JPH05308067A - 超音波洗浄装置および方法 - Google Patents

超音波洗浄装置および方法

Info

Publication number
JPH05308067A
JPH05308067A JP11256092A JP11256092A JPH05308067A JP H05308067 A JPH05308067 A JP H05308067A JP 11256092 A JP11256092 A JP 11256092A JP 11256092 A JP11256092 A JP 11256092A JP H05308067 A JPH05308067 A JP H05308067A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultrasonic
cleaning
wafer
washing
washing bath
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11256092A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Hatori
誠 羽鳥
Taiichi Kondo
泰一 近藤
Kazuhiro Koga
和博 古賀
Shiro Yonezawa
志郎 米澤
Yutaka Takeshima
豊 武島
Tadashi Aoki
正 青木
Tetsuo Saito
哲夫 斉藤
Naruhiro Ikubo
成大 井久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi ULSI Engineering Corp, Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi ULSI Engineering Corp
Priority to JP11256092A priority Critical patent/JPH05308067A/ja
Publication of JPH05308067A publication Critical patent/JPH05308067A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 洗浄効率の高い超音波洗浄装置を提供する。 【構成】 洗浄槽3の側面に沿って複数個の超音波振動
子4を配置し、超音波の減衰を防止すると共に、ウエハ
の表面全体に均一な超音波を照射することができるよう
にした超音波洗浄装置1である。また、洗浄槽3の底部
から洗浄液2を供給し、洗浄槽3の上部でオーバーフロ
ーさせることにより、洗浄槽3内に洗浄液2の循環が滞
るデッドスペースを無くし、ウエハ表面へのパーティク
ルの再付着を防止することができるようにした超音波洗
浄装置1である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超音波振動を利用した
被処理物の洗浄技術に関し、例えば半導体製造工程で行
われる半導体ウエハのウェット洗浄などに適用して有効
な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程では、各工程(成膜、エ
ッチングなど)の前後に超音波振動を利用したウェット
洗浄により、半導体ウエハの表面に付着したパーティク
ルなどの除去を行っている。
【0003】従来、この種の洗浄に用いる超音波洗浄装
置は、洗浄液を貯留した洗浄槽の底部に超音波振動子を
配置し、洗浄液をオーバーフローさせつつ振動子を発振
させることによって、ウエハの表面洗浄を行う方式が一
般的である。
【0004】なお、超音波洗浄装置については、株式会
社プレスジャーナル、平成3年11月1日発行、「'92
最新半導体プロセス技術」P256〜P267などに記
載がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、洗浄槽の底
部に超音波振動子を配置した従来構造の超音波洗浄装置
は、洗浄液の供給を洗浄槽の側面または上部から行って
いるため、洗浄槽の底部などに洗浄液の循環が滞るデッ
ドスペースが生じ易い。そのため、ウエハの表面から除
去されたパーティクルがウエハに再付着するなど、洗浄
効率の点で問題があった。
【0006】また、上記従来構造の超音波洗浄装置は、
洗浄槽の底部に配置した超音波振動子とウエハとの接触
を防止するために、超音波振動子の上に簀の子などを置
いているため、これが障害物となって超音波が減衰し、
洗浄効率が低下するという問題があった。
【0007】そこで、本発明の目的は、洗浄効率の向上
した超音波洗浄技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
とおりである。
【0010】本発明の超音波洗浄装置は、洗浄槽の側面
に沿って配置された複数個の超音波振動子を備えてい
る。
【0011】
【作用】上記した手段によれば、超音波振動子と被処理
物との間に障害物がないため、超音波が減衰することな
く被処理物に到達することができ、また、超音波振動子
を複数個設けたことにより、被処理物の表面全体に均一
に超音波が照射されるため、高い洗浄効率が得られる。
【0012】また、上記した手段によれば、洗浄槽の底
部から洗浄液を供給し、洗浄槽の上部でオーバーフロー
させることができるので、洗浄槽内に洗浄液の循環が滞
るデッドスペースが無くなり、高い洗浄効率が得られ
る。
【0013】
【実施例】図1は、本発明の一実施例である超音波洗浄
装置の平面図、図2は、同じく断面図である。
【0014】本実施例の超音波洗浄装置1は、フッ酸、
アンモニア水または純水などの洗浄液2を貯留する洗浄
槽3の側面に沿って複数個(例えば8個)の超音波振動
子4を略等しい間隔で設置した構成になっている。
【0015】洗浄槽3の底部には、洗浄液供給管5が設
置され、洗浄作業中は、洗浄槽3内に常時一定量の洗浄
液2が供給されるようになっている。洗浄槽3内を循環
した洗浄液2は、洗浄槽3の上部でオーバーフローし、
外部に排出される。
【0016】洗浄槽3の中央には、半導体ウエハを収容
したカセット治具6が設置されており、洗浄槽3の側面
に設置された超音波振動子4から所定のパワー、周波数
の超音波が半導体ウエハの表面に照射されることによ
り、ウエハ表面の洗浄が行われる。
【0017】上記カセット治具6は、図示しないターン
テーブル上に載置されており、洗浄作業中は、このター
ンテーブルが水平面内を所定の速度で回転するようにな
っている。また、ターンテーブルを回転させる手段に代
えて、超音波振動子4を洗浄槽3の側面に沿って回転さ
せるようにしてもよく、あるいはターンテーブルと超音
波振動子4とを互いに逆方向に回転させるようにしても
よい。
【0018】上記の構成を備えた本実施例の超音波洗浄
装置1によれば、下記の作用、効果を得ることができ
る。
【0019】(1) 超音波振動子4を洗浄槽3の側面に配
置したことにより、超音波が減衰することなく半導体ウ
エハに到達することができる。
【0020】(2) 洗浄槽3の側面に沿って複数個の超音
波振動子4を略等しい間隔で設置したことにより、ウエ
ハの表面全体に均一な超音波を照射することができる。
【0021】(3) ウエハを収容したカセット治具6を水
平面内で回転させることにより、ウエハの表面全体によ
り均一な超音波を照射することができる。
【0022】(4) 洗浄槽3の底部から洗浄液2を供給
し、洗浄槽3の上部でオーバーフローさせることによ
り、洗浄槽3内に洗浄液2の循環が滞るデッドスペース
が無くなり、ウエハ表面へのパーティクルの再付着を防
止することができる。
【0023】(5) 上記(1) 〜(4) により、洗浄効率の高
い超音波洗浄装置1を提供することができる。また、ウ
エハの表面に照射される超音波のエネルギーが最適化さ
れるので、超音波による素子のダメージを抑制すること
ができる。
【0024】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0025】例えばウエハを収容したカセット治具(ま
たは洗浄槽の側面に設置された超音波振動子)を水平面
内で回転させる手段に代えて、図3に示すように、複数
の超音波振動子の発振波の位相をずらしてウエハに照射
することにより、ウエハの表面全体に均一な超音波を照
射することができる。
【0026】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【0027】本発明によれは、洗浄効率の高い超音波洗
浄装置を提供することができるので、ウエハ表面に付着
したパーティクルなどの異物によるLSIの製造歩留り
の低下を抑制することができる。また、洗浄工程のスル
ープットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である超音波洗浄装置の平面
図である。
【図2】本発明の一実施例である超音波洗浄装置の断面
図である。
【図3】超音波振動子から発振される超音波の位相を示
す図である。
【符号の説明】
1 超音波洗浄装置 2 洗浄液 3 洗浄槽 4 超音波振動子 5 洗浄液供給管 6 カセット治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽鳥 誠 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 近藤 泰一 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 古賀 和博 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 米澤 志郎 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 武島 豊 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 青木 正 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 斉藤 哲夫 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 井久保 成大 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄槽の側面に沿って複数個の超音波振
    動子を配置したことを特徴とする超音波洗浄装置。
  2. 【請求項2】 洗浄槽の底部に洗浄液供給手段を設けた
    ことを特徴とする請求項1記載の超音波洗浄装置。
  3. 【請求項3】 超音波振動子または被処理物の少なくと
    も一方を回転させて洗浄を行うことを特徴とする請求項
    1または2記載の超音波洗浄装置を用いた超音波洗浄方
    法。
  4. 【請求項4】 複数個の超音波振動子の発振波の位相を
    ずらして洗浄を行うことを特徴とする請求項1または2
    記載の超音波洗浄装置を用いた超音波洗浄方法。
JP11256092A 1992-05-01 1992-05-01 超音波洗浄装置および方法 Withdrawn JPH05308067A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11256092A JPH05308067A (ja) 1992-05-01 1992-05-01 超音波洗浄装置および方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11256092A JPH05308067A (ja) 1992-05-01 1992-05-01 超音波洗浄装置および方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05308067A true JPH05308067A (ja) 1993-11-19

Family

ID=14589736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11256092A Withdrawn JPH05308067A (ja) 1992-05-01 1992-05-01 超音波洗浄装置および方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05308067A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009530856A (ja) * 2006-03-17 2009-08-27 グッドソン、マイケル・ジェイ 厚さ方向モード振動子の周波数スイープを伴うメガソニックプロセス装置
KR101014520B1 (ko) * 2008-10-15 2011-02-14 주식회사 엘지실트론 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
CN102806217A (zh) * 2012-08-21 2012-12-05 安阳市凤凰光伏科技有限公司 用有机溶剂进行硅片清洗的方法
CN106140724A (zh) * 2016-09-30 2016-11-23 四川行来科技有限公司 一种超声波薄膜清洗机
CN106140458A (zh) * 2016-09-20 2016-11-23 荆门市格林美新材料有限公司 除磁性异物的装置
WO2017142147A1 (ko) * 2016-02-16 2017-08-24 (주)이오테크닉스 초음파 클리닝 장치 및 이를 이용한 초음파 클리닝 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8310131B2 (en) 2004-11-05 2012-11-13 Megasonic Sweeping, Inc. Megasonic processing apparatus with frequency sweeping of thickness mode transducers
JP2009530856A (ja) * 2006-03-17 2009-08-27 グッドソン、マイケル・ジェイ 厚さ方向モード振動子の周波数スイープを伴うメガソニックプロセス装置
KR101014520B1 (ko) * 2008-10-15 2011-02-14 주식회사 엘지실트론 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
CN102806217A (zh) * 2012-08-21 2012-12-05 安阳市凤凰光伏科技有限公司 用有机溶剂进行硅片清洗的方法
WO2017142147A1 (ko) * 2016-02-16 2017-08-24 (주)이오테크닉스 초음파 클리닝 장치 및 이를 이용한 초음파 클리닝 방법
CN109070151A (zh) * 2016-02-16 2018-12-21 Eo科技股份有限公司 超声波清洗设备以及利用其的超声波清洗方法
CN106140458A (zh) * 2016-09-20 2016-11-23 荆门市格林美新材料有限公司 除磁性异物的装置
CN106140724A (zh) * 2016-09-30 2016-11-23 四川行来科技有限公司 一种超声波薄膜清洗机

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2696017B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
US5071776A (en) Wafer processsing method for manufacturing wafers having contaminant-gettering damage on one surface
US8083856B2 (en) Ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning method
KR100931856B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JPH01143223A (ja) 半導体基板の表面処理方法
KR920003879B1 (ko) 반도체기판의 표면처리방법
KR100355919B1 (ko) 반도체기판의 제조방법
US20060130871A1 (en) Megasonic cleaner having double cleaning probe and cleaning method
JPH0855827A (ja) ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置
JPH11260778A (ja) 枚葉式表面洗浄方法及び装置
JPH05308067A (ja) 超音波洗浄装置および方法
KR20160008535A (ko) 초음파 세정장치 및 세정방법
CN207952128U (zh) 一种多线切硅片脱胶超声清洗装置
JP2019145672A (ja) 洗浄装置
JPH07328573A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JP2000107710A (ja) 超音波基板処理装置
JP2002009033A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JPH01278310A (ja) 半導体ウェハーのダイシング方法
JP3249551B2 (ja) 洗浄方法
JPH0581314B2 (ja)
KR20020051405A (ko) 웨이퍼 세정 방법
JPH06244164A (ja) 超音波洗浄装置
KR20100034091A (ko) 메가소닉을 이용한 웨이퍼 세정장치 및 방법
JPS5919329A (ja) 洗浄方法とその装置
JPS61148821A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990706