ｃ）は、概略側面図である。
であり、（ａ）は、概略平面図、（ｂ）は、概略正面
図、（ｃ）は、概略側面図である。
【図６】 従来のシリコンウエハの洗浄装置の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
６…内槽用給水口、２０…内槽（洗浄槽）、２２…オー
バーフロー槽、２４…排水管、３０…超音波振動手段、
３２…外槽、３４…超音波振動子、３６…外槽用給水
口、３８…排水タンク、５０…シリコンウエハ、５２…
ウエハカセット、６０…ノズル、６１…噴出孔、６２…
水供給系統、６４…水循環系統、６６…循環ポンプ。
バーフロー槽、２４…排水管、３０…超音波振動手段、
３２…外槽、３４…超音波振動子、３６…外槽用給水
口、３８…排水タンク、５０…シリコンウエハ、５２…
ウエハカセット、６０…ノズル、６１…噴出孔、６２…
水供給系統、６４…水循環系統、６６…循環ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB38 AB44 BB02 BB03 BB82 BB85 BB87 CD22 3B201 AA03 AB38 AB44 BB02 BB03 BB04 BB82 BB85 BB87 CB12 CD22
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコンウエハを収納するウエハカセッ
トと、 シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、 ウエハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺
動手段と、 内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液
供給手段と、 内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、 外槽に水を供給する水供給手段と、 外槽に満たされた水に超音波振動を与える超音波発振手
段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、 前記水供給手段が、少なくとも１つのノズルを有するこ
とを特徴とするシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項２】 前記ノズルへの水の供給量が、１〜２ｌ
／ｍｉｎである請求項１に記載のシリコンウエハの洗浄
装置。 - 【請求項３】 シリコンウエハを収納するウエハカセッ
トと、 シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、 ウエハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺
動手段と、 内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液
供給手段と、 内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、 外槽に水を供給する水供給手段と、 外槽に満たされた水に超音波振動を与える超音波発振手
段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、 前記水供給手段が、外槽の水を循環して用いることを特
徴とするシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項４】 外槽に満たされた水の温度が、３０〜７
４℃である請求項３に記載のシリコンウエハの洗浄装
置。 - 【請求項５】 シリコンウエハを収納するウエハカセッ
トと、 シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた内槽と、 ウエハカセットを内槽中で揺動させるウエハカセット揺
動手段と、 内槽の底部に配設され、内槽に洗浄液を供給する洗浄液
供給手段と、 内槽の下部に配設され、内槽の洗浄液に超音波振動を伝
播させる水が満たされた外槽と、 外槽に水を供給する水供給手段と、 外槽に満たされた水に超音波振動を与える超音波発振手
段と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、 前記水供給手段が、少なくとも１つのノズルを有すると
ともに、外槽の水を循環して用いることを特徴とするシ
リコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項６】 前記ノズルへの水の供給量が、１〜２ｌ
／ｍｉｎである請求項５に記載のシリコンウエハの洗浄
装置。 - 【請求項７】 外槽に満たされた水の温度が、３０〜７
４℃である請求項６に記載のシリコンウエハの洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219256A JP2000058493A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219256A JP2000058493A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058493A true JP2000058493A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16732678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10219256A Withdrawn JP2000058493A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058493A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008160012A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008243342A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の超音波洗浄装置および超音波洗浄方法、磁気ディスク製造方法ならびに磁気ディスク |
| US10978316B2 (en) | 2018-02-21 | 2021-04-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor processing device |
-
1998
- 1998-08-03 JP JP10219256A patent/JP2000058493A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008160012A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008243342A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の超音波洗浄装置および超音波洗浄方法、磁気ディスク製造方法ならびに磁気ディスク |
| US10978316B2 (en) | 2018-02-21 | 2021-04-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor processing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI447799B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
| JP3278590B2 (ja) | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 | |
| US5540245A (en) | Processing equipment of single substrate transfer type | |
| JPH0855827A (ja) | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 | |
| KR102081378B1 (ko) | 초음파 세정장치 및 세정방법 | |
| JP3380021B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP4248257B2 (ja) | 超音波洗浄装置 | |
| JPH1022246A (ja) | 洗浄方法 | |
| US5820688A (en) | Method for the treatment of semiconductor material | |
| JP2000058493A (ja) | シリコンウエハの洗浄装置 | |
| TWI362066B (ja) | ||
| JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| KR100479004B1 (ko) | 세정처리방법 및 세정처리장치 | |
| KR100576823B1 (ko) | 기판세정장치 | |
| JP2006055685A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP3615951B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP4219712B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH05308067A (ja) | 超音波洗浄装置および方法 | |
| KR20070073311A (ko) | 웨이퍼 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 | |
| JP2000021831A (ja) | シリコンウエハの洗浄装置 | |
| JP2000049130A (ja) | シリコンウエハの洗浄装置及び同装置を使用した洗浄方法 | |
| JPH01189127A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JPH10165909A (ja) | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 | |
| JP2883844B2 (ja) | 高周波洗浄方法 | |
| JPH08197022A (ja) | せきを具備した超音波洗浄器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051004 |