JPH0562960A - 液処理槽および液処理装置 - Google Patents

液処理槽および液処理装置

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Publication number
JPH0562960A
JPH0562960A JP22420991A JP22420991A JPH0562960A JP H0562960 A JPH0562960 A JP H0562960A JP 22420991 A JP22420991 A JP 22420991A JP 22420991 A JP22420991 A JP 22420991A JP H0562960 A JPH0562960 A JP H0562960A
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JP
Japan
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liquid
substrate
liquid processing
processing tank
processing
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Application number
JP22420991A
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English (en)
Inventor
Yoshiharu Takizawa
芳治 滝沢
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ガラス基板,シリコン基板の洗浄、ホトレジス
トの現像処理、剥離処理、および各種薄膜のエッチング
処理などにおいて、その洗浄性能を向上させ、処理時間
を短縮する。 【構成】基板4を搬送して液処理をおこなう液処理槽に
おいて、前記基板4の上面に液を吐出する機能を有する
整流板2を設けたことを特徴とする。 【効果】基板表面での液流速を向上させることができ、
洗浄においては、その洗浄性能を向上させることができ
る。また、現像,剥離,エッチングにおいては、処理時
間を短縮することができる。さらに、処理時間を短縮で
きることにより、液処理槽内における基板の搬送距離を
短くして、この種装置の小形化をはかることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の液処理槽に係
り、特にガラス基板、シリコン基板の洗浄、ホトレジス
トの現像処理,剥離処理、および各種薄膜のエッチング
処理に用いる液処理槽に関する。
【0002】
【従来の技術】基板を液処理する場合、従来にあって
は、たとえば「’90薄膜応用電子デバイス P14
1」に記載のように、基板に処理液をシャワーするよう
にしている。
【0003】また、その応用例として、図3に示すよう
に、液供給口6から処理液10が供給された液処理槽1
内において、基板4を浸漬,揺動しながらシャワーノズ
ル8から処理液を吐出させることもおこなわれている。
【0004】なお、処理液10中に浸漬された基板4a
は、図示を省略した揺動手段により揺動され、その位置
を4aから4b,4cへ、また4cから4b,4aへと
移動する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】液処理において、その
処理速度は、基板表面における処理液の流速に大きく影
響される。
【0006】基板を処理液に浸漬した場合、その処理に
よって基板表面の処理液濃度が変化する。
【0007】たとえば、レジストの付着した基板を剥離
液に浸漬した場合、レジストは基板表面から剥離,溶解
し、剥離液中に溶出する。
【0008】そのため、基板表面の剥離液中のレジスト
濃度が上昇する。
【0009】剥離液の剥離能力は、その液中に溶け込ん
でいるレジストが増加した場合低下するため、基板を処
理液に浸漬しただけでは、基板表面の処理液は、レジス
ト濃度が上昇した状態となり、処理速度が低下する。
【0010】このようなことから、処理速度を向上させ
るには、基板表面の処理液に流れを作り、表面の処理液
の置換をおこなう必要があり、その手段として、従来か
ら、浸漬,揺動する方法が採られている。
【0011】しかし、揺動をおこなう場合でも、その基
板表面の液流速度は、100mm/秒程度であり、充分
な流れを作成することはできなかった。
【0012】また、処理槽外部から処理液を供給して処
理液の置換をおこなう場合も、基板表面の液流による液
置換速度は充分ではなかった。
【0013】たとえば、供給液量が1槽あたり20リッ
トル/分である場合でも、その基板表面での流速は数m
m/秒程度であり、処理速度が遅いという問題があっ
た。
【0014】本発明の目的は、液処理に際して基板表面
の液流速を高め、従来に比べてこの種作業の処理速度を
向上させることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】前記目的は、基板を搬送
して液処理をおこなう液処理槽において、前記基板の上
面に液を吐出する機能を有する整流板を設けることによ
って達成される。
【0016】
【作用】基板と近接した整流板に処理液を供給した場
合、その処理液の基板表面での流速は、基板と整流板と
の距離に反比例し、近接することで上昇する。
【0017】したがって、前記構成よりなる本発明によ
れば、基板表面での液置換が速やかにおこなわれ、この
種作業の処理速度を向上させることができる。
【0018】
【実施例】以下、本発明を、図7を参照しつつ、図1〜
図2、および図4〜図6にもとづいて説明すると、図1
は本発明に係る液処理槽の一実施例を示す外観斜視図、
図2は図1のA−A′断面図である。
【0019】また、図4は本発明に係る液処理槽の第2
の実施例を示す縦断面図である。
【0020】さらに、図5は本発明で使用する整流板2
bの外観斜視図、図6は図5と異なる整流板2cの外観
斜視図である。
【0021】そして、図7は本発明による液流高速化効
果を示す図である。
【0022】図1〜図3において、液処理槽1には、処
理液10を供給する液供給口6と、オーバーフローする
液を排出する排液口7とが設けられている。
【0023】排液口7から排出された処理液は、図示を
省略したタンクに溜められ、濾過,蒸留などの再生処理
を受けた後、再び液供給口6から液処理槽1に供給され
る。
【0024】なお、液供給口6から液処理槽1に供給さ
れる処理液は、前記した再生処理液のみでなく、新液が
供給される場合もある。
【0025】基板4は、図示を省略した搬送手段により
搬送され、処理液10中に浸漬される。
【0026】なお、基板4の搬送手段としては、たとえ
ば回転ローラや、機械的な保持,移動による搬送手段が
採用される。
【0027】処理液10中に浸漬された基板4は、図示
を省略した揺動手段により揺動され、その位置を4aか
ら4b,4cへ、また4cから4b,4aへと移動す
る。
【0028】なお、基板4の揺動手段としては、たとえ
ば回転ローラや、機械的な保持,移動による揺動手段が
採用される。
【0029】液処理槽1内において、基板4が通過する
位置の上部には、整流板2が、フレーム5を介して配置
されている。
【0030】そして、フレーム5は、基板4の搬送,揺
動と干渉しない位置に設けられている。
【0031】また、整流板2には、ノズル3が設けられ
ており、液処理槽1の外部から槽1内に処理液10を吐
出することができる。
【0032】なお、ノズル3から液処理槽1内に吐出す
る処理液10としては、新液のみならず、液処理槽1の
排液口7から槽1外に排出された後、再生処理を受けた
処理液を用いることもできる。
【0033】ノズル3の配置は、図1に示すように、整
流板2の任意の位置に設けることができるが、図5に示
すように、基板4の揺動方向に対し直角方向に位置し
て、整流板2bに、複数個のノズル3bを一列に配置す
ることもできる。
【0034】また、図6に示すように、整流板2cにス
リット状ノズル3cを配置することもできる。
【0035】さらに、図4では、ノズル3dが設置され
ている整流板2dに超音波振動子9が設けられている。
【0036】ここで、図1および図2の実施例に戻っ
て、整流板2に設けられたノズル3には、ノズル1本あ
たり、一例として、1リットル/分の処理液10が供給
される。
【0037】ノズル3の内径は、一例として、5mmで
あり、そのノズル内の流速は、約800mm/秒とな
る。
【0038】しかして、液処理槽1に浸漬,揺動される
基板4が、整流板2の直下を通過するとき、基板表面の
液流は、整流板2とその直下に位置する基板4との間隔
により規制される流速となる。
【0039】一例として、前記間隔が5mmのとき、ノ
ズル3の吐出口直下では、約200mm/秒の流速とな
る。また、前記間隔が2mmの場合、ノズル3の吐出口
直下では、約500mm/秒の流速となり、従来技術の
流速(約100mm/秒)と比較して、著しく速い流速
を得ることができる。
【0040】図7に基板−整流板の間隔と液流速との関
係を示す。
【0041】本発明において、基板表面の液交換速度
は、基板表面流速と同一であり、従来技術の液交換速度
(数mm/秒)と比較して、著しく速い流速を得ること
ができる。
【0042】そして、図7に示すように、前記液流速の
高速効果は、基板−整流板の間隔を10mm以下とした
辺りから顕著となる。
【0043】ところで、液処理において、洗浄や剥離
は、基板表面に付着した汚れやレジストと基板4との界
面に処理液10を侵入させ、汚れやレジストを処理液1
0に溶出,分散,乳化することによって達成されるが、
処理液10を基板4aの界面に侵入させる力としては、
図4に示すように、超音波振動子9から生ずる超音波を
使用することが有効である。
【0044】特に、400kHz以上の周波数を用いる
と、この周波数により生ずる振動加速度が、処理液10
を基板4の界面に有効に侵入させる上で有効である。
【0045】一例として、周波数1.1MHzの超音波
を、処理液10として純水を用いて付加した場合、基板
4に付着した0.5μm以上の異物は、95%以上が除
去された。
【0046】ちなみに、超音波を付加しない場合、その
除去率は50%以下であった。
【0047】なお、前記のごとく、超音波を付加した場
合であっても、溶解,分散した汚れを含む処理液を速や
かに基板4の表面から取り除く必要があり、この要求に
対しては、既述のごとく、整流板2のノズル3から処理
液10を吐出することが有効である。
【0048】また、図5に示すように、基板4の揺動方
向に対し直角方向に位置して、整流板2bに、複数個の
ノズル3bを一列に配置すれば、液流をより一層均一な
流れとして、基板表面に速い液流を起こすことができ
る。
【0049】さらに、図6に示すように、整流板2cに
スリット状ノズル3cを配置することにより、基板4の
搬送方向に対し、均一な液処理をおこなことができる。
【0050】
【発明の効果】以上、本発明によれば、基板表面での液
流速を向上させることがきるため、洗浄においては、そ
の洗浄性能を向上させることができるという効果があ
る。
【0051】また、現像,剥離,エッチングにおいて
は、処理時間を短縮することができるという効果があ
る。
【0052】さらに、処理時間を短縮できることによ
り、液処理槽内における基板の搬送距離を短くして、こ
の種装置の小形化をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液処理槽の一実施例を示す外観斜
視図である。
【図2】図1のA−A′断面図。
【図3】従来技術による液処理槽の縦断面図である。
【図4】本発明に係る液処理槽の第2の実施例を示す縦
断面図である。
【図5】本発明で使用する整流板2bの外観斜視図であ
る。
【図6】本発明で使用する、図5と異なる整流板2cの
外観斜視図である。
【図7】本発明による液流高速化効果を示す図である。
【符号の説明】
1…液処理槽、2,2b,2c,2d…整流板、3,3
b,3c,3d…ノズル、4(4a,4b,4c)…基
板、5…フレーム、6…液供給口、7…排液口、8…シ
ャワーノズル、9…超音波振動子、10…処理液。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板を搬送して液処理をおこなう液処理槽
    において、前記基板の上面に液を吐出する機能を有する
    整流板を設けたことを特徴とする液処理槽。
  2. 【請求項2】整流板と基板との間隔を、少なくとも10
    mm以下とした、請求項1記載の液処理槽。
  3. 【請求項3】整流板に複数個の液吐出ノズルを設けた、
    請求項1または2記載の液処理槽。
  4. 【請求項4】整流板に、基板の揺動方向に対し直角方向
    に複数個の液吐出ノズルを一列に設けた、請求項3記載
    の液処理槽。
  5. 【請求項5】整流板に、基板の揺動方向に対し直角方向
    にスリット状のノズルを設けた、請求項1または2記載
    の液処理槽。
  6. 【請求項6】整流板に超音波振動子を設けた、請求項1
    〜5のいずれかに記載の液処理槽。
  7. 【請求項7】液処理が洗浄、ホトレジストの現像,剥
    離、薄膜のエッチング、およびすすぎのいずれかであ
    る、請求項1〜6のいずれかに記載の液処理槽。
  8. 【請求項8】請求項1〜7のいずれかに記載の液処理槽
    を用いた液処理装置。
JP22420991A 1991-09-04 1991-09-04 液処理槽および液処理装置 Pending JPH0562960A (ja)

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JP (1) JPH0562960A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002114993A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄剤及び洗浄方法
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
JP2021509769A (ja) * 2018-01-04 2021-04-01 ミラクロン コーポレーションMiraclon Corporation 低減された流量のフレキソ印刷処理システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002114993A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄剤及び洗浄方法
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