JP2000021831A - シリコンウエハの洗浄装置 - Google Patents
シリコンウエハの洗浄装置Info
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- JP2000021831A JP2000021831A JP10192014A JP19201498A JP2000021831A JP 2000021831 A JP2000021831 A JP 2000021831A JP 10192014 A JP10192014 A JP 10192014A JP 19201498 A JP19201498 A JP 19201498A JP 2000021831 A JP2000021831 A JP 2000021831A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力
を向上させることができるシリコンウエハの洗浄装置を
提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ５０を収納するウエハカ
セット５２と、シリコンウエハ５０を洗浄する洗浄液が
満たされた洗浄槽２０と、ウエハカセットを洗浄槽２０
中で揺動させるウエハカセット揺動手段４０と、洗浄槽
２０の底部に配設された洗浄液供給手段と、洗浄槽２０
の下部に配設された超音波振動手段３４を備えたシリコ
ンウエハの洗浄装置である。洗浄液供給手段は、ウエハ
カセット５２の長手方向の両側に配設された散水管２を
有する。
を向上させることができるシリコンウエハの洗浄装置を
提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ５０を収納するウエハカ
セット５２と、シリコンウエハ５０を洗浄する洗浄液が
満たされた洗浄槽２０と、ウエハカセットを洗浄槽２０
中で揺動させるウエハカセット揺動手段４０と、洗浄槽
２０の底部に配設された洗浄液供給手段と、洗浄槽２０
の下部に配設された超音波振動手段３４を備えたシリコ
ンウエハの洗浄装置である。洗浄液供給手段は、ウエハ
カセット５２の長手方向の両側に配設された散水管２を
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウエハ
表面の清浄度および洗浄能力を向上させるシリコンウエ
ハの洗浄装置に関する。
表面の清浄度および洗浄能力を向上させるシリコンウエ
ハの洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 半導体デバイスの微細化と高集積化が
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、微粒子（パーティク
ル）、有機化合物、金属不純物、バクテリア等の汚染物
を有効に除去するための様々な洗浄法が開発されてい
る。
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、微粒子（パーティク
ル）、有機化合物、金属不純物、バクテリア等の汚染物
を有効に除去するための様々な洗浄法が開発されてい
る。
【０００３】 例えば、図３に示すような、化学的洗浄
と物理的洗浄を組み合わせたシリコンウエハの洗浄装置
が用いられている。これは、洗浄槽２０に満たされた洗
浄液（ＳＣ−１，ＳＣ−２等）による化学的洗浄と、洗
浄液に２０〜１５００ｋＨｚの超音波振動を与える物理
的洗浄を同時に行うことにより、シリコンウエハ表面か
ら不純物や微粒子を確実に除去することができるもので
ある。
と物理的洗浄を組み合わせたシリコンウエハの洗浄装置
が用いられている。これは、洗浄槽２０に満たされた洗
浄液（ＳＣ−１，ＳＣ−２等）による化学的洗浄と、洗
浄液に２０〜１５００ｋＨｚの超音波振動を与える物理
的洗浄を同時に行うことにより、シリコンウエハ表面か
ら不純物や微粒子を確実に除去することができるもので
ある。
【０００４】 このとき、新鮮な洗浄液を供給するため
の洗浄液供給手段である給水口６は、洗浄槽２０の底部
に１箇所しか設けられていないため、シリコンウエハ５
０への洗浄液の循環が滞りやすいだけでなく、シリコン
ウエハ５０に到達する前に、使用済みの洗浄液と新鮮な
洗浄液が混合されてしまうという問題点があった。
の洗浄液供給手段である給水口６は、洗浄槽２０の底部
に１箇所しか設けられていないため、シリコンウエハ５
０への洗浄液の循環が滞りやすいだけでなく、シリコン
ウエハ５０に到達する前に、使用済みの洗浄液と新鮮な
洗浄液が混合されてしまうという問題点があった。
【０００５】 これを解消するために、最近では、シリ
コンウエハに向けて、比較的大きな流速で洗浄液を噴出
することができる散水管を洗浄槽の底部に設けることに
より、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入・接
触することが行われている。
コンウエハに向けて、比較的大きな流速で洗浄液を噴出
することができる散水管を洗浄槽の底部に設けることに
より、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入・接
触することが行われている。
【０００６】 しかしながら、散水管から高速で噴出さ
れた洗浄液により、洗浄槽に満たされた洗浄液にうねり
が発生し、洗浄液に与えた超音波振動が減衰してしまう
ため、シリコンウエハを十分に超音波洗浄することがで
きず、シリコンウエハ表面の清浄度を悪化させていた。
れた洗浄液により、洗浄槽に満たされた洗浄液にうねり
が発生し、洗浄液に与えた超音波振動が減衰してしまう
ため、シリコンウエハを十分に超音波洗浄することがで
きず、シリコンウエハ表面の清浄度を悪化させていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハの超音波洗浄を阻害すること
なく、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入・接
触させることができるため、シリコンウエハ表面の清浄
度および洗浄能力を向上させることができるシリコンウ
エハの洗浄装置を提供するものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハの超音波洗浄を阻害すること
なく、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入・接
触させることができるため、シリコンウエハ表面の清浄
度および洗浄能力を向上させることができるシリコンウ
エハの洗浄装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、シ
リコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽と、
ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、洗浄槽の底部に配設された洗浄液供給手段
と、洗浄槽の下部に配設された超音波振動手段と、を備
えたシリコンウエハの洗浄装置であって、前記洗浄液供
給手段が、ウエハカセットの長手方向の両側に配設され
た散水管を有することを特徴とするシリコンウエハの洗
浄装置が提供される。
れば、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、シ
リコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽と、
ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、洗浄槽の底部に配設された洗浄液供給手段
と、洗浄槽の下部に配設された超音波振動手段と、を備
えたシリコンウエハの洗浄装置であって、前記洗浄液供
給手段が、ウエハカセットの長手方向の両側に配設され
た散水管を有することを特徴とするシリコンウエハの洗
浄装置が提供される。
【０００９】 このとき、散水管の噴出孔が、シリコン
ウエハの水平方向と、シリコンウエハの水平方向に対し
て上下対称に０〜６０°で、前記散水管の横方向に千鳥
状に配設されることが好ましい。
ウエハの水平方向と、シリコンウエハの水平方向に対し
て上下対称に０〜６０°で、前記散水管の横方向に千鳥
状に配設されることが好ましい。
【００１０】 尚、本発明のシリコンウエハの洗浄装置
は、次のような形態であることが好ましい。散水管の噴
出孔径が、１．０〜３．０ｍｍφであること。散水管へ
の洗浄液の循環流量が、５〜４０ｌ／ｍｉｎであるこ
と。洗浄槽の下部に超音波振動手段を設け、その超音波
振動手段の周波数が、２０〜１５００ｋＨｚであるこ
と。
は、次のような形態であることが好ましい。散水管の噴
出孔径が、１．０〜３．０ｍｍφであること。散水管へ
の洗浄液の循環流量が、５〜４０ｌ／ｍｉｎであるこ
と。洗浄槽の下部に超音波振動手段を設け、その超音波
振動手段の周波数が、２０〜１５００ｋＨｚであるこ
と。
【００１１】
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウエハの洗浄
装置は、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、
シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセ
ット揺動手段と、洗浄槽の底部に配設された洗浄液供給
手段と、洗浄槽の下部に配設された超音波振動手段と、
を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、前記洗浄
液供給手段が、ウエハカセットの長手方向の両側に配設
された散水管を有するものである。
装置は、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、
シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセ
ット揺動手段と、洗浄槽の底部に配設された洗浄液供給
手段と、洗浄槽の下部に配設された超音波振動手段と、
を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、前記洗浄
液供給手段が、ウエハカセットの長手方向の両側に配設
された散水管を有するものである。
【００１２】 上記のような洗浄装置は、シリコンウエ
ハの超音波洗浄を阻害することなく、シリコンウエハに
新鮮な洗浄液を十分に導入・接触させることができるた
め、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上
させることができる。
ハの超音波洗浄を阻害することなく、シリコンウエハに
新鮮な洗浄液を十分に導入・接触させることができるた
め、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上
させることができる。
【００１３】 次に、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置について詳細に説明する。図１は、本発明のシリコン
ウエハの洗浄装置の一例を示すものであり、（ａ）は、
概略平面図、（ｂ）は、概略正面図、（ｃ）は、概略側
面図である。本発明のシリコンウエハの洗浄装置は、図
１に示すように、シリコンウエハ５０を洗浄するための
洗浄液が満たされた洗浄槽２０と、オーバーフローした
洗浄液を排水するためのオーバーフロー槽２２と、洗浄
液を供給するための散水管２から構成され、新鮮な洗浄
液は、散水管２から導入される一方であり、オーバーフ
ロー槽２２に溢れ出た洗浄液は、排水管２４によって排
水される。
置について詳細に説明する。図１は、本発明のシリコン
ウエハの洗浄装置の一例を示すものであり、（ａ）は、
概略平面図、（ｂ）は、概略正面図、（ｃ）は、概略側
面図である。本発明のシリコンウエハの洗浄装置は、図
１に示すように、シリコンウエハ５０を洗浄するための
洗浄液が満たされた洗浄槽２０と、オーバーフローした
洗浄液を排水するためのオーバーフロー槽２２と、洗浄
液を供給するための散水管２から構成され、新鮮な洗浄
液は、散水管２から導入される一方であり、オーバーフ
ロー槽２２に溢れ出た洗浄液は、排水管２４によって排
水される。
【００１４】 次に、シリコンウエハ５０を収納したウ
エハカセット５２は、洗浄槽２０に投入され、ウエハカ
セット５２をウエハカセット揺動手段４０（揺動かご）
で横揺動させながら洗浄液に浸漬させることにより、シ
リコンウエハ５０の洗浄が行われる。
エハカセット５２は、洗浄槽２０に投入され、ウエハカ
セット５２をウエハカセット揺動手段４０（揺動かご）
で横揺動させながら洗浄液に浸漬させることにより、シ
リコンウエハ５０の洗浄が行われる。
【００１５】 ここで、本発明のシリコンウエハの洗浄
装置は、図１に示すように、洗浄液供給手段として、ウ
エハカセットの長手方向の両側に散水管２ａ，２ｂを有
していることが重要である。このとき、散水管２ａ，２
ｂの噴出孔５は、例えば、図２に示すように、シリコン
ウエハの水平方向と、シリコンウエハの水平方向に対し
て上下対称に０〜６０°で、散水管２ａ，２ｂの横方向
に千鳥状に配設されていることが好ましい。
装置は、図１に示すように、洗浄液供給手段として、ウ
エハカセットの長手方向の両側に散水管２ａ，２ｂを有
していることが重要である。このとき、散水管２ａ，２
ｂの噴出孔５は、例えば、図２に示すように、シリコン
ウエハの水平方向と、シリコンウエハの水平方向に対し
て上下対称に０〜６０°で、散水管２ａ，２ｂの横方向
に千鳥状に配設されていることが好ましい。
【００１６】 これにより、洗浄槽の全体に均等に新鮮
な洗浄液を供給することができるため、使用済みの洗浄
液と混合した場合であっても、洗浄槽内における洗浄液
の洗浄能力の局地的な偏りを低減することができるとと
もに、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を導入する流れを
生み出すことができる。
な洗浄液を供給することができるため、使用済みの洗浄
液と混合した場合であっても、洗浄槽内における洗浄液
の洗浄能力の局地的な偏りを低減することができるとと
もに、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を導入する流れを
生み出すことができる。
【００１７】 また、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置は、上記散水管２ａ，２ｂの噴出孔径が、１．０〜
３．０ｍｍφであり、洗浄液の循環流量が、５〜４０ｌ
／ｍｉｎであることが重要である。これにより、散水管
から噴出される洗浄液の流速をある程度抑制することに
より、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を導入する流れを
損なうことなく、洗浄槽に満たされた洗浄液のうねりを
抑制することができるため、洗浄液に与えた超音波振動
が減衰することなく、シリコンウエハを十分に超音波洗
浄することができ、シリコンウエハ表面の清浄度を向上
させることができる。
置は、上記散水管２ａ，２ｂの噴出孔径が、１．０〜
３．０ｍｍφであり、洗浄液の循環流量が、５〜４０ｌ
／ｍｉｎであることが重要である。これにより、散水管
から噴出される洗浄液の流速をある程度抑制することに
より、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を導入する流れを
損なうことなく、洗浄槽に満たされた洗浄液のうねりを
抑制することができるため、洗浄液に与えた超音波振動
が減衰することなく、シリコンウエハを十分に超音波洗
浄することができ、シリコンウエハ表面の清浄度を向上
させることができる。
【００１８】 更に、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置は、図１に示すように、洗浄槽２０の下部に超音波振
動手段３０が設けられている。これは、洗浄槽２０に満
たされた洗浄液に超音波振動を与えることにより、シリ
コンウエハ５０を非接触スクラビングするものである。
尚、非接触スクラビング法としては、２０〜１５００ｋ
Ｈｚの超音波振動を洗浄液に与える超音波洗浄法である
ことが好ましい。
置は、図１に示すように、洗浄槽２０の下部に超音波振
動手段３０が設けられている。これは、洗浄槽２０に満
たされた洗浄液に超音波振動を与えることにより、シリ
コンウエハ５０を非接触スクラビングするものである。
尚、非接触スクラビング法としては、２０〜１５００ｋ
Ｈｚの超音波振動を洗浄液に与える超音波洗浄法である
ことが好ましい。
【００１９】 尚、洗浄液として、ＳＣ−１（ＮＨ4Ｏ
Ｈ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−Ｈ2
Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を用いると、シリコンウエハの化学
的洗浄と超音波による物理的洗浄を同時に行うことがで
きるため、シリコンウエハ表面の汚染微粒子だけでな
く、有機汚染膜や吸着した汚染物を効率よく除去するこ
とができる。
Ｈ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−Ｈ2
Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を用いると、シリコンウエハの化学
的洗浄と超音波による物理的洗浄を同時に行うことがで
きるため、シリコンウエハ表面の汚染微粒子だけでな
く、有機汚染膜や吸着した汚染物を効率よく除去するこ
とができる。
【００２０】
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。
【００２１】 （ＬＰＤの測定方法）ＬＰＤ（ライト・
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。
【００２２】 （実施例１〜２、比較例）常法によるポ
リッシング処理後のシリコンウエハを、図１に示すシリ
コンウエハの洗浄装置を用いて、表１に示す条件で、５
分間洗浄し、洗浄後のシリコンウエハのＬＰＤを測定し
た（実施例１〜２）。また、図３に示すシリコンウエハ
の洗浄装置の場合についても、実施例１〜２と同様に測
定を行った（比較例）。尚、その他の諸条件は、以下に
示す通りである。 洗浄液：ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：
５：１００） 洗浄液の温度：７０℃ 超音波発振器：１ＭＨｚ，２０００Ｗ 超音波振動子：４．８Ｗ／ｃｍ2 以上、得られた結果を表１に示す。
リッシング処理後のシリコンウエハを、図１に示すシリ
コンウエハの洗浄装置を用いて、表１に示す条件で、５
分間洗浄し、洗浄後のシリコンウエハのＬＰＤを測定し
た（実施例１〜２）。また、図３に示すシリコンウエハ
の洗浄装置の場合についても、実施例１〜２と同様に測
定を行った（比較例）。尚、その他の諸条件は、以下に
示す通りである。 洗浄液：ＳＣ−１（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：
５：１００） 洗浄液の温度：７０℃ 超音波発振器：１ＭＨｚ，２０００Ｗ 超音波振動子：４．８Ｗ／ｃｍ2 以上、得られた結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】 （考察：実施例１〜２、比較例）表１の
結果から、実施例２は、比較例よりもシリコンウエハ表
面の清浄度が向上していることが判明した。また、実施
例１は、実施例２よりも散水管の噴出孔径を広げること
により、洗浄槽に満たされた洗浄液のうねりを抑制し、
シリコンウエハの超音波洗浄を十分行うことができるた
め、シリコンウエハ表面の清浄度を大幅に向上させるこ
とができた。
結果から、実施例２は、比較例よりもシリコンウエハ表
面の清浄度が向上していることが判明した。また、実施
例１は、実施例２よりも散水管の噴出孔径を広げること
により、洗浄槽に満たされた洗浄液のうねりを抑制し、
シリコンウエハの超音波洗浄を十分行うことができるた
め、シリコンウエハ表面の清浄度を大幅に向上させるこ
とができた。
【００２５】
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウエハの洗浄装置は、シリコンウエハの超
音波洗浄を阻害することなく、シリコンウエハに新鮮な
洗浄液を十分に導入・接触させることができるため、シ
リコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上させる
ことができる。
明のシリコンウエハの洗浄装置は、シリコンウエハの超
音波洗浄を阻害することなく、シリコンウエハに新鮮な
洗浄液を十分に導入・接触させることができるため、シ
リコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のシリコンウエハの洗浄装置の一例を
示すものであり、（ａ）は、概略平面図、（ｂ）は、概
略正面図、（ｃ）は、概略側面図である。
示すものであり、（ａ）は、概略平面図、（ｂ）は、概
略正面図、（ｃ）は、概略側面図である。
【図２】 本発明で用いる散水管の一例を示すものであ
り、（ａ）は、概略部分斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＡ
−Ａ断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
り、（ａ）は、概略部分斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＡ
−Ａ断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】 従来のシリコンウエハの洗浄装置の一例を示
すものであり、（ａ）は、概略平面図、（ｂ）は、概略
正面図、（ｃ）は、概略側面図である。
すものであり、（ａ）は、概略平面図、（ｂ）は、概略
正面図、（ｃ）は、概略側面図である。
２ａ，２ｂ…散水管、５…噴出孔、６…給水口、２０…
洗浄槽（内槽）、２２…オーバーフロー槽、２４…排水
管、３０…超音波振動手段、３２…外槽、３４…超音波
振動子、４０…ウエハカセット揺動手段（揺動かご）、
５０…シリコンウエハ、５２…ウエハカセット。
洗浄槽（内槽）、２２…オーバーフロー槽、２４…排水
管、３０…超音波振動手段、３２…外槽、３４…超音波
振動子、４０…ウエハカセット揺動手段（揺動かご）、
５０…シリコンウエハ、５２…ウエハカセット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ 11/02 11/02 (72)発明者 清水 克則 栃木県宇都宮市清原工業団地11番２ エ ム・イー・エム・シー株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB38 AB45 BB02 BB03 BB33 BB83 3B201 AA03 AB38 AB43 BB02 BB04 BB23 BB83 BB92
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコンウエハを収納するウエハカセッ
トと、 シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、 ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、 洗浄槽の底部に配設された洗浄液供給手段と、 洗浄槽の下部に配設された超音波振動手段と、を備えた
シリコンウエハの洗浄装置であって、 前記洗浄液供給手段が、ウエハカセットの長手方向の両
側に配設された散水管を有することを特徴とするシリコ
ンウエハの洗浄装置。 - 【請求項２】 前記散水管の噴出孔が、シリコンウエハ
の水平方向と、シリコンウエハの水平方向に対して上下
対称に０〜６０°で、前記散水管の横方向に千鳥状に配
設される請求項１に記載のシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項３】 前記散水管の噴出孔径が、１．０〜３．
０ｍｍφである請求項１又は２に記載のシリコンウエハ
の洗浄装置。 - 【請求項４】 前記散水管への洗浄液の循環流量が、５
〜４０ｌ／ｍｉｎである請求項１〜３のいずれか１項に
記載のシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項５】 超音波振動手段の周波数が、２０〜１５
００ｋＨｚである請求項１〜４のいずれか１項に記載の
シリコンウエハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192014A JP2000021831A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192014A JP2000021831A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021831A true JP2000021831A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16284178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192014A Withdrawn JP2000021831A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111112221A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-08 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种工件储存运输装置 |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP10192014A patent/JP2000021831A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111112221A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-08 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种工件储存运输装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051004 |