JPS5919329A - 洗浄方法とその装置 - Google Patents
洗浄方法とその装置Info
- Publication number
- JPS5919329A JPS5919329A JP12754082A JP12754082A JPS5919329A JP S5919329 A JPS5919329 A JP S5919329A JP 12754082 A JP12754082 A JP 12754082A JP 12754082 A JP12754082 A JP 12754082A JP S5919329 A JPS5919329 A JP S5919329A
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- JP
- Japan
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- wafer
- cleaning
- cleaned
- brush
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は板状物等の被処理物の表面（被洗浄面）を清浄
にし、かつ板状物表面の脱水會行なう洗浄方法ならびに
装置に関し、とくに、半導体装置のホトレジスト塗布前
処理やこれに類似する洗浄装置に関する。
にし、かつ板状物表面の脱水會行なう洗浄方法ならびに
装置に関し、とくに、半導体装置のホトレジスト塗布前
処理やこれに類似する洗浄装置に関する。
一般に半導体装置′ｔ−製造する場合には、ホトエツチ
ング技術が多用されている。たとえば、半導体ウェハの
表面に半導体素子を形成する場合、またはその半導体素
子より、電極など會引き出したり、配線全形成した９す
る場合にホトエツチング技術が使用されている。
ング技術が多用されている。たとえば、半導体ウェハの
表面に半導体素子を形成する場合、またはその半導体素
子より、電極など會引き出したり、配線全形成した９す
る場合にホトエツチング技術が使用されている。
ところが、この工うなホトエツチング技術工程で、ウェ
ハ表面に、他工程で生成さｆした突起物や、異物が付層
していると、ホトレジスト膜に入り込み、大きな障害を
誘発する。たとえば、配＃全形成する場合には配線間に
短絡を生じさせたり、配線の１９Ｉ？ｊｓなどを生ずる
。またコンタクト方式のマスクアライナで感光する場合
にはマスクに破損を与える。
ハ表面に、他工程で生成さｆした突起物や、異物が付層
していると、ホトレジスト膜に入り込み、大きな障害を
誘発する。たとえば、配＃全形成する場合には配線間に
短絡を生じさせたり、配線の１９Ｉ？ｊｓなどを生ずる
。またコンタクト方式のマスクアライナで感光する場合
にはマスクに破損を与える。
この様なことから、突起物や異′ｆｌｌＪ′に除去する
目的でホトレジスト膜形成前にウェハ表面の洗浄処理全
行なっている。この榴のウェハ表面洗浄処理としでは、
従来ではウォータジェットやブラシを利用した方法があ
るが、これらの方法でに、他工程である不純物拡散工程
やエピタキシャル成長処理等でウェハ表面に生成された
突起物の除去並びにその他の付着異物の完全除去は出来
ない不具合が生じる。
目的でホトレジスト膜形成前にウェハ表面の洗浄処理全
行なっている。この榴のウェハ表面洗浄処理としでは、
従来ではウォータジェットやブラシを利用した方法があ
るが、これらの方法でに、他工程である不純物拡散工程
やエピタキシャル成長処理等でウェハ表面に生成された
突起物の除去並びにその他の付着異物の完全除去は出来
ない不具合が生じる。
したがって、本発明の目的は超音波？利用し、ウェハ表
面に生成された前記突起物を機械的衝撃にエリ破壊し、
除去するとともに、その他の付着異物はブラシと超音波
の併用に工り完全に除去することにあり、板状物表面に
生成された突起物ならびに付着異物を完全に除去する表
面洗浄方法およびその装置全提供することにある。
面に生成された前記突起物を機械的衝撃にエリ破壊し、
除去するとともに、その他の付着異物はブラシと超音波
の併用に工り完全に除去することにあり、板状物表面に
生成された突起物ならびに付着異物を完全に除去する表
面洗浄方法およびその装置全提供することにある。
以下、本発明會図面に基ついて説明する。図面は本発明
の一実施例による洗浄装置の要部を示す断面図である。
の一実施例による洗浄装置の要部を示す断面図である。
本発明装置は被処理物でめるウェハ１盆真空３Ｖｃて吸
着し、回転、上下動左右動するステージ２’に！Ｌ、て
いる。尚、ウニノ・１の異面（被洗浄面）には生成突起
物４．付着異ｇｌＪ５が付いているものとする。ステー
ジ２の上方には振動子６が設置されている。振動子６は
ウェハ１と接触する下面が耐摩耗性の加工部７として構
成さｎており、この撮動子６は超音波振動するように構
成されている。振動子６．加工部７には供給孔１３が設
けられ、こｎら供給孔１３を弁して洗浄液８がステージ
２上に供給される。加工部７の供給孔１３は小孔となり
多数段けられ洗浄液８が、シャワー状にウェハ１上に供
給される。ブラシ９は回転しながらステージ２の上部側
方から前稜動（左右動）シ、ウェハ１の上面會ブラシン
グする。なお、洗浄郡全体はシール１０とカバー１１に
より外部と完全シールされており、洗浄液８は排水口１
２工り外部へ排水される。
着し、回転、上下動左右動するステージ２’に！Ｌ、て
いる。尚、ウニノ・１の異面（被洗浄面）には生成突起
物４．付着異ｇｌＪ５が付いているものとする。ステー
ジ２の上方には振動子６が設置されている。振動子６は
ウェハ１と接触する下面が耐摩耗性の加工部７として構
成さｎており、この撮動子６は超音波振動するように構
成されている。振動子６．加工部７には供給孔１３が設
けられ、こｎら供給孔１３を弁して洗浄液８がステージ
２上に供給される。加工部７の供給孔１３は小孔となり
多数段けられ洗浄液８が、シャワー状にウェハ１上に供
給される。ブラシ９は回転しながらステージ２の上部側
方から前稜動（左右動）シ、ウェハ１の上面會ブラシン
グする。なお、洗浄郡全体はシール１０とカバー１１に
より外部と完全シールされており、洗浄液８は排水口１
２工り外部へ排水される。
次に本発明の洗浄方法の一例として、図面により、ウェ
ハ表面の洗浄方法について説明する。この実施例はウェ
ハ異面の生成突起物、お工び付着異物を除去する方法に
関するものでるる。
ハ表面の洗浄方法について説明する。この実施例はウェ
ハ異面の生成突起物、お工び付着異物を除去する方法に
関するものでるる。
洗浄は３段Ｉｖ（ステップ）に亘って行なわれる。
第１ステツプは超ｆｉ加工による生成突起物の破壊、第
２ステツプはブラシ洗浄による前記生成突起物の破壊片
並びに付着異物の除去、第３ステツプは超音波洗浄によ
る残存微細破壊片及び付着異物の除去と回転乾燥全行な
い、以上のステップは同一ステージ２上で行なう。
２ステツプはブラシ洗浄による前記生成突起物の破壊片
並びに付着異物の除去、第３ステツプは超音波洗浄によ
る残存微細破壊片及び付着異物の除去と回転乾燥全行な
い、以上のステップは同一ステージ２上で行なう。
以下、装置作動から洗浄方法について説明する。
第１ステツプは、ウニノー１’にステージ２にセットし
、真空３により吸着する。ウェハ１の表面には生成突起
物４あるいは付着異物５が付いている。
、真空３により吸着する。ウェハ１の表面には生成突起
物４あるいは付着異物５が付いている。
一方、振動子６は洗浄液８會クエハ１上にシャワー状に
供給すると同時に、超音波振動させる。
供給すると同時に、超音波振動させる。
上記状態でウェハ１ｔステージ２に工９．１転左右動さ
せながら上昇させ、ウニノ１１上の生成突起＊４ｔ−加
工部７に接触させる。
せながら上昇させ、ウニノ１１上の生成突起＊４ｔ−加
工部７に接触させる。
生成突起物４は超音波振動している加工部７に工り、超
音波力ロエさｎ、破壊される。同時に超音波振動してｂ
る洗浄液８が供給されるため、上述破片、並びにその他
付着異物が、ウニノ・１表面上から除去さｎる。
音波力ロエさｎ、破壊される。同時に超音波振動してｂ
る洗浄液８が供給されるため、上述破片、並びにその他
付着異物が、ウニノ・１表面上から除去さｎる。
なお、加工部７の摩耗を均等もしくは少なくする為にス
テージ２を上下動させながら上述第１ステツプ動作を行
なってもより０ ＃！２ステップでは第１ステツプ動作終了後、ステージ
２を降下させてウニノ）１を下降はせ、加工′ｍ７とウ
ェハ１の間に回転させたブラシ９奮前進させて位置させ
、ウェハ１面と加工部７面會ブラシ洗浄する。こｎＫ工
りＭ１１ステツプ動で取り除くことの出来なかった、ウ
ェハｌおよび加工部７面上の粗大異物全除去する。なお
、ウェハ１はステージ２により、回転さｎｌかつ、ブラ
シ９゜お工びウェハ１部分には振動子６から超音波振動
さｎた、洗浄液８が供給さ扛る。これによｐ１ウェハ１
表面が超音波洗浄されると同時にブラシ９も超音波洗浄
され、洗浄効率が高めらｎる。
テージ２を上下動させながら上述第１ステツプ動作を行
なってもより０ ＃！２ステップでは第１ステツプ動作終了後、ステージ
２を降下させてウニノ）１を下降はせ、加工′ｍ７とウ
ェハ１の間に回転させたブラシ９奮前進させて位置させ
、ウェハ１面と加工部７面會ブラシ洗浄する。こｎＫ工
りＭ１１ステツプ動で取り除くことの出来なかった、ウ
ェハｌおよび加工部７面上の粗大異物全除去する。なお
、ウェハ１はステージ２により、回転さｎｌかつ、ブラ
シ９゜お工びウェハ１部分には振動子６から超音波振動
さｎた、洗浄液８が供給さ扛る。これによｐ１ウェハ１
表面が超音波洗浄されると同時にブラシ９も超音波洗浄
され、洗浄効率が高めらｎる。
第３ステツプでは第２ステツプ動作終了後、ブラシ９會
ウ工ハ１面から取外すと同時に、ステージ２を上昇させ
、ウェハ１面を加工部７の近傍にセットし、適度なギヤ
ツブ全尿ち、回転左右動させながら、上下動させ振動子
６にエリ、超音ｔＩｌ振動させた洗浄液８を供給し、第
１ステツプ、第２ステツプ動作で除去出来ない微細な異
ａ／ｌＪ會超音波効果により除去する。
ウ工ハ１面から取外すと同時に、ステージ２を上昇させ
、ウェハ１面を加工部７の近傍にセットし、適度なギヤ
ツブ全尿ち、回転左右動させながら、上下動させ振動子
６にエリ、超音ｔＩｌ振動させた洗浄液８を供給し、第
１ステツプ、第２ステツプ動作で除去出来ない微細な異
ａ／ｌＪ會超音波効果により除去する。
その後、撮動子６からの洗浄液８の供給か止められ、ス
テージ２により、ウェハ１が下降され、高速回転され、
ウェハ１表面の脱水７行ない洗浄作業が終了する。
テージ２により、ウェハ１が下降され、高速回転され、
ウェハ１表面の脱水７行ない洗浄作業が終了する。
なお、本発明はウェハ衣面洗浄以外に、感光用マスクプ
レートの表面洗浄會、はじめ、板状物表面のあらゆる洗
浄への適用がｉ］能である。
レートの表面洗浄會、はじめ、板状物表面のあらゆる洗
浄への適用がｉ］能である。
以上のように本発明ＶＣよれば、従来不ｉ−Ｊ能であっ
たエピタキシャル成長工程等で生成したウェハ表面の突
起物ｔはじめ、あらゆるウェハ表面の付着物全効率よく
、確実ＶＣ除去することが可能であり、牛導体装置製造
の歩留同上１品質向上が図れる。
たエピタキシャル成長工程等で生成したウェハ表面の突
起物ｔはじめ、あらゆるウェハ表面の付着物全効率よく
、確実ＶＣ除去することが可能であり、牛導体装置製造
の歩留同上１品質向上が図れる。
図面は本発明の一実施例による洗浄装置の要部を示す断
面図である。 １・・・ウェハ、２・・・ステージ、３・・・Ａ２．４
・・・生成突起物、５・・・付層異物、６・・・振動子
、７・・・加工部、８・・・洗浄液、９・・・ブラシ、
１０・・・シール、１１・・・カバー、１２・・・排水
口。
面図である。 １・・・ウェハ、２・・・ステージ、３・・・Ａ２．４
・・・生成突起物、５・・・付層異物、６・・・振動子
、７・・・加工部、８・・・洗浄液、９・・・ブラシ、
１０・・・シール、１１・・・カバー、１２・・・排水
口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも回転動作させる被処理物の被洗浄面に洗
浄液を供給するとともに超音波振動する加工部を被洗浄
面に押し付けて洗浄する工程と、前記被処理物と加工部
を引き離した後被洗浄面と加工部面會洗浄液會吹き付け
ながらブラシでこすって洗浄する工程と、前記被処理物
の被処理面に前記加工部を対面させかつ洗浄液全供給し
ながら超音波洗浄する工程と、からなる洗浄方法。 ２、被処理物を保持しかつ回転、上下、左右動するステ
ージ部と、前記被処理物の被洗浄面に洗浄液全供給しな
がら被洗浄面に超音波を作用させる撮動子部と、移動し
て被処理物の被洗浄面に臨むとともに被洗浄面金プラシ
ングするブラシと、全備える洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12754082A JPS5919329A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 洗浄方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12754082A JPS5919329A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 洗浄方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919329A true JPS5919329A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14962534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12754082A Pending JPS5919329A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 洗浄方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919329A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181134A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-13 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| JPH01140727A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法 |
| EP0390134A2 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for cleaning semiconductor devices |
| US5449579A (en) * | 1989-01-10 | 1995-09-12 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd. | Colored metal plate and process for manufacturing same |
| WO2000059006A1 (en) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor wafer cleaning apparatus and method |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12754082A patent/JPS5919329A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181134A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-13 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| JPH01140727A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法 |
| US5449579A (en) * | 1989-01-10 | 1995-09-12 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd. | Colored metal plate and process for manufacturing same |
| EP0390134A2 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for cleaning semiconductor devices |
| WO2000059006A1 (en) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor wafer cleaning apparatus and method |
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