JP2000021830A - シリコンウエハの洗浄装置 - Google Patents
シリコンウエハの洗浄装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力
を向上させることができるシリコンウエハの洗浄装置を
提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ５０を収納するウエハカ
セット５２と、シリコンウエハ５０を洗浄する洗浄液が
満たされた洗浄槽２０と、ウエハカセット５２を洗浄槽
２０中で揺動させるウエハカセット揺動手段４０と、洗
浄槽２０に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を備えたシ
リコンウエハの洗浄装置である。洗浄液供給手段は、洗
浄槽２０の底部に周設された散水管２を有する。
を向上させることができるシリコンウエハの洗浄装置を
提供する。 【解決手段】 シリコンウエハ５０を収納するウエハカ
セット５２と、シリコンウエハ５０を洗浄する洗浄液が
満たされた洗浄槽２０と、ウエハカセット５２を洗浄槽
２０中で揺動させるウエハカセット揺動手段４０と、洗
浄槽２０に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を備えたシ
リコンウエハの洗浄装置である。洗浄液供給手段は、洗
浄槽２０の底部に周設された散水管２を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウエハ
表面の清浄度および洗浄能力を向上させるシリコンウエ
ハの洗浄装置に関する。
表面の清浄度および洗浄能力を向上させるシリコンウエ
ハの洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 半導体デバイスの微細化と高集積化が
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、微粒子（パーティク
ル）、有機化合物、金属不純物、バクテリア等の汚染物
を有効に除去するための様々な洗浄法が開発されてい
る。
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、微粒子（パーティク
ル）、有機化合物、金属不純物、バクテリア等の汚染物
を有効に除去するための様々な洗浄法が開発されてい
る。
【０００３】 例えば、図６〜７に示すような、化学的
洗浄と物理的洗浄を組み合わせたシリコンウエハの洗浄
装置が用いられている。これは、洗浄槽２０に満たされ
た洗浄液（ＳＣ−１，ＳＣ−２等）による化学的洗浄
と、洗浄液に８５０〜１０００ｋＨｚの超音波振動を与
える超音波洗浄を同時に行うことにより、シリコンウエ
ハ表面から不純物や微粒子を確実に除去することができ
るものである。
洗浄と物理的洗浄を組み合わせたシリコンウエハの洗浄
装置が用いられている。これは、洗浄槽２０に満たされ
た洗浄液（ＳＣ−１，ＳＣ−２等）による化学的洗浄
と、洗浄液に８５０〜１０００ｋＨｚの超音波振動を与
える超音波洗浄を同時に行うことにより、シリコンウエ
ハ表面から不純物や微粒子を確実に除去することができ
るものである。
【０００４】 しかしながら、新鮮な洗浄液を供給する
ための洗浄液供給手段である給水口６は、洗浄槽２０の
底部に１箇所しか設けられていないため、シリコンウエ
ハ５０への洗浄液の循環が滞りやすいだけでなく、シリ
コンウエハ５０に到達する前に、使用済みの洗浄液と新
鮮な洗浄液が混合されてしまうという問題点があった。
以上のことから、図６〜７に示す装置では、シリコンウ
エハ５０に新鮮な洗浄液を十分に導入・接触することが
できないため、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄
能力を向上させることが困難であった。
ための洗浄液供給手段である給水口６は、洗浄槽２０の
底部に１箇所しか設けられていないため、シリコンウエ
ハ５０への洗浄液の循環が滞りやすいだけでなく、シリ
コンウエハ５０に到達する前に、使用済みの洗浄液と新
鮮な洗浄液が混合されてしまうという問題点があった。
以上のことから、図６〜７に示す装置では、シリコンウ
エハ５０に新鮮な洗浄液を十分に導入・接触することが
できないため、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄
能力を向上させることが困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入
・接触させることができるため、シリコンウエハ表面の
清浄度および洗浄能力を向上させることができるシリコ
ンウエハの洗浄装置を提供するものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入
・接触させることができるため、シリコンウエハ表面の
清浄度および洗浄能力を向上させることができるシリコ
ンウエハの洗浄装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、シ
リコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽と、
ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、洗浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、前記
洗浄液供給手段が、洗浄槽の底部に周設された散水管を
有することを特徴とするシリコンウエハの洗浄装置が提
供される。
れば、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、シ
リコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽と、
ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、洗浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、前記
洗浄液供給手段が、洗浄槽の底部に周設された散水管を
有することを特徴とするシリコンウエハの洗浄装置が提
供される。
【０００７】 このとき、散水管の噴出孔が、シリコン
ウエハの水平方向に対して上方に０〜６０°の角度で、
散水管の横方向に複数個列設されていることが好まし
い。
ウエハの水平方向に対して上方に０〜６０°の角度で、
散水管の横方向に複数個列設されていることが好まし
い。
【０００８】 また、本発明によれば、シリコンウエハ
を収納するウエハカセットと、シリコンウエハを洗浄す
る洗浄液が満たされた洗浄槽と、ウエハカセットを洗浄
槽中で揺動させるウエハカセット揺動手段と、洗浄槽に
洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備えたシリコン
ウエハの洗浄装置であって、前記洗浄液供給手段が、洗
浄槽の底部に周設された第１の散水管と、ウエハカセッ
トの中央部から下方部の範囲に少なくとも１つ周設され
た第２の散水管を有することを特徴とするシリコンウエ
ハの洗浄装置が提供される。
を収納するウエハカセットと、シリコンウエハを洗浄す
る洗浄液が満たされた洗浄槽と、ウエハカセットを洗浄
槽中で揺動させるウエハカセット揺動手段と、洗浄槽に
洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備えたシリコン
ウエハの洗浄装置であって、前記洗浄液供給手段が、洗
浄槽の底部に周設された第１の散水管と、ウエハカセッ
トの中央部から下方部の範囲に少なくとも１つ周設され
た第２の散水管を有することを特徴とするシリコンウエ
ハの洗浄装置が提供される。
【０００９】 このとき、第１の散水管の噴出孔が、シ
リコンウエハの水平方向に対して上方に０〜６０°の角
度で、第１の散水管の横方向に複数個列設されているこ
とが好ましく、第２の散水管の噴出孔が、シリコンウエ
ハの水平方向に対して上下対称に０〜６０°の角度で、
第２の散水管の横方向に複数個列設されていることが好
ましい。
リコンウエハの水平方向に対して上方に０〜６０°の角
度で、第１の散水管の横方向に複数個列設されているこ
とが好ましく、第２の散水管の噴出孔が、シリコンウエ
ハの水平方向に対して上下対称に０〜６０°の角度で、
第２の散水管の横方向に複数個列設されていることが好
ましい。
【００１０】 尚、本発明のシリコンウエハの洗浄装置
は、次のような形態であることが好ましい。散水管の噴
出孔径が、０．５〜３．０ｍｍであること。散水管への
洗浄液の循環流量が、１０〜４０Ｌ／ｍｉｎであるこ
と。洗浄槽の下部に超音波振動手段を設け、その超音波
振動手段の周波数が、８５０〜１０００ｋＨｚであるこ
と。
は、次のような形態であることが好ましい。散水管の噴
出孔径が、０．５〜３．０ｍｍであること。散水管への
洗浄液の循環流量が、１０〜４０Ｌ／ｍｉｎであるこ
と。洗浄槽の下部に超音波振動手段を設け、その超音波
振動手段の周波数が、８５０〜１０００ｋＨｚであるこ
と。
【００１１】
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウエハの洗浄
装置は、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、
シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセ
ット揺動手段と、洗浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、洗浄
液供給手段が、洗浄槽の底部に周設された第１の散水管
と、ウエハカセットの中央部から下方部の範囲に少なく
とも１つ周設された第２の散水管を有するものである。
尚、上記洗浄液供給手段は、洗浄槽の底部に周設された
第１の散水管（散水管）のみであってもよい。
装置は、シリコンウエハを収納するウエハカセットと、
シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセ
ット揺動手段と、洗浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段を備えたシリコンウエハの洗浄装置であって、洗浄
液供給手段が、洗浄槽の底部に周設された第１の散水管
と、ウエハカセットの中央部から下方部の範囲に少なく
とも１つ周設された第２の散水管を有するものである。
尚、上記洗浄液供給手段は、洗浄槽の底部に周設された
第１の散水管（散水管）のみであってもよい。
【００１２】 上記のようなシリコンウエハの洗浄装置
は、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入・接触
させることができるため、シリコンウエハ表面の清浄度
および洗浄能力を向上させることができる。
は、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を十分に導入・接触
させることができるため、シリコンウエハ表面の清浄度
および洗浄能力を向上させることができる。
【００１３】 次に、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置について詳細に説明する。図１は、本発明のシリコン
ウエハの洗浄装置の一例を示す概略説明図であり、図３
は、図１の概略平面図である。本発明のシリコンウエハ
の洗浄装置は、図１および図３に示すように、シリコン
ウエハ５０を洗浄するための洗浄液が満たされた洗浄槽
２０と、オーバーフローした洗浄液を排水するためのオ
ーバーフロー槽２２と、洗浄液を供給するための散水管
２から構成され、新鮮な洗浄液は、散水管２から導入さ
れる一方であり、オーバーフロー槽２２に溢れ出た洗浄
液は、排水弁２４によって排水される。
置について詳細に説明する。図１は、本発明のシリコン
ウエハの洗浄装置の一例を示す概略説明図であり、図３
は、図１の概略平面図である。本発明のシリコンウエハ
の洗浄装置は、図１および図３に示すように、シリコン
ウエハ５０を洗浄するための洗浄液が満たされた洗浄槽
２０と、オーバーフローした洗浄液を排水するためのオ
ーバーフロー槽２２と、洗浄液を供給するための散水管
２から構成され、新鮮な洗浄液は、散水管２から導入さ
れる一方であり、オーバーフロー槽２２に溢れ出た洗浄
液は、排水弁２４によって排水される。
【００１４】 次に、シリコンウエハ５０を収納したウ
エハカセット５２は、洗浄槽２０に投入され、ウエハカ
セット５２をウエハカセット揺動手段（揺動かご）４０
で揺動しながら洗浄液に浸漬させることにより、シリコ
ンウエハ５０の洗浄が行われる。このとき、本発明で用
いる洗浄液は、特に限定されないが、ＳＣ−１（ＮＨ4
ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−
Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を用いることが好ましい。これ
により、シリコンウエハ表面の微粒子、金属不純物及び
有機汚染物を除去することができる。
エハカセット５２は、洗浄槽２０に投入され、ウエハカ
セット５２をウエハカセット揺動手段（揺動かご）４０
で揺動しながら洗浄液に浸漬させることにより、シリコ
ンウエハ５０の洗浄が行われる。このとき、本発明で用
いる洗浄液は、特に限定されないが、ＳＣ−１（ＮＨ4
ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−
Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を用いることが好ましい。これ
により、シリコンウエハ表面の微粒子、金属不純物及び
有機汚染物を除去することができる。
【００１５】 ここで、本発明で用いる洗浄液供給手段
の一例は、図１および図３に示すように、洗浄槽２０の
底部に散水管２を周設したものである。このとき、散水
管２の噴出孔５は、図４に示すように、シリコンウエハ
５０の水平方向に対して上方に０〜６０°（より好まし
くは、４５〜６０°）の角度（θ1）で、図３に示すよ
うに、散水管２の横方向に複数個列設されていることが
好ましい。これにより、洗浄槽の全体に均等に新鮮な洗
浄液を供給することができるため、使用済みの洗浄液と
混合した場合であっても、洗浄槽内における洗浄液の洗
浄能力の局地的な偏りを低減することができるととも
に、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を導入する流れを生
み出すことができる。
の一例は、図１および図３に示すように、洗浄槽２０の
底部に散水管２を周設したものである。このとき、散水
管２の噴出孔５は、図４に示すように、シリコンウエハ
５０の水平方向に対して上方に０〜６０°（より好まし
くは、４５〜６０°）の角度（θ1）で、図３に示すよ
うに、散水管２の横方向に複数個列設されていることが
好ましい。これにより、洗浄槽の全体に均等に新鮮な洗
浄液を供給することができるため、使用済みの洗浄液と
混合した場合であっても、洗浄槽内における洗浄液の洗
浄能力の局地的な偏りを低減することができるととも
に、シリコンウエハに新鮮な洗浄液を導入する流れを生
み出すことができる。
【００１６】 また、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置の他の例は、図２〜３に示すように、基本的には、図
１に示すシリコンウエハの洗浄装置と同じであるが、洗
浄液供給手段として、洗浄槽２０の底部に周設された第
１の散水管２と、ウエハカセット５２の中央部から下方
部の範囲δに少なくとも１つ周設された第２の散水管４
とを有するものである。尚、第２の散水管４の数は、特
に限定されないが、１〜２個であることが適当である。
置の他の例は、図２〜３に示すように、基本的には、図
１に示すシリコンウエハの洗浄装置と同じであるが、洗
浄液供給手段として、洗浄槽２０の底部に周設された第
１の散水管２と、ウエハカセット５２の中央部から下方
部の範囲δに少なくとも１つ周設された第２の散水管４
とを有するものである。尚、第２の散水管４の数は、特
に限定されないが、１〜２個であることが適当である。
【００１７】 このとき、第１の散水管２の噴出孔５
は、図５に示すように、シリコンウエハ５０の水平方向
に対して上方に０〜６０°（より好ましくは、４５〜６
０°）の角度（θ1）で、図３に示すように、第１の散
水管２の横方向に複数個列設されていることが好まし
い。これは、洗浄槽の全体に均等に新鮮な洗浄液を供給
することができるため、使用済みの洗浄液と混合した場
合であっても、洗浄槽内における洗浄液の洗浄能力の局
地的な偏りを低減することができるとともに、新鮮な洗
浄液をシリコンウエハに導入する流れを生み出すことが
できるからである。
は、図５に示すように、シリコンウエハ５０の水平方向
に対して上方に０〜６０°（より好ましくは、４５〜６
０°）の角度（θ1）で、図３に示すように、第１の散
水管２の横方向に複数個列設されていることが好まし
い。これは、洗浄槽の全体に均等に新鮮な洗浄液を供給
することができるため、使用済みの洗浄液と混合した場
合であっても、洗浄槽内における洗浄液の洗浄能力の局
地的な偏りを低減することができるとともに、新鮮な洗
浄液をシリコンウエハに導入する流れを生み出すことが
できるからである。
【００１８】 また、第２の散水管４の噴出孔５は、図
５に示すように、シリコンウエハ５０の水平方向に対し
て上下対称に０〜６０°（より好ましくは、４５〜６０
°）の角度（θ2）で、図３に示すように、第１の散水
管２の横方向に複数個列設されていることが好ましい。
これは、ウエハカセットの近傍に周設された第２の散水
管から、シリコンウエハ全体に新鮮な洗浄液を十分に導
入・接触させることができるとともに、使用済みの洗浄
液を速やかにオーバーフロー槽へ排出することができる
からである。以上のような、第１の散水管と第２の散水
管との相乗効果により、図１に示すシリコンウエハの洗
浄装置と比較して、シリコンウエハ表面の清浄度および
洗浄能力を更に向上することができる。
５に示すように、シリコンウエハ５０の水平方向に対し
て上下対称に０〜６０°（より好ましくは、４５〜６０
°）の角度（θ2）で、図３に示すように、第１の散水
管２の横方向に複数個列設されていることが好ましい。
これは、ウエハカセットの近傍に周設された第２の散水
管から、シリコンウエハ全体に新鮮な洗浄液を十分に導
入・接触させることができるとともに、使用済みの洗浄
液を速やかにオーバーフロー槽へ排出することができる
からである。以上のような、第１の散水管と第２の散水
管との相乗効果により、図１に示すシリコンウエハの洗
浄装置と比較して、シリコンウエハ表面の清浄度および
洗浄能力を更に向上することができる。
【００１９】 尚、上記の散水管２，４の噴出孔径は、
０．５〜３．０ｍｍであり、洗浄液の循環流量が、１０
〜４０Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、
洗浄槽内の洗浄液に浸漬されたシリコンウエハに新鮮な
洗浄液を確実に導入・接触させることができ、なおかつ
シリコンウエハの超音波洗浄を阻害するほど強くないか
らである。
０．５〜３．０ｍｍであり、洗浄液の循環流量が、１０
〜４０Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、
洗浄槽内の洗浄液に浸漬されたシリコンウエハに新鮮な
洗浄液を確実に導入・接触させることができ、なおかつ
シリコンウエハの超音波洗浄を阻害するほど強くないか
らである。
【００２０】 更に、本発明のシリコンウエハの洗浄装
置は、図１〜２に示すように、洗浄槽２０の下部に超音
波振動手段３０を設けることが好ましい。これは、洗浄
槽２０に満たされた洗浄液に超音波振動を与えることに
より、シリコンウエハ５０を非接触スクラビングするこ
とができるからである。尚、非接触スクラビング法とし
ては、８５０〜１０００ｋＨｚの超音波振動を洗浄液に
与える超音波洗浄法であることが好ましい。
置は、図１〜２に示すように、洗浄槽２０の下部に超音
波振動手段３０を設けることが好ましい。これは、洗浄
槽２０に満たされた洗浄液に超音波振動を与えることに
より、シリコンウエハ５０を非接触スクラビングするこ
とができるからである。尚、非接触スクラビング法とし
ては、８５０〜１０００ｋＨｚの超音波振動を洗浄液に
与える超音波洗浄法であることが好ましい。
【００２１】 また、洗浄液として、ＳＣ−１（ＮＨ4
ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−
Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を用いると、シリコンウエハの
化学的洗浄と超音波による物理的洗浄を同時に行うこと
ができるため、シリコンウエハ表面の汚染微粒子だけで
なく、有機汚染膜や吸着した汚染物を効率よく除去する
ことができる。
ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）又はＳＣ−２（ＨＣｌ−
Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ混合液）を用いると、シリコンウエハの
化学的洗浄と超音波による物理的洗浄を同時に行うこと
ができるため、シリコンウエハ表面の汚染微粒子だけで
なく、有機汚染膜や吸着した汚染物を効率よく除去する
ことができる。
【００２２】
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。
【００２３】 （ＬＰＤの測定方法）ＬＰＤ（ライト・
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。
【００２４】 （実施例１〜２、比較例）常法によるポ
リッシング処理後のシリコンウエハを、図１に示すシリ
コンウエハの洗浄装置を用いて、５分間洗浄し、洗浄後
のシリコンウエハのＬＰＤを測定した（実施例１）。ま
た、図２に示すシリコンウエハの洗浄装置（実施例２）
及び図６に示すシリコンウエハの洗浄装置（比較例）の
場合についても、実施例１と同様に測定を行った。この
とき、散水管２，４の諸条件は、以下に示す通りであ
る。 噴出孔５の噴出孔径：１ｍｍ 噴出孔５の角度（θ1，θ2）：４５° 洗浄液の循環流量：４０Ｌ／ｍｉｎ 散水管４の位置：ウエハカセット５２の中央部 尚、洗浄液としては、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ（体積
比）が１：１：１００のＳＣ−１を７５℃で用いた。以
上、得られた結果を表１に示す。
リッシング処理後のシリコンウエハを、図１に示すシリ
コンウエハの洗浄装置を用いて、５分間洗浄し、洗浄後
のシリコンウエハのＬＰＤを測定した（実施例１）。ま
た、図２に示すシリコンウエハの洗浄装置（実施例２）
及び図６に示すシリコンウエハの洗浄装置（比較例）の
場合についても、実施例１と同様に測定を行った。この
とき、散水管２，４の諸条件は、以下に示す通りであ
る。 噴出孔５の噴出孔径：１ｍｍ 噴出孔５の角度（θ1，θ2）：４５° 洗浄液の循環流量：４０Ｌ／ｍｉｎ 散水管４の位置：ウエハカセット５２の中央部 尚、洗浄液としては、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ（体積
比）が１：１：１００のＳＣ−１を７５℃で用いた。以
上、得られた結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】 （考察：実施例１〜２、比較例）表１の
結果から、実施例１は、比較例よりも大幅にシリコンウ
エハ表面の清浄度が向上していることが判明した。ま
た、実施例２は、実施例１よりも更にシリコンウエハ表
面の清浄度を向上させることができた。
結果から、実施例１は、比較例よりも大幅にシリコンウ
エハ表面の清浄度が向上していることが判明した。ま
た、実施例２は、実施例１よりも更にシリコンウエハ表
面の清浄度を向上させることができた。
【００２７】
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウエハの洗浄装置は、シリコンウエハに新
鮮な洗浄液を十分に導入・接触させることができるた
め、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上
させることができる。
明のシリコンウエハの洗浄装置は、シリコンウエハに新
鮮な洗浄液を十分に導入・接触させることができるた
め、シリコンウエハ表面の清浄度および洗浄能力を向上
させることができる。
【図１】 本発明のシリコンウエハの洗浄装置の一例を
示す概略説明図である。
示す概略説明図である。
【図２】 本発明のシリコンウエハの洗浄装置の他の例
を示す概略説明図である。
を示す概略説明図である。
【図３】 図１〜２の概略平面図である。
【図４】 図１のシリコンウエハの洗浄装置におけるシ
リコンウエハと散水管との位置関係を示す説明図であ
る。
リコンウエハと散水管との位置関係を示す説明図であ
る。
【図５】 図２のシリコンウエハの洗浄装置におけるシ
リコンウエハと散水管との位置関係を示す説明図であ
る。
リコンウエハと散水管との位置関係を示す説明図であ
る。
【図６】 従来のシリコンウエハの洗浄装置の一例を示
す概略説明図である。
す概略説明図である。
【図７】 図６の概略平面図である。
２…散水管（第一の散水管）、４…第２の散水管、５…
噴出孔、６…給水口、２０…洗浄槽、２２…オーバーフ
ロー槽、２４…排水弁、３０…超音波振動手段、４０…
ウエハカセット揺動手段（揺動かご）、５０…シリコン
ウエハ、５２…ウエハカセット。
噴出孔、６…給水口、２０…洗浄槽、２２…オーバーフ
ロー槽、２４…排水弁、３０…超音波振動手段、４０…
ウエハカセット揺動手段（揺動かご）、５０…シリコン
ウエハ、５２…ウエハカセット。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ 11/02 11/02 (72)発明者 岩本 嘉夫 栃木県宇都宮市清原工業団地11番２ エ ム・イー・エム・シー株式会社内 (72)発明者 佐藤 正徳 栃木県宇都宮市清原工業団地11番２ エ ム・イー・エム・シー株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB38 AB44 BB02 BB03 BB22 BB25 BB32 BB84 BB85 3B201 AA03 AB38 AB45 BB02 BB04 BB23 BB83 BB94 BB95
Claims (13)
- 【請求項１】 シリコンウエハを収納するウエハカセッ
トと、 シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、 ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、 洗浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備えた
シリコンウエハの洗浄装置であって、 前記洗浄液供給手段が、洗浄槽の底部に周設された散水
管を有することを特徴とするシリコンウエハの洗浄装
置。 - 【請求項２】 前記散水管の噴出孔が、シリコンウエハ
の水平方向に対して上方に０〜６０°の角度で、前記散
水管の横方向に複数個列設される請求項１に記載のシリ
コンウエハの洗浄装置。 - 【請求項３】 前記散水管の噴出孔径が、０．５〜３．
０ｍｍである請求項１又は２に記載のシリコンウエハの
洗浄装置。 - 【請求項４】 前記散水管への洗浄液の循環流量が、１
０〜４０Ｌ／ｍｉｎである請求項１〜３のいずれか１項
に記載のシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項５】 前記洗浄槽の下部に超音波振動手段が設
けられた請求項１〜４のいずれか１項に記載のシリコン
ウエハの洗浄装置。 - 【請求項６】 超音波振動手段の周波数が、８５０〜１
０００ｋＨｚである請求項５に記載のシリコンウエハの
洗浄装置。 - 【請求項７】 シリコンウエハを収納するウエハカセッ
トと、 シリコンウエハを洗浄する洗浄液が満たされた洗浄槽
と、 ウエハカセットを洗浄槽中で揺動させるウエハカセット
揺動手段と、 洗浄槽に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備えた
シリコンウエハの洗浄装置であって、 前記洗浄液供給手段が、洗浄槽の底部に周設された第１
の散水管と、ウエハカセットの中央部から下方部の範囲
に少なくとも１つ周設された第２の散水管を有すること
を特徴とするシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項８】 前記第１の散水管の噴出孔が、シリコン
ウエハの水平方向に対して上方に０〜６０°の角度で、
前記第１の散水管の横方向に複数個列設される請求項７
に記載のシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項９】 前記第２の散水管の噴出孔が、シリコン
ウエハの水平方向に対して上下対称に０〜６０°の角度
で、前記第２の散水管の横方向に複数個列設される請求
項７に記載のシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の散水管の噴出孔
径が、０．５〜３．０ｍｍである請求項７〜９のいずれ
か１項に記載のシリコンウエハの洗浄装置。 - 【請求項１１】 前記第１および第２の散水管への洗浄
液の循環流量が、１０〜４０Ｌ／ｍｉｎである請求項７
〜１０のいずれか１項に記載のシリコンウエハの洗浄装
置。 - 【請求項１２】 前記洗浄槽の下部に超音波振動手段が
設けられた請求項７〜１１に記載のシリコンウエハの洗
浄装置。 - 【請求項１３】 超音波振動手段の周波数が、８５０〜
１０００ｋＨｚである請求項１２に記載のシリコンウエ
ハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192013A JP2000021830A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192013A JP2000021830A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021830A true JP2000021830A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16284163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192013A Withdrawn JP2000021830A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | シリコンウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021830A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011068554A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-04-07 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン塊の洗浄装置および洗浄方法 |
| CN106847734A (zh) * | 2017-03-23 | 2017-06-13 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石衬底清洗篮装置 |
| CN113649344A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 江苏美科太阳能科技有限公司 | 一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法 |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP10192013A patent/JP2000021830A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
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| JP2014111532A (ja) * | 2009-08-31 | 2014-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン塊の洗浄方法 |
| US8887744B2 (en) | 2009-08-31 | 2014-11-18 | Mitsubishi Materials Corporation | Rinsing apparatus and rinsing method for polycrystalline silicon lump |
| US9421583B2 (en) | 2009-08-31 | 2016-08-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Rinsing apparatus and rinsing method for polycrystalline silicon lump |
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| CN106847734B (zh) * | 2017-03-23 | 2023-07-14 | 东旭集团有限公司 | 蓝宝石衬底清洗篮装置 |
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