JPH0855827A - ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 - Google Patents
ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置Info
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- JPH0855827A JPH0855827A JP7188717A JP18871795A JPH0855827A JP H0855827 A JPH0855827 A JP H0855827A JP 7188717 A JP7188717 A JP 7188717A JP 18871795 A JP18871795 A JP 18871795A JP H0855827 A JPH0855827 A JP H0855827A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 音波が均一に基板に伝達されるウェーハカセ
ットおよびこれを使用した洗浄装置を提供する。 【解決手段】 ウェーハカセットには音波の伝達が均一
になるように開口部が形成されている。このカセットを
使用した洗浄装置は、洗浄装置の下面に位置して音波を
発振させる振動板３４と、振動板３４の上部に位置する
シンク台３０と、シンク台３０の底面と離隔されてその
内部に位置しウェーハカセットが置かれるガラス浴漕３
２と、ガラス浴漕３２の底面に位置して洗浄液を供給す
る複数個の供給配管部３６と、シンク台３０の底面に振
動板３４を挟んで供給配管部３６と対向して位置しガラ
ス浴漕３２から溢れる洗浄液を排出する排水配管部３８
とを備える。共振周波数からの離脱を防止し、ウェーハ
に音波を均一に伝達し、またガラス浴漕３２の下部にお
ける気泡形成を取り除いて音波の乱反射を抑制するた
め、基板上の微粒子の除去効果が向上する。
ットおよびこれを使用した洗浄装置を提供する。 【解決手段】 ウェーハカセットには音波の伝達が均一
になるように開口部が形成されている。このカセットを
使用した洗浄装置は、洗浄装置の下面に位置して音波を
発振させる振動板３４と、振動板３４の上部に位置する
シンク台３０と、シンク台３０の底面と離隔されてその
内部に位置しウェーハカセットが置かれるガラス浴漕３
２と、ガラス浴漕３２の底面に位置して洗浄液を供給す
る複数個の供給配管部３６と、シンク台３０の底面に振
動板３４を挟んで供給配管部３６と対向して位置しガラ
ス浴漕３２から溢れる洗浄液を排出する排水配管部３８
とを備える。共振周波数からの離脱を防止し、ウェーハ
に音波を均一に伝達し、またガラス浴漕３２の下部にお
ける気泡形成を取り除いて音波の乱反射を抑制するた
め、基板上の微粒子の除去効果が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の洗浄装
置に係り、特にガラス浴漕（quartz bath)内で音波を均
一に基板に伝達しうるウェーハカセットおよびこれを使
用した洗浄装置に関する。
置に係り、特にガラス浴漕（quartz bath)内で音波を均
一に基板に伝達しうるウェーハカセットおよびこれを使
用した洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路パターンの微細化が続けられ、ＬＳ
Ｉの高密度、高集積化により微粒子や金属不純物などに
代表される微細汚染が製品の収率と信頼性に大きな影響
を及ぼすようになった。これにより、ＶＬＳＩ工程にお
ける清浄化の重要性がさらに高まっている。
Ｉの高密度、高集積化により微粒子や金属不純物などに
代表される微細汚染が製品の収率と信頼性に大きな影響
を及ぼすようになった。これにより、ＶＬＳＩ工程にお
ける清浄化の重要性がさらに高まっている。
【０００３】各製造工程においてウェーハに取り付けら
れる微粒子数の推移をみると、超ＬＳＩ工程はその全て
が微粒子（のみならず各種汚染）の発生原因であり、全
工程にかけてシリコンウェーハの表面を清浄に保存する
ことが収率向上のキーポイントとなっている。微粒子ま
たは金属不純物などの除去は湿式洗浄工程により行われ
るが、ウェーハ上の微粒子はもちろん、金属不純物、有
機汚染物質、表面皮膜（自然酸化膜、吸着分子）などの
多様な対象物をさらに良好に取り除くため、超ＬＳＩ工
程では複数の洗浄液による処理を組合わせて一つの洗浄
システムを用いている。また、基板上に存する微粒子な
どを良好に取り除くために音波を使用しているが、通常
周波数帯域２０〜４０ＫＨｚを使用するウルトラソニッ
ク（ultra sonic)洗浄装置と周波数帯域６００〜１００
０ＫＨｚを使用するメガソニック(mega sonic)洗浄装置
（以下、超音波洗浄装置とする）を使用する。特に、半
導体ウェーハの表面洗浄用装置として微粒子の除去目的
に使用される超音波洗浄装置は高周波数を使用するので
ウルトラソニック洗浄装置より音波が強い性質を有す
る。
れる微粒子数の推移をみると、超ＬＳＩ工程はその全て
が微粒子（のみならず各種汚染）の発生原因であり、全
工程にかけてシリコンウェーハの表面を清浄に保存する
ことが収率向上のキーポイントとなっている。微粒子ま
たは金属不純物などの除去は湿式洗浄工程により行われ
るが、ウェーハ上の微粒子はもちろん、金属不純物、有
機汚染物質、表面皮膜（自然酸化膜、吸着分子）などの
多様な対象物をさらに良好に取り除くため、超ＬＳＩ工
程では複数の洗浄液による処理を組合わせて一つの洗浄
システムを用いている。また、基板上に存する微粒子な
どを良好に取り除くために音波を使用しているが、通常
周波数帯域２０〜４０ＫＨｚを使用するウルトラソニッ
ク（ultra sonic)洗浄装置と周波数帯域６００〜１００
０ＫＨｚを使用するメガソニック(mega sonic)洗浄装置
（以下、超音波洗浄装置とする）を使用する。特に、半
導体ウェーハの表面洗浄用装置として微粒子の除去目的
に使用される超音波洗浄装置は高周波数を使用するので
ウルトラソニック洗浄装置より音波が強い性質を有す
る。
【０００４】前記超音波を用いる超音波洗浄装置は通常
ガラス浴漕の下段部に超音波誘導装置を取り付け、これ
を利用して高周波数（６００〜１０００ＫＨｚ）の音波
を発生させる。これにより、基板に空泡（cavitation)
現象を伝えてウェーハの表面にある微粒子を取り除くよ
うになっている。図１は、従来の技術による超音波洗浄
装置の超音波誘導装置および洗浄液の流れを説明するた
めの平面図である。
ガラス浴漕の下段部に超音波誘導装置を取り付け、これ
を利用して高周波数（６００〜１０００ＫＨｚ）の音波
を発生させる。これにより、基板に空泡（cavitation)
現象を伝えてウェーハの表面にある微粒子を取り除くよ
うになっている。図１は、従来の技術による超音波洗浄
装置の超音波誘導装置および洗浄液の流れを説明するた
めの平面図である。
【０００５】まず、超音波洗浄装置の構造について述べ
る。シンク台１上の所定の領域にガラス浴漕２が備えら
れており、ガラス浴漕２の下部の所定の部分に振動板３
が備えられている。また、ガラス浴漕２に洗浄液、例え
ば純粋物が流出される供給配管部５があり、ガラス浴漕
２から溢れる余分の水が排水される排水配管部９がシン
ク台１に備えられている。また、参照符号７は純粋物の
流れであり、供給配管部５から出た純粋物は排水配管部
９を通じて超音波洗浄装置の外へ出ていく。
る。シンク台１上の所定の領域にガラス浴漕２が備えら
れており、ガラス浴漕２の下部の所定の部分に振動板３
が備えられている。また、ガラス浴漕２に洗浄液、例え
ば純粋物が流出される供給配管部５があり、ガラス浴漕
２から溢れる余分の水が排水される排水配管部９がシン
ク台１に備えられている。また、参照符号７は純粋物の
流れであり、供給配管部５から出た純粋物は排水配管部
９を通じて超音波洗浄装置の外へ出ていく。
【０００６】次に、超音波の発振状態を説明する。具体
的には、振動板３の下部には超音波を誘導する振動子
（図示せず）があって振動板３で高周波数（６００〜１
０００ＫＨｚ）の音波を発振させる。これにより、基板
に空泡現象を伝えてウェーハの表面にある微粒子を取り
除く。特に、振動板上に発生する熱の抑制、音波の乱反
射およびガラス浴漕の下部の気泡を取り除くために、振
動板３とガラス浴漕２との間には供給配管部５を通じて
常に一定量の水を流すようになっている。
的には、振動板３の下部には超音波を誘導する振動子
（図示せず）があって振動板３で高周波数（６００〜１
０００ＫＨｚ）の音波を発振させる。これにより、基板
に空泡現象を伝えてウェーハの表面にある微粒子を取り
除く。特に、振動板上に発生する熱の抑制、音波の乱反
射およびガラス浴漕の下部の気泡を取り除くために、振
動板３とガラス浴漕２との間には供給配管部５を通じて
常に一定量の水を流すようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１に示す従
来の超音波洗浄装置によると、振動板３および排水配管
部９の側方に供給配管部５があって超音波洗浄装置の水
循環が一定に行われない。このように水の循環が良好に
なされなければ、振動板３による熱の上昇により共振周
波数の帯域がセッティング値、例えば９５０ＫＨｚから
外れ、ガラス浴漕２の下段部に気泡が結ばれて音波の伝
達を妨げるので基板上の微粒子の除去効果が劣化すると
いう問題点があった。
来の超音波洗浄装置によると、振動板３および排水配管
部９の側方に供給配管部５があって超音波洗浄装置の水
循環が一定に行われない。このように水の循環が良好に
なされなければ、振動板３による熱の上昇により共振周
波数の帯域がセッティング値、例えば９５０ＫＨｚから
外れ、ガラス浴漕２の下段部に気泡が結ばれて音波の伝
達を妨げるので基板上の微粒子の除去効果が劣化すると
いう問題点があった。
【０００８】図２（Ｂ）は図１に示した超音波洗浄装置
における音波の流れを示す断面図であり、図２（Ａ）は
従来の技術により使用されたウェーハカセットを示す斜
視図である。まず、図２（Ａ）に示したウェーハカセッ
トについて説明する。このウェーハカセットは、四角柱
形態の内部に多数の半導体ウェーハを搭載しうるように
なっており、前記四角柱の第１面２３とこれに対応する
第２面２５は上部から下部の一定の部分までは平らにな
っており、その下方の残り部分である下段部２７は一定
な角度に斜めになっている。図２（Ａ）において、斜線
の領域は下段部２７の四角柱内部側を示す。
における音波の流れを示す断面図であり、図２（Ａ）は
従来の技術により使用されたウェーハカセットを示す斜
視図である。まず、図２（Ａ）に示したウェーハカセッ
トについて説明する。このウェーハカセットは、四角柱
形態の内部に多数の半導体ウェーハを搭載しうるように
なっており、前記四角柱の第１面２３とこれに対応する
第２面２５は上部から下部の一定の部分までは平らにな
っており、その下方の残り部分である下段部２７は一定
な角度に斜めになっている。図２（Ａ）において、斜線
の領域は下段部２７の四角柱内部側を示す。
【０００９】次に、図２（Ａ）に示したウェーハカセッ
トを採用して洗浄するときの音波の流れを図２（Ｂ）を
参照して詳細に説明する。図２（Ｂ）において、参照符
号１は純粋物が含まれたシンク台、２は純粋物が含まれ
たガラス浴漕、１３はウェーハ１７が装着されるウェー
ハカセット（テフロンキャリア）である。参照符号１１
は超音波が発振する振動子であり、１５はこの超音波の
流れである。また、参照符号１９と２１はそれぞれガラ
ス浴漕内でウェーハカセットを支えるガラス板およびカ
セット保持台である。
トを採用して洗浄するときの音波の流れを図２（Ｂ）を
参照して詳細に説明する。図２（Ｂ）において、参照符
号１は純粋物が含まれたシンク台、２は純粋物が含まれ
たガラス浴漕、１３はウェーハ１７が装着されるウェー
ハカセット（テフロンキャリア）である。参照符号１１
は超音波が発振する振動子であり、１５はこの超音波の
流れである。また、参照符号１９と２１はそれぞれガラ
ス浴漕内でウェーハカセットを支えるガラス板およびカ
セット保持台である。
【００１０】図２（Ａ）に示したウェーハカセットを使
用すると、ウェーハカセットの下段部２７が詰まってい
るため、図２（Ｂ）に示す超音波の進行方向から判るよ
うに図２（Ｂ）のａおよびｂ部分には超音波が伝えられ
なくてウェーハ１７に全体的に存する微粒子の除去が困
難であった。図３（Ａ）はウェハーカセット１３を支え
るガラス板１９およびウェーハカセット保持台２１を示
す拡大平面図であり、図３（Ｂ）はその縦断面図であ
る。
用すると、ウェーハカセットの下段部２７が詰まってい
るため、図２（Ｂ）に示す超音波の進行方向から判るよ
うに図２（Ｂ）のａおよびｂ部分には超音波が伝えられ
なくてウェーハ１７に全体的に存する微粒子の除去が困
難であった。図３（Ａ）はウェハーカセット１３を支え
るガラス板１９およびウェーハカセット保持台２１を示
す拡大平面図であり、図３（Ｂ）はその縦断面図であ
る。
【００１１】参照符号２はガラス浴漕を示す。図３
（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、従来の超音波洗
浄装置によるとガラス浴漕２内でウェーハカセット１３
を支えるガラス板１９の使用によりガラス板１９の下面
に気泡２９が形成される。この気泡２９により超音波が
乱反射し、また音波伝達が妨げられるため、均一な洗浄
が不可能である。
（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、従来の超音波洗
浄装置によるとガラス浴漕２内でウェーハカセット１３
を支えるガラス板１９の使用によりガラス板１９の下面
に気泡２９が形成される。この気泡２９により超音波が
乱反射し、また音波伝達が妨げられるため、均一な洗浄
が不可能である。
【００１２】本発明は前述した問題点を解決するための
ものであって、その目的は、ガラス浴漕内で音波が均一
に基板に伝えられるウェーハカセットを提供することに
ある。本発明の他の目的は、前記ウェーハカセットを使
用してウェーハ表面の微粒子を効率的に除去しうる洗浄
装置を提供することにある。
ものであって、その目的は、ガラス浴漕内で音波が均一
に基板に伝えられるウェーハカセットを提供することに
ある。本発明の他の目的は、前記ウェーハカセットを使
用してウェーハ表面の微粒子を効率的に除去しうる洗浄
装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明は、四角柱の形態であり、内部に多数の半導
体ウェーハを搭載することができ、前記四角柱の下部に
は前記ウェーハを保持するように傾斜した部分を有する
ウェーハカセットにおいて、音波の伝達が均一になるよ
うに前記傾斜した部分に少なくとも一つの開口部が形成
されていることを特徴とするウェーハカセットを提供す
る。
めに本発明は、四角柱の形態であり、内部に多数の半導
体ウェーハを搭載することができ、前記四角柱の下部に
は前記ウェーハを保持するように傾斜した部分を有する
ウェーハカセットにおいて、音波の伝達が均一になるよ
うに前記傾斜した部分に少なくとも一つの開口部が形成
されていることを特徴とするウェーハカセットを提供す
る。
【００１４】前記開口部はウェーハ保持部分の全部また
は一部に形成されることが望ましい。前記他の目的を達
成するために、本発明は洗浄装置の下面に位置して音波
を発振させる振動板と、前記振動板の上部に位置するシ
ンク台と、前記シンク台の底面と離隔されてその内部に
位置し、ウェーハカセットが置かれるガラス浴漕と、前
記ガラス浴槽の底面に位置して洗浄液を供給する複数個
の供給配管部と、前記シンク台の底面に、前記振動板を
挟んで前記供給配管部と対向して位置し、前記ガラス浴
漕から溢れる洗浄液を排出する排水配管部とを具備する
ことを特徴とする洗浄装置を提供する。
は一部に形成されることが望ましい。前記他の目的を達
成するために、本発明は洗浄装置の下面に位置して音波
を発振させる振動板と、前記振動板の上部に位置するシ
ンク台と、前記シンク台の底面と離隔されてその内部に
位置し、ウェーハカセットが置かれるガラス浴漕と、前
記ガラス浴槽の底面に位置して洗浄液を供給する複数個
の供給配管部と、前記シンク台の底面に、前記振動板を
挟んで前記供給配管部と対向して位置し、前記ガラス浴
漕から溢れる洗浄液を排出する排水配管部とを具備する
ことを特徴とする洗浄装置を提供する。
【００１５】前記音波は周波数帯域が６００〜１０００
ＫＨｚである超音波であり、前記ガラス浴漕の底面にウ
ェーハカセットが置かれるカセット保持台をさらに具備
する場合もある。
ＫＨｚである超音波であり、前記ガラス浴漕の底面にウ
ェーハカセットが置かれるカセット保持台をさらに具備
する場合もある。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明を詳細に説明する。まず、本発明の一実施例に使用さ
れる超音波洗浄装置を説明する。図４は本発明の一実施
例による超音波洗浄装置の超音波誘導装置および洗浄液
の流れを示す平面図である。
明を詳細に説明する。まず、本発明の一実施例に使用さ
れる超音波洗浄装置を説明する。図４は本発明の一実施
例による超音波洗浄装置の超音波誘導装置および洗浄液
の流れを示す平面図である。
【００１７】まず、超音波洗浄装置の構造に付いて述べ
る。シンク台３０上の所定の領域にガラス浴漕３２が備
えられており、このガラス浴漕３２の下部の所定部分に
振動板３４が備えられている。また、ガラス浴漕３２に
洗浄液、例えば純粋物を供給する供給配管部３６があ
り、ガラス浴漕３２から溢れる余分の洗浄液が排水され
る排水配管部３８がシンク台３０に備えられている。ま
た、参照符号４０は洗浄液の流れを示し、供給配管部３
６から出た洗浄液は排水配管部３８を通じて超音波洗浄
装置の外に出ていく。
る。シンク台３０上の所定の領域にガラス浴漕３２が備
えられており、このガラス浴漕３２の下部の所定部分に
振動板３４が備えられている。また、ガラス浴漕３２に
洗浄液、例えば純粋物を供給する供給配管部３６があ
り、ガラス浴漕３２から溢れる余分の洗浄液が排水され
る排水配管部３８がシンク台３０に備えられている。ま
た、参照符号４０は洗浄液の流れを示し、供給配管部３
６から出た洗浄液は排水配管部３８を通じて超音波洗浄
装置の外に出ていく。
【００１８】次に、超音波の発振状態を説明する。振動
板３４の下部には超音波を誘導する図示しない振動子が
あって、振動板３４で高周波数（６００〜１０００ＫＨ
ｚ）の音波を発振させる。これにより、基板に空泡現象
を伝えてウェーハの表面にある微粒子を取り除く。特
に、振動板上に発生する熱を抑制し、音波の乱反射およ
びガラス浴漕３２の下部の気泡を取り除くために、振動
板３４とガラス浴漕３２との間には供給配管部３６を通
じて常に一定量の洗浄液を流すようになっている。
板３４の下部には超音波を誘導する図示しない振動子が
あって、振動板３４で高周波数（６００〜１０００ＫＨ
ｚ）の音波を発振させる。これにより、基板に空泡現象
を伝えてウェーハの表面にある微粒子を取り除く。特
に、振動板上に発生する熱を抑制し、音波の乱反射およ
びガラス浴漕３２の下部の気泡を取り除くために、振動
板３４とガラス浴漕３２との間には供給配管部３６を通
じて常に一定量の洗浄液を流すようになっている。
【００１９】図４に示す超音波洗浄装置には、洗浄液の
循環を良好にするためにシンク台３０に位置する排水配
管部３８の反対側に位置する複数個の供給配管部３６が
設けられているため、超音波洗浄装置の水循環が一定に
なされる。このように水循環が良好になされると、振動
板発振時に発生する熱を遮断して熱による共振周波数の
離脱を防止するとともにガラス浴漕３２の下部に気泡が
形成されることを取り除いて音波の乱反射を抑制するの
で、基板上の微粒子の除去効果を向上させることができ
る。
循環を良好にするためにシンク台３０に位置する排水配
管部３８の反対側に位置する複数個の供給配管部３６が
設けられているため、超音波洗浄装置の水循環が一定に
なされる。このように水循環が良好になされると、振動
板発振時に発生する熱を遮断して熱による共振周波数の
離脱を防止するとともにガラス浴漕３２の下部に気泡が
形成されることを取り除いて音波の乱反射を抑制するの
で、基板上の微粒子の除去効果を向上させることができ
る。
【００２０】図５は本発明の一実施例による超音波洗浄
装置に使用されるカセットを示す斜視図であり、図６は
図４に示した超音波洗浄装置における音波の流れを詳細
に説明するために示した断面図である。まず、ウェーハ
カセットについて説明する。図５において、本発明の一
実施例によるカセットは四角柱の形態に内部に多数の半
導体ウェーハを搭載しうるようになっており、前記四角
柱の側壁４０とそれに対応する側壁４２は上部から下部
の一定な部分までは平らになっており、その下方の残り
部分である下段部４４は一定な角度に傾斜しておりこの
部分に開口部が設けられている。図５において、細かい
点を付した領域は下段部４４に設けられた前記開口部を
示す。
装置に使用されるカセットを示す斜視図であり、図６は
図４に示した超音波洗浄装置における音波の流れを詳細
に説明するために示した断面図である。まず、ウェーハ
カセットについて説明する。図５において、本発明の一
実施例によるカセットは四角柱の形態に内部に多数の半
導体ウェーハを搭載しうるようになっており、前記四角
柱の側壁４０とそれに対応する側壁４２は上部から下部
の一定な部分までは平らになっており、その下方の残り
部分である下段部４４は一定な角度に傾斜しておりこの
部分に開口部が設けられている。図５において、細かい
点を付した領域は下段部４４に設けられた前記開口部を
示す。
【００２１】本発明の一実施例によるカセットは、図２
（Ｂ）に示す従来の技術によるカセットにおいて詰まっ
ていた下段部２７に相当する箇所に、図５において細か
い点を付して示すように開口部が形成されているという
特徴を有する。したがって、ウェーハカセットの内部に
搭載されるウェーハに音波を均一に伝えることができ
る。
（Ｂ）に示す従来の技術によるカセットにおいて詰まっ
ていた下段部２７に相当する箇所に、図５において細か
い点を付して示すように開口部が形成されているという
特徴を有する。したがって、ウェーハカセットの内部に
搭載されるウェーハに音波を均一に伝えることができ
る。
【００２２】次に、図５に示したウェーハを採用して洗
浄するときの音波の流れを図６を参照して詳細に説明す
る。
浄するときの音波の流れを図６を参照して詳細に説明す
る。
【００２３】図６において、参照符号３０は純粋物が含
まれたシンク台、３２は純粋物が含まれたガラス浴漕、
４６はウェーハ４８が装着されるカセット（テフロンキ
ャリア）である。参照符号５０は超音波が発振する振動
子であり、５２は超音波の流れを示す。また、参照符号
５４はガラス浴漕３２内でカセットを支えるウェーハカ
セット保持台を示す。
まれたシンク台、３２は純粋物が含まれたガラス浴漕、
４６はウェーハ４８が装着されるカセット（テフロンキ
ャリア）である。参照符号５０は超音波が発振する振動
子であり、５２は超音波の流れを示す。また、参照符号
５４はガラス浴漕３２内でカセットを支えるウェーハカ
セット保持台を示す。
【００２４】図５に示したウェーハカセットを使用する
と、ウェーハカセットの下段部４４に開口部が形成され
ているため、図６に示す超音波の進行方向から判るよう
に従来の技術による図２のａおよびｂで示した部分にも
超音波が伝えられるので、ウェーハに全体的に存する微
粒子の均一な除去が可能である。図７（Ａ）は図５に示
すカセットを支えるウェーハカセット保持台５６を示す
拡大平面図であり、図７（Ｂ）はその縦断面図である。
と、ウェーハカセットの下段部４４に開口部が形成され
ているため、図６に示す超音波の進行方向から判るよう
に従来の技術による図２のａおよびｂで示した部分にも
超音波が伝えられるので、ウェーハに全体的に存する微
粒子の均一な除去が可能である。図７（Ａ）は図５に示
すカセットを支えるウェーハカセット保持台５６を示す
拡大平面図であり、図７（Ｂ）はその縦断面図である。
【００２５】参照符号３２はガラス浴漕を示す。図７
（Ａ）および図７（Ｂ）に示した本発明の一実施例によ
る超音波洗浄装置は、従来の技術とは異なりガラス浴漕
内でカセットを支えるガラス板を使用しないので、この
ガラス板の下面に気泡が形成されるという従来技術の問
題点を取り除くことができる。したがって、気泡による
超音波の乱反射および音波伝達の妨害を取り除いて均一
な洗浄を行うことが可能である。
（Ａ）および図７（Ｂ）に示した本発明の一実施例によ
る超音波洗浄装置は、従来の技術とは異なりガラス浴漕
内でカセットを支えるガラス板を使用しないので、この
ガラス板の下面に気泡が形成されるという従来技術の問
題点を取り除くことができる。したがって、気泡による
超音波の乱反射および音波伝達の妨害を取り除いて均一
な洗浄を行うことが可能である。
【００２６】本発明の一実施例によると、シンク台に位
置する排水配管部３８の反対側に複数個の供給配管部３
６を設けて洗浄液の循環を円滑にする。また、ウェーハ
カセットの下段部４４に開口部を設けることによりこの
カセットの内部に搭載されるウェーハに均一に音波が伝
達され得るようにし、またガラス浴漕内でウェーハカセ
ットを支えるガラス板を使用せずガラス浴漕に保持台を
設けているので気泡が形成されることを取り除くことが
できる。
置する排水配管部３８の反対側に複数個の供給配管部３
６を設けて洗浄液の循環を円滑にする。また、ウェーハ
カセットの下段部４４に開口部を設けることによりこの
カセットの内部に搭載されるウェーハに均一に音波が伝
達され得るようにし、またガラス浴漕内でウェーハカセ
ットを支えるガラス板を使用せずガラス浴漕に保持台を
設けているので気泡が形成されることを取り除くことが
できる。
【００２７】
【発明の効果】したがって、本発明によれば、共振周波
数が所定のセッティング値から外れることを防止し、ガ
ラス浴漕の下部に気泡が結ばれることを取り除いて音波
の乱反射を抑制するため、基板上の微粒子の除去効果を
向上させ得る。以上、本発明を具体的な実施例を以て説
明したが、本発明は前記の実施例に限定されず、当業者
の持った通常的な知識の範囲内でその変形や改良が可能
である。
数が所定のセッティング値から外れることを防止し、ガ
ラス浴漕の下部に気泡が結ばれることを取り除いて音波
の乱反射を抑制するため、基板上の微粒子の除去効果を
向上させ得る。以上、本発明を具体的な実施例を以て説
明したが、本発明は前記の実施例に限定されず、当業者
の持った通常的な知識の範囲内でその変形や改良が可能
である。
【図１】従来の技術による超音波洗浄装置の超音波誘導
装置および洗浄液の流れを示す平面図である。
装置および洗浄液の流れを示す平面図である。
【図２】（Ａ）は従来の技術により使用されたウェーハ
カセットを示す斜視図であり、（Ｂ）は図１に示す超音
波洗浄装置における音波の流れを示す断面図である。
カセットを示す斜視図であり、（Ｂ）は図１に示す超音
波洗浄装置における音波の流れを示す断面図である。
【図３】（Ａ）は図２に示すウェハーカセットを支える
ガラス板およびウェーハカセット保持台を示す拡大平面
図であり、（Ｂ）はその縦断面図である。
ガラス板およびウェーハカセット保持台を示す拡大平面
図であり、（Ｂ）はその縦断面図である。
【図４】本発明の一実施例による超音波洗浄装置の超音
波誘導装置および洗浄液の流れを示す平面図である。
波誘導装置および洗浄液の流れを示す平面図である。
【図５】本発明の一実施例に使用されたウェーハカセッ
トを示す斜視図である。
トを示す斜視図である。
【図６】図４に示す超音波洗浄装置における音波の流れ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は図５に示すウェハーカセットを支える
ガラス板およびウェーハカセット保持台を示す拡大平面
図であり、（Ｂ）はその縦断面図である。
ガラス板およびウェーハカセット保持台を示す拡大平面
図であり、（Ｂ）はその縦断面図である。
３０ シンク台 ３２ ガラス浴漕 ３４ 振動板 ３６ 供給配管部 ３８ 排水配管部 ４０ 洗浄液の流れ ４２ 側壁 ４４ 下段部（傾斜した部分） ４６ カセット ４８ ウェーハ ５０ 振動子 ５２ 超音波の流れ ５４、５６ ウェーハカセット保持台
Claims (5)
- 【請求項１】 四角柱の形態であり、内部に多数の半導
体ウェーハを搭載することができ、前記四角柱の下部に
は前記ウェーハを保持するように傾斜した部分を有する
ウェーハカセットにおいて、 前記ウェーハへの音波の伝達が均一になるように前記傾
斜した部分に少なくとも一つの開口部が形成されている
ことを特徴とするウェーハカセット。 - 【請求項２】 前記開口部は前記傾斜した部分の全体ま
たは一部に形成されていることを特徴とする請求項１記
載のウェーハカセット。 - 【請求項３】 洗浄装置の下面に位置して音波を発振さ
せる振動板と、 前記振動板の上部に位置するシンク台と、 前記シンク台の底面と離隔されてその内部に位置し、ウ
ェーハカセットが置かれるガラス浴漕と、 前記ガラス浴漕の底面に位置して洗浄液を供給する複数
個の供給配管部と、 前記シンク台の底面に、前記振動板を挟んで前記供給配
管部と対向して位置し、前記ガラス浴漕から溢れる洗浄
液を排出する排水配管部とを具備することを特徴とする
洗浄装置。 - 【請求項４】 前記音波は周波数帯域が６００〜１００
０ＫＨｚの超音波であることを特徴とする請求項３記載
の洗浄装置。 - 【請求項５】 前記ガラス浴漕の底面にウェーハカセッ
トが置かれるカセット保持台をさらに具備することを特
徴とする請求項３記載の洗浄装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940018076A KR0144949B1 (ko) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 웨이퍼 카세트 및 이를 사용한 세정장치 |
| KR1994P18076 | 1994-07-26 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004295837A Division JP2005064530A (ja) | 1994-07-26 | 2004-10-08 | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855827A true JPH0855827A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=19388824
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7188717A Pending JPH0855827A (ja) | 1994-07-26 | 1995-07-25 | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 |
| JP2004295837A Pending JP2005064530A (ja) | 1994-07-26 | 2004-10-08 | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004295837A Pending JP2005064530A (ja) | 1994-07-26 | 2004-10-08 | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 |
Country Status (3)
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|---|---|
| US (1) | US5715851A (ja) |
| JP (2) | JPH0855827A (ja) |
| KR (1) | KR0144949B1 (ja) |
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| US6039059A (en) | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| US6033994A (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-07 | Sony Corporation | Apparatus and method for deprocessing a multi-layer semiconductor device |
| US7216655B2 (en) * | 1998-01-09 | 2007-05-15 | Entegris, Inc. | Wafer container washing apparatus |
| US6926017B2 (en) * | 1998-01-09 | 2005-08-09 | Entegris, Inc. | Wafer container washing apparatus |
| JPH11274282A (ja) | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 基板収納容器、基板収納容器清浄化装置、基板収納容器清浄化方法および基板処理装置 |
| US6432214B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Semitool, Inc. | Cleaning apparatus |
| US6904920B2 (en) * | 1998-07-10 | 2005-06-14 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for cleaning containers |
| US6520191B1 (en) | 1998-10-19 | 2003-02-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Carrier for cleaning silicon wafers |
| US6209555B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-04-03 | Imtec Acculine, Inc. | Substrate cassette for ultrasonic cleaning |
| US6830057B2 (en) * | 2002-11-01 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Wafer container cleaning system |
| JP2007500941A (ja) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 高度に均一な酸化物層、とりわけ超薄層の調節された成長 |
| US20050098194A1 (en) * | 2003-09-11 | 2005-05-12 | Christenson Kurt K. | Semiconductor wafer immersion systems and treatments using modulated acoustic energy |
| EP1663534A1 (en) * | 2003-09-11 | 2006-06-07 | FSI International, Inc. | Acoustic diffusers for acoustic field uniformity |
| JP4493675B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-06-30 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置 |
| KR100958793B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2010-05-18 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 쉽핑박스의 세정을 위한 박스 크리너 |
| CN105239640A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-01-13 | 成都美饰实业有限责任公司 | 一种具有震荡清洗功能的防堵厨房水槽 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4618263A (en) * | 1982-09-22 | 1986-10-21 | Mccord James W | Sound suppressor in a liquid medium |
| US4736760A (en) * | 1986-02-21 | 1988-04-12 | Robert A. Coberly | Apparatus for cleaning, rinsing and drying substrates |
| US4869278A (en) * | 1987-04-29 | 1989-09-26 | Bran Mario E | Megasonic cleaning apparatus |
| US4804007A (en) * | 1987-04-29 | 1989-02-14 | Verteq, Inc. | Cleaning apparatus |
| US5365960A (en) * | 1993-04-05 | 1994-11-22 | Verteq, Inc. | Megasonic transducer assembly |
-
1994
- 1994-07-26 KR KR1019940018076A patent/KR0144949B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-07-25 JP JP7188717A patent/JPH0855827A/ja active Pending
- 1995-07-26 US US08/506,760 patent/US5715851A/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-10-08 JP JP2004295837A patent/JP2005064530A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0144949B1 (ko) | 1998-08-17 |
| JP2005064530A (ja) | 2005-03-10 |
| KR960005824A (ko) | 1996-02-23 |
| US5715851A (en) | 1998-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040517 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050926 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051027 |